硫属化物薄膜的制造方法
【专利摘要】本揭露提供一种硫属化物薄膜的制造方法。此方法包括：提供基底于腔室中；实行第一原子层沉积工艺以形成第一氧化物薄膜于基底上方；实行第一硫属化工艺，包括注入第一硫属元素，以使第一氧化物薄膜转变为第一硫属化物薄膜；于第一硫属化物薄膜上实行退火工艺。
【专利说明】
硫属化物薄膜的制造方法
技术领域
[0001]本揭露系关于硫属化物薄膜的制造方法，特别系关于利用原子层沉积工艺来制造硫属化物薄膜的方法。
【背景技术】
[0002]近年来，硫属化物薄膜已被研究并使用于许多应用之中。硫属化物薄膜具有宽的能带间隙且具有提供短波长光学放射的潜力。一般来说，硫属化物薄膜包括硫属原子及至少一个额外的元素其通常用来改变电气特性。
[0003]可通过使用化学气相沉积(CVD)工艺或金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺以从前驱物来制造硫属化物薄膜。另外，可将硫属化物薄膜从层状硫属化物块材上剥离并转移至基底。然而，提供具有更薄且厚度均匀的可扩展的硫属化物薄膜仍存在挑战性。因此，需要新的方法来制造硫属化物薄膜。
【发明内容】
[0004]本揭露的实施例提供一种硫属化物薄膜的制造方法，包括:提供基底于腔室中；实行第一原子层沉积工艺以形成第一氧化物薄膜于基底上方;实行第一硫属化工艺，包括注入第一硫属元素，以使第一氧化物薄膜转变为第一硫属化物薄膜。可于第一硫属化物薄膜上实行退火工艺。
[0005]本揭露的另一实施例提供一种硫属化物薄膜的制造方法，包括:提供基底于腔室中；实行第一原子层沉积工艺以形成第一氧化物薄膜于基底上方;实行第二原子层沉积工艺以形成第二氧化物薄膜于第一氧化物薄膜上方;实行第一硫属化工艺，包括注入第一硫属元素，以使第一氧化物薄膜及第二氧化物薄膜转变为第一硫属化物薄膜及第二硫属化薄膜。可于第一硫属化物薄膜及第二硫属化物薄膜上实行退火工艺。
[0006]本揭露的另一实施例提供一种硫属化物薄膜的制造方法，包括:提供一基底于一腔室中；实行多个原子层沉积工艺以形成多层氧化物薄膜于该基底上方，其中至少一层的该多层氧化物薄膜不同于其它层;实行一第一硫属化工艺，包括注入一第一硫属元素，以使该多层氧化物薄膜转变为多层硫属化物薄膜。
[0007]以下将配合所附图式详述本揭露的实施例。
【附图说明】
[0008]可通过配合所附图式并参照下列详细描述及实例以更加理解本揭露的发明，其中:
[0009]图1A-1C为本揭露示范实施例中，制造硫属化物薄膜的中间工艺步骤的剖面图。
[0010]图2A-2C为本揭露另一示范实施例中，制造硫属化物薄膜的中间工艺步骤的剖面图。
[0011]图3A-3C为本揭露又一示范实施例中，制造硫属化物薄膜的中间工艺步骤的剖面图。
[0012]图4A-4B为在一些实施例中，Al2O3基底上的单层WSe2硫属化物薄膜的拉曼光谱及光学影像。
[0013]图5A-5B为在一些实施例中，Al2O3基底上的双层WSe2硫属化物薄膜的拉曼光谱及光学影像。
[0014]其中，附图标记说明如下:
[0015]102 基底
[0016]104第一氧化物薄膜
[0017]106第一硫属化物薄膜
[0018]107 UV光照工艺
[0019]109退火工艺
[0020]202 腔室[0021 ]204支持器
[0022]206a第一ALD元素前驱物
[0023]206b氧化气体
[0024]208第一硫属前驱物
[0025]208a第一硫属元素
[0026]208b 氢气
[0027]208c载体气体
[0028]209退火工艺
