半导体装置用的切割加工用粘结带的制作方法
【专利摘要】本发明的半导体装置切割用粘结带100是通过在基材膜10上形成放射线固化型粘结剂层20而得到的，其中，上述基材膜10由2层以上的基材树脂膜层构成，邻接于上述粘结剂层侧的基材树脂膜层2的熔点为100℃～120℃，与该粘结剂层侧的基材树脂膜层在与上述粘结剂层相反侧邻接的基材树脂膜层1的熔点为140℃～150℃。
【专利说明】半导体装置用的切割加工用粘结带
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于将半导体装置切割分离为小片的半导体装置切割工序所使用的半导体装置切割用粘结带、及使用该粘结带的半导体装置芯片的制造方法。
【背景技术】
[0002]在将形成有电路图案的半导体装置晶片分离为芯片状、即进行所谓的晶片切割加工时，进行将半导体装置晶片固定于切割用粘结带上并拾取的方式。在该方式中，半导体装置晶片在移至安装工序前于贴合、固定于晶片切割用粘结带的状态下被晶片切割成芯片状。其后，将所获得的半导体装置晶片芯片清洗、干燥后进行拾取，并通过利用固化树脂的密封而封装化，由此得到半导体装置封装件。
[0003]以往所使用的方法中，在利用上述工序制作半导体装置晶片芯片后进行个别密封。近年来，进行有整体模具密封封装切割(一括*一> F封止V[厂")，其中，对利用固化树脂接合在一片基板上的复数个半导体装置晶片芯片一并进行密封而成的封装件进行封装切割，从而获得各个半导体装置。
[0004]另外，在切割中，形成有IC等特定电路图案的半导体晶片或利用树脂整体密封的封装件在其背面贴合半导体晶片加工用粘结带后，经由分散有金属颗粒的刀片高速旋转等的旋转刀而切割处理成特定的芯片尺寸。该处理时，通常采用有进行达到半导体晶片加工用粘结带的一部分的切割而将晶片分割的方法。
[0005]切割工序所使用的刀片通常利用自磨损而使自锐功能活化并产生切削性能。该自锐功能受到切削的半导体装置及同时被切削的粘结带影响，因此即便在对相同半导体装置进行处理的情况下，若使用不同的粘结带，则刀片的自磨损量变动，不易由刀片切割的胶带会相应地使刀片磨损。
[0006]为了提高切削性，若应用自磨损量较多、例如熔点较高的粘结带，则在切割中刀片的直径变小，因此在每个切割线或同一切割线中切入深度发生变化，有可能对分割后的半导体装置的品质造成影响。另外，因刀片的寿命变短，因此需要增加更换频率，在作业性的恶化及刀片的成本方面也有改良的余地。
[0007]因此，例如在专利文献I中，提出有通过切割装置而持续监控刀片直径，提高加工稳定性的方法。在该方法中，若判定为达到在切割刀片的前端产生偏磨损而无法以标准尺寸对作为切入对象的封装基板准确地进行全面切割的磨损状态，则发出警报督促更换切割刀片，因此刀片的更换频率变高，在作业性及成本方面还存在改良的余地。
[0008]为了降低刀片的磨损量，例如在专利文献2中提出有使刀片倾斜而使其局部磨损的方法，但为了进行全面切割，需要使用两种刀片或变更切割刀片的角度，作业性无法说是十分良好的。
[0009]另外，在专利文献3中，提出有为了获得在切割面上不产生线状毛边的切割加工性，将纵向的拉伸弹性模量与横向的拉伸弹性模量及它们的比设定为特定范围内，但关于切割工序中的刀片的磨损量则未作记载。[0010]现有技术文献
[0011]专利文献
[0012]专利文献1:日本特开2008-166546号公报
[0013]专利文献2:日本特开2004-47602号公报
[0014]专利文献3:日本特开2005-68420号公报
【发明内容】
[0015]发明要解决的问题
[0016]本发明提供一种降低切割工序中刀片的磨损量、并且提高作业性的半导体装置用的切割加工用粘结带、及使用该粘结带的半导体装置芯片的制造方法。
[0017]用于解决问题的手段
[0018]本发明人为了达成上述目的而反复进行深入研究，结果发现:通过将构成粘结带的基材树脂膜层设为2层以上构成，并使该2层以上构成的树脂的熔点有差异，从而可降低刀片磨损量。本发明是基于该见解而完成的。
