专利名称：一种oled显示装置及其制作方法
技术领域：
本发明涉及显示装置技术领域，尤其涉及一种OLED显示装置及其制作方法。
背景技术：
有机发光二极管显不装置(Organic Light-Emitting Diode ;0LED),又称为有机电致发光显示装置(Organic Electroluminesence ；0EL)是一门相当年轻的显示技术。它利用有机半导体材料和发光材料在电流的驱动下产生发光来实现显示。OLED与LCD相比有很多优点超轻、超薄、高亮度、大视角、像素自身发光、低功耗、快响应、高清晰度、低发热量、优异的抗震性能、制造成本低、可弯曲等。已被业界普遍认为是最具有发展前途的新一代显示技术。OLED的发光原理是在阳极和阴极之间插入有机功能层，该有机功能层通常包括电荷注入层、电荷传输层以及发光层，在电极之间施加适当的电压，器件就能发光。OLED按照出光方式分为两种，光从基板面发出为底发射型，光从后盖面发出为顶发射型。图I示例出现有技术中的底部发射型的OLED显示装置截面示意图。该底部发射型的OLED显示装置包括基板11、形成于基板11上的阳极12、形成于阳极12上的有机功能层13、形成于有机功能层13之上的阴极14、后盖15以及封装胶16，后盖15通过封装胶16与基板11贴合在一起。其中，基板11 一般为玻璃，阳极12 —般为ITO透明导电薄膜,有机功能层13通常包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电极传输层和电子注入层，阴极14 一般为铝、银、镁或其合金，后盖15包括玻璃后盖和金属后盖，封装胶16 —般为紫外线固化胶。OLED显示装置的颜色一般是由红、绿、蓝三基色组成的，三种颜色分别由不同的发光材料发出。红色材料的CIE值的范围为(^的1值为0.63、.68，CIE的y值为O. 3(Γθ. 35。红色材料典型的CIE值为(O. 66,0. 34)，此种红色应用较为广泛。但在一些特殊用途(如制作商标)中，需要更深红色的CIE值，例如(O. 70，O. 30)，甚至于更深的红色(O. 72，O. 28)。CIE包括x、y两个值，一般来说，CIE的x值在O. 68以上OLED显示装置才能达到深红色效果,而CIE的Y值对深红色的影响不大。在现有阳极材料(如ΙΤ0)的基础上很难达到要求的深红色CIE坐标值，这是因为ITO为透明电极，反射率很小，无法与阴极形成微腔效应。一般认为CIE坐标值在(O. 68，O. 32) (O. 72，O. 28)之间，就能达到深红色的效果。
发明内容
为了满足现有对深红色OLED显示装置的需求，即CIE的x值达到O. 68以上，本发明采用的技术方案为本发明提供了一种OLED显示装置，包括基板、位于所述基板之上的第一电极层、位于所述第一电极层之上的有机功能层、位于所述有机功能层之上的第一透明电极层、与所述基板贴合的封装片，其特征在于，所述第一电极层采用对波长为62(T760nm的光的反射率在90%以上的导电材料制成。
优选地，所述导电材料为金属铜。优选地，还包括位于所述第一电极层和所述有机功能层之间的第二透明电极层。优选地，所述第二透明电极层采用ITO材料制成。本发明还提供了一种OLED显示装置的制作方法，包括提供一基板；在所述基板之上制作第一电极层； 在所述第一电极层之上制作有机功能层；在所述有机功能层之上制作第一透明电极层；将所述基板贴合在封装片上；其中，所述第一电极层米用对波长为620 760nm的光的反射率在90%以上的导电材料制成。优选地，所述导电材料为金属铜。优选地，所述在所述基板上制作第一电极层之后且所述在所述第一电极层上制作有机功能层之前，还包括在所述第一电极层上制作第二透明电极层。优选地，所述第二透明电极层采用ITO材料制成。本发明通过采用对波长为62(T760nm的光的反射率在90以上的导电材料作阳极，透明金属作阴极，因作为阳极的导电材料，对波长为62(T760nm之间的红光的反射率高，可以作为反射电极，透明阴极作为透射电极，在阴、阳两电极之间制作有机功能层，通电时，有机功能层中的红色材料会发出红色的光，这样在由不透明的导电材料制作的阳极和透明阴极之间形成微腔效应，通过微腔效应使有机功能层产生的光发生红移，使CIE的X的值能达到O. 68以上，能够获得深红色OLED显示装置。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I是现有技术中的OLED结构示意图；图2是本发明中实施例一的示意图；图3是本发明中实施例二的示意图。
