专利名称：功率三极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及ー种功率三极管。
背景技术：
三极管是现有电子技术中不可缺少的器件，其广泛应用于可种功率器件，具有重要的作用。现有的普通三极管的结构如图IA 图ID所示，其具有基极B和发射E扱，具体的包括基区11、基区接触电极12、发射区13和发射区接触电极14，由于三极管本身的特性，正常使用吋，该三极管基极B的电位不够高，同时安全工作区也不够宽，而且三极管在截止是不容易关断。为改善其性能，现有ー种改进的三极管结构，如图2A 图2D所示，该三极管的基极B和发射极E之间具有一 N+环，且该N+环独立存在，具体结构包括基区21、基区接触电极22、发射区23、发射区接触电极24及N+环25，N+环其隔离B极和E极，使得BE 之间形成ー个沟道电阻，相当于B极串联一个电阻R，可以改善基极B电流并提升B极的电位，还可以改善三极管的安全工作区(SOA)，但也由于该电阻的存在，三极管的关断较慢。综上可知，现有的功率三极管，在实际使用上显然存在不便与缺陷，所以有必要加以改进。
实用新型内容针对上述的缺陷，本实用新型的目的在于提供ー种功率三极管，其可以改善基极B电流并提高B极的电位，并提高三极管的安全工作区(SOA)，同时可以加快三极管的关断。为了实现上述目的，本实用新型提供ー种功率三极管，具有基极和发射极，所述基极和发射极之间连接有一 N+环，且所述N+环与所述基极相连通。根据本实用新型的功率三极管，所述N+环的一半与所述基极开ロ连接。本实用新型通过在三极管的基极和发射极之间设置ー N+环，使得三极管改善其基极的电流及电位，并可以提高三极管的安全工作区，同时，将N+环与基极连通，在三极管关断时，基极与N+环连接的PN结处于正向偏置，相当于正向导通的ニ极管，从而能很快的放电，借此实现快速关断。
图IA是现有技术ー实施例的三极管的结构示意图；图IB是图IA所示三极管结构的电路示意图；图IC是图IA所示三极管的电流流向示意图；图ID是图IA所示三极管结构的反覆盖结构示意图；图2A是现有技术另ー实施例的三极管的结构示意图；图2B是图2A所示三极管结构的电路示意图；图2C是图2A所示三极管的电流流向示意图；图2D是图2A所示三极管结构的反覆盖结构示意图；[0016]图3A是本实用新型一实施例的三极管的结构示意图；图3B是图3A所示三极管结构的电路示意图；图3C是图3A所示三极管的电流流向示意图；图3D是图3A所示三极管结构的反覆盖结构示意图；图4A 图4E为本实用新型三极管的制作流程示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一歩详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释 本实用新型，并不用于限定本实用新型。參见图3A 图3D，本实用新型提供了一种功率三极管100，其可以为NPN或PNP型三极管，该功率三极管100具有基极B和发射极E，且基极B和发射极E之间具有一 N+环，该N+环与基极B相连通，具体的反覆盖结构(见图3D)包括基区31、基区接触电极32、发射区33、发射区接触电极34及N+环35。本实用新型的优选方案为，所述N+环开ロ的一部分与基极B的开ロ连接。借此，由于功率三极管100的基极B和发射极E间N+环的存在，使得基极B和发射极E间形成沟道电阻R，并且N+环与基极B相连通，这样形成的反向PN结以反向ニ极管D的形式存在，结合图3B，同时由于N+环与基极B—同开通，在N+环周围形成PN结，在BE正向导通的情况下，PN结处于反偏状态，基极B和N+环间处于截止状态，电流Ibe由N+环线面的P型沟道流过，由于沟道电阻R的存在，因此达到提高基极B的电位和三极管100的安全工作区(SOA)的目的。而在三极管100关断时，基极B与N+环连接的PN结处于正向偏置，由沟道和基极P型区形成的ニ极管D导通，电流Iebo能够迅速的流过PN结，借此实现快速关断的作用。參见图4A 图4E，本实用新型提供了上述功率三极管100的制作エ艺。图4A，对芯片进行基区扩散后，表面形成基区。图4B，在基区的基础上进行发射区(N+)扩散，其包括N+环和发射区(E扱)扩散。图4C，经过发射区预扩N+环较窄，再经过发射区推进后，发射区和N+环的横向扩散使得N+环横向变宽。图4D，刻蚀引线孔。该步骤的关键是将N+环的一部分同基区一同开孔，本实用新型的实施例中，优选将N+环开ロ的一半与基区开ロ一起连通。图4E，制程完毕，发射区E单独连接，基区B同N+环进行相连，形成沟道电阻R的同时，形成反向的PN结ニ极管结构。综上所述，本实用新型通过在三极管的基极和发射极之间设置ー N+环，使得三极管改善其基极的电流及电位，并可以提高三极管的安全工作区，同时，将N+环与基极连通，在三极管关断吋，基极与N+环连接的PN结处于正向偏置，从而能很快的放电，借此实现快速关断。当然，本实用新型还可有其它多种实施例，在不背离本实用新型精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。
权利要求1.ー种功率三极管，具有基极和发射极，其特征在于，所述基极和发射极之间连接有一N+环，且所述N+环与所述基极相连通。
2.根据权利要求I所述的功率三极管，其特征在于，所述N+环开ロ的一半与所述基极的开ロ连接。
专利摘要本实用新型适用于电子技术领域，提供了一种功率三极管，其具有基极和发射极，所述基极和发射极之间连接有一N+环，且所述N+环与所述基极相连通。更好的是，所述N+环开口的一半与所述基极开口相连接。借此，本实用新型可以提高基极的电位及安全工作区，并缩短三极管的关断时间，提高其可靠性。
文档编号H01L29/06GK202502995SQ20122000223
公开日2012年10月24日 申请日期2012年1月5日 优先权日2012年1月5日
发明者李建球, 杨晓智, 王友铸 申请人:深圳市鹏微科技有限公司