[0019]本发明的课题是通过以下方法而达成的。
[0020]即本发明提供下述方案。
[0021]< I >一种半导体装置用的切割加工用粘结带，其是在基材膜上形成放射线固化型粘结剂层而成的半导体装置切割用粘结带，其特征在于，所述基材膜由2层以上的基材树脂膜层构成，邻接于该粘结剂层侧的基材树脂膜层的熔点为100°C?120°C，与该粘结剂层侧的基材树脂膜层在与所述粘结剂层相反侧邻接的基材树脂膜层的熔点为140°C?150。。；
[0022]< 2 >如上述< I >的半导体装置用的切割加工用粘结带，其特征在于，邻接于上述粘结剂层侧的基材树脂膜层含有低密度聚乙烯或直链状低密度聚乙烯，邻接于与粘结剂层相反侧的基材树脂膜层含有聚丙烯；
[0023]< 3 >如上述< I >或< 2 >的半导体装置用的切割加工用粘结带，其特征在于，上述基材膜的邻接于上述粘结剂层侧的基材树脂膜层的熔点为108°C?117°C，且与该粘结剂层侧的基材树脂膜层在与上述粘结剂层相反侧邻接的基材树脂膜层的熔点为146°C?150。。；
[0024]< 4 >如上述< I >至< 3 >中任一项的半导体装置用的切割加工用粘结带，其特征在于，邻接于上述粘结剂层侧的基材树脂膜层的厚度相对于基材树脂膜整体厚度为20% ?40% ；
[0025]< 5 >如上述< I >至< 4 >中任一项的半导体装置用的切割加工用粘结带，其特征在于，邻接于上述粘结剂层侧的基材树脂膜层的厚度相对于基材树脂膜整体厚度为64/3 ?40% ；
[0026]< 6 >如上述< I >至< 5 >中任一项的半导体装置用的切割加工用粘结带，其特征在于，放射线固化前的基于JIS K7128-1的撕裂强度为70N/_?95N/_ ；
[0027]< 7 >一种半导体装置的加工方法，其是将上述< I >至< 6 >中任一项的半导体装置用的切割加工用粘结带贴合在半导体装置、然后对该进行了贴合的半导体装置进行切割加工的半导体装置的加工方法，其特征在于，对上述基材膜的邻接于上述粘结剂层侧的基材树脂膜层进行全面切割(full cut)。
[0028]发明效果
[0029]在本发明的半导体装置用的切割加工用粘结带中，通过将基材膜所使用的树脂层的构成设为特定的层积体，可不增加成本而降低切割刀片的磨损量，并且实现半导体装置加工后的品质的提升。
[0030]本发明的上述及其它特征及优点可适当参照附图、并根据下述记载而更为明确。
【专利附图】
【附图说明】
[0031]图1是示意性表示本发明的半导体装置切割用粘结带的一实施方式的截面图。
[0032]图2是示意性表示本发明的半导体装置切割用粘结带的其它实施方式的截面图。
【具体实施方式】
[0033]以下，适当参照附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。
[0034]需要说明的是，在本说明书中，所谓的半导体装置包含半导体装置晶片或半导体装置整体模具密封封装件这两者。
[0035]图1是示意性表示本发明的半导体装置切割用粘结带的优选的一实施方式的图。
[0036]图1中，半导体装置切割用粘结带100由基材膜10与粘结剂层20构成，该基材膜10由位于其最外层的树脂膜层I及与粘结剂层接触的树脂膜层2构成，在基材膜10的树脂膜层2侧形成有粘结剂层20。
[0037]本发明的半导体装置切割用粘结带100由如下树脂组合物构成:在基材膜10中，构成树脂膜层2的树脂组合物的熔点为100°C?120°C、更优选为超过100°C且为120°C以下、进一步优选为108°C?117°C ;构成树脂膜层I的树脂组合物的熔点为140°C?150°C、更优选为超过140°C且为150°C以下、进一步优选为141°C?150°C、特别优选为146°C?150。。。