具体实施例方式为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此，本发明不受下面公开的具体实施例的限制。实施例一请参阅图2 (包括图2 Ca)和图2 (b))。图2 Ca)是本发明实施例一的OLED显示装置的结构示意图。该OLED显示装置包括基板21、位于基板21之上的第一电极层22、位于第一电极层22之上的有机功能层23、位于有机功能层23之上的第一透明电极层24、与基板21贴合的封装片25，该封装片25通过封装胶26与基板21贴合在一起。其中，该第一电极层22采用对波长为62(T760nm的光的反射率在90%以上的导电材料制成。该OLED显示装置采用如图2 (b)所示的方法制作而成。详细参阅图2 (b)。图2(b)为实施例一的OLED显示装置的制作方法流程图。S201、提供基板提供一透明基板21，如图2 (a)所示。对透明基板21的材料不加限制，可以为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、环烯烃聚合物(COC)、玻璃或钢化玻璃等等。S202、在所述基板之上制作第一电极层 采用磁控溅射的方法在基板21上制作第一电极层22，如图2 (a)所示。该第一电极层22的厚度为10(T500nm，采用黄光制程光刻得到所需的电极图案。本实施例中制作第一电极层21的材料为对波长为620 760nm的光的反射率为90%以上的导电材料。波长为620 760nm的光为红光。这样,在通电时，该电极对红光有很高的反射率，利用微腔效应，容易得到深红色的OLED显示装置，即CIE的X值在O. 68以上的OLED显示装置。广义上来说，只要是该第一电极的材料对红光的反射率达到90%以上，一般就能达到要求，例如，金属铜，金属铝(Al)、金属银或其合金对红光的反射率均在90%以上，其中，金属铜为优选材料，因为其本身颜色为铜红色，再加上其导电性能优良，可以作为优选的材料之一。S203、在所述第一电极层之上制作有机功能层通常情况下，采用蒸镀的方法在第一电极层22之上制作有机功能层23，如图2(a)所示。该有机功能层23至少包括有机发光层，为了使显示装置具有更好的显示效果，有机功能层23通常包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。若第一电极层22为阳极,蒸镀的有机功能层依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。其中，蒸镀的空穴注入层的厚度在10(T600nm范围内调整，OLED显示装置的CIE值随着有机功能层的厚度的变化而变化，根据需要调整，从而能够得到CIE的X值大于O. 68的OLED显示装置。S204、在所述有机功能层之上制作第一透明电极层采用蒸镀方法在有机功能层23之上制作第一透明电极层24，如图2 (a)所示。该第一透明电极层24 —般采用金属铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或其合金制成。该第一透明电极层24的厚度要求很薄，优选为5-20nm。因为如果该第一透明电极层24的厚度太厚的话，会引起光的透过率下降。S205、将所述基板贴合在封装片上采用封装胶26将所述基板21贴合在封装片25上，如图2 (a)所示。通常采用的封装胶26为紫外线固化的封装胶。通过本实施例的制作方法制作的OLED显示装置，采用对波长为62(T760nm的光的反射率在90%以上的导电材料制成阳极，由第一透明电极层制成阴极，或者，将对波长为62(T760nm的光的反射率在90%以上的导电材料制作成阴极，第一透明电极层制作成阳极。这样，OLED显示装置在两个电极中间形成微腔效应，因OLED的发光一般为红色，CIE坐标为(O. 66，O. 34)，通过微腔效应，OLED内的光谱发生红移，CIE坐标值能达到(O. 68，O. 32) (O. 72，O. 28)范围，从而获得深红色OLED显示装置。由于CIE的y值对深红色颜色的影响不大，所以CIE值能达到O. 