发光二极管封装结构的制作方法
【专利摘要】一种发光二极管封装结构，包括封装基板、设置于封装基板上的发光二极管晶粒，所述封装基板上设置电路结构，所述发光二极管晶粒具有分别与电路结构电连接的正电极和负电极，所述发光二极管晶粒上形成有与正、负电极的至少其中之一电连接的凸块，所述电路结构上对应发光二极管晶粒的凸块形成有防氧化金属层，所述发光二极管晶粒的凸块与电路结构上的防氧化金属层电连接。本发明中电路结构上对应于发光二极管晶粒的凸块形成有防氧化金属层，且该发光二极管晶粒通过凸块与电路结构上的防氧化金属层电连接，这能有效提升发光二极管封装结构的电性接触性能。
【专利说明】发光二极管封装结构
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体，尤其涉及一种发光二极管封装结构。
【背景技术】
[0002]发光二极管凭借其高光效、低能耗、无污染等优点，已被应用于越来越多的场合之中，大有取代传统光源的趋势。
[0003]在应用到具体领域中之前，发光二极管晶粒还需要进行封装，以保护发光二极管晶粒不受挤压或者氧化，从而使发光二极管封装结构获得较高的发光效率及较长的使用寿命O
[0004]娃树脂模塑化合物(Silicon Molding Compound, SMC)以及环氧模塑料(EpoxyMolding Compound, EMC)常作为封装材料应用于发光二极管封装结构中。特别地,该娃树脂模塑化合物较环氧模塑料更耐高温，故在发光二极管封装结构中得到广泛应用。但由于该硅树脂模塑化合物或环氧模塑料与金属电极的密合度差，二者接合处会有空气或水气的渗入，容易导致内部电极氧化而影响发光二极管封装元件的电性接触变弱。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，有必要提供一种电性接触较佳的发光二极管封装结构。
[0006]一种发光二极管封装结构，包括封装基板、设置于封装基板上的发光二极管晶粒，所述封装基板上设置电路结构，所述发光二极管晶粒具有分别与电路结构电连接的正电极和负电极，所述发光二极管晶粒上形成有与正、负电极的至少其中之一电连接的凸块，所述电路结构上对应发光二极管晶粒的凸块形成有防氧化金属层，所述发光二极管晶粒的凸块与电路结构上的防氧化金属层电连接。
[0007]本发明中电路结构上对应于发光二极管晶粒的凸块形成有防氧化金属层，且该发光二极管晶粒通过凸块与电路结构上的防氧化金属层电连接，这能有效提升发光二极管封装结构的电性接触性能。
[0008]下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。
[0010]图2为图1中所示发光二极管封装结构的俯视示意图。
[0011]图3为本发明第二实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。
[0012]主要元件符号说明__
发光二极管封装结构 100、100a
封装基板一10、IOa 一
龟路结构19、19a _
第一连接电极20、20a
I:表面|201、211 '
【权利要求】
1.一种发光二极管封装结构，包括封装基板、设置于封装基板上的发光二极管晶粒，所述封装基板上设置电路结构，所述发光二极管晶粒具有分别与电路结构电连接的正电极和负电极，其特征在于:所述发光二极管晶粒上形成有与正、负电极的至少其中之一电连接的凸块，所述电路结构上对应发光二极管晶粒的凸块形成有防氧化金属层，所述发光二极管晶粒的凸块与电路结构上的防氧化金属层电连接。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述发光二极管晶粒的正电极和负电极的其中之一上形成所述凸块并通过所述凸块与电路结构上的防氧化金属层电连接，所述发光二极管晶粒的正电极和负电极的其中之另一通过导线与电路结构电连接。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述发光二极管晶粒的正电极和负电极上分别形成所述凸块，所述发光二极管晶粒通过倒装的方式安装于封装基板上，所述发光二极管晶粒正电极和负电极分别通过所述凸块与电路结构上的防氧化金属层电连接。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:还包括形成于封装基板上并环绕发光二极管晶粒的反射杯。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述反射杯与封装基板通过注塑的方式一体形成。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述防氧化金属层为金或镍。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述防氧化金属层邻近电路结构与封装基板的接合处设置于电路结构的表面上。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述封装基板包括相对设置的上表面和下表面，所述封装基板的上表面形成一凹槽，所述防氧化金属层形成于所述凹槽内。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述防氧化金属层填满该凹槽，所述防氧化金属层的与凸块接触地外表面与所述封装基板的上表面平齐。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:还包括设置于封装基板上并覆盖发光二极管晶粒的封装层，所述封装层内包含荧光粉用于转换发光二极管晶粒发出的光线。
【文档编号】H01L33/62GK103972372SQ201310033366
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2013年1月29日 优先权日:2013年1月29日
【发明者】林厚德, 张超雄, 陈滨全, 陈隆欣 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司