导电基板和具有该导电基板的触摸屏的制作方法

导电基板和具有该导电基板的触摸屏的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种导电基板和包含有该导电基板的触摸屏，并且本发明的导电基板包含：基板；导电图形，其设置在所述基板的至少一个表面上；以及变暗层，其设置在所述导电图形的至少一个表面上且在对应于所述导电图形的区域中，并且，与除了导电图形由Al形成且不包含变暗层具有相同构造的导电基板相比，通过在一个所述变暗层可见的表面上照射来自点光源的光获得的反射衍射图像的反射衍射强度降低60%以上。
【专利说明】导电基板和具有该导电基板的触摸屏
【技术领域】
[0001]本申请要求于2011年3月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2011-0027832号的优先权，其公开的内容通过引用全部引入本申请。
[0002]本发明涉及一种导电基板和具有该导电基板触摸屏。
【背景技术】
[0003]一般而言，显示装置作为整体指的是用于TV或电脑的显示器，并且包含形成图像的显示二极管和支撑所述显示二极管的外壳。
[0004]显示二极管的实例可以包括等离子体显示面板(PDP)、液晶显示器(IXD)、电泳显示器、阴极射线管(CRT)、OLED显示器等。在所述显示二极管中可以设置用于实现图像的RGB像素图形和额外的滤光片。
[0005]同时，与显示装置相关，随着智能手机、平板电脑和IPTV的普及加速，对于使用人手作为直接输入装置而不需要例如键盘或遥控器的单独输入装置的触控功能的需要正在增加。另外，也需要用于识别特定点和记录的多点触控功能。
[0006]执行上述功能的触摸屏根据信号检测方式可以被分成下列类型。
[0007]也就是，有电阻型，其在施加直流电压的状态下通过电流或电压值的变化检测压力挤压的位置；电容型，其在施加交流电压的状态下使用电容耦合；电磁型，其在施加磁场作为电压等的变化的状态下检测选定的位置。
[0008]其中，电阻型和电容型触摸屏是最广泛普及的，它们通过使用例如ITO膜的透明导电膜通过电接触或电容的变化来识别触控。但是，因为大多数透明导电膜具有150欧姆/平方以上的高电阻，所以在放大时灵敏度降低，并且当使用其制造触摸屏时，通过例如光刻法的工艺顺序进行的ITO图形化工艺和金属电路部分的电极图形化工艺很复杂，并且随着屏幕尺寸增加，将有ITO膜的成本快速增加的问题，从而当进行制造时，制造成本增厚并且难以应用于放大。为了克服这个问题，当前致力于使用具有高导电率的金属图案来实施放大。在使用金属图形的情况下，金属图形由于金属的高导电率而有助于面积放大，并且考虑到产率和成本是有利的，因为电路电极和图像部分同时形成以减少工艺数目。
[0009]但是，在通过使用金属图形构成触摸屏的情况下，由于结构特征不同于已知ΙΤ0，会发生另外的光学现象，其中之一是由例如阳光的点光源产生的反射衍射现象，以及另一种是当使用规则金属图形时显现的莫尔(moir6)现象。
[0010]在此情况下，所述反射衍射现象指的是当例如阳光或内部LED的点光源将光照射到设置了显示器金属图形的表面上时，在金属图形为规则的情况下，通过用所述点光源的反射形成衍射而形成了图形，降低了用户的辨识度。反射衍射现象正在增大为一种要被甚至更严格管理的光学性质，因为在当前显示器中重量轻并便携的产品的采用正在逐渐增加以强调室外可视性等。
[0011]此外，莫尔现象是这样一种现象，其中在显示器的像素图形或电极图形上存在规则图形的情况下，由于所述显示器的像素和图形之间的干涉现象而导致形成另一类型的干涉图形，并且这一现象降低了辨识度并且干扰了像素的混色，导致降低显示器的图像质量的问题。
[0012]在等离子体显示面板(PDP)作为其一个实例的情况下，在加入金属网格图形以屏蔽电磁波的情况下，由于等离子体显示器的像素和金属网格图形的规则性会导致发生莫尔现象。因此，为了解决这个问题，一般而言，如果确定了等离子体显示面板(PDP)的规格，则通过滤光片的金属网格图形的角度设计来努力解决该莫尔现象。
