专利名称：显示面板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种显示面板。
背景技术：
一般而言，显示面板内每个次像素具有多个不透光的导线、不透光的讯号线、不透光的主动元件以及电容，而导致显示面板中每个次像素的开口率大幅下降，进而造成显示面板的亮度降低。其中，电容又是由金属/介电层/金属(Metal-1nsulator-Metal, MIM) 结构或金属/介电层/氧化铟锡层(Metal-1nsulator-ΙΤΟ,ΜΙΙ)结构的电容中包含有大面积的金属电极。
若为了提高显示面板的亮度，则需要增加电流。但在低开口率的情况下，电流密度高，又会使发光元件的寿命缩短。因此，亟需一种具有高开口率的显示面板，以应用于各种显示器中。发明内容
本发明的目的在于提供一种具高开口率的显示面板及其制造方法。
本发明的一态样提供一种显示面板，其包含透明基板、第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管、透明下电极、电容层、透明上电极、对向基板及显示介质层。透明基板定义有一显示区及一周边区，显示区具有多个次像素，且至少一次像素至少包含一电容区及一晶体管区。第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管设置于晶体管区的透明基板上。第一薄膜晶体管包含第一栅极、第一源极/漏极、第二源极/漏极及第一主动层，第二薄膜晶体管包含第二栅极、第三源极/漏极、第四源极/漏极及第二主动层。透明下电极设置于电容区的透明基板上，其中透明下电极连接该第一源极/漏极。电容层覆盖透明下电极。透明上电极设置于电容层上，其中透明上电极连接该第三源极/漏极。对向基板设置于透明基板上。显示介质层设置于透明基板与对向基板之间，且显示介质层设置于透明上电极上。
根据本发明一实施方式，显示面板还包含一彩色滤光片夹设于电容区的透明基板及透明下电极之间。
根据本发明一实施方式，电容层还包含覆盖第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管。
根据本发明一实施方式，显示介质层是由自发光材料构成。
根据本发明一实施方式，显示面板还包含一反射电极覆盖显示介质层。
根据本发明一实施方式，显示面板还包含一被覆层，设置于第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管上，其中被覆层具有至少一开口，以定义大致重迭电容区的一有效出光区。
根据本发明一实施方式，透明下电极还包含连接第二薄膜晶体管的第二栅极。
根据本发明一实施方式，显示面板还包含扫描线、数据线及电源线，其中扫描线连接第一薄膜晶体管的第一栅极，数据线连接第一薄膜晶体管的第二源极/漏极，以及电源线连接第二薄膜晶体管的第四源极/漏极。
本发明的另一态样提供 一种制造显示面板的方法，其包含下列步骤。提供一透明基板，其中透明基板定义有一显示区及一周边区，显示区具有多个次像素区，至少一次像素区至少包含一电容区及一晶体管区。形成第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管于晶体管区的透明基板上，其中第一薄膜晶体管包含第一栅极、第一源极/漏极、第二源极/漏极及第一主动层，第二薄膜晶体管包含第二栅极、第三源极/漏极、第四源极/漏极及第二主动层。形成透明下电极于电容区的透明基板上，其中透明下电极连接第一源极/漏极。形成电容层覆盖透明下电极。形成透明上电极于电容层上，其中透明上电极连接第三源极/漏极。提供一对向基板于透明基板上。设置显示介质层于透明基板与对向基板之间，其中显示介质层设置于透明上电极上。
根据本发明一实施方式，形成透明下电极步骤前，还包含形成一彩色滤光片于电容区的透明基板上，且彩色滤光片夹设于电容区的透明基板及透明下电极之间。
根据本发明一实施方式，形成电容层步骤时，电容层还覆盖第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管。
根据本发明一实施方式，制造方法还包含形成一被覆层覆盖透明上电极、第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管，被覆层具有至少一开口，以暴露出透明上电极，且开口定义大致重迭电容区的一有效出光区，以设置显示介质层于开口中，且该显示介质层由自发光材料构成；以及形成反射电极覆盖显示介质层。
