激光划线系统、设备和方法
【专利摘要】本发明公开了划线设备。在一个态样中，双阶站划线设备包括：第一阶站，适以接收第一基板；第二阶站，适以接收第二基板；和一个或更多个激光，适以发出激光光束朝向所述第一阶站和所述第二阶站，并适以对基板划线。当在所述第二阶站执行定向处理时，可在所述第一阶站执行划线处理。在另一态样中，公开双激光划线设备。将说明包括划线设备的电子装置处理系统和方法，也将说明多数的其他态样。
【专利说明】激光划线系统、设备和方法
[0001]相关申请
[0002]本申请要求享有提交于2011年11月16日、标题为“SCRIBINGSYSTEMS, APPARATUS, AND METHODS (划线系统、设备和方法)”(代理人案号 TBD-100/L/FEG/SYNX)的美国临时专利申请编号第61/560，747号的优先权，所述申请在此为了所有目的以引用的方式全部并入本文。
[0003]领域
[0004]本发明涉及电子装置制造，且本发明更具体而言涉及适以处理电子装置的激光划线系统、设备和方法。
[0005]背景
[0006]在半导体晶片处理中，集成电路被形成于由硅或其他半导体材料构成的晶片(也称作“基板”)上。通常，半导电、导电或绝缘的各种材料层被用来形成晶片上的集成电路。这些材料被使用各种已知处理来掺杂、沉积和蚀刻，以在晶片上将集成电路形成为限定图案。
[0007]在晶片上的多个集成电路的形成之后，晶片可接受处理以形成可被封装或在较大电路中以未封装形式使用的个别“小芯块(dice)”。作为晶片切割处理的一部分而使用一个技术即为划线处理。在一个方法中，划线处理可涉及将划线器移动横过晶片表面。这些划线通常沿着个别集成电路之间的空间延伸。这些空间通常称作“划线道”。尽管并非常见的，对于相对薄的晶片(例如，约0.25mm或更薄的晶片)可使用钻石尖(diamond-tipped)划线。对于较厚的晶片，可使用锯切作为切割的方法。然而，无论划线或锯切，碎屑和裂缝可能是问题。
[0008]等离子体切割也已为人所使用，但可能也有限制。例如，成本可能是等离子体切割的实现上的一个限制。用以将抗蚀层图案化的标准的光刻操作可能使实现成本受限。另一个可能阻碍等离子体切割的实现的限制是沿着划线道对于常遇到的金属(例如，铜)切割的等离子体处理可能创造出可阻碍所述金属的用途的生产问题。
[0009]在另一个切割方法中，对于晶片的顶表面施加掩模，所述掩模由覆盖并保护集成电路的层体所构成。然后利用脉冲激光划线处理将掩模图案化，以提供具有使集成电路之间(即沿着划线道)的晶片区域曝光的间隙的经图案化的掩模。激光划线也可移除第一层以使硅曝光。然后在蚀刻处理中对于经图案化的掩模的整个间隙蚀刻晶片。此蚀刻处理将集成电路切割成小芯块。然而，目前的激光划线系统伴随相对低产量和相对高成本的问题。
[0010]因此，期望改良的系统、设备和方法用于基板的高效率和精确的划线。
[0011]概述
[0012]在第一态样中，设置一划线设备。所述划线设备包括:第一阶站(Stage)，适以接收第一基板；第二阶站，适以接收第二基板；和一个或更多个激光，适以发出激光光束朝向所述第一阶站和所述第二阶站，并适以对基板划线。
[0013]在第二态样中，设置电子装置处理系统。所述电子装置处理系统包括工厂接口、耦接至所述工厂接口的蚀刻工具，和耦接至所述工厂接口的双阶站划线设备。[0014]在另一态样中，提供在电子装置处理系统内处理基板的方法。所述方法包括:设置双阶站划线设备，所述双阶站划线设备具有适以接收第一基板的第一阶站、适以接收第二基板的第二阶站，以及一个或更多个适以对第一基板和第二基板划线的激光；将所述第一阶站定位于第一位置，以在所述第一基板上执行定向处理；以及将所述第二阶站定位于第二位置，以当所述第一基板正接收定向处理时，在所述第二基板上执行所述第二基板的激光划线。