[0013]但是，通过设定显示像素和金属网格图形的角度来避免莫尔现象是繁琐的，因为根据显示器的尺寸和像素实现方式需要使用不同的图形。

【发明内容】

[0014]技术问题
[0015]在努力开发用于改善上述触摸屏性能的技术过程中完成了本发明。具体而言，在近来广泛使用的IXD显示面板中更精细地形成了像素图形以实现高分辨率，并且根据各个制造商产品应用不同尺寸和形状的像素，从而使得越来越难以通过仅仅用已知的网格图形的角度设计导入一种一致的莫尔纹避免设计来制造产品。
[0016]技术方案
[0017]本发明的一个不例性实施方式提供了一种导电基板，其包含:板；导电图形，其设置在所述板的至少一个表面上；以及，变暗层，其设置在所述导电图形的至少一个表面上且在与所述导电图形对应的区域中，其中，与除了导电图形由Al形成且不包含变暗层之外具有相同构造的导电基板相比，通过在变暗层可见的一个表面上照射从点光源发射的光获得的反射衍射图像的反射衍射强度降低60%以上。
[0018]本发明的另一个示例性实施方式提供了一种导电基板，其包含:板；导电图形，其设置在所述板的至少一个表面上；以及，变暗层，其设置在所述导电图形的至少一个表面上且在与所述导电图形对应的区域中，其中，与除了导电图形由Al形成且不包含变暗层之外具有相同构造的导电基板相比，在变暗层可见的一个表面上通过使用具有假设环境光的总反射率测试装置测定的总反射率降低20%以上。
[0019]本发明的另一个示例性实施方式提供了一种触摸屏，其包括:导电基板，所述导电基板包括:基板；导电图形，其设置在所述基板的至少一个表面上；和变暗层，其设置在所述导电图形的至少一个表面上且在与所述导电图形对应的区域中；以及在所述导电基板的变暗层可见的表面上的另外的透明板，其中，与除了导电图形由Al形成且不包含变暗层之外具有相同构造的导电基板相比，通过在所述导电基板的变暗层可见的一个表面上照射从点光源发射的光获得的反射衍射图像的反射衍射强度降低60%以上。
[0020]本发明的另一个示例性实施方式提供了一种触摸屏，其包括:导电基板，所述导电基板包括:基板；导电图形，其设置在所述基板的至少一个表面上；和变暗层，其设置在所述导电图形的至少一个表面上且在与所述导电图形对应的区域中；以及在所述导电基板的变暗层可见的表面上的另外的透明板，其中，与除了导电图形由Al形成且不包含变暗层之外具有相同构造的导电基板相比，在导电基板的变暗层可见的一个表面上通过使用具有假设环境光的总反射率测试装置测定的总反射率降低20%以上。
[0021 ] 本发明的另一个示例性实施方式提供了 一种显示器，其包含所述触摸屏以及显示模块。
[0022]有益效果
[0023]根据本发明的导电基板和包含所述导电基板的触摸屏不会遮蔽视图，具有优异导电性，减少了由于点光源导致的反射衍射现象，并且防止由莫尔现象导致的显示图像质量的降低。另外，因为根据本发明的导电图形可以用各种方法，例如间接印刷法、光刻法、照相法、使用硬掩膜的方法，或者在预先设定所需图形后用溅射法形成，所以该方法容易进行且成本低。
【专利附图】

【附图说明】
[0024]图1是图示已知触摸屏的反射衍射现象的视图。
[0025]图2是图示用于测量根据本发明的示例性实施方式的导电基板的总反射率的装置的构造的视图。
[0026]图3是图示根据本发明的示例性实施方式的导电基板的总反射率的曲线图的视图。
[0027]图4是图示用于评价根据本发明的示例性实施方式的导电基板的光性质的反射衍射装置的视图。
[0028]图5是图示已知导电基板的反射衍射图像的视图。
[0029]图6是图示根据本发明的示例性实施方式的导电基板的反射衍射图形的视图。
[0030]图7是通过肉眼观察根据本发明的示例性实施方式的触摸屏的反射衍射性能获得的视图。
[0031]图8和图9是显示根据本发明的示例性实施方式的触摸屏的总反射率的测试结果的视图。
【具体实施方式】
[0032]以下，将详细地描述本发明。