[0029]210a第二ALD元素前驱物
[0030]210b氧化气体
[0031]212第二硫属前驱物
[0032]212a第二硫属元素
[0033]212b 氢气
[0034]212c载体气体
[0035]304第二氧化物薄膜
[0036]306第二硫属化物薄膜
[0037]307 UV光照工艺
[0038]309退火工艺
【具体实施方式】
[0039]可通过配合所附图式来参照下列详细描述以更加理解本揭露的实施例的目的、特征及优点。本揭露的实施例提供替代的实施例以描述实行方法的替代特征。再者，实施例中每个组件的配置系用来解释本揭露而不该以此限定本揭露的范围。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示，这些重复仅为了简单清楚地叙述本揭露，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。
[0040]“大约”及“基本上”等用语通常代表所述数值的+/-20%，再通常为所述数值的+/_10%，更通常为所述数值的+/-5%。本揭露所述数值为一近似值。当没有特定描述时，所述数值具有”大约”或”基本上”的意思。
[0041]本揭露的实施例提供一种硫属化物薄膜的制造方法，并能改善其均匀性。
[0042]图1A-1C为制造第一硫属化物薄膜的中间工艺步骤的剖面图。请参照图1A，提供基底102于腔体202中的支持器204上方，腔室202系用来实行第一原子层沉积(ALD)工艺。注入第一ALD前驱物至腔室202以进行第一ALD工艺。在一些实施例中，第一ALD前驱物可包括第一ALD元素前驱物206a及氧化气体206b。第一ALD元素前驱物206a可包括诸如钼(Mo)、钨(W)或铪(Hf)的过渡金属，或是诸如镓(Ga)、铟(In)、锗(Ge)、锡(Sn)或锌(Zn)的半导体材料或其它类似物。氧化气体206b可包括臭氧(O3)或氧气(O2)。在一些实施例中，如图1A所示，第一ALD元素前驱物206a附着至基底102的表面上，接着如图1B所示，与氧化气体206b反应以形成第一氧化物薄膜104。在一些实施例中，基底102可为硅基底或介电质基底，例如:氧化硅、氮化硅、石英、氧化铝或玻璃。第一氧化物薄膜104可为过渡金属氧化物薄膜或半导体氧化物薄膜，取决于第一 ALD元素前驱物206a的材料。过渡金属氧化物薄膜可包括氧化钼、氧化钨或氧化铪，且半导体氧化物薄膜可包括氧化镓、氧化铟、氧化锗、氧化锡或氧化锌。在一些实施例中，可于约150°C至600°C的温度下实行用来形成第一氧化物薄膜104的第一 ALD工艺。在此实施例中，第一氧化物薄膜104的厚度可为约Inm至1nm，例如约8nm。
[0043]接着，如图1C所示，实行第一硫属化工艺以使第一氧化物薄膜104转变为第一硫属化物薄膜106。在第一硫属化工艺期间，注入第一硫属前驱物208至腔室202中。第一硫属前驱物208可包括第一硫属元素208a、氢气208b及载体气体208c。在此实施例中，第一硫属元素208a可为硫(S)、砸(Se)或碲(Te)。载体气体208c可为氮气或氩气。第一硫属元素208a取代了氧原子于第一氧化物薄膜104中，且通过氢气208b来还原第一氧化物薄膜104以协助第一硫属化工艺。在一些实施例中，于约2至lOOsccm的流速下注入第一硫属元素208a，可于约2至200sccm的流速下注入氢气208b，且可于约10至600sccm的流速下注入载体气体208c。在一些实施例中，可于约150°C至700°C的温度下实行第一硫属化工艺。