[0015]在另一态样中，提供处理经切割的基板的方法。所述方法包括:设置经切割的基板，所述基板具有芯片附加膜(die attached film);将所述经切割的基板装载于划线设备的阶站上；和利用所述划线设备的划线光束切割所述芯片附加膜。
[0016]在另一态样中，设置划线设备。所述划线设备包括:阶站，适以接收基板；光束输送头(beam delivery head),适以产生划线光束；第一激光,适以发出激光光束朝向光束输送头；和第二激光，适以发出激光光束朝向所述光束输送头；其中所述第一光束和第二光束在所述光束输送头内结合，并产生所述划线光束。
[0017]根据本发明的这些和其他态样提供许多其他特征。本发明的其他特征和态样将从以下详细的说明、所附的权利要求书、和附图变得更加清楚。
[0018]附图简要说明
[0019]图1是根据实施例的包括耦接至工厂接口的双阶站划线设备和蚀刻模块的电子装置处理系统的示意俯视图。
[0020]图2A是根据实施例的双阶站划线设备的局部截面正视图。
[0021]图2B是根据实施例的具有位于第一位置的第一阶站的双阶站划线设备的局部截面侧视图。
[0022]图2C是根据实施例的具有位于第二位置的第一阶站的双阶站划线设备的局部截面侧视图。
[0023]图2D是根据实施例的光束输送头的局部截面侧视图。
[0024]图3是根据实施例的包括耦接至工厂接口的双阶站划线设备和蚀刻模块的替代的电子装置处理系统的示意俯视图。
[0025]图4是根据实施例的电子装置处理系统内的处理基板的方法的流程图。
[0026]图5是根据实施例的处理基板以切割芯片附加膜的方法的流程图。
[0027]图6是根据实施例的附着于包括芯片附加膜(DAF)的膜状物并保持于框架中的经切割的基板的俯视图。
[0028]具体描述
[0029]电子装置制造可能需要基板的非常迅速的划线。为了改善划线处理的产量和效能，电子装置处理系统配备有双阶站划线设备。双阶站划线设备可直接耦接至工厂接口。合适的机器人可用以将基板从双阶站划线设备传递至如蚀刻模块之类的处理工具。此相同的机器人设备可用以将基板放至停驻在装载端的基板载体和从所述基板载体或其他耦接至工厂接口的存储容器移除。蚀刻模块可包括适以沿着由双阶站划线设备所先前划线的划线道执行基板的蚀刻的一个或更多个蚀刻处理室。
[0030]在另一态样中，双阶站划线设备包括可配置于并排(side-by-side)方向的第一阶站和第二阶站，而每一者适以牢固在所述第一阶站和第二阶站处的单一基板。可使用单一光束输送头以依序划线每一个基板。如将由下述变得更加清楚，此提供近乎零的浪费的激光时间。尤其，当第一基板对齐于一个阶站上(例如，在第一阶站上)，其他基板(例如，在第二阶站上的第二基板)可持续接受激光划线。因此，激光可大体上一直持续对基板划线，而上述的激光划线系统则需要在执行定向和对齐处理时，使激光闲置，因而导致很多的激光闲置时间。
[0031]在另一态样中，划线设备可利用包括相对较低的相对功率需求的两个或更多个激光执行划线。较低功率需求是通过以极接近的方式结合以形成划线光束的两个叠加激光来实现。在某些实施例中，可实现每束激光的功率需求低于约35W、低于约30W、低于约25W或甚至低于15W。
[0032]各种态样的示范性实施例和发明的实施例的进一步细节在本说明中参照图1至图6来加以叙述。
[0033]现在参见图1，公开了根据本发明一个或更多个实施例的电子装置处理系统100的一示范性实施例。电子装置处理系统100是有用的并可被配置以及适以处理用于制造电子装置的基板。基板可以是晶片(例如，硅晶片或AlGaAs晶片)、玻璃面板或类似物。基板可具有在所述基板中形成为图案的许多集成电路。在某些实施例中，电子装置处理系统100包括具有接口腔室102C的工厂接口 102，可在大气压下或接近大气压下操作接口腔室102C。在某些实施例中可提供轻微的正压力。双阶站划线设备106耦接至工厂接口 102和由一个或更多个机器人104(以点所示)而供使用。双阶站划线设备包括至少两个阶站。