[0033]努力完成本发明主要是为了提供最小化在使用规则图形的情况下由于点光源导致的反射衍射现象的方法，以及所述反射衍射现象的评价方法和标准，以在实践中在显示器中使用该方法，并且进一步提供一种图形设计方法来基本解决上述莫尔现象，和包含其的导电基板和包含其的触摸屏。
[0034]在如已知技术(ΙΤ0等)一样形成整个透明表面导电层的情况下，存在的问题是电阻会随着透光率成比例地过度增加。另外，和网格法或线性法一样，在规则内部结构中包含由一种或多种规则图形形成的导电图形的情况下，例如具有像素结构的显示器、具有规则图形结构的光学膜、或包含电极结构的显示器，因为与所述图形结构相邻的光源，在所述图形之间会发生相对干涉，从而发生莫尔现象，并且如果发生莫尔现象，就会降低视觉识别性质(可见性)。
[0035]而且，在显示器具有含有规则图形的光学膜或者电极结构的情况下，在当其设置在显示器中外部光为点光源的情况下，可能由于图形的规则性导致发生衍射。因此，为了解决这个问题，在本发明中，基本上，在反射衍射现象的情况下，反射衍射现象的强度主要取决于金属本身的反射率。因此，作为降低金属的反射衍射现象的方法，在本发明中，所述变暗层被引入对应于导电图形的表面，从而降低导电图形的反射率并且改善光吸收性能。下图1显示了在例如阳光的点光源存在时包含网格图形的已知触摸屏的反射衍射现象的视图。
[0036]根据本发明的导电基板包括:基板；导电图形，其设置在所述基板至少一个表面上；和变暗层，其设置在所述导电图形的至少一个表面上且在与所述导电图形对应的区域中。
[0037]本发明的一个不例性实施方式提供了一种导电基板，其包含:基板；导电图形，其设置在所述基板的至少一个表面上；和变暗层，其设置在所述导电图形的至少一个表面上且在与所述导电图形对应的区域中，其中，与除了导电图形由Al形成且不包含变暗层之外具有相同构造的导电基板相比，通过在变暗层可见的一个表面上照射从点光源发射的光获得的反射衍射图像的反射衍射强度降低60%以上。
[0038]在根据本发明的导电基板中，与除了导电图形由Al形成且不包含变暗层之外具有相同构造的导电基板相比，反射衍射强度可以降低60%以上，70%以上，和80%以上。例如，反射衍射强度可以降低60至70%，70至80%，和80至85%。
[0039]本发明的另一个示例性实施方式提供了一种导电基板，其包含:基板；导电图形，其设置在所述基板的至少一个表面上；和变暗层，其设置在所述导电图形的至少一个表面上且在与所述导电图形对应的区域中，其中，与除了导电图形由Al形成且不包含变暗层之外具有相同构造的导电基板相比，在变暗层可见的一个表面上通过使用具有假设环境光的总反射率测试装置测定的总反射率降低20%以上。
[0040]在根据本发明的导电基板中，与除了导电图形由Al形成且不包含变暗层之外具有相同构造的导电基板相比，总反射率可以降低20%以上，25%以上和30%以上。例如，总反射率可以降低25至50%。
[0041]而且，在本发明中，在导电基板的变暗层可见的表面中可以另外包括透明板。
[0042]本发明的另一示例性实施方式提供了一种触摸屏，其包括导电基板，所述导电基板包括基板；导电图形，其设置在所述基板的至少一个表面上；和变暗层，其设置在所述导电图形的至少一个表面上且在与所述导电图形对应的区域中；以及，在所述导电基板的变暗层可见的表面上的另外的透明板，其中，与除了导电图形由Al形成且不包含变暗层之外具有相同构造的导电基板相比，通过在所述导电基板的变暗层可见的一个表面上照射从点光源发射的光获得的反射衍射图像的反射衍射强度降低60%以上。
[0043]本发明的另一示例性实施方式提供了一种触摸屏，其包括导电基板，所述导电基板包括基板；导电图形，其设置在所述基板的至少一个表面上；和变暗层，其设置在所述导电图形的至少一个表面上且在与所述导电图形对应的区域中；以及，在所述导电基板的变暗层可见的表面上的另外的透明板，其中，与除了导电图形由Al形成且不包含变暗层之外具有相同构造的导电基板相比，在所述导电基板的变暗层可见的一个表面上通过使用具有假设环境光的总反射率测试装置测定的总反射率降低20%以上。