根据本发明一实施方式，透明下电极还连接第二薄膜晶体管的第二栅极。
根据本发明一实施方式，制造方法还包含形成一扫描线、一数据线及一电源线于透明基板上，其中扫描线连接第一薄膜晶体管的第一栅极、数据线连接第一薄膜晶体管的第二源极/漏极，以及电源线连接第二薄膜晶体管的第四源极/漏极。
基于上述，藉由设置透明下电极/电容层/透明上电极结构的电容，可有效提升次像素区的开口率。并且，透明下电极与透明上电极分别连接第一薄膜晶体管的第一源极/ 漏极与第二薄膜晶体管的第三源极/漏极，故不需另提供外加电源。
为使本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，
如下
图1是显示依照本发明一实施方式的透明基板的上视图。
图2是显示依照本发明的一实施方式的显示面板的剖面示意图。
图3是显示依照本发明的另一实施方式的显示面板的剖面示意图。
图4是显示依照本发明的第一实施例与第二实施例的次像素区的上视图。
图5是显示依照本发明的第一实施例的显示面板的剖面示意图。
图6是显示依照本发明的第二实施例的显示面板的剖面示意图。
图7是显示依照本 发明另一实施方式的次像素区的上视图。
图8是显示依照本发明一实施方式的制造显示面板的方法的流程图。
附图符号说明
2、3、5、6 显示面板
10透明基板
10’对向基板
15次像素
20栅介电层
20a、20，a、40a 接触孔
30透明下电极
301第一透明下电极
302第二透明下电极
40电容层
50透明上电极
60被覆层
60a开口
70显示介质层
80反射电极
90彩色滤光片
110第一栅极
130第一主动层
140,240蚀刻停止层
1501第一源极/漏极
1502第二源极/漏极
210第二栅极
230第二主动层
2501第三源极/漏极
2502第四源极/漏极
Rd显示区
Rp周边区
Rl晶体 管区
R2电容区
R3有效出光区
COM共同电极线
DL数据线
GL扫描线
PL电源线
TFTl第一薄膜晶体管
TFT2第二薄膜晶体管具体实施方式
以下将结合附图揭示本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见， 一些现有的惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。
图1是显示依照本发明一实施方式的透明基板10的上视图。透明基板10的材质需具有高光穿透率、足够的机械强度以及机械强度，例如为玻璃、石英、透明高分子材料或其他合适的材质。上述透明基板10定义有显示区Rd及周边区Rp。显示区Rd具有数个次像素区15，且至少一次像素区15至少包含一电容区及一晶体管区，下述将详细说明。当然， 于实际应用中，显示区Rd及周边区Rp的设计不以图1所绘示为限。
图2是显示依照本发明的一实施方式的显示面板2的剖面示意图。显示面板2包含透明基板10、第一薄膜晶体管TFTl、第二薄膜晶体管TFT2、透明下电极30、电容层40、透明上电极50、对向基板10’及显示介质层70。
透明基板10的次像素区至少包含有电容区R2及晶体管区R1。由透明下电极30、 电容层40、透明上电极50前述至少三者所构成的透明电容设置在电容区R2内，及第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2皆设置在晶体管区Rl内。因此，相较于一般具有金属电容的显示面板,显示面板2的开口率较高。
第一薄膜晶体管TFTl及第二薄膜晶体管TFT2设置于晶体管区Rl的透明基板10 上。第一薄膜晶体管TFTl包含第一栅极110、第一源极/漏极1501、第二源极/漏极1502 及第一主动层130，第二薄膜晶体管TFT2包含第二栅极210、第三源极/漏极2501、第四源极/漏极2502及第二主动层230。此外，第一薄膜晶体管TFTl及第二薄膜晶体管TFT2可分别选择性地包含蚀刻停止层140、240。
第一薄膜晶体管TFTl及第二薄膜晶体管TFT2的类型可实质上相同或不同。一般而言，薄膜晶体管的类型例如为顶栅型或底栅型。其中，底栅型薄膜晶体管的类型中，栅极是位于主动层的下方，而顶栅型薄膜晶体管的类型中，栅极是位于主动层的上方。例如图2 所示的实施方式，第一薄膜晶体管TFTl及第二薄膜晶体管TFT2为实质上相同的底栅型薄膜晶体管，但不以此为限。也就是说，在此不限各个薄膜晶体管中的栅极、主动层、源极及漏极的相对位置。