[0034]双阶站划线设备106可包括第一阶站107A和第二阶站107B。阶站107A，107B可以是能将基板在Θ旋转方向上从第一旋转方向旋转至一个或更多个第二旋转方向的旋转阶站(如阶站107A，107B上的箭头所指明)。阶站107A，107B也可以是能将基板于R方向上从在双阶站划线设备106内的第一位置平移至第二位置的平移阶站。阶站107A，107B可包括将阶站107A, 107B的每一者移动(例如，平移)于平移方向(例如于R方向)的线性驱动机构。可于阶站107A，107B耦接旋转电机以执行所述阶站107A，107B的旋转。
[0035]可将阶站107A，107B布置于并排方向如所示，且可将阶站107A，107B放置成尽可能靠近彼此。因此，可清楚明白阶站107A，107B可供操作以皆由机器人104将放置于所述阶站107A，107B上的基板105旋转和平移。在对于放置在阶站107A，107B上的基板在第一位置所执行的定向处理之后，可将基板对齐，然后在第二位置将基板定位于多个方位以益于激光划线。在其他实施例中，可将经切割的基板定位于多个方位，以益于附着至膜状物的芯片附加膜(DAF)的激光切割。此可在蚀刻工具108中执行基板蚀刻之后发生。划线设备106和所述划线设备106的操作的更多细节在参照图2A至图2D和图4至图6下说明于下。
[0036]蚀刻工具108也耦接至工厂接口 102。蚀刻工具108可包括一个或更多个处理室109，如由收纳在中央移送室112中的机器人110(例如，(SCARA)水平多关节机器人或其他多轴链接机器人)而伺服的蚀刻室。所示者为八小面移送室。然而，可使用任意数量的小面和移送室配置，所述任意数量的小面如三小面、四小面、五小面、六小面或其他数量的小面。具有(SCARA)水平多关节机器人的五小面移送室312的另一合适的实施例示于图3中。在某些实施例中，可使用双机器人同时将基板送入两个相邻的腔室内。可采用其他合适类型的机器人和移送室方位。
[0037]再次参见图1，移送室112包括顶壁、底壁和侧壁，且例如在某些实施例中，移送室112可维持于真空中。机器人设备110可具有任何合适的配置如下:具有多臂且至少局部收纳在移送室112中且适以在所述移送室112中操作。机器人设备110可适以将已由双阶站划线设备106划线的一个或更多个经图案化的基板105拾取或放置至如处理室109的目的地，或从目的地拾取或放置。如所示，可例如通过流量阀转移至处理室109。
[0038]处理室109可适以对于经划线的基板105执行任意数量的阶站的蚀刻处理。蚀刻处理适以在经划线的已事先于划线设备106中划线的划线道的位置完全或局部蚀刻穿过基板105。也可执行其他处理。例如，可使用一个或更多个处理室109来作清洗。
[0039]一个或更多个负载锁腔室111可适以与工厂接口 102连接，并且一个或更多个负载锁腔室111可允许将基板转入蚀刻工具108或从蚀刻工具转出。在操作中，可由机器人104拾起来自位于工厂接口 102的位置115处的一个或更多个存储装置114的基板105。存储装置114可以是例如位于工厂接口 102的装载端的基板载体(例如，前开式晶片盒(Front Opening Unified Pods;F0UP))。在其他实施例中，可更简单地将基板105设置和/或存储于在位置115耦接至工厂接口 102的架上。在某些实施例中，可将基板105附着于芯片附加膜(DAF)，所述芯片附加膜可被布置和牢固于一框架。
[0040]工厂接口 102中的机器人104可拾起基板105，并将基板105传送至划线设备106。可将基板105放置于例如第一阶站107A上。由于形成在基板105上的各种的集成电路之间的划线道的方向是未知的，故首先在第一位置接受一定向处理。第一位置可以是靠近外罩113的开口 113A的位置。在第二位置的定向处理和激光划线之后，将经图案化的具有经划线的划线道位置形成于基板上的基板从划线设备106移除，然后由机器人104将所述基板传送至一个或更多个负载锁111，以输入执行蚀刻处理的蚀刻工具108。