[0044]在根据本发明的触摸屏中，所述另外的透明板的实例可以包括强化玻璃、透明塑料等，但不限于此。
[0045]在本发明中，所述变暗层可以设置在所述导电图形的上表面和下表面，设置在所述导电图形的侧表面的至少一部分以及上表面和下表面，以及设置在所述导电图形的上表面、下表面和整个侧表面。
[0046]在本发明中，所述变暗层设置在所述导电图形的整个表面以降低根据所述导电图形的高反射率的可见性。在这种情况下，当将变暗层结合到具有高反射率的层(例如导电层)时，因为变暗层在特定厚度条件下具有破坏干涉和自吸光性，所以通过类似地调节在变暗层上反射的光和通过变暗层在导电图形上反射的光的量，同时引导在特定厚度条件下两种光之间的破坏干涉，来显现由所述导电图形降低反射率的效果。
[0047]在这种情况下，在由变暗层和导电图形形成的图形区域的色彩范围内，从导电基板的变暗层可见的表面测量，基于CIE LAB色彩坐标，L值可以为20或更小，A值可以为-10至10，以及B值可以为-70至70，L值可以为10或更小，A值可以为-5至5，以及B值可以为O至35，或者，L值可以为5或更小，A值可以为-2至2，以及B值可以为O至15。
[0048]此外，由变暗层和导电图形形成的图形区域的总反射率，从根据本发明的导电基板的变暗层可见的表面测量，基于550nm的外部光源，可以为17%或更小，10%或更小，或5%或更小。
[0049]这里，总反射率指的是考虑到散射反射率和镜面反射率两者得到的反射率。总反射率是通过利用黑色膏、胶带等设定要被测量反射率的表面的相反面的反射率为0，然后仅测量要被测量的表面的反射率观察到的值，在这种情况下，与环境光条件最相似的漫射光源被引入作为提供的光源。此外，在这种情况下，根据与积分球的半球的垂线倾斜成大约7°的位置设置反射率的测量位置。下面的图2图示了测量总反射率的装置的构造，而下面的图3图示了根据本发明示例性实施方式的导电基板的总反射率的曲线图。
[0050]所述包含导电图形和变暗层的导电基板可以通过使用沉积法形成所述导电层，例如，比如溅射法、CVD (化学气相沉积)法、热蒸发法和电子束沉积法的方法，并且所述导电层和变暗层可以被图形化以形成导电图形和变暗层。特别是，在使用溅射法的情况下，所述变暗层的挠性是优异的。在热蒸汽法和电子束沉积法中，粒子简单堆积，但是溅射法的特征在于，粒子通过碰撞形成核，并且即使核生长且转向，机械性能也是优异的。另外，在使用溅射法的情况下，变暗层与其它层之间的界面附着力是优异的。通过使用如上所述的沉积法，而不使用粘合剂层或者附着层，变暗图形可以直接形成在所述板或者导电图形上，并且可以实现所需厚度和图形形状。
[0051]在本发明中，所述变暗层和导电图形可以同时或分别图形化，但是形成每个图形的层分别形成。但是，最优选同时形成导电图形和变暗层以允许导电图形和变暗层存在于精确对应的表面上。
[0052]通过如上所述形成图形，同时优化和最大化变暗层本身的效果，可以实现触摸屏中所需的精细导电图形。在触摸屏中，在不能实现所述精细导电图形的情况下，不能获得触摸屏中所需的物理性质，例如电阻。
[0053]在本发明中，因为变暗层和导电图形通过单独的图形层形成叠层结构，该结构不同于其中至少一部分光吸收材料嵌入或分散于导电图形中的结构，或者其中一部分表面通过在单层导电层上进行表面处理而物理或化学变形的结构。
[0054]此外，在根据本发明的触摸屏中，变暗层被直接设置在基板或导电图形上，同时在它们之间没有插入附着层或粘合剂层。所述附着层或粘合剂层会影响耐久性或光学性质。另外，用于制造包含在根据本发明的触摸屏中的叠层的方法极大地不同于使用附着层或粘合剂层的情况。再者，与使用附着层或粘合剂层的情况相比，在本发明中，在基板或导电图形和变暗层之间的界面性质优异。