68以上，OLED显示装置就能发出公认的深红色。本实施例中通过调整各层的厚度，甚至能使CIE的X值达到O. 72，这是现有技术中很难或者说无法做到的。此外，本发明实施例提供的制作OLED显示装置的制作方法，操作简单。实施例一中的OLED显示装置的阳极仅有一层对62(T760nm的光的反射率在90%以上的导电材料层。该导电材料的透明度可能不是很理想，为了增强电极的透明度，还可以再在该导电材料层即第一电极层上制作一 透明度高的透明电极层。实施例二请参阅图3 (包括图3 Ca)和图3 (b))。图3 Ca)是本发明实施例二的OLED显示装置的结构示意图。该OLED显示装置结构与实施例一中的OLED的结构不同之处在于，还包括位于第一电极层22和有机功能层23之间的第二透明电极层27，其它结构和附图标记与实施例一的相同，为了简要起见，不再详细陈述。图3 (b)为本发明实施例二的OLED显示装置的制作方法流程图。步骤S301和S302与实施例一中的步骤S201和S202相同。为了简要起见，不再详细描述，请参阅实施例一的相关描述。S303、在所述第一电极层之上制作第二透明电极层通常情况下，采用磁控溅射的方法在第一电极层上制作第二透明电极层27，如图
3(a)所示。第二透明电极层27可以增加该电极的透明度。理论上说，第二透明电极层27只要是高透明度的导电材料即可，优选ITO材料。S304、在所述第二透明电极层之上制作有机功能层在第二透明电极层27之上制作有机功能层23。该步骤与实施例一中的步骤S203相同，不再详细陈述，请参阅实施例一中的步骤S203。步骤S305至S306与实施例一中的步骤S204至S205相同，为了简要起见，不再详细陈述，请参阅实施例一中的步骤S204至S205。以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
权利要求
1.一种OLED显不装置,包括基板、位于所述基板之上的第一电极层、位于所述第一电极层之上的有机功能层、位于所述有机功能层之上的第一透明电极层、与所述基板贴合的封装片，其特征在于，所述第一电极层采用对波长为62(T760nm的光的反射率在90%以上的导电材料制成。
2.根据权利要求I所述的OLED显示装置，其特征在于，所述导电材料为金属铜。
3.根据权利要求I所述的OLED显示装置，其特征在于，还包括位于所述第一电极层和所述有机功能层之间的第二透明电极层。
4.根据权利要求2所述的OLED显示装置，其特征在于，所述第二透明电极层采用ITO材料制成。
5.—种OLED显示装置的制作方法，其特征在于，包括 提供一基板； 在所述基板之上制作第一电极层； 在所述第一电极层之上制作有机功能层； 在所述有机功能层之上制作第一透明电极层； 将所述基板贴合在封装片上； 其中，所述第一电极层米用对波长为62(T760nm的光的反射率在90%以上的导电材料制成。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述导电材料为金属铜。
7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述在所述基板上制作第一电极层之后且所述在所述第一电极层上制作有机功能层之前，还包括在所述第一电极层上制作第二透明电极层。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第二透明电极层采用ITO材料制成。
全文摘要
本发明提供了一种OLED显示装置及其制作方法，所述OLED显示装置包括基板、位于所述基板之上的第一电极层、位于所述第一电极层之上的有机功能层、位于所述有机功能层之上的第一透明电极层、与所述基板贴合的封装片，其中，所述第一电极层采用对波长为620~760nm的光的反射率在90%以上的导电材料制成。这样在透明的导电材料制作的阳极和透明阴极之间形成微腔效应，通过微腔效应使有机功能层产生的红光发生红移，使CIE的x值达到0.68以上，进而获得深红色OLED显示装置。
文档编号H01L51/56GK102956677SQ20121050897
公开日2013年3月6日 申请日期2012年11月30日 优先权日2012年11月30日
发明者张雪峰, 柯贤军, 苏君海, 何基强, 李建华 申请人:信利半导体有限公司