[0038]需要说明的是，构成树脂膜层2的树脂组合物的熔点的上限虽为120°C以下，但该上限优选为117°C以下、更优选为110°C以下，因此，在将上述优选的范围的各上限自120°C设为117°C、110°C时，成为进一步优于上述范围的范围。另一方面，构成树脂膜层I的树脂组合物的熔点的上限虽为150°C以下，但该上限优选为148°C以下，因此，优选为将上述优选的范围中的各上限设为148°C以下。例如，在上述的进一步优选的范围、即141°C?150°C中，141 °C?148°C的范围优于141 °C?150°C的范围。
[0039]此处，树脂膜层I与2的树脂组合物的熔点的差可通过差示扫描热量测定(DSC)而求出。熔点是通过JIS K7121所规定的试验方法而获得的值。
[0040]在利用切割刀片的切削中，利用刀片的高速旋转而将被粘结体及粘结带的一部分削去。此时，半导体装置切割用粘结带的划线周边因与刀片的摩擦而成为高温。通常在利用刀片进行切割时，使15°C?25°C的冷却水流至该接触部分而抑制发热，但对于刀片前端部，该冷却效果并不充分，会使粘结带的与划线接触的部位熔融。另外，粘结带的构成物质包含高分子量物质，因此若接近各构成树脂的熔点或玻璃化转变温度(Tg)，则有粘结带作为粘性体的特性变强，因该粘性而使刀片的自锐功能降低，同时刀片的磨损量降低的倾向。其结果，刀片的自锐功能降低，同时刀片的切割性能降低，因此有可能引起被粘结体的品质恶化。
[0041]针对于此，在本发明中，使构成树脂膜的树脂的熔点存在差异，在具有相对较低的熔点的树脂膜层2中，更强地表现粘性体的性能而抑制刀片的自锐功能，在具有相对较高的熔点的树脂膜层I中，表现所必需的最低限度的自锐功能，从而降低、抑制刀片的磨损量。其结果，可长期使用刀片而不会伴随着品质恶化。
[0042]若树脂膜层I的熔点未达140°C，尤其是为140°C以下时，则树脂膜层I在切割时暂时接近熔融状态，因此具有较强的粘性，其结果无法使刀片磨损，有可能产生半导体装置的缺损等。另一方面，若超过150°C，则在切割时强烈地发挥作为弹性体的作用，因此有刀片的磨损量增加的倾向。
[0043]另外，若树脂膜层2的熔点小于100°C，尤其是为100°C以下时，则树脂膜层2在切割时具有更强的粘性，因此有可能因该粘性而使刀片的自锐功能明显降低，同时产生半导体装置的毛边等。另一方面，若超过120°C，则在树脂膜层2的切割时，作为粘性体的性能缺乏，因此有刀片磨损量增加的倾向。
[0044]构成基材膜10的树脂只要在上述熔点的范围内，则并无特别限制，也可合用其它树脂或橡胶等可成型为片状的材料。
[0045]例如可使用聚丙烯、高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、直链低密度聚乙烯(LLDPE)、乙烯-丙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯-二烯共聚物硫化物、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸丁酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚氨酯(polyurethane)、聚酰胺、离子聚合物、丁腈橡胶、丁基橡胶、苯乙烯异戊二烯橡胶、苯乙烯丁二烯橡胶、天然橡胶及其氢化物或改性物等。其中，最外层的树脂膜层I特别优选为聚丙烯，另外，与粘结剂层接触的树脂膜层2特别优选为低密度聚乙烯(LDPE)或直链低密度聚乙烯(LLDPE)。
[0046]对于构成与粘结剂层接触的基材树脂膜层2的层，为了进一步提高密合性，也可实施电晕处理或实施底涂等处理。
[0047]然而，因为切割加工时所使用的刀片外周部截面具有R形状，因此为了使作为半导体装置侧面的切割刀片切削面平滑，所使用的刀片的厚度越厚，则越需要较深地切入切割带中。因此，所使用的刀片的厚度越厚，则越需要增加基材树脂膜层的厚度。由此，优选为将基材树脂膜层的厚度设为最少为切割所使用的刀片厚度的30%以上的厚度。另一方面，若基材树脂膜层变得过厚，则有时半导体装置切割用粘结带的刚性提高，作业性恶化。