下述举例说明薄膜晶体管中的栅极、主动层、源极及漏极可用的材料。第一栅极 110、第二栅极210、第一源极/漏极1501、第二源极/漏极1502、第三源极/漏极2501与第四源极/漏极2502其中至少一个可为单层或多层结构，其材料可为金属或金属化合物。金属材料包含钥(Mo)、铬(Cr)、铝(Al)、钕(Nd)、钛(Ti)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锌(Zn)、 铟(In)、镓(Ga)、其他合适的材料或上述的组合。而金属化合物材料包含金属合金、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、上述材料包含有机成份、其他合适的材料或上述的组合。 第一主动层130及第二主动层230其中至少一个可为单层或多层结构，其材料可包含非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体、氧化物半导体、其他合适的材料或上述的组合。再者第一源极/漏极1501、第二源极/漏极1502、第三源极/漏极2501与第四源极/漏极 2502的材料可与第一栅极110与第二栅极210的材料实质上相同或不同。
为了隔离主动层与栅极，需设置栅介电层20于第一主动层130与第一栅极110之间，以及第二主动层230与第二栅极210之间。当然，在不同的薄膜晶体管结构设计下，栅介电层与其他元件的相对位置可有所不同。
透明下电极30设置于电容区R2的透明基板10上，且透明下电极30连接第一薄膜晶体管TFTl的第一源极/漏极1501。详细而言，透明下 电极30的一端连接第一薄膜晶体管TFTl的该第一源极/漏极1501，而透明下电极30的另一端不连接第二薄膜晶体管TFT2的第三源极/漏极2501及第四源极/漏极2502。依据不同的工艺步骤顺序，透明下电极30 可直接覆盖一部分的第一源极/漏极1501，或两者通过接触孔(未绘示于图2)连接。透明下电极30可为单层或多层结构，且其透明导电材料可为氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化铟锌(ΙΖ0)、 氧化铪(HfOx)、氧化锌(ZnOx)、氧化铝锌(AZO)、氧化铝锡(ATO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化镓锌(GZO)、氧化铟钛(ITiO)、氧化铟钥(MO)、或具有约3至15奈米(nm)厚度的薄金属材料、或上述材料包含有机成份、或其他透明导电材料。其中，金属材料可选用上述已提出的材料，且若金属材料超过本发明所述的厚度就不可再称为透明导电材料。
电容层40覆盖透明下电极30。在一实施例中，电容层40作为保护层，其还覆盖第一薄膜晶体管TFTl及第二薄膜晶体管TFT2。此电容层40亦可称为介电层，可为单层或多层结构，其材料可包含有机材料、无机材料、或上述的组合。上述的材料可选自如下述图 5中被覆层60所述的材料，且介电层与被覆层的材料可实质上相同或不同。
透明上电极50设置于电容层40上，且透明上电极50连接第二薄膜晶体管TFT2的该第三源极/漏极2501。详细而言，透明上电极50的一端连接第二薄膜晶体管TFT2的该第三源极/漏极2501，而透明上电极50的另一端不连接第一薄膜晶体管TFTl的第一源极 /漏极1501及第二源极/漏极1502。透明上电极50可直接覆盖一部分的第三源极/漏极 2501，或两者通过接触孔(未绘示于图2)连接。由上述可知，透明下电极30/电容层40/ 透明上电极50构成一透明电容结构，故相较于传统的显示面板，显示面板2的开口率较高。 此外，亦能够以透明上电极50与透明下电极30重迭的区域来定义电容区R2的位置。透明上电极50的材料可与透明下电极30的材料实质上相同或不同。再者，次像素区15至少由晶体管区Rl及电容区R2所构成，而电容区R2是由上、下透明电极30与50重迭而成的区域，使得电容区R2可称为透明区，所以，次像素区15中的电容区R2可称为有效光可视区或有效次像素区。
对向基板10’设置于透明基板10上。依据显示面板的结构，可选择不同的对向基板10’。显示面板例如但不限于非自发光显示器(non-self-emissive display)或自发光显不器(self-emissive display)。