[0041]如箭头所示，机器人104(以点所示)可用以将基板105在存储装置114(例如，FOUP或架子)、划线设备106，以及蚀刻工具108的一个或更多个负载锁111之间实体转移。可依任何序列、顺序或方向执行基板的转移。在某些实施例中，可将基板附着于在框架上所支持的膜状物。可将DAF放置于基板与膜状物之间，且DAF可供操作以将基板附着于膜状物。在输送期间，可由机器人104支持框架。
[0042]更详细而言，机器人104从存储位置114拾起经图案化的基板105。基板105可来自例如许多由存储位置114所运载或存储的经图案化的基板。机器人104接着可将经图案化的基板105转移至划线设备106，并将经图案化的基板105通过开口 113插入划线设备106而至两个或更多个阶站107A，107B的第一阶站(例如，阶站107A)上。可将阶站107A, 107B设置于如所示与划线设备106交叉的并排方向，且阶站107A，107B可具有位于与开口 113至划线设备106的距离大致相同的距离的装载和卸载位置。可由机器人104接近装载和卸载位置。
[0043]一旦在装载和卸载位置放入划线设备106的第一阶站107A，划线设备106可利用执行图案辨识的视觉系统120 (为求清楚，未示于图1中，但请参见图2A至图2C)执行定向处理。定向处理可发生于可为装载和卸载位置的第一位置117。定向处理包括判定在第一阶站107A上的基板的方向，以将基板座标映至阶站107A的坐标。此可在将基板105对齐以使第一划线道与划线光束头119的通过路径对齐的对齐处理之后进行。
[0044]如最佳化图示于图2A和图2B中，在定向处理期间，包括相机122的视觉系统120装设于第一阶站107A上方，且所述视觉系统120位于基板105正上方。相机122如所示位于第一位置117。当第一位置117是装载和卸载位置时，可将相机122放置于装载和卸载位置，或可选地可将第一阶站107A移至偏离装载和卸载位置的第一位置117。一旦放置于第一位置117，视觉系统120捕捉经图案化的基板105的数字视觉图像。图像处理器124A中的视觉软件接着将经图案化的基板105的数字图像存储于存储器中。视觉系统120的图像处理器124A分析数字图像，并判定相对于阶站座标的形成在基板105上的各种的集成电路的各种的划线道的方向和位置。可通过对于当下的数字图像与已知的数字图像(例如，最佳(golden)晶片图像)，或使用于制造中的图案的数字表示进行比较且编译比对分数而完成分析。例如，可判定两个图像间的各种像素的亮度差。然后，可执行合适的图像变化如图像旋转、转化和按比例调整。可重新计算比对分数。通过已知技术可取得比对分数的全局最小值。因此，在定向处理期间，精确判定每一个划线道的位置和经图案化的基板105的旋转方向。可相对于设置在第一阶站107A上的合适的位置的已知定位标记或记号精准判定经图案化的基板105的方向。
[0045]因此，图像软件判定划线将发生的在经图案化的基板105上的划线道的确切位置。此外，图像处理器124A的图像软件根据图像和标记判定精确的旋转量来赋予转动地对齐基板105，将划线道对齐成与划线光束头119和划线光束116的经过路径平行排列。
[0046]可由阶站电机107C利用其上放置基板105的第一阶站107A的平台的旋转执行对齐处理。阶站电机107C可以是步进电机或类似物。此外，阶站电机107C可包括合适的反馈编码器。可采用其他合适的精密电机。阶站电机107C可接收来自执行划线器设备106的各种指示(例如，阶站动作和激光烧结)的划线器控制器124B的驱动指示。图像处理器124A和划线器控制器124B可通信。在某些实施例中，可由包括存储器和合适的处理器的常见的电脑系统执行如此图像处理和控制指示。控制系统可包括适以驱动阶站电机107C，107D和操作相机122的各种驱动电路及过滤和调节部件(未图示)。