[0048]作为切割用的刀片，使用刀厚50 ii m?400 ii m左右的刀片，因此半导体装置切割用粘结带的基材膜10的厚度优选为30 ii m?300 ii m、进一步优选为50 y m?250 y m。
[0049]关于各树脂膜层的厚度，本发明的效果是通过将与粘结剂层接触的树脂膜层2完全切割断裂而发挥的，因此与粘结剂层接触的树脂膜层2的厚度相对于基材膜10整体的厚度优选为20%?40%、更优选为21%?40%、进一步优选为64/3?40%、特别优选为25%?35%。
[0050]只要满足上述关系性，则基材树脂膜层数并不限定于2层，也可设为3层以上。
[0051]图2是示意性表示本发明的半导体装置切割用粘结带的优选的其它实施方式的图。[0052]在该情况下，半导体装置切割用粘结带200的基材膜30由最外层的树脂膜层31、与粘结剂层接触的树脂膜层33、上述两层所夹持的中间树脂膜层32这3层构成。优选按照该树脂膜层32的熔点高于构成与粘结剂层接触的树脂膜层33的树脂的熔点的方式来构成。进而，在由3层构成的情况下，优选为构成树脂膜层32的树脂的熔点高于构成树脂膜31的树脂的熔点。树脂膜层32的熔点优选为140°C?150°C、更优选为146°C?150°C。
[0053]最外层的树脂膜层31只要在膜层彼此的密合性上不产生问题，则并无特别限制，树脂膜层31优选为应用与树脂膜层32或树脂膜层33相同的树脂。树脂膜层31特别优选为应用与树脂膜层33相同的树脂。
[0054]优选的是，与粘结剂层接触的树脂膜层33的厚度为基材树脂膜30的20%?40%(特别优选为64/3?40%)即可。
[0055]作为构成粘结剂层20的放射线固化型粘结剂，例如可优选地使用日本特公平1-56112号公报、日本特开平7-135189号公报等所记载的物质，但并不限定于它们。只要具有通过放射线而固化并立体网状化的性质即可，例如可使用对通常的橡胶是或(甲基)丙烯酸系的压敏性基质树脂(聚合物)混配分子中具有至少2个光聚合性碳-碳双键的低分子量化合物(以下称为光聚合性化合物)及光聚合引发剂而得到的物质。
[0056]此处，所谓放射线是指紫外线之类的光线或电子束之类的电离性放射线。所谓“(甲基)丙烯酸”是指“丙烯酸”或“甲基丙烯酸”中的任一者或两者。
[0057]上述橡胶是或丙烯酸系的基质树脂可使用天然橡胶、各种合成橡胶等橡胶系聚合物；或聚(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯与可与其共聚的其它不饱和单体的共聚物等(甲基)丙烯酸系聚合物。
[0058]对于(甲基)丙烯酸系聚合物并无特别限制，可将重均分子量设为10万?100万、将玻璃化转变温度设为-50?0°C的范围。
[0059]另外，可通过在上述粘结剂中混合异氰酸酯系固化剂而将初期的粘接力设定为任意值。作为这种固化剂，具体而言，使用有多元异氰酸酯化合物，例如2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-苯二甲基二异氰酸酯、1，4-二甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷-4，4’ - 二异氰酸酯、二苯基甲烷_2，4’ - 二异氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷_4，4’ - 二异氰酸酯、二环己基甲烷-2，4’ - 二异氰酸酯、赖氨酸异氰酸酯等。
[0060]固化剂的含量只要根据所期望的粘结力进行适当调整即可，且相对于粘结剂的上述基质树脂共聚物100质量份,优选为0.01质量份?10质量份、进一步优选为0.1质量份?5质量份。
[0061]放射线固化型粘结剂可通过将光聚合引发剂混入粘结剂中而减少基于放射线照射的聚合固化时间以及放射线照射量。