显示介质层70设置于透明基板10与对向基板10’之间，且显示介质层70设置于透明上电极50上。在此不限显示介质层70的材料，显示介质层70可包含非自发光材料、 自发光材料、其他合适的材料或上述的组合。非自发光材料例如为液晶、电湿润、电泳、其他合适的材料或上述的组合。自发光材料例如为有机发光材、无机发光材、其他合适的材料或上述的组合。以非自发光材料中的液晶材料当作显示介质层70为范例，显示面板可称为液晶显示面板，对向基板10’可选择性还包含彩色滤光片，则对向基板10’可称为彩色滤光基板。必需注意的是，以非自发光材料当作显示介质层70的显示面板，通常需要额外光源(未绘示)。
图3是显示依照本发明的另一实施方式的显示面板3的剖面示意图。显示面板3 还包含彩色滤光片90夹设于电容区R2的透明基板10及透明下电极30之间，而对向基板 10’上，不设置任何的彩色滤光片90。
在又一实施方式中，显示介质层70是由自发光材料构成。图4是显示依照本发明的再一实施例次像素区的上视图。图5是显示依照本发明 的再一实施例的显示面板5的剖面示意图(沿图4的AA’线段)。图6是显示依照本发明的再一实施例的其它显示面板6的剖面示意图(沿图4的AA’线段)。然而，本发明所属技术领域的技术人员可视实际情况对电容及晶体管的布局(layout)作适当调整，并不以图4所绘示为限。
如图4所示，显示面板5还包含扫描线GL、数据线DL及电源线PL，其中第一薄膜晶体管TFTl的第一栅极110连接扫描线GL，第一薄膜晶体管TFTl的第二源极/漏极1502 连接数据线DL，以及第二薄膜晶体管TFT2的第四源极/漏极2502连接电源线PL。
如图5所示,显示面板5与显示面板2相似，因此,可参阅图2相关的描述。另外， 除了包含透明基板10、第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2、透明下电极30、电容层 40、透明上电极50、对向基板10’之外,显示面板5与显示面板2差异在于,显示面板5还包含被覆层60与反射电极80，且显示介质层70是由自发光材所构成。
必需说明的是，次像素区15至少由晶体管区Rl及电容区R2所构成，较佳地，次像素区15位于扫描线GL、数据线DL及电源线PL所围置的区域内。电容区R2是由上、下透明电极30与50重迭而成的区域，使得电容区R2可称为透明区，所以，次像素区15中的电容区R2可称为有效光可视区或有效次像素区。被覆层60设置于第一薄膜晶体管TFTl及第二薄膜晶体管TFT2上，其具有一开口 60a，以定义大致重迭电容区R2的有效出光区R3。 有效出光区R3是指显示面板5在电源开启的状态下，能够发光的区域，或是指开口的维度 (dimension)。在此提及的维度，是指长度与宽度构成的二维维度。电容区R2的维度可大于或实质上等于有效出光区R3的维度。被覆层60可为单层或多层结构，其材料包含有机介电材料(例如聚亚酰胺(Polyimide，PI)、聚碳酸酯(PC)、聚苯二甲酸酯、聚奈二甲酸醇酯、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、其它合适的材料、上述聚合物衍生物)、无机材料(例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其它合适的材料)或上述的组合。
反射电极80覆盖自发光显示介质层70。因此，当自发光显示介质层70发光时， 光线会朝向透明基板10的外表面方向出光，更甚而，朝向反射电极80的光线会被反射或折射而朝向透明基板10的外表面方向出光。换言之，第一实施例的结构属于一种底发光 (bottom emission)结构。反射电极80可为单层或多层结构,其材料包含金属、金属化合物或其他合适的材料。其中，金属与金属化合物的材料可查阅上述，但可选用相同或不同的材料。
在本实施例中，如图4所示，透明下电极30的另一端通过接触孔20a连接第二薄膜晶体管TFT2的第二栅极210，透明上电极50的一端通过接触孔40a连接第二薄膜晶体管 TFT2的第三源极/漏极2501。
此外，电容层40作为保护层，是毯覆式地覆盖透明下电极30、第一薄膜晶体管 TFTl与第二薄膜晶体管TFT2，如图5所示。藉此，不需另设置一保护层，而可节省工艺成本。