[0055]在本发明中，可以使用任何厚度，只要变暗层具有为上述物理性质的破坏干涉性质和吸收系数性质，并且，当光波长设定为λ，变暗层的折射率定义为η时，变暗层的厚度满足λ/(4Χη)=Ν (这里，N为奇数)的厚度条件。但是，在制造工艺过程中，考虑到导电图形的蚀刻性质，优选厚度选自IOnm至400nm,但是根据所使用的材料和制造工艺，优选的厚度可以不同，并且本发明的范围不限于上述数值范围。
[0056]变暗层可以形成为单层，或者两层或更多层的多个层。
[0057]优选所述变暗层的颜色接近于无色。但是，该颜色不必为无色，并且只要反射率低，即使变暗层有颜色，也可以加入变暗层。在此情况下，无色指的是当入射到物体表面上的光没有被选择性地吸收，而是对于每个组分的波长均匀地反射和吸收而显现的颜色。在本发明中，所述变暗图形可以使用这样的材料，当测量总反射率时，所述材料在可见光区(400至800nm)对于每个波长的总反射率的标准偏差为50%或更低。
[0058]所述变暗层的材料为吸光材料，并且优选可以使用任何材料而没有特殊限制，只要当形成整个表面层时，该材料由具有上述物理性质的金属、金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物构成。
[0059]例如,所述变暗层可以为通过使用N1、Mo、T1、Cr等在由本领域普通技术人员设定的沉积条件下形成的氧化物膜、氮化物膜、氮氧化物膜、碳化物膜、金属膜或它们的组合。本发明发明人证实，在使用Mo的情况下，与单独使用氧化物的情况相比，氮化物和氧化物一起使用的情况具有更适合于本发明所述变暗图形的光学性质。
[0060]作为其具体实例，所述变暗层可以包含Ni和Mo两者。所述变暗图形可以包含50至98原子％的Ni和2至50原子％的Mo，并且可以进一步包含0.01至10原子％的其他金属，例如，比如Fe、Ta和Ti的原子。这里，变暗图形，如果需要，可以进一步包含0.01至30原子％的氮或4原子％或更少的氧和碳。
[0061]作为其另一个具体实例，变暗层可以包含选自SiO、SiO2, MgF2和SiNxU为I或更大的整数)的介电材料和选自Fe、Co、T1、V、Al、Cu、Au和Ag的金属，并且可以进一步包含选自Fe、Co、T1、V、Al、Cu、Au和Ag中的两种或更多种金属的合金。优选所述介电材料的分布量随着介电材料远离外部光的入射方向而逐渐减少，而金属和合金组分的分布相反。在这种情况下，优选介电材料的含量为20至50wt%，且金属的含量为50至80wt%。在所述变暗图形进一步包含合金的情况下，优选变暗图形包含10至30wt%的介电材料，50至80wt%的金属和5至40wt%的合金。
[0062]作为其另一个具体实例，所述变暗层可以由薄膜形成，所述薄膜包含镍和钒的合金，以及镍和钒的一种或多种氧化物、氮化物、氮氧化物。在这种情况下，优选钒的含量为26至52原子％，并且优选钒与镍的原子比为26/74至52/48。
[0063]作为其另一个具体实例，所述变暗层可以包含过渡层，其中包含两种或更多种元素，并且根据外部光的入射方向，一种元素的组成比为每100埃增加最大约20%。在这种情况下，一种元素可以是金属元素，例如铬、钨、钽、钛、铁、镍或钥，而非金属元素的元素可以是氧、氮或碳。
[0064]作为其另一具体实例，所述变暗层可以包含第一氧化铬层、金属层、第二氧化铬层和铬镜，并且在此情况下，可以包含选自钨、钒、铁、铬、钥和铌的金属代替铬。所述金属层的厚度可以为10至30nm，所述第一氧化铬层的厚度可以为35至41nm，以及所述第二氧化铬层的厚度可以为37至42nm。
[0065]作为其另一个具体实例，氧化铝(Al2O3)层、氧化铬(Cr2O3)层和铬(Cr)层可以用作所述变暗层。这里，所述氧化铝层具有改善反射性质和防止光漫射的特征，并且所述氧化铬层可以通过降低入射表面反射率来提高对比性。
[0066]在本发明中，所述变暗层被设置在相应于导电图形的区域中。这里，所述相应于导电图形的区域指的是该区域具有与导电图形的形状相同的图形。但是，变暗层的图形大小不需要完全等同于导电图形，并且本发明的范围包括变暗层的线宽比导电图形的线宽更窄或更宽的情况。例如，优选变暗层的面积是导电图形所提供面积的80至120%。
