一种适于导片的石英舟的制作方法

文档序号:6786297阅读:171来源:国知局
专利名称:一种适于导片的石英舟的制作方法
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池片的扩散设备,特别涉及一种适于导片的石英舟。
背景技术
石英舟是一种在扩散炉中用来装载硅太阳能电池片或称硅片的夹具,其外形需要与扩散设备、硅片、自动化设备相适应。由于硅片厚度正常处于200-170um范围,较薄,因此要保证硅片在装载过程及后续的高温扩散和氧化过程中保持完整,不受损坏。同时,随着硅太阳能电池片生产线对自动化和品质要求的提高,要求石英舟能满足扩散品质与自动化。但是目前国内厂家采用的石英舟存在以下问题:(I)在槽口设计不合理,槽口较窄,使得装载有硅片的石英舟同一性不好,不但影响了扩散工艺,同时也使得自动化导片过程中碎片率高;(2)取舟套筒设于石英舟框架的底部中间,阻碍了自动化导片设备从底部顶起硅片;(3)结构不牢固,使用后变形、损坏率过高。

实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种适于导片的石英舟,可降低硅片碎片率。本实用新型的目的可通过以下技术方案实现:一种适于导片的石英舟,包括支撑框架和安装于支撑框架上的取舟套筒,所述支撑框架包括两端面板以及一对相互平行的上槽棒和一对相互平行的下槽棒,所述上槽棒和下槽棒上均开有用于卡插硅片的卡槽,所述上槽棒的卡槽设置在上槽棒的内侧面,所述下槽棒的卡槽设置在下槽棒的上表面,所述上槽棒的卡槽和下槽棒的卡槽均为倾斜设置的V型槽,以端面板为基准面,该V型槽的倾斜角度a为2° 5°,槽深为3mnT4mm,槽底宽度为ImnTl.5mm,两槽壁的夹角@为20° 30°,通过较宽的V型槽槽口来适于自动导片设备进行导片,降低硅片碎片率。在上述基础上,本实用新型可做如下改进:本实用新型所述的一对上槽棒的间距大于所述的一对下槽棒的间距,以稳定卡插硅片,并利于自动导片设备从框架底部向上托起硅片。本实用新型所述下槽棒的两侧设有一对相互平行的支撑棒,所述支撑棒的两端固定于两端面板上,以增强支撑框架的牢固程度,降低硅片碎片率。本实用新型所述的一对支撑棒的间距大于所述的一对上槽棒的间距,以进一步增强支撑框架的牢固程度,降低硅片碎片率。作为本实用新型的进一步改进:本实用新型所述取舟套筒位于端面板的顶部,以避免取舟套筒阻碍自动导片设备进行导片。本实用新型所述端面板的底部中心开有用于外部自动导片设备定位的半圆形定位孔,以便自动导片设备精确定位石英舟的位置,提高导片成功率。与现有技术相比,本实用新型技术具有如下有益效果:(I)本实用新型的V型槽的设置可使硅片稳固卡插在卡槽内,同时也降低了插片难度,降低了插片时或自动导片设备导片时的碎片率,从而提高硅片扩散工艺中的扩散品质;(2)本实用新型通过各槽棒及支撑棒间距的设置,提高了支撑框架整体的牢固程度,使石英舟结构紧凑,不易扭曲,进一步降低了硅片碎片率;(3)本实用新型将取舟套筒设于端面板的顶部,避免了现有技术中取舟套筒在一对下槽棒之间而阻碍自动导片设备进行导片的问题,从而降低了插片、导片的难度,更进一步降低了硅片的碎片率。