[0062]作为这种光聚合引发剂，具体而言，可列举:安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香异丙醚、苄基二苯硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮双异丁腈、1，2-二苯乙烷、二乙酰、
氯蒽醌等。
[0063]粘结剂层20的厚度可根据想要应用的被粘结体、即基材而适当设定，并无特别限制，优选为5 ii m?30 ii m、进一步优选为10 y m?25 y m。
[0064]另外，通过在如上所述的粘结剂层中含有光聚合性化合物及光聚合引发剂，可通过照射放射线而进行固化，使粘结剂的粘结力降低而使粘结剂层容易自被粘结体剥离。
[0065]粘结剂层20的形成可与通常的切割带同样地在基材上涂布粘结剂而制造。
[0066]另外，优选的是，上述半导体装置切割用粘结带的撕裂强度基于JIS K7128-1所规定的试验方法为70N/mm?95N/mm(更优选为74N/mm?95N/mm)。
[0067]若为该范围，则不会在半导体装置的贴合时或拉伸时断裂，并可降低刀片的磨损量。
[0068]S卩，通过将撕裂强度设为95N/mm以下，从而可减小切割时对刀片的负荷且不增加磨损量。另一方面，通过设为70N/_以上，可避免在半导体装置的贴合时或操作时的拉伸时断裂。
[0069]使切割用粘结带的粘结剂层贴合在整体模具密封封装件及环形框架的下面，将以上述方式形成的半导体装置切割用粘结带固定于整体模具密封封装件或环形框架。切割用粘结带也可预先贴合在环形框架的下面，其后，使整体模具密封封装件贴合在切割用粘结带。并且，进行固定后的半导体装置的切割时，对作为基材膜的第I片的与粘结剂层接触的树脂膜层2、33进行全面切割。
[0070]由此，可抑制切割刀片的磨损量并且制作品质良好的半导体芯片。
[0071]实施例
[0072]以下，基于实施例进一步详细地说明本发明，但本发明并不限定于此。
[0073]<构成粘结剂层的树脂组合物>
[0074]使用以下A、B作为构成粘结剂层的树脂组合物。
[0075](构成粘结剂层的树脂组合物A)
[0076]相对于丙烯酸系基质聚合物(由丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸2-羟基乙酯所构成的共聚物，重均分子量30万，玻璃化转变温度=-350C ) 100质量份，添加聚异氰酸酯化合物(Nippon Polyurethane公司制造,商品名Coronate L) 2质量份、作为具有光聚合性碳-碳双键的化合物的四羟甲基甲烷四丙烯酸酯50质量份、及作为光聚合引发剂的日本Ciba-Geigy公司制造的Irgacurel84(商品名)0.5质量份并加以混合,制备放射线固化性的粘结剂树脂组合物A。
[0077](构成粘结剂的树脂组合物B)
[0078]使由丙烯酸丁酯(79质量％)、甲基丙烯酸(I质量％)、丙烯酸2-羟基乙酯(20质量％)构成的丙烯酸系共聚物100质量份、与作为具有光聚合性碳-碳双键及官能团的化合物的异氰酸2-甲基丙烯酰氧基乙酯(昭和电工公司制造,商品名Karenz M0I)0.2质量份反应，获得在主链的重复单元时键合有具有下述丙烯酸系单体部的残基的聚合物，该丙烯酸系单体部具有含有放射线固化性碳-碳双键的基团。该聚合物的重均分子量为60万。此处，重均分子量是通过下述方法算出的:利用凝胶渗透色谱仪(Waters公司制造，商品名150-C ALC/GPC)对溶解于四氢呋喃中的1%溶液进行测定，将所得的值进行聚苯乙烯换算，由此计算得到重均分子量。相对于上述聚合物100质量份，添加聚异氰酸酯化合物(Nippon Polyurethane公司制造,商品名Coronate L)0.5质量份、及作为光聚合引发剂的日本Ciba-Geigy公司制造的Irgacurel84(商品名)0.5质量份并加以混合,制备放射线固化性的粘结剂树脂组合物B。
[0079]<构成基材膜的树脂组合物>[0080]使用以下树脂C?J作为构成基材膜的树脂组合物。
