发光二极管的制作方法
【专利摘要】一种发光二极管，包括发光二极管晶粒、基板、形成于发光二极管晶粒上的第一电极及第二电极、形成于基板顶面上的第一锡膏层及第二锡膏层，第一锡膏层与第一电极焊接，第二锡膏层与第二电极焊接，所述第一锡膏层在基板的顶面上的投影超出所述发光二极管晶粒在基板的顶面上的投影范围，所述第二锡膏层在基板的顶面上的投影超出所述发光二极管晶粒在基板的顶面上的投影范围。由于第一锡膏层在基板的顶面上的投影超出发光二极管晶粒在基板的顶面上的投影范围，第二锡膏层在基板的顶面上的投影超出发光二极管晶粒在基板的顶面上的投影范围，增强了对发光二极管晶粒的支撑作用，使得所述发光二极管的结构得到强化，在受到外力的作用下不易发生变形。
【专利说明】发光二极管
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体结构，尤其涉及一种发光二极管。
【背景技术】[0002]相比于传统的发光源，发光二极管(Light Emitting Diode, LED)具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点，其作为一种新型的发光源，已经被越来越广泛地应用。
[0003]现有的发光二极管，通常包括一基板及固定在该基板上的一发光二极管晶粒。该发光二极管晶粒的底面向下设有一对电极，该基板的顶面上对应该发光二极管晶粒的电极形成一对锡膏层。该发光二极管晶粒的电极与该基板的锡膏层导电连接。在制造应用该发光二极管的产品或运输该发光二极管的过程中，发光二极管晶粒及锡膏层在受到外力时容易相对于基板发生歪斜而偏离原来的位置，而影响使用甚至损毁。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，有必要提供一种具有强化结构的发光二极管。
[0005]一种发光二极管，包括发光二极管晶粒、基板、形成于发光二极管晶粒上的第一电极及第二电极、形成于基板顶面上的第一锡膏层及第二锡膏层，第一锡膏层与第一电极焊接并夹置于发光二极管晶粒与基板顶面之间，第二锡膏层与第二电极焊接并夹置于发光二极管晶粒与基板顶面之间，所述第一锡膏层在基板的顶面上的投影超出所述发光二极管晶粒在基板的顶面上的投影范围，所述第二锡膏层在基板的顶面上的投影超出所述发光二极管晶粒在基板的顶面上的投影范围。
[0006]与现有技术相比，本发明的发光二极管中，所述第一锡膏层在基板的顶面上的投影超出所述发光二极管晶粒在基板的顶面上的投影范围，所述第二锡膏层在基板的顶面上的投影超出所述发光二极管晶粒在基板的顶面上的投影范围，增强了对发光二极管晶粒的支撑作用，使得所述发光二极管的结构得到强化，在受到外力的作用下不易发生变形。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1为本发明一实施例的发光二极管的剖面示意图。
[0008]图2为图1中所示发光二极管的俯视示意图。
[0009]主要元件符号说明
【权利要求】
1.一种发光二极管，包括发光二极管晶粒、基板、形成于发光二极管晶粒上的第一电极及第二电极、形成于基板顶面上的第一锡膏层及第二锡膏层，所述第一锡膏层与第一电极焊接并夹置于发光二极管晶粒与基板顶面之间，所述第二锡膏层与第二电极焊接并夹置于发光二极管晶粒与基板顶面之间，其特征在于:所述第一锡膏层在基板的顶面上的投影超出所述发光二极管晶粒在基板的顶面上的投影范围，所述第二锡膏层在基板的顶面上的投影超出所述发光二极管晶粒在基板的顶面上的投影范围。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于:所述第一锡膏层、第二锡膏层分别形成于基板顶面的对角处，彼此正对、间隔设置。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于:还包括底部填充胶，该底部填充胶填充在发光二极管晶粒与基板之间的缝隙中。
4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于:该底部填充胶形成的外部轮廓呈锥形，该底部填充胶底部的外边缘与基板的外边缘对齐。
5.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于:该底部填充胶由液体脂环族环氧树月旨、球型硅微粉、环氧固化剂和促进剂、硅微粉表面处理剂制备而成。
6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于:所述发光二极管晶粒包括第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述有源层位于第一半导体层和第二半导体层之间，第一电极形成于该第一半导体层底面，第二电极形成于该第二半导体层底面。
7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于:所述有源层为单量子阱结构或多量子阱结构。
8.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于:所述基板是塑料基板或表面设置有导电线路的陶瓷基板。
【文档编号】H01L33/48GK103904203SQ201210573096
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2012年12月26日 优先权日:2012年12月26日
【发明者】赖志成 申请人:鸿富锦精密工业（深圳）有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司