[0047]一旦完成定向处理，可通过执行经由将阶站107A旋转预定量至适当的转动取向的对齐处理将经图案化的基板105对齐，使得可沿着第一划线道执行划线处理。此外，对齐处理可包括将第一阶站107A上的经图案化的基板105平移于R方向至光束输送头119的路径之下的第二位置125。第二位置125可以是R方向上的一位置，在所述位置，基板105上的待划线的第一划线道被定位成与划线光束116的R位置适当R对齐。可由耦接至第一阶站107A的滑件107F的R致动器107E完成第一阶站107A至第二位置125于R方向的平移。R致动器107E可以是一合适的精密线性致动器，且R致动器107E也可包括合适的反馈编码器。可将如R致动器107E的另一个R致动器设置于第二阶站107B。如图2C所示，R致动器107E的经由来自划线器控制器124B的控制信号的致动使滑件107F滑动于支座113B，并使滑件107F移至第二位置125。在某些实施例中，可逆序或同时执行Θ方向上的旋转和R方向上的平移的步骤。第二阶站107B的操作与结构可大致上与第一阶站107A相同。
[0048]现在参见图2A-图2C，可通过指向光束输送头119的两个或更多个激光118A, 118B产生划线光束116。激光118A，118B产生可进一步由各种光学组件塑形、准直、扩展和/或分散的激光光束119A，119B。在所描述的实施例中，可使激光光束119A，119B通过光束塑形器126A，126B，所述光束塑形器126A，126B可将激光光束119A，119B塑形成在所述激光光束119A，119B的宽度方向上具有更均匀的光强度分布。每一个光束塑形器126可例如为德国柏林的π shaper所提供的型号F-pi shaper NA系列。可将激光光束119A, 119B传送通过光束扩展器128A，128B，所述光束扩展器128A，128B作用为进一步扩展激光光束119A, 119B和/或使所述激光光束119A，119B更趋圆柱形。光束扩展器128A，128B每一者可例如为新墨西哥州的阿尔伯克基市的CV1-Melles Groit所提供的型号ΗΕΒΧ-4.0-2X-532。激光118A, 118B每一者可例如为德国的凯泽斯劳滕市的Lumera Laser所提供的型号Hyperrapid50，所述激光例如具有低于约50W的平均输出。
[0049]可由包括一个或更多个镜子129A，129B, 129C的自由空间光系统129使激光光束119A, 119B分散和投射，并使激光光束119A，119B传递至光束输送头119。投射和分散的激光光束119A，119B通过自由空间光系统129和光束输送头119中的光学元件的动作而结合，使得将两束激光光束109A，109B设置成彼此实体接近。通常，激光光束119A，119B在光束输送头119中可位于彼此的约1-1Omm内。经结合的激光光束119A，119B可从光束输送头119射出作为划线光束116。
[0050]射出划线光束116的光束输送头119经过门形架121上的通过路径。如所示，门形架121可耦接至外罩106H，且门形架121可由任何合适的坚固结构如横梁123A和蜗杆驱动123B所构成。横梁123A可包括光束输送头119在所述横梁123A上可滑动的精密滑件或其他精密几何特征。可由门形架电机123C经由来自划线器控制器124B的驱动信号来将如蜗杆驱动123B的驱动机构123B驱动，且驱动机构123B的转动按照指令高精密地沿着通过路径将光束输送头119前后移动。可选地，可使用线性驱动电机。
