光伏装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种光伏装置，其具备：半导体基板（10）、形成在半导体基板（10）的表面或背面的i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）、和形成在i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）上的p型非晶质层（12p）或n型非晶质层（16n），i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）中，具有从与半导体基板（10）的界面附近沿着膜厚方向浓度呈台阶状地减少的氧浓度分布。
【专利说明】光伏装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及光伏装置。
【背景技术】
[0002]公知在结晶类硅基板和被掺杂的非晶硅层之间实质上形成有本征的非晶硅层的光伏装置。
[0003]作为提高具有这种结构的光伏装置的输出特性的方法，公开有提高了硅基板与本征非晶硅层的界面部分的氧浓度的结构(参照专利文献I)。另外，公开有在本征非晶硅层中对于氧浓度设置有梯度，提高了被掺杂的非晶硅层侧的氧浓度的结构(参照专利文献2 )。
[0004]另一方面,在由本征非晶娃层形成的娃基板的表面的钝化(inactivation)技术中，报告了使本征非晶硅层整体含有适当量的氧，在层内形成有微小的非晶氧化硅区域，由此促进钝化(参照非专利文献I)。并且，报告了使本征非晶硅层整体含有适当量的氧时，光伏装置的输出特性提高(参照非专利文献2)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:专利第4070483号公报
[0008]专利文献2:日本特开2008 - 235400号公报
[0009]非专利文献
[0010]非专利文献I:J.Appl.Phys.107,014504 (2010)
[0011]非专利文献I:Appl.Phys.Lett.91，133508 (2007)
【发明内容】
[0012]发明想要解决的课题
[0013]但是，当非晶硅层中进入过度的氧时，该氧作为杂质起作用而形成缺陷，有时形成高电阻区域，期待使所含有的氧浓度最佳化。但是，对于本征非晶硅层内的最佳的氧浓度分布(profile)、特别是在硅基板与本征非晶硅层的界面侧的氧浓度并没有充分研究。
[0014]用于解决技术问题的技术方案
[0015]本发明包括第一导电型的结晶类半导体基板、形成在半导体基板的第一表面上的本征的第一非晶质半导体层、和形成在第一非晶质半导体层上的第一导电型或与第一导电型相反的导电型的第二非晶质半导体层，在第一非晶质半导体层中，具有从与半导体基板的界面附近沿着膜厚方向浓度呈台阶状地减少的氧浓度分布。
[0016]发明效果
[0017]根据本发明，能够提高光伏装置的光电转换效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]图1是表示本发明的实施方式中的光伏装置的截面图。[0019]图2是表示本发明的实施方式中的光伏装置的氧浓度分布的图。
[0020]图3是表示本发明的实施方式中的光伏装置的氧浓度的对数表示的梯度分布的图。
【具体实施方式】
[0021]本发明的实施方式中的光伏装置(光生伏特装置)100，如图1的截面图所示，包括半导体基板10、i型非晶质层121、P型非晶质层12p、透明导电层14、i型非晶质层161、n型非晶质层16n、透明导电层18和集电极20、22。
[0022]以下，表示光伏装置100的制造方法，并说明光伏装置100的构造。表1表示光伏装置100中的、各非晶质层的形成条件的例。此外，本实施方式中使用的各种成膜条件是一个例子，应根据使用的装置适当变更，进行最优化。
[0023]表1
【权利要求】
1.一种光伏装置，其特征在于，包括: 第一导电型的结晶类半导体基板； 形成在所述半导体基板的第一表面上的本征的第一非晶质半导体层；和 形成在所述第一非晶质半导体层上的、第一导电型或与第一导电型相反的导电型的第二非晶质半导体层， 在所述第一非晶质半导体层中，具有从与所述半导体基板的界面附近沿着膜厚方向浓度呈台阶状地减少的氧浓度分布。
2.如权利要求1所述的光伏装置，其特征在于: 所述半导体基板与所述第一非晶质半导体层的界面附近的5nm以内的高浓度氧区域中的氧浓度为I X IO2Vcm3以上I X IO2Vcm3以下。
3.如权利要求2所述的光伏装置，其特征在于: 所述第一非晶质半导体层的所述高浓度氧区域以外的区域中的氧浓度小于IXio2ci/3cm ο
4.如权利要求1所述的光伏装置，其特征在于，包括: 形成在所述半导体基板的与所述第一表面相反侧的第二表面上的本征的第三非晶质半导体层；和 形成在所述第三非晶质半导体层上的与所述第二非晶质半导体层相反的导电型的第四非晶质半导体层， 在所述第三非晶质半导体层中，具有从与所述半导体基板的界面附近沿着膜厚方向浓度呈台阶状地减少的氧浓度分布。
5.如权利要求2所述的光伏装置，其特征在于，包括: 形成在所述半导体基板的与所述第一表面相反侧的第二表面上的本征的第三非晶质半导体层；和 形成在所述第三非晶质半导体层上的与所述第二非晶质半导体层相反的导电型的第四非晶质半导体层， 在所述第三非晶质半导体层中，具有从与所述半导体基板的界面附近沿着膜厚方向浓度呈台阶状地减少的氧浓度分布。
6.如权利要求3所述的光伏装置，其特征在于，包括: 形成在所述半导体基板的与所述第一表面相反侧的第二表面上的本征的第三非晶质半导体层；和 形成在所述第三非晶质半导体层上的与所述第二非晶质半导体层相反的导电型的第四非晶质半导体层， 在所述第三非晶质半导体层中，具有从与所述半导体基板的界面附近沿着膜厚方向浓度呈台阶状地减少的氧浓度分布。
【文档编号】H01L31/0747GK103608933SQ201280029337
【公开日】2014年2月26日 申请日期:2012年3月21日 优先权日:2011年6月30日
【发明者】大钟章义, 角村泰史 申请人:三洋电机株式会社