如图6所示，相较于图5的实施例，显示面板6还包含彩色滤光片90夹设于电容区R2的透明基板10及透明下电极30之间。即，彩色滤光片90会与该电容区R2的电容重迭。因此，可通过彩色滤光片90调整自发光显示介质层70所发出的光的颜色。
此外，特别的是，因栅介 电层20是毯覆式地覆盖第一栅极110、第二栅极210与电容区R2的透明基板10，故彩色滤光片90是夹设于栅介电层20的上表面与透明下电极30 之间。
再者，如图5及图6中，除了透明下电极30的一端连接第一薄膜晶体管TFTl的该第一源极/漏极1501之外，透明下电极30的另一端也连接第二薄膜晶体管TFT2的第一栅极210，但透明下电极30不连接第二薄膜晶体管TFT2的第三源极/漏极2501及第四源极 /漏极2502。透明上电极50的一端连接第二薄膜晶体管TFT2的该第三源极/漏极2501， 但透明上电极50的另一端不连接第一薄膜晶体管TFTl的第一源极/漏极1501及第二源极/漏极1502。
图7是显示依照本发明又再一实施方式的次像素15的上视图。在本实施方式中， 于次像素区15中设置有两个薄膜晶体管与两个透明电容，其电极之间连接关系详述如下。 第一透明下电极301的一端连接第一薄膜晶体管的第一源极/漏极1501与第一透明下电极301的另一端连接第二薄膜晶体管的第二栅极210 (通过接触孔20a)。第二透明下电极 302的一端连接共同电极线C0M(通过接触孔20’ a)，但第二透明下电极302另一端不与其它元件，例如第一透明下电极、第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管连接。透明上电极50的一端连接第二薄膜晶体管的第三源极/漏极2501 (通过接触孔40a)，但透明上电极50的另一端不与第一薄膜晶体管TFTl的第一源极/漏极1501及第二源极/漏极1502。由此可知，本发明也适用于次像素区中具有多个电容的布局。
以下将详述显示面板的制造方法。图8显示制造显示面板的方法800的流程图， 其包含提供透明基板(步骤810)、形成第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管(步骤820)、形成透明下电极(步骤830)、形成电容层(步骤840)、形成透明上电极(步骤850)、提供对向基板(步骤860)及设置显示介质层(步骤870)等步骤。
在步骤810中，提供透明基板10，其中透明基板10定义有显示区Rd及一周边区 Rp,如图1所示。显示区Rd具有多个次像素区15，且至少一次像素区15至少包含一电容区 R2及一晶体管区Rl,如图2所示。
在步骤820中，形成第一薄膜晶体管TFTl及第二薄膜晶体管TFT2于晶体管区Rl 的透明基板10上，如图2所示。第一薄膜晶体管TFTl包含第一栅极110、第一源极/漏极1501、第二源极/漏极1502及第一主动层130，第二薄膜晶体管TFT2包含第二栅极210、第三源极/漏极2501、第四源极/漏极2502及第二主动层230。此外，栅介电层20设置于第一主动层130与第一栅极110之间，以及第二主动层230与第二栅极210之间。
依据不同的结构设计，其工艺步骤可有所变动，故在此不限制造薄膜晶体管中各元件的步骤顺序。例如可藉由溅镀、蒸镀或其他薄膜沉积工艺搭配微影蚀刻工艺形成第一栅极110、第二栅极210、第一源极/漏极1501、第二源极/漏极1502、第三源极/漏极2501 与第四源极/漏极2502。可藉由化学气相沉积工艺搭配微影蚀刻工艺形成第一主动层130 与第二主动层230。此外，上述各元件的制造方法，亦可使用网版印刷方法、喷墨方法、激光剥除方法或其它合适的方法。
在一实施方式中，请参考图4，方法800还包含形成扫描线GL、数据线DL及电源线 PL步骤。第一薄膜晶体管TFTl的第一栅极110连接扫描线GL，第一薄膜晶体管TFTl的第二源极/漏极1502连接数据线DL，以及第二薄膜晶体管TFT2的第四源极/漏极2502连接电源线PL。于步骤820中，可同时形成扫描线GL、数据线DL及电源线PL。例如，形成第一栅极110与第二栅极210时，同时形成扫`描线GL ;形成第一源极/漏极1501、第二源极/ 漏极1502、第三源极/漏极2501与第四源极/漏极2502时，同时形成数据线DL及电源线 PL。