[0051]图2D更详细说明光束输送头119的实施例。光束输送头119可包括外罩230、如镜子232A，232B之类的内部自由空间光系统232、多小面旋转反射体234和F- Θ透镜236。在操作中，经结合的光束119A，119B被收入光束输送头119的端口 238，且经结合的光束119A, 119B从镜子232A，232B反射出去并到达多小面旋转反射体234。多小面旋转反射体234能以约100rev/s和约10，000rev/s之间的旋转速度旋转。可经由来自划线器控制器124B的信号使旋转开始。在多小面旋转反射体234的旋转期间从所述多小面旋转反射体234的各种小面(少数经分类)的反射导致激光光束119A，119B被从小面240反射并投入F-Θ透镜236。F-Θ透镜236可具有例如在约400nm与约IOOOnm之间的操作波长和在约IOmm与约IOOmm之间的焦距，并且F-Θ透镜236可具有在约IOmm与约50mm之间的扫描范围。可采用其他值。光束输送头119的结构导致划线光束116被横过F-Θ透镜236的区域迅速前后扫描。因此，当光束输送头119在门形架横梁123上沿着所述光束输送头119的通过路径通过时，划线光束116也将沿着所述路径扫描。换言之，划线光束116的扫描与因光束输送头119的前后运动所引起的划线光束116的横越叠加。
[0052]如图2C所示，发出划线光束116的光束输送头119沿着横向路径通过第一阶站107A上的基板105。在整个或接近整个横穿基板105时，可由致动器107E将第一阶站107A于R方向上增加一个划线道，并可通过光束输送头119的移动沿着横向路径使划线光束116往回横穿第一阶站107A上的基板105。横穿速度可例如在100mm/s与2000mm/s之间。可采用其他速度。因此，当划线光束116划穿(例如，切除)事先施加在基板105之上的保护薄膜，划线光束116与将所述基板105 —次增加一划线道同时前后横过。在一个方向完成划线时，可由阶站电机107C将第一阶站107A旋转90度，且可于另一方向沿着在各集成电路之间的划线道再次开始划线处理。在完成基板105上的所有划线道的整个划线处理时，可将第一阶站107A移动于R方向而回到邻接开口 113的第一位置117。然后可从第一阶站107A取走经划线的基板105，并由机器人104运送所述基板105至执行蚀刻处理以将基板切割成小芯块的蚀刻工具108。
[0053]同样地，第二阶站107B经历与第一阶站107A如上述相同的步骤。然而，阶站107A, 107B以与另一者顺序不同的方式处理基板105。尤其，当第一阶站107A正在第一位置117上接受定向处理时，第二阶站107B定位于第二位置125，且第二阶站107B正接受激光划线处理。当第二阶站107B正在第一位置117接受定向处理时，第一阶站107A定位于第二位置125，且第一阶站107A正接受激光划线处理。依此方式，产量大幅增加。可实现大于每小时35晶片(wafer per hour ；wph)、大于40wph,或甚至大于45wph,或甚至约50wph或更多的产量。此外，当使用相对低功率的激光118A，118B时，结合两个激光光束119A，119B产生高强度的划线光束116。尤其，可根据另一态样执行DAF划线步骤。
[0054]在从划线设备106至蚀刻工具108的转移时，可同时通过所示的负载锁111插入及取出，或通过一个负载锁111插入并从其他负载锁111取出。一旦进入移送室112，基板可被插入一个或更多个处理室109以对基板执行蚀刻、清洗或其他处理。
[0055]现在参见图4，公开在电子装置处理系统(例如，100)中处理基板的方法400。方法400包括(方块402)设置双阶站划线设备(例如，划线设备106)，所述双阶站划线设备具有:适以接收第一基板的第一阶站(例如，第一阶站107A);适以接收第二基板的第二阶站(例如，第二阶站107B);和适以对第一基板与第二基板划线的一个或更多个激光(例如，激光118A，118B)。方法400包括(404)将第一阶站定位于第一位置(例如，第一位置117)以对于第一基板执行定向处理、(406)将第二阶站定位于第二位置(例如，第二位置125)以在第一基板正接受定向处理时执行第二基板的激光划线。如上所述，定向处理涉及经由图像系统120辨识基板上的集成电路的图案，使得可将基板座标映至阶站座标，即将划线道准确定位于基板上。
