专利名称：发光二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及光电技术领域，具体涉及光电领域中的一种发光二极管。·
背景技术：
发光二极管虽具有较长的使用寿命以及较低耗电量等特性，但其发射出的光线发散角度过于分散，因此有些使用场合需要对其光线集中，由于光线太过分散，集中时具有一定的难度。
实用新型内容针对上述技术问题，本实用新型提供一种发光二极管，其结构简单，能够对发光二极管的发射出光线进行有效地集中，提高其光线强度。实现本实用新型的技术方案如下发光二极管,该发光二极管包括一端封闭、一端敞开的半圆形壳体，在半圆形壳体内设置有发光芯片，半圆形壳体内壁设置有第一反光层，在半圆形壳体下方设置有上下贯通的壳体，壳体的上端与半圆形壳体固定连接，壳体的下端设置有透光罩，所述壳体的内壁设置有第二反光层。为了增加发射光线的强度，所述半圆形壳体内设置有多个发光芯片，半圆形壳体内设置有安装发光芯片的支持面，发光芯片均布在支撑面上。所述支撑面位于半圆形壳体敞开端的内壁周围，该支撑面为倾斜设置。这样将发光芯片设置在支撑面上，能够使发光芯片发出的光线相对集中。所述壳体的内部为锥形型腔,壳体口径大的一端与半圆形壳体的敞开端连通，口径小的一端安装上述的透光罩。采用了上述方案，发光芯片发出的光线通过第一反光层的反射，从半圆形壳体的敞开端进入壳体内，并由壳体内的第二反光层再次进行反射，从透光罩照射出去，其通过两次的集中反射，既能将光线集中，又能提高了发射光线的强度。
图I为本实用新型的结构示意图；图中，I为半圆形壳体，2为发光芯片,3为第一反光层,4为壳体,5为透光罩,6为第二反光层，7为支持面，8为锥形型腔。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型进一步说明。参见图1，发光二极管，包括一端封闭、一端敞开的半圆形壳体1，其内部也形成半圆形的腔体，在半圆形壳体内设置有发光芯片2，半圆形壳体内壁设置有第一反光层3，在半圆形壳体下方设置有上下贯通的壳体4，壳体的上端与半圆形壳体固定连接，其可以采用胶合或螺钉连接的方式将二者固定连接在一起，壳体的下端设置有透光罩5，透光罩为圆弧形，其能够对发射出的光线进行聚焦，壳体的内壁设置有第二反光层6。其中，半圆形壳体内设置有多个发光芯片2，半圆形壳体内设置有安装发光芯片的支持面7，支撑面位于半圆形壳体 敞开端的内壁周围，该支撑面为倾斜设置，多个发光芯片均布在支撑面上。壳体的内部为锥形型腔8,壳体口径大的一端与半圆形壳体的敞开端连通，口径小的一端安装上述的透光罩5。
权利要求1.发光二极管，其特征在于该发光二极管包括一端封闭、一端敞开的半圆形壳体，在半圆形壳体内设置有发光芯片，半圆形壳体内壁设置有第一反光层，在半圆形壳体下方设置有上下贯通的壳体，壳体的上端与半圆形壳体固定连接，壳体的下端设置有透光罩，所述壳体的内壁设置有第二反光层。
2.根据权利要求I所述的发光二极管，其特征在于所述半圆形壳体内设置有多个发光芯片，半圆形壳体内设置有安装发光芯片的支持面，发光芯片均布在支撑面上。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于所述支撑面位于半圆形壳体敞开端的内壁周围，该支撑面为倾斜设置。
4.根据权利要求I所述的发光二极管，其特征在于所述壳体的内部为锥形型腔，壳体口径大的一端与半圆形壳体的敞开端连通，口径小的一端安装上述的透光罩。
专利摘要本实用新型涉及光电技术领域，具体涉及光电领域中的一种发光二极管，包括一端封闭、一端敞开的半圆形壳体，在半圆形壳体内设置有发光芯片，半圆形壳体内壁设置有第一反光层，在半圆形壳体下方设置有上下贯通的壳体，壳体的上端与半圆形壳体固定连接，壳体的下端设置有透光罩，所述壳体的内壁设置有第二反光层。发光芯片发出的光线通过第一反光层的反射，从半圆形壳体的敞开端进入壳体内，并由壳体内的第二反光层再次进行反射，从透光罩照射出去，其通过两次的集中反射，既能将光线集中，又能提高了发射光线的强度。
文档编号H01L33/60GK202797060SQ20122031501
公开日2013年3月13日 申请日期2012年6月29日 优先权日2012年6月29日
发明者黄方 申请人:无锡中铂电子有限公司