[0044]在一些实施例中，如图1B所示，在第一硫属化工艺期间，可选择性地利用UV光照工艺107来诱导UV辅助光化学反应以促进第一硫属化工艺。可利用具有波长约160nm至400nm的UV光。应当注意的是，UV光照工艺107为可选的步骤故可被忽略。例如，在一实施例中，第一硫属元素208a包括硫。在此实例中，第一硫属元素208a可易于与第一氧化物薄膜104反应，而UV光照工艺107可被忽略。
[0045]如图1C所示，在第一硫属化工艺之后，将第一氧化物薄膜104转变为第一硫属化物薄膜106于基底上方。在一些实施例中，第一硫属化物薄膜106的厚度可为约Inm至10nm，例如约8nm，密切地取决于第一氧化物薄膜104的厚度。在此实施例中，第一硫属化物薄膜106可具有至少一单层。在一些实施例中，第一硫属化物薄膜106包括诸如MoS2、WS2、Hf S2、MoSe2、WSe2、Hf Se2、MoTe2、WTe2 或 HfTe2 的金属二硫属化物，或是诸如 GaSe、In2Se3、GaTe、In2Te3、GeSe、GeTe、ZnSe、ZnTe、SnSe2、SnTe2 的 I1-V1、II1-VI 及 IV-VI 半导体硫属化物或其它类似物。
[0046]—旦形成第一硫属化物薄膜106后，可利用第一硫属化物薄膜106上的退火工艺109以移除介于第一硫属化物薄膜106与基底102之间的界面的缺陷，并增进第一硫属化物薄膜106的品质。在一些实施例中，可于约500°C至700 °C的温度下实行退火工艺109，例如于约600°C下实行约10分钟至2小时。
[0047]由于第一氧化物薄膜104系通过第一ALD工艺所形成，故第一氧化物薄膜104及随后形成的第一硫属化物薄膜106具有均匀且更薄的厚度，因此具有一致的电气性能。此外，由于第一ALD工艺及第一硫属化工艺系实行于相同的腔室202之中，故可防止第一硫属化物薄膜106受到灰尘及其它粒子的污染。
[0048]图2A-2C系在一实施例中，制造双层硫属化物薄膜的中间工艺步骤的剖面图。在此实施例中，首先形成两个或更多的氧化物薄膜，接着同时转变为双层硫属化物薄膜。请参照图2A，一旦形成如图1B所示的第一氧化物薄膜104后，将实行第二 ALD工艺以形成第二氧化物薄膜304于第一氧化物薄膜104上方。第二氧化物薄膜304可相同或不同于第一氧化物薄膜104。注入第二ALD前驱物至腔室202以进行第二ALD工艺。在一些实施例中，第二ALD前驱物可包括第二 ALD元素前驱物210a及氧化气体210b。第二 ALD元素前驱物可包括诸如钼(Mo)、钨(W)或铪(Hf)的过渡金属，或是诸如镓(Ga)、铟(In)、锗(Ge)、锡(Sn)或锌(Zn)的半导体材料或其它类似物。氧化气体210b可包括臭氧(O3)或氧气(O2)。在一些实施例中，如图2A所示，第二 ALD元素前驱物210a附着至第一氧化物薄膜104的顶表面上，接着如图2B所示，与氧化气体210b反应以形成第二氧化物薄膜304。第二氧化物薄膜304可为过渡金属氧化物薄膜或半导体氧化物薄膜，取决于第二 ALD元素前驱物210a的材料。过渡金属氧化物薄膜可包括氧化钼、氧化钨或氧化铪，且半导体氧化物薄膜可包括氧化镓、氧化铟、氧化锗、氧化锡或氧化锌。在一些实施例中，可于约150°C至600°C的温度下实行用来形成第二氧化物薄膜304的第二ALD工艺。在此实施例中，第二氧化物薄膜304的厚度可为约Inm至10nm，例如约8nm0