[0056]在另一态样中，在第二基板的激光划线之后，可将基板转移至蚀刻工具108。可在蚀刻工具108中执行蚀刻处理以切割基板。划线器设备106中第二基板所空出的位置可再装载待划线的另一基板。同样地，对于第一基板执行定向处理、对齐处理和划线处理后，也可立即为了蚀刻和切割将所述第一基板转移至蚀刻工具108。第一基板也能以另一基板取代。
[0057]在本发明的另一宽的方法态样中，在执行蚀刻工具108的蚀刻处理以形成经切割的基板后，可执行处理经切割的基板的方法500。如上所述并如图6所示，可使某一基板605附着于具有芯片附加膜的膜状物645 (芯片附加膜形成于膜状物上)，所述芯片附加膜可以是具有在约50 μ m与约100 μ m之间的厚度的聚合附着材料。膜状物645可由框架648牢固或在所述框架648上牢固，框架可以是箍状。也可采用其他形状。在完成蚀刻处理而形成具有多个小芯块650的经切割的基板605之后，可将DAF激光切割，使得更容易从膜状物645分离小芯块650，且DAF保留在小芯块650的底部。在另一态样中，如从前文清楚明白，双阶站划线设备106可在对于第二阶站(例如，阶站107B)上的经图案化的基板执行划线处理时，允许经切割的基板上的DAF从蚀刻工具108返回以在一个阶站(例如，第一阶站107A)上待定向、对齐和激光切割，反之亦然。在某些实施例中，在自蚀刻工具108返回的经切割的基板可在其他阶站(例如，第二阶站107B)待定向和对齐时，可在一个阶站(例如，第一阶站107A)执行DAF切割，反之亦然。
[0058]如图5所示，在本实施例中，处理经切割的基板605的方法500是DAF切割方法。方法500包括:(方块502)设置具有DAF的经切割的基板(例如，在图6中DAF设置于膜状物645上)；(504)将经切割的基板(例如，经切割的基板605)装载在划线设备(例如，划线设备106)的阶站(例如，第一阶站107A)上；和(方块506)利用划线设备(例如，划线设备106)的划线光束(例如，划线光束116)切割DAF。在一个或更多个实施例中，划线设备可如划线设备106具有第一激光118A和第二激光118B，所述第一激光118A和第二激光118B的激光光束结合以形成划线光束116。
[0059]划线设备可具有仅一个单一阶站或划线设备可为本文中参照图2A至图2D所述的包括两个或更多个阶站107A，107B的双阶站划线设备106。在一个实施例中，膜状物645上的DAF在具有两个或更多个激光(例如，激光118A，118B)的双阶站划线器106上切割。作为DAF切割方法500的一部分，可在方块506的切割前判定经切割的基板605的方向。如先前所述，可由视觉系统120判定方向。尤其，小芯块可在蚀刻处理中移动，使得方向合意。在判定方向之后，可将经切割的基板605与划线光束头119的通过路径对齐，然后以与上述的划线处理相同的方式开始切割。简言之，沿着划线道切割膜状物645上的DAF，以在DAF依序从膜状物645分离时,有助于将DAF保持在每一个小芯块650的底部。
[0060]再参见图3，图示电子装置处理系统300的另一实施例。电子装置处理系统300包括耦接至工厂接口 302的一个或更多个选择式涂布设备355。涂布设备355操作以将保护涂料施加于待送至划线设备106供划线的基板(例如，在第一基板和第二基板105上)。涂布设备355包括合适的计量系统以及喷洒器或旋转涂布机，适以将薄层保护涂料喷洒分配到由机器人104置于所述处的基板105。涂料可以是例如具有约10 μ m与200 μ m之间的厚度的聚合涂料。可采用其他涂料类型和厚度。涂布设备355可包括在涂布处理期间可关闭的门，并且涂布设备355可包括合适的通风设备。在施加涂料之后，涂布设备355可加热涂料，或者涂布可被固化，或否则硬化。固化可通过加热涂料，且可在分离的腔室或在分离的位置执行。例如，可将基板搁在传导式加热平台。在其他实施例中，涂料可以是紫外线可固化涂料且涂料可通过紫外光的应用而予以固化。可采用其他合适的用以固化或硬化涂料的手段。在涂布之后，可将基板递送至划线设备106供划线。