在步骤830中，如图2所示，形成透明下电极30于电容区R2的透明基板10上，且透明下电极30，例如透明下电极30的一端，连接第一源极/漏极1501。例如可利用物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺搭配微影蚀刻工艺形成透明下电极30。此外，上述元件的制造方法，亦可使用网版印刷方法、喷墨方法、激光剥除方法或其它合适的方法。
在一实施方式中，透明下电极30连接第二薄膜晶体管TFT2的第二栅极210，例如图4所示。为达到透明下电极30与第二栅极210之间的连接关系，可选择性地于步骤830 前先进行图案化工艺，以露出部分第二栅极210。也就是说，透明下电极30的一端连接第一薄膜晶体管TFTl的第一源极/漏极1501，且透明下电极30的另一端连接第二薄膜晶体管TFT2的第二栅极210，但透明下电极30不连接第二薄膜晶体管TFT2的第三源极/漏极 2501与第三源极/漏极2502。
在一实施方式中，在进行步骤830前，先形成一保护层(未绘示)覆盖并接触第一薄膜晶体管TFTl及第二薄膜晶体管TFT2。
在一实施方式中，在进行步骤830前，还包含形成彩色滤光片90于电容区R2的透明基板10上，且彩色滤光片90夹设于电容区R2的透明基板10及透明下电极30之间，例如图3所示。例如可藉由微影工艺形成彩色滤光片90或是网版印刷方法、喷墨方法、或其它合适的方法。
在步骤840中，形成电容层40覆盖透明下电极30，如图2所示。可藉由化学气相沉积工艺形成电容层40。其中，电容层40也可称为介电层。此层材料的选择可查看上述相关描述。
在一实施方式中，电容层40还覆盖第一薄膜晶体管TFTl及第二薄膜晶体管TFT2， 如图5所示。也就是说，电容层40作为保护层。因此，本实施方式少了需另形成保护层的步骤，故可节省工艺成本。
在步骤850中，如图2所示，形成透明上电极50于电容层40上，且透明上电极50 连接第三源极/漏极2501。例如可利用物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺搭配微影蚀刻工艺形成透明上电极50。此外，上述元件的制造方法，亦可使用网版印刷方法、喷墨方法、 激光剥除方法或其它合适的方法。为达到透明上电极50与第三源极/漏极2501之间的连接关系，可选择性地于步骤850前先进行图案化工艺，以露出部分第三源极/漏极2501。也就是说，透明上电极50的一端连接第二薄膜晶体管TFT2的第三源极/漏极2501，但透明上电极50的另一端不连接第一薄膜晶体管TFTl的第三源极/漏极1501与第三源极/漏极1502。
在步骤860中，提供一对向基板10’于透明基板10上，如图2所示。对向基板10’ 的实施方式可参考上述说明。
在步骤870中，设置显示介质层70于透明基板10与对向基板10’之间，且其设置于透明上电极50上，如图2所示。显示介质层70的实施方式可参考上述说明。
在一实施方式中，如图5所示，先形成被覆层60覆盖第一薄膜晶体管TFTl及第二薄膜晶体管TFT2，且其具有一开口 60a露出透明上电极50的一部分，再形成显示介质层70 于开口中60a(即步骤870)。其中，被覆层60的材料可查阅上述，且显示介质层70以自发光 材料为范例，但不限于此。然后形成反射电极80覆盖自发光显示介质层70。上述开口 60a定义大致重迭电容区R2的有效出光区R3。
综上所述，本发明的实施方式藉由设置透明下电极/电容层/透明上电极堆迭结构的透明电容，以提升次像素区的开口率。并且，透明下电极与透明上电极分别连接第一薄膜晶体管的第一源极/漏极与第二薄膜晶体管的第三源极/漏极，而不需另提供外加电源。 此外，在一实施方式中，电容层作为保护层，而能够节省工艺成本。因此，本发明的实施方式的显示面板能够有效地应用于各种显示器中。
虽然本发明已 以实施方式揭示如上，然其并非用以限定本发明，本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的前提下，可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围是以本发明的权利要求为准。
权利要求
