专利名称：提高正向光输出量的图形衬底的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种图形衬底，尤其是一种提高正向光输出量的图形衬底，属于半导体衬底的技术领域。
背景技术：
目前，LED外延生长多使用的衬底有平片衬底和图形衬底之分。图形衬底又分为蒙古包形结构图形、网状结构图形、圆柱结构图形、梯形圆台结构图形、三角锥形结构图形、三角台形结构图形等众多种类，其中多以蒙古包图形衬底(即点状包形结构)为主。蒙古包形结构的周期为3 μ m，高度多为1 2μπι，底部直径多为2 3μπι，如图5所示。然而，目前的蒙古包形结构图形衬底生长制造出的器件还不能完全满足各行各业的需求，提高LED器件的发光亮度及发光效率是LED企业的发展所需。各公司企业都在向着闻端、闻売以及大功率广品迈进。在提闻売度的步伐中，企业对所使用的衬底要求也越来越闻。
发明内容本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种提高正向光输出量的图形衬底，其结构紧凑，提高正向光的输出量，改善光电性能，适应范围广，安全可靠。按照本实用新型提供的技术方案，所述提高正向光输出量的图形衬底，包括衬底本体及位于所述衬底本体上的图形；所述图形呈圆锥结构，所述圆锥结构图形在衬底本体上周期性分布。所述图形的剖面呈等腰三角形状，所述图形的高度为1 3μπι，底部宽度为Γ5 μ m，相邻图形间的间 隙为0.1 I μ m。所述衬底本体的材料包括蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氮化铝或尖晶石。本实用新型的优点:在衬底本体上设置圆锥形图形，能够增大正向光的输出量，从而改善得到LED器件的光电性能，提高LED芯片的发光效率及发光亮度。
图1为本实用新型的立体示意图。图2为图1的俯视图。图3为图1的剖视图。图4为图3中剖视图的放大图。图5为现有衬底本体上设置蒙古包图形的结构示意图。附图标记说明:1-衬底本体及2-图形。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。[0016]如图1、图2、图3和图4所示:为了提高正向光的输出量，本实用新型的图形衬底包括衬底本体1，所述衬底本体I上设置图形2，所述图形2呈圆锥结构，图形2在衬底本体I上周期性均匀分布。图1和图2中示出了，图形2在衬底本体I上周期性分布的示意图，衬底本体I上设置两排图形2，每排图形2包括六个圆锥结构，两排的圆锥结构间交错分布，具体实施时，衬底本体I上图形2的周期性分布结构可以根据需要进行设置。所述衬底本体I的材料可以为蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氮化镓、氮化铝或尖晶石等，图形2的材料与衬底本体I的材料相同，图形2可以通过对衬底本体I进行刻蚀得到。本实用新型实施例中，图形2的剖面呈等腰三角形，所述剖面形成的等腰三角形中，高度h为广3 μ m，底部宽度d为I飞μ m,相邻图形2间的间隙为0.Γ μ m。等腰三角形的顶部夹角为10°C 100°C。本实用新型，在衬底本体I上设置圆锥形图形2，能够增大正向光的输出量，从而改善得到LED器件的光电 性能，提高LED芯片的发光效率及发光亮度。
权利要求1.一种提高正向光输出量的图形衬底，包括衬底本体(I)及位于所述衬底本体(I)上的图形(2);其特征是:所述图形(2)呈圆锥结构，所述圆锥结构图形在衬底本体(I)上周期性分布。
2.根据权利要求1所述的提高正向光输出量的图形衬底，其特征是:所述图形(2)的剖面呈等腰三角形状，所述图形(2)的高度为1 3μπι，底部宽度为I飞ym，相邻图形(2)间的间隙为0.Γ μπι0
3.根据权利要求1所述的提高正向光输出量的图形衬底，其特征是:所述衬底本体(I)的材料是蓝宝石、 碳化硅、硅、砷化镓、氮化铝或尖晶石。
专利摘要本实用新型涉及一种图形衬底，尤其是一种提高正向光输出量的图形衬底，属于半导体衬底的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述提高正向光输出量的图形衬底，包括衬底本体及位于所述衬底本体上的图形；所述图形呈圆锥结构，所述圆锥结构图形在衬底本体上周期性分布。本实用新型在衬底本体上设置圆锥形图形，能够增大正向光的输出量，从而改善得到LED器件的光电性能，提高LED芯片的发光效率及发光亮度。
文档编号H01L33/20GK203038964SQ201220651678
公开日2013年7月3日 申请日期2012年12月1日 优先权日2012年12月1日
发明者钟玉煌, 郭明灿, 姜红苓 申请人:江苏新广联科技股份有限公司