[0049]接着，如图2C所示，实行第一硫属化工艺以分别将第一氧化物薄膜104及第二氧化物薄膜304转变为第一硫属化物薄膜106及第二硫属化物薄膜306。在第一硫属化工艺期间，可注入第一硫属前驱物208至腔室202中。第一硫属前驱物208可包括第一硫属元素208a、氢气208b及载体气体208cο在此实施例中，第一硫属元素208a可为硫(S)、砸(Se)或碲(Te)。载体气体208c可为氮气或氩气。第一硫属元素208a取代了氧原子于第一氧化物薄膜104及第二氧化物薄膜304之中，且通过氢气208b来还原第一氧化物薄膜104及第二氧化物薄膜304以协助第一硫属化工艺。在一些实施例中，于约2至lOOsccm的流速下注入第一硫属元素208a，可于约2至200sccm的流速下注入氢气208b，且可于约10至600sccm的流速下注入载体气体208c。在一些实施例中，可于约150 °C至700 °C的温度下实行第一硫属化工艺。
[0050]在一些实施例中，如图2B所示，在第一硫属化工艺期间，可选择性地利用UV光照工艺207来诱导UV辅助光化学反应以促进第一硫属化工艺。可利用具有波长约160nm至400nm的UV光。应当注意的是，UV光照工艺207为可选的步骤故可被忽略。例如，在一实施例中，第一硫属元素208a包括硫。在此实例中，第一硫属元素208a可易于与第一氧化物薄膜104反应，而UV光照工艺207可被忽略。
[0051]如图2C所示，在第一硫属化工艺之后，将第一氧化物薄膜104转变为第一硫属化物薄膜106于基底上方，且将第二氧化物薄膜304转变为第二硫属化物薄膜306于第一硫属化物薄膜106上方。在一些实施例中，第一硫属化物薄膜106及第二硫属化物薄膜306的厚度可分别为约Inm至1nm，例如约8nm，密切地取决于第一氧化物薄膜104及第二氧化物薄膜304的厚度。在此实施例中，第一硫属化物薄膜106及第二硫属化物薄膜306各自可具有至少一单层。在一些实施例中，第一硫属化物薄膜106及第二硫属化物薄膜306可包括诸如MoS2、WS2、HfS2、MoSe2、WSe2、HfSe2、MoTe2、WTe2 或 HfTe2 的金属二硫属化物，或是诸如 GaSe、In2Se3、GaTe、In2Te3、GeSe、GeTe、ZnSe、ZnTe、SnSe2、SnTe2 的 I1-V1、II1-VI 及 IV-VI 半导体硫属化物或其它类似物。在此实施例中，假使第一氧化物薄膜104不同于第二氧化物薄膜304，则第一硫属化物薄膜106可不同于第二硫属化物薄膜306。
[0052]一旦形成第一硫属化物薄膜106及第二硫属化物薄膜306后，可利用第一硫属化物薄膜106及第二硫属化物薄膜306上的退火工艺209，以移除介于第一硫属化物薄膜106与基底102之间及介于第一硫属化物薄膜106与第二硫属化物薄膜306之间的界面的缺陷，并增进第一硫属化物薄膜106及第二硫属化物薄膜306的品质。在一些实施例中，可于约500°C至700°C的温度下实行退火工艺209，例如于约600°C下实行约10分钟至2小时。
[0053]由于第一氧化物薄膜104系通过第一ALD工艺所形成，且第二氧化物薄膜304系通过第二 ALD工艺所形成，故随后形成的第一硫属化物薄膜106及第二硫属化物薄膜306皆具有均匀且更薄的厚度，因此具有一致的电气性能。此外，由于第一ALD工艺、第二ALD工艺及第一硫属化工艺系实行于相同的腔室202之中，故可防止第一硫属化物薄膜106及第二硫属化物薄膜306受到灰尘及其它粒子的污染。再者，诸如第一 /第二硫属化物薄膜106/306的双层硫属化物薄膜可作为二极管，其具有可调整的电气特性及良好的性能。