[0061]以上说明仅公开本发明的示范性实施例。本发明所属【技术领域】中技术人员可轻易明白以上公开的系统、设备和方法落入本发明的范围的变化。因此，只要本发明已被与本发明的示范性实施例相关地公开，则应了解到其他实施例也落入如所附权利要求书所限定的发明范围。
【权利要求】
1.一种划线设备，所述划线设备包括: 第一阶站，所述第一阶站适以接收第一基板； 第二阶站，所述第二阶站适以接收第二基板；和 一个或更多个激光，所述一个或更多个激光适以发出激光光束朝向所述第一阶站和所述第二阶站，并适以对所述基板划线。
2.如权利要求1所述的划线 设备，其中所述第一阶站和所述第二阶站布置于一并排方向。
3.如权利要求1所述的划线设备，其中所述第一阶站和所述第二阶站包括旋转阶站。
4.如权利要求1所述的划线设备，其中所述第一阶站和所述第二阶站包括并排R-Θ阶站，所述并排R-Θ阶站配置为在Θ中旋转所述第一基板和所述第二基板，并在R中平移所述第一基板和所述第二基板。
5.如权利要求1所述的划线设备，其中所述一个或更多个激光包括两束激光，所述两束激光的激光光束结合以形成划线激光光束。
6.如权利要求1所述的划线设备，其中所述划线设备配置为具有第一操作配置，在所述第一操作配置下当在所述第二阶站上的所述第二基板被定位以接受激光划线处理时，在所述第一阶站上的所述第一基板被定位以接受定向处理。
7.如权利要求1所述的划线设备，其中所述划线设备配置为具有第二操作配置，在所述第二操作配置下，当在所述第二阶站上的所述第二基板被定位以接受定向处理时，在所述第一阶站上的所述第一基板被定位以接受激光划线处理。
8.如权利要求1所述的划线设备，所述划线设备包括光束输送头，所述光束输送头适以在所述第一阶站与所述第二阶站之间移动，以执行所述第一基板和所述第二基板的激光划线。
9.一种电子装置处理系统，所述电子装置处理系统包括: 工厂接口 ； 蚀刻工具，所述蚀刻工具耦接至所述工厂接口 ；和 双阶站划线设备，所述双阶站划线设备耦接至所述工厂接口。
10.一种在电子装置处理系统中处理基板的方法，所述方法包括以下步骤: 设置双阶站划线设备，所述双阶站划线设备具有适以接收第一基板的第一阶站、适以接收第二基板的第二阶站、和适以对于所述第一基板和所述第二基板划线的一个或更多个激光； 将所述第一阶站定位于第一位置，以在所述第一基板上执行定向处理；和 将所述第二阶站定位于第二位置，以当所述第一基板正接收所述定向处理时，执行所述第二基板的激光划线。
11.如权利要求10所述的处理基板的方法，所述方法包括以下步骤: 利用所述双阶站划线设备的划线光束切割芯片附加膜。
12.如权利要求10所述的处理基板的方法，所述方法包括以下步骤:在耦接至所述工厂接口的涂布设备内对于所述第一基板和第二基板施加涂布。
13.—种处理经切割的基板的方法，所述方法包括以下步骤: 设置经切割的基板，所述基板具有芯片附加膜；将所述经切割的基板装载在划线设备的阶站上；和利用所述划线设备的划线光束切割所述芯片附加膜。
14.如权利要求13所述的处理经切割的基板的方法，其中所述切割包括:在光束输送头处结合两个激光光束，以形成所述划线光束。
15.一种划线设备，所述划线设备包括:阶站，所述阶站适以接收基板；光束输送头，所述光束输送头适以产生划线光束；第一激光，所述第一激光适以发出激光光束朝向所述光束输送头；和第二激光，所述第二激光适以发出激光光束朝向所述光束输送头， 其中所述第一光束和第二光束在所述光束输送头内结合而产生所述划线光束。
【文档编号】H01L21/67GK103959452SQ201280058873
【公开日】2014年7月30日 申请日期:2012年11月15日 优先权日:2011年11月16日
【发明者】詹姆斯·马修·霍尔登 申请人:应用材料公司