专利名称：一种超导器件电极的连接结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电路的连接结构，具体涉及一种超导器件电极与外电路连接的可靠结构设计。
技术背景目前，超导器件电极与外电路连接普遍采用高频插座，在高频插座与超导器件电极之间使用焊接材料(如铟、金丝等)实现连接。但是，由于高频插座另一端要与电缆连接，在连接过程中不可避免地造成高频插座内导体的摆动，虽然焊接材料铟或者金丝有良好的应力缓释性，但是连接强度不高，由此带来的问题是焊接连接处容易脱焊。
发明内容为了克服现有的连接方法容易脱焊的缺陷，本实用新型的目的在于提供一种超导器件电极与外电路连接的可靠结构，该结构不仅能实现超导器件电极与外电路的可靠连接，而且便于焊接操作，提高超导器件产品工艺一致性。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种超导器件电极的连接结构，包括高频插座和超导器件电极，在所述高频插座与超导器件电极之间设置传输过渡线，三者为串联结构，所述传输过渡线由传输过渡线基片、传输过渡线导体和跨线构成，其中传输过渡线导体的一端与高频插座内导体连接，另一端经跨线与超导芯片上的超导器件电极连接。所述传输过渡线导体与高频插座内导体采用锡钎焊连接。所述传输过渡线与高频插座内导体、超导器件电极阻抗匹配；所述传输过渡线与超导芯片安装于同一个微波腔体内。所述传输过渡线基片材质为陶瓷或普通介质。本实用新型的有益效果消除了高频插座内导体摆动对铟焊点/跨接线造成的脱焊隐患，达到超导器件内外电极可靠连接的目的，同时降低了对工艺操作的要求。
以下结合附图
和实施例对本实用新型进一步说明。图I是本实用新型的电路结构图。图2是本实用新型的电路结构侧视图。图3是本实用新型的实施例剖视图。图中1.高频插座，2.高频插座内导体，3.传输过渡线基片，4.传输过渡线导体，5.跨线，6.超导器件电极，7.超导芯片，8.超导器件盒体，9.螺钉。
具体实施方式
在超导器件电极与高频插座内导体之间，设置一段传输过渡线。该传输过渡线阻抗与超导器件电极、高频插座内导体阻抗相匹配，传输过渡线使用覆膜陶瓷或覆铜板制作。传输过渡线与高频插座相连接的一端，满足锡钎焊技术要求；传输过渡线与超导器件电极连接的一端，满足金丝(铝丝、硅铝丝等)键合技术要求。高频插座、传输过渡线、超导芯片完成固定后，将传输过渡线与超导器件电极使用跨线实现连接；传输过渡线与高频插座使用锡钎焊实现连接。因为传输过渡线、超导芯片是固定的，所以跨线是稳定可靠的；传输过渡线与高频插座内导体锡钎焊连接，稳定可靠。传输过渡线的设置，消除了高频插座内导体摆动对铟焊点/跨接线造成的脱焊隐患，达到超导器件内外电极可靠连接的目的。以下参照附图具体说明在图I、图2中，高频插座内导体2、传输过渡线导体4、超导器件电极6为串联结构，高频插座内导体2与传输过渡线导体4使用锡钎焊连接，传输过渡线导体4与超导器件电极6使用跨线5连接。在图3所示实施例中，高频插座I用螺钉9紧固在超导器件盒体8上，传输过渡线基片3 (接地板底部便于粘接或焊接)和超导芯片7焊接固定在超导器件盒底，高频插座内 导体2与传输过渡线导体4使用锡钎焊连接，传输过渡线导体4与超导器件电极6使用跨线5连接。传输过渡线基片3和超导芯片7安装在同一个微波腔体内。
权利要求1.一种超导器件电极的连接结构，包括高频插座(I)和超导器件电极(6)，其特征是在所述高频插座(I)与超导器件电极(6)之间设置传输过渡线，三者为串联结构，所述传输过渡线由传输过渡线基片(3)、传输过渡线导体(4)和跨线(5)构成，其中传输过渡线导体(4)的一端与高频插座内导体(2)连接，另一端经跨线(5)与超导芯片上的超导器件电极(6)连接。
2.据权利要求I所述的超导器件电极的连接结构，其特征是所述传输过渡线导体(4)与高频插座内导体(2)采用锡钎焊连接。
3.根据权利要求I所述的超导器件电极的连接结构，其特征是所述传输过渡线与高频插座内导体、超导器件电极阻抗匹配；所述传输过渡线与超导芯片安装于同一个微波腔 体内。
4.根据权利要求I所述的超导器件电极的连接结构，其特征是所述传输过渡线基片材质为陶瓷或普通介质。
专利摘要本实用新型涉及一种超导器件电极的连接结构，包括高频插座和超导器件电极，在所述高频插座与超导器件电极之间设置传输过渡线，三者为串联结构，所述传输过渡线由传输过渡线基片、传输过渡线导体和跨线构成，其中传输过渡线导体的一端与高频插座内导体连接，另一端经跨线与超导芯片上的超导器件电极连接。传输过渡线与高频插座内导体采用锡钎焊连接。本实用新型采用传输过渡线跨接，消除了高频插座内导体摆动对铟焊点/跨接线造成的脱焊隐患，达到超导器件内外电极可靠连接的目的。
文档编号H01R4/68GK202513288SQ20122010015
公开日2012年10月31日 申请日期2012年3月16日 优先权日2012年3月16日
发明者丁晓杰, 王生旺 申请人:中国电子科技集团公司第十六研究所