[0067]优选变暗层的图形形状的线宽与导电图形相同或比导电图形更大。
[0068]在变暗层的图形形状的线宽比导电图形的线宽更大的情况下，因为当用户观察时变暗层覆盖导电图形的效果会被放大，存在的优势是由导电图形本身的光泽或反射导致的效果会被有效地遮蔽。但是，即使变暗层的线宽与导电图形的线宽相同，本发明的目标效果仍然可以实现。优选变暗层的线宽比导电图形的线宽大根据下面公式I的值。
[0069][公式I]
[0070]Tcon X tan Θ 3 X 2
[0071]在公式I中，
[0072]Tcon是导电图形的厚度，以及
[0073]θ3是当从触摸屏用户的视觉位置入射的光穿过导电图形和变暗图形的角落时，光和关于板表面的切线之间的夹角。
[0074]Θ 3是通过板的折射率和设置变暗图形和导电图形的区域的介质(例如，根据斯涅尔定律(Snell’s law)的触摸屏的粘合剂)的折射率，修饰触摸屏用户的视觉和板之间的夹角(Q1)得到的夹角。
[0075]例如，假设观察者观察所述叠层，从而θ3的值形成大约80°的夹角，并且导电图形的厚度为大约200nm，基于侧面，优选变暗图形的线宽比导电图形的线宽大大约2.24μπι(200nmXtan (80) X2)。但是，如上所述，即使变暗图形具有与导电图形相同的线宽，本发明的目标效果仍然可以实现。
[0076]在本发明中，所述变暗层的比电阻可以是IXlO2至5X IO2 Ω.cm，但是不限制于此。另外，所述变暗层的透光度可以为35至60%，但是不限制于此。
[0077]在本发明中，引入在下面图4中所示的装置构造以评价根据本发明的包含导电图形和变暗层的导电基板的光学性能。
[0078]在本发明中，引入下面图4的反射衍射装置以评价反射衍射性质。所述反射衍射装置的构造描述在下面表I中。
[0079][表 I]
【权利要求】
1.一种导电基板，其包含: 基板； 导电图形，其设置在所述基板的至少ー个表面上；和 变暗层，其设置在所述导电图形的至少ー个表面上且在与所述导电图形对应的区域中， 其中，与除了导电图形由Al形成且不包含变暗层之外具有相同构造的导电基板相比，通过在变暗层可见的ー个表面上照射从点光源发射的光获得的反射衍射图像的反射衍射強度降低60%以上。
2.—种导电基板,其包含: 基板； 导电图形，其设置在所述基板的至少ー个表面上；和 变暗层，其设置在所述导电图形的至少ー个表面上且在与所述导电图形对应的区域中， 其中，与除了导电图形由Al形成·且不包含变暗层之外具有相同构造的导电基板相比，在变暗层可见的ー个表面上通过使用具有假设环境光的总反射率测试装置測定的总反射率降低20%以上。
3.根据权利要求1或2所述的导电基板，其中，所述变暗层设置在所述导电图形的上表面和下表面。
4.根据权利要求1或2所述的导电基板，其中，在由变暗层和导电图形形成的图形区域的色彩范围内，从导电基板的变暗层可见的表面測量，基于CIE LAB色彩坐标，L值为20或更小，A值为-10至10，以及B值为-70至70。
5.根据权利要求1或2所述的导电基板，其中，从导电基板的变暗层可见的表面測量，由变暗层和导电图形形成的图形区域的总反射率基于550nm的外部光为17%或更小。
6.根据权利要求1或2所述的导电基板，其中，所述导电图形为单层膜或多层膜，所述膜包含金、银、铝、铜、钕、钥、镍、或它们的合金。
7.根据权利要求1或2所述的导电基板，其中，所述导电图形的线宽为10或更小，厚度为IOiim或更小，且节距为600iim或更小。
8.根据权利要求1或2所述的导电基板，其中，所述导电图形的线宽为7或更小，厚度为Iym或更小,且节距为400iim或更小。
9.根据权利要求1或2所述的导电基板，其中，所述导电图形的线宽为5或更小，厚度为0.5 iim或更小,且节距为300iim或更小。