图1为本实用新型的主视结构示意图;图2为图1的A处放大示意图;图3为图1的侧视图。图中:1、支撑框架;11、上槽棒;111、上槽棒的卡槽;12、下槽棒;121、下槽棒的卡槽;13、端面板;14、支撑棒;2、取舟套筒;4、定位孔。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。如图f 3所示的一种适于导片的石英舟,包括支撑框架I和安装于支撑框架上的取舟套筒2,支撑框架I包括两端面板13以及一对相互平行的上槽棒11和一对相互平行的下槽棒12,上槽棒11和下槽棒12架设在两端面板13上,取舟套筒2位于端面板13的顶部。两上槽棒11的间距大于两下槽棒12的间距,在下槽棒12的两侧设有一对相互平行的支撑棒14,支撑棒14的两端固定于两端面板13上,两支撑棒14的间距大于两上槽棒11的间距,从而形成稳固的支撑框架I结构。上槽棒11和下槽棒12上均开有卡槽,卡槽沿各槽棒长度方向阵列设置,卡槽用于卡插娃片,每个卡槽可卡插两个娃片。上槽棒11的卡槽111设置在上槽棒11的内侧面,下槽棒12的卡槽121设置在下槽棒11的上表面。上槽棒11的卡槽111和下槽棒121的卡槽121均为为倾斜设置的V型槽,以端面板13为竖直的基准面,该V型槽的倾斜角度α为2° 5°,槽深为3mnT4mm,槽底宽度为ImnTl.5mm,两槽壁的夹角β为20。 30°,通过较宽的V型槽槽口,及倾斜的角度来稳固承载硅片,并适于自动导片设备进行导片,降低硅片碎片率。其中,本实施例的上槽棒11、下槽棒12和支撑棒14均选用Φ14的石英棒,取舟套筒2选用外径Φ16、内径Φ10、长度194mm的石英管,端面板13选用厚度为IOmm的石英板。娃片装载在上、下槽棒11、12的V型槽上,形成与四根槽棒的四个接触点。上槽棒11中的每个V型槽相同,上槽棒11的V型槽的倾斜角度为3°,乂型槽槽深为4mm,V型槽槽底宽度为1mm,V型槽两槽壁的夹角为20°,各V型槽的槽距为
4.76±0.05mm ;设置两上槽棒11槽底间的距离为159mm,该距离略大于156mmX 156mm规格硅片的长度,进一步降低插片、导片难度。下槽棒12中的每个V型槽相同,下槽棒12的V型槽的倾斜角度为3°,V型槽槽深为3mm,V型槽槽底宽度为1mm,V型槽两槽壁的夹角为30°,各V型槽的槽距为4.76±0.05mm。端面板13的外侧壁与下槽棒12中最靠近的V型槽的距离为15mm±0.1mm。如图3所示,端面板13的底部中心开有用于外部自动导片设备定位的半圆形定位孔4,该定位孔4半径为R6.5mm。本实用新型的实施方式不限于此,按照本实用新型的上述内容,利用本领域的普通技术知识和惯用手段,在不脱离本实用新型上述基本技术思想前提下,本实用新型还可以做出其它多种形式的修改、替换或变更,均落在本实用新型权利保护范围之内。
权利要求1.一种适于导片的石英舟,包括支撑框架(I)和安装于支撑框架(I)上的取舟套筒(2),所述支撑框架(I)包括两端面板(13)以及一对相互平行的上槽棒(11)和一对相互平行的下槽棒(12),所述上槽棒(11)和下槽棒(12)均开有用于卡插硅片的卡槽,所述上槽棒(11)的卡槽(111)设置在上槽棒(11)的内侧面,所述下槽棒(12)的卡槽(121)设置在下槽棒(12)的上表面,其特征在于:所述上槽棒(11)的卡槽(111)和下槽棒(12)的卡槽(121)均为倾斜设置的V型槽,以端面板(13)为基准面,所述V型槽的倾斜角度a为2° 5。,槽深为3mm 4mm,槽底宽度为Imm 1.5mm,两槽壁的夹角P为20° 30°。
2.根据权利要求1所述的适于导片的石英舟,其特征在于:所述的一对上槽棒(11)的间距大于所述的一对下槽棒(12)的间距。
3.根据权利要求1所述的适于导片的石英舟,其特征在于:所述下槽棒(12)的两侧设有一对相互平行的支撑棒(14),所述支撑棒(14)的两端固定于两端面板(13)上。
4.根据权利要求3所述的适于导片的石英舟,其特征在于:所述的一对支撑棒(14)的间距大于所述的一对上槽棒(11)的间距。
5.根据权利要求1-4任一项所述的适于导片的石英舟,其特征在于:所述取舟套筒(2)位于端面板(13)的顶部。
6.根据权利要求1-4任一项所述的适于导片的石英舟,其特征在于:所述端面板(13)的底部中心开有用于外部自动导片设备定位的半圆形定位孔(4)。
专利摘要本实用新型公开了一种适于导片的石英舟,包括支撑框架和安装于支撑框架上的取舟套筒,所述支撑框架包括两端面板以及一对相互平行的上槽棒和一对相互平行的下槽棒,所述上槽棒和下槽棒上均开有用于卡插硅片的卡槽,所述上槽棒的卡槽设置在上槽棒的内侧面,所述下槽棒的卡槽设置在下槽棒的上表面,所述上槽棒的卡槽和下槽棒的卡槽均为倾斜设置的V型槽,以端面板为基准面,该V型槽的倾斜角度α为2°~5°,槽深为3mm~4mm,槽底宽度为1mm~1.5mm,两槽壁的夹角β为20°~30°。本实用新型可使硅片稳固卡插在卡槽内,同时也降低了插片难度,降低了插片时或自动导片设备导片时的碎片率,从而提高硅片扩散工艺中的扩散品质。
文档编号H01L21/673GK203071053SQ20122074583
公开日2013年7月17日 申请日期2012年12月29日 优先权日2012年12月29日
发明者唐亮, 王利国, 戴德鵬, 刘屹, 张伟, 冷皓, 郭辉, 周洋 申请人:晶澳(扬州)太阳能科技有限公司
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