[0054]图3A-3C系在另一实施例中，制造双层硫属化物薄膜的中间工艺步骤的剖面图。在此实施例中，分别将两个或更多的氧化物薄膜转变为硫属化物薄膜以形成双层硫属化物薄膜。请参照图3A，一旦形成如图1C所示的第一硫属化物薄膜106后，将实行第二 ALD工艺以形成第二氧化物薄膜304于第一硫属化物薄膜106上方。于图3A中，注入第二ALD前驱物至腔室202以进行第二ALD工艺。在一些实施例中，第二ALD前驱物包括第二ALD元素前驱物210a及氧化气体210b。第二 ALD元素前驱物210a包括诸如Mo、W或Hf的过渡金属，或是诸如Ga、In、Ge、Sn或Zn的半导体材料或其它类似物。氧化气体210b包括臭氧(O3)或氧气(O2)。在此实施例中，如图3A所示，第二ALD元素前驱物210a附着至第一硫属化物薄膜106的顶表面上，接着如图3B所示，与氧化气体210b反应以形成第二氧化物薄膜304于第一硫属化物薄膜106上方。第二氧化物薄膜304可为过渡金属氧化物薄膜或半导体氧化物薄膜，取决于第二 ALD元素前驱物210a的材料。过渡金属氧化物薄膜可包括氧化钼、氧化钨或氧化铪，且半导体氧化物薄膜可包括氧化镓、氧化铟、氧化锗、氧化锡或氧化锌。在一些实施例中，第二氧化物薄膜304可相同或不同于第一氧化物薄膜104。在一些实施例中，可于约150 °C至600°C的温度下实行用来形成第二氧化物薄膜304的第二ALD工艺303。在此实施例中，第一氧化物薄膜104及第二氧化物薄膜304的厚度各自为约Inm至1nm，例如约8nm。
[0055]接着，如图3C所示，实行第二硫属化工艺以将第二氧化物薄膜304转变为第二硫属化物薄膜306。在第二硫属化工艺期间，可注入第二硫属前驱物212至腔室202中。第二硫属前驱物212包括第二硫属元素212a、氢气212b及载体气体212c。在此实施例中，第二硫属元素212a可为S、Se或Te。载体气体212c可为氮气或氩气。第二硫属元素212a取代了氧原子于第二氧化物薄膜304之中，且通过氢气212b来还原第二氧化物薄膜304以协助第二硫属化工艺。在一些实施例中，于约2至10sccm的流速下注入第二硫属元素212a，可于约2至200sccm的流速下注入氢气212b，且可于约10至600sccm的流速下注入载体气体212c。在一些实施例中，可于约150 °C至700 °C的温度下实行第二硫属化工艺。
[0056]在一些实施例中，如图3B所示，在第二硫属化工艺期间，可选择性地利用UV光照工艺307来诱导UV辅助光化学反应以促进第二硫属化工艺。可利用具有波长约160nm至400nm的UV光。应当注意的是，UV光照工艺307为可选的步骤故可被忽略。例如，在一实施例中，第二硫属元素212a包括硫。在此实例中，第一硫属元素208a可易于与第一氧化物薄膜104反应，而UV光照工艺307可被忽略。
[0057]如图3C所示，在第二硫属化工艺之后，将第二氧化物薄膜304转变为第二硫属化物薄膜306于第一硫属化物薄膜106上方。在一些实施例中，第二硫属化物薄膜306的厚度可为约Inm至1nm，例如约8nm，密切地取决于第二氧化物薄膜304的厚度。在此实施例中，第二硫属化物薄膜306可具有至少一单层。在一些实施例中，第二硫属化物薄膜306可包括诸如MoS2、WS2、Hf S2、MoSe2、WSe2、Hf Se2、MoTe2、WTe2 或 Hf Te2 的金属二硫属化物，或是诸如 GaSe、In2Se3、GaTe、In2Te3、GeSe、GeTe、ZnSe、ZnTe、SnSe2、SnTe2 的 I1-V