[0081](树脂C)聚丙烯，PrimePolymer公司制造，制品名“F724NP”，熔点146°C
[0082](树脂D)聚丙烯，SunAllomer公司制造，制品名“PF724S”，熔点150°C
[0083](树脂E)聚丙烯，SunAllomer公司制造，制品名“PC412A”，熔点158°C
[0084](树脂F)聚丙烯，PrimePolymer公司制造，制品名“F327”，熔点138°C
[0085](树脂G)低密度聚乙烯，NipponUnicar公司制造，制品名“NUC-8007”，熔点108°C
[0086](树脂H)直链状低密度聚乙烯，PrimePolymer公司制造，制品名“0434N”，熔点117。。
[0087](树脂I)乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，NipponUnicar公司制造，制品名“NUC-3758”，熔点 930C
[0088](树脂J)乙烯-甲基丙烯酸共聚物,Dupont-MitsuiPolychemicals公司制造,制品名 “N0908C”，熔点 99°C
[0089]将树脂C?树脂J调整为表I的构成，并利用双轴混炼机以约200°C进行膜挤出成型，以厚度总计为150 制造各基材树脂膜层。接着，如表I所示，以干燥后的厚度为20 um的方式对各基材树脂膜层的与粘结剂层接触的层涂布上述粘结剂，从而形成粘结剂层，制造如图2的结构的实施例1?5、比较例I?8，如图1的结构的实施例6?8、比较例
9、10的半导体装置切割用粘结带。
[0090](撕裂强度)
[0091]使用实施例1?8及比较例I?10的半导体装置用粘结片，依据JIS K7128-1制作试片，并测定撕裂强度。试片是分别在MD、TD方向制成n = 5，并将其最大值与最小值作为试验结果示于表I。
【权利要求】
1.一种半导体装置用的切割加工用粘结带，其是在基材膜上形成放射线固化型粘结剂层而成的半导体装置切割用粘结带，其特征在于， 所述基材膜由2层以上的基材树脂膜层构成，邻接于该粘结剂层侧的基材树脂膜层的熔点为100°C?120°C，与该粘结剂层侧的基材树脂膜层在与所述粘结剂层相反侧邻接的基材树脂膜层的熔点为140°C?150°C。
2.如权利要求1所述的半导体装置用的切割加工用粘结带，其特征在于，邻接于所述粘结剂层侧的基材树脂膜层含有低密度聚乙烯或直链状低密度聚乙烯，邻接于与粘结剂层相反侧的基材树脂膜层含有聚丙烯。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置用的切割加工用粘结带，其特征在于，所述基材膜的邻接于所述粘结剂层侧的基材树脂膜层的熔点为108°C?117°C，并且与该粘结剂层侧的基材树脂膜层在与所述粘结剂层相反侧邻接的基材树脂膜层的熔点为146°C?150。。。
4.如权利要求1?3任一项所述的半导体装置用的切割加工用粘结带，其特征在于，邻接于所述粘结剂层侧的基材树脂膜层的厚度相对于基材树脂膜整体厚度为20%?40%。
5.如权利要求1?4任一项所述的半导体装置用的切割加工用粘结带，其特征在于，邻接于所述粘结剂层侧的基材树脂膜层的厚度相对于基材树脂膜整体厚度为64/3?40%。
6.如权利要求1?5任一项所述的半导体装置用的切割用加工用粘结带，其特征在于，放射线固化前的基于JIS K7128-1的撕裂强度为70N/mm?95N/mm。
7.一种半导体装置的加工方法，其是将权利要求1?6任一项所述的半导体装置切割用粘结带贴合在半导体装置、然后对该进行了贴合的半导体装置进行切割加工的半导体装置的加工方法，其特征在于， 对所述基材膜的邻接于所述粘结剂层侧的基材树脂膜层进行全面切割。
【文档编号】H01L21/301GK103608901SQ201280029289
【公开日】2014年2月26日 申请日期:2012年10月17日 优先权日:2011年10月21日
【发明者】大田乡史, 冈本和幸 申请人:古河电气工业株式会社