10.根据权利要求1或2所述的导电基板，其中，所述导电图形为规则图形且包含交叉点，所述交叉点是通过在构成导电图形的线中交叉多条预定线形成的，并且在3.5cmX3.5cm的面积中所述交叉点的数目为3，000至123，000。
11.根据权利要求10所述的导电基板，其中，在3.5cmX3.5cm的面积中所述交叉点的数目为5，000至35，000。
12.根据权利要求10所述的导电基板,其中,在3.5cmX3.5cm的面积中所述交叉点的数目为 10，000 至 35，000。
13.根据权利要求1或2所述的导电基板，其中，所述变暗层包括选自N1、Mo、T1、Cr、Al、Cu、它们的氧化物、它们的氮化物、它们的氮氧化物、它们的碳化物和它们的合金中ー种或多种。
14.根据权利要求1或2所述的导电基板，其中，所述导电图形为网格图形类型。
15.根据权利要求1或2所述的导电基板，其中，所述导电图案的开ロ比为70%或更高。
16.—种触摸屏,其包括: 导电基板，所述导电基板包括基板；导电图形，其设置在所述基板的至少ー个表面上；和变暗层，其设置在所述导电图形的至少ー个表面上且在与所述导电图形对应的区域中；以及 另外的透明板，其在所述导电基板的变暗层可见的表面上， 其中，与除了导电图形由Al形成且不包含变暗层之外具有相同构造的导电基板相比，通过在所述导电基板的变暗层可见的ー个表面上照射从点光源发射的光获得的反射衍射图像的反射衍射强度降低60%以上。
17.—种触摸屏，其包括: 导电基板，所述导电基板包括基板；导电图形，其设置在所述基板的至少ー个表面上；和变暗层，其设置在所述导电图形的至少ー个表面上且在与所述导电图形对应的区域中；以及 另外的透明板，其在所述导电基板的变暗层可见的表面上， 其中，与除了导电图形由Al·形成且不包含变暗层之外具有相同构造的导电基板相比，在导电基板的变暗层可见的ー个表面上通过使用具有假设环境光的总反射率测试装置测定的总反射率降低20%以上。
18.根据权利要求16或17所述的触摸屏，其中，所述变暗层设置在所述导电图形的上表面和下表面。
19.根据权利要求16或17所述的触摸屏，其中，所述另外的透明板为增强玻璃或者透明塑料。
20.根据权利要求16或17所述的触摸屏，其中，在由变暗层和导电图形形成的图形区域的色彩范围内，从导电基板的变暗层可见的表面測量，基于CIE LAB色彩坐标，L值为20或更小，A值为-10至10，以及B值为-70至70。
21.根据权利要求16或17所述的触摸屏，其中，从导电基板的变暗层可见的表面測量，由变暗层和导电图形形成的图形区域的总反射率基于550nm的外部光为17%或更小。
22.根据权利要求16或17所述的触摸屏，其中，所述导电图形为单层膜或多层膜，所述膜包含金、银、铝、铜、钕、钥、镍、或它们的合金。
23.根据权利要求16或17所述的触摸屏，其中，所述导电图形的线宽为IOym或更小，厚度为IOiim或更小,且节距为600iim或更小。
24.根据权利要求16或17所述的触摸屏，其中，所述导电图形的线宽为7pm或更小，厚度为I Pm或更小,且节距为400iim或更小。
25.根据权利要求16或17所述的触摸屏，其中，所述导电图形的线宽为5或更小，厚度为0.5 iim或更小,且节距为300iim或更小。
26.根据权利要求16或17所述的触摸屏，其中，所述变暗层包括选自N1、Mo、T1、Cr、它们的氧化物、它们的氮化物、它们的氮氧化物、它们的碳化物和它们的合金中ー种或多种。
27.根据权利要求16或17所述的触摸屏，其中，所述导电图形为网格图形类型。
28.根据权利要求16或17所述的触摸屏，其中，所述触摸屏的开ロ比为70%或更高。
29.—种显不器,其包括:权利要求16或17所述的触摸屏，和显示模块。`
【文档编号】H01B5/14GK103597427SQ201280015861
【公开日】2014年2月19日 申请日期:2012年3月28日 优先权日:2011年3月28日
【发明者】黄智泳, 黄仁皙, 李承宪, 全相起, 孙镛久, 具范谟, 成智玹, 金姝延, 朴济燮 申请人:Lg化学株式会社