专利名称：一种薄膜电容器用镍基板的制造方法
技术领域：
本发明属于薄膜电容器领域，特别是涉及一种薄膜电容器用镍基板的制造方法。
背景技术：
现有薄膜电容器中，由于对电容器的电容量提出了更高的要求。现有技术中，薄膜电容器一般包括基板、电介质层以及电极层。电介质层的微观结构是决定电容器性能的关键因素。因此，对于薄膜电容器基板的材料构造有严格的要求。现有的薄膜电容器基板多有采用金属镍来构成。为了在提高电容量的同时不影响电容器的性能，镍基板的纯度和杂质构成就不能忽视。若镍基板中含有不期望的杂质，或者其纯度不足，将限制薄膜电容器的电容量提高，并且可能增加其泄露电流，从而影响薄膜电容器的品质
发明内容
:本发明针对现有技术中采用金属镍作为基板的薄膜电容器存在的问题，提出了一种含有微量杂质的镍基板的制造方法，从而在不影响提高电容量的前提下，得到性能优越的薄膜电容器。本发明提出的制造方法，依次包括如下步骤:(I)准备如下配比的原料:大于或等于99.98重量％的镍锭、0.001-0.002重量％的铜、0.0005-0.0008 重量 % 的锰，0.005-0.008 重量 % 的铝、0.0005-0.001 重量 ％ 的铬，0.004-0.006重量％的铁、0.0005-0.0012重量％的硅以及0.001-0.002重量％的锑以及0.001-0.002 重量 ％ 的钽；(2)第一次轧制:将上述原料熔融后，对其进行第一次轧制，该第一次轧制所得的镍基板为箔片状，其厚度为3-5毫米；(3)第一次热退火，步骤(2)所得的镍基板箔片进行第一次热退火，退火温度为650-800°C，退火时间为60分钟；(4)第二次轧制，对步骤(3)所得的镍基板箔片进行第二次轧制，第二次轧制后得到厚度更小的箔片，其厚度为1-2毫米；(5)第二次热退火，将步骤(4)所得的镍基板箔片进行第二次热退火，退火温度为650-800°C，退火时间为40分钟；(6)第三次轧制，对步骤(5)所得的镍基板箔片进行第三次轧制，第三次轧制后得到厚度更小的箔片，其厚度为100-300微米，优选200微米。(7)第三次热退火，将步骤(6)所得的镍基板箔片进行第三次热退火，退火温度为650-700°C，退火时间为30分钟；(8)将步骤(7)所得的镍基板箔片裁出需要的尺寸后完成镍基板的制造。
具体实施方式
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下面通过具体实施方式
对本发明进行详细说明。薄膜电容器用镍基板的制造方法，所述方法依次包括如下步骤:(I)准备如下配比的原料:大于或等于99.98重量％的镍锭、0.001-0.002重量％的铜、0.0005-0.0008 重量 % 的锰，0.005-0.008 重量 % 的铝、0.0005-0.001 重量 ％ 的铬，0.004-0.006重量％的铁、0.0005-0.0012重量％的硅以及0.001-0.002重量％的锑以及0.001-0.002 重量 ％ 的钽；(2)第一次轧制:将上述原料熔融后，对其进行第一次轧制，该第一次轧制所得的镍基板为箔片状，其厚度为3-5毫米；(3)第一次热退火，步骤(2)所得的镍基板箔片进行第一次热退火，退火温度为650-800°C，退火时间为60分钟；(4)第二次轧制，对步骤(3)所得的镍基板箔片进行第二次轧制，第二次轧制后得到厚度更小的箔片，其厚度为1-2毫米；(5)第二次热退火，将步骤(4)所得的镍基板箔片进行第二次热退火，退火温度为650-800°C，退火时间为40分钟；(6)第三次轧制，对步骤(5)所得的镍基板箔片进行第三次轧制，第三次轧制后得到厚度更小的箔片，其厚度为100-300微米，优选200微米。(7)第三次热退火，将步骤(6)所得的镍基板箔片进行第三次热退火，退火温度为650-700°C，退火时间为30分钟；(8)将步骤(7)所得的镍基板箔片裁出需要的尺寸后完成镍基板的制造。以上实施方式已经对本发明进行了详细的介绍，但上述实施方式并非为了限定本发明的范围，本发明的保护范围由所附的权利要求限定。
权利要求
1.一种薄膜电容器用镍基板的制造方法，依次包括如下步骤: (1)准备如下配比的原料:大于或等于99.98重量％的镍锭、0.001-0.002重量％的铜、0.0005-0.0008 重量 % 的猛，0.005-0.008 重量 % 的铝、0.0005-0.001 重量 % 的铬，0.004-0.006重量%的铁、0.0005-0.0012重量%的硅以及0.001-0.002重量%的锑以及0.001-0.002 重量 ％ 的钽； (2)第一次轧制:将上述原料熔融后，对其进行第一次轧制，该第一次轧制所得的镍基板为箔片状，其厚度为3-5毫米； (3)第一次热退火，步骤(2)所得的镍基板箔片进行第一次热退火，退火温度为650-800°C，退火时间为60分钟； (4)第二次轧制，对步骤(3)所得的镍基板箔片进行第二次轧制，第二次轧制后得到厚度更小的箔片，其厚度为1-2毫米； (5)第二次热退火，将步骤(4)所得的镍基板箔片进行第二次热退火，退火温度为650-800°C，退火时间为40分钟； (6)第三次轧制，对步骤(5)所得的镍基板箔片进行第三次轧制，第三次轧制后得到厚度更小的箔片； (7)第三次热退火，将步骤(6)所得的镍基板箔片进行第三次热退火，退火温度为650-700°C，退火时间为30分钟； (8)将步骤(7)所得的镍基板箔片裁出需要的尺寸后完成镍基板的制造。
2.如权利要求1所述的薄膜电容器用镍基板的制造方法，其特征在于: 所述步骤(6)中，第三次轧制后的薄膜电容器用镍基板的厚度为100-300微米，优选200微米。
全文摘要
本发明公开了一种薄膜电容器用镍基板的制造方法，该方法首先准备如下配比的原料大于或等于99.98重量%的镍锭、0.001-0.002重量%的铜、0.0005-0.0008重量%的锰，0.005-0.008重量%的铝、0.0005-0.001重量%的铬，0.004-0.006重量%的铁、0.0005-0.0012重量%的硅以及0.001-0.002重量%的锑以及0.001-0.002重量%的钽；然后通过三次轧制和三次热退火，最终得到合适厚度的镍基板。
文档编号H01G4/33GK103151167SQ201310065918
公开日2013年6月12日 申请日期2013年3月1日 优先权日2013年3月1日
发明者钱时昌 申请人:溧阳华晶电子材料有限公司