1.一种显不面板，包含一透明基板，其定义有一显示区及一周边区，该显示区具有多个次像素区，至少一次像素区至少包含一电容区及一晶体管区；一第一薄膜晶体管及一第二薄膜晶体管，设置于该晶体管区的该透明基板上，其中该第一薄膜晶体管包含一第一栅极、一第一源极/漏极、一第二源极/漏极及一第一主动层， 该第二薄膜晶体管包含一第二栅极、一第三源极/漏极、一第四源极/漏极及一第二主动层；一透明下电极，设置于该电容区的该透明基板上，其中该透明下电极连接该第一源极/ 漏极；一电容层，覆盖该透明下电极；一透明上电极，设置于该电容层上，其中该透明上电极连接该第三源极/漏极；一对向基板，设置于该透明基板上；以及一显示介质层，设置于该透明基板与该对向基板之间，且该显示介质层设置于该透明上电极上。
2.如权利要求1所述的显示面板，还包含一彩色滤光片夹设于该电容区的该透明基板及该透明下电极之间。
3.如权利要求1所述的显示面板，其中该电容层还包含覆盖该第一薄膜晶体管及该第二薄膜晶体管。
4.如权利要求1所述的显示面板，其中该显示介质层是由自发光材料构成。
5.如权利要求4所述的显示面板，还包含一反射电极，覆盖该显示介质层。
6.如权利要求4所述的显示面板，还包含一被覆层，设置于该第一薄膜晶体管及该第二薄膜晶体管上，其中该被覆层具有至少一开口，以定义大致重迭该电容区的一有效出光区。
7.如权利要求4所述的显示面板，其中该透明下电极还包含连接该第二薄膜晶体管的该第二栅极。
8.如权利要求7所述的显示面板，还包含一扫描线、一数据线及一电源线，其中该扫描线连接该第一薄膜晶体管的该第一栅极，该数据线连接该第一薄膜晶体管的该第二源极/ 漏极，以及该电源线连接该第二薄膜晶体管的该第四源极/漏极。
9.一种显示面板的制造方法，包含提供一透明基板，其中该透明基板定义有一显示区及一周边区，该显示区具有多个次像素区，至少一次像素区至少包含一电容区及一晶体管区；形成一第一薄膜晶体管及一第二薄膜晶体管于该晶体管区的该透明基板上，其中该第一薄膜晶体管包含一第一栅极、一第一源极/漏极、一第二源极/漏极及一第一主动层，该第二薄膜晶体管包含一第二栅极、一第三源极/漏极、一第四源极/漏极及一第二主动层；形成一透明下电极于该电容区的该透明基板上，其中该透明下电极连接该第一源极/ 漏极；形成一电容层覆盖该透明下电极；形成一透明上电极于该电容层上，其中该透明上电极连接该第三源极/漏极；提供一对向基板于该透明基板上；以及设置一显示介质层于该透明基板与该对向基板之间，其中该显示介质层设置于该透明上电极上。
10.如权利要求9所述的制造方法，于形成该透明下电极步骤前，还包含形成一彩色滤光片于该电容区的该透明基板上，且该彩色滤光片夹设于该电容区的该透明基板及该透明下电极之间。
11.如权利要求9所述的制造方法，其中形成该电容层步骤时，该电容层还覆盖该第一薄膜晶体管及该第二薄膜晶体管。
12.如权利要求9所述的制造方法，还包含形成一被覆层覆盖该透明上电极、该第一薄膜晶体管及该第二薄膜晶体管，该被覆层具有至少一开口，以暴露出该透明上电极，且该开口定义大致重迭该电容区的一有效出光区，以设置该显示介质层于该开口中，且该显示介质层由自发光材料构成；以及形成一反射电极覆盖该显示介质层。
13.如权利要求12所述的制造方法，其中该透明下电极还连接该第二薄膜晶体管的该第二栅极。
14.如权利要求13所述的制造方法，还包含形成一扫描线、一数据线及一电源线于该透明基板上，其中该扫描线连接该第一薄膜晶体管的该第一栅极、该数据线连接该第一薄膜晶体管的该第二源极/漏极，以及该电源线连接该第二薄膜晶体管的该第四源极/漏极。
全文摘要
提供一种显示面板及其制造方法。该显示面板，其包含透明基板、第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管、透明下电极、电容层、透明上电极、对向基板及显示介质层。透明基板定义有显示区及周边区，显示区具有多个次像素区，且至少一次像素区至少包含一电容区及一晶体管区。第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管位于晶体管区的透明基板上。透明下电极、电容层以及透明上电极依序设置于电容区的透明基板上，其中透明下电极连接第一薄膜晶体管的源极或漏极，透明上电极连接第二薄膜晶体管的源极或漏极。显示介质层设置于透明基板与对向基板之间。在此亦提供制造此显示面板的方法。
文档编号H01L21/77GK103066078SQ201210569868
公开日2013年4月24日 申请日期2012年12月25日 优先权日2012年10月31日
发明者奚鹏博 申请人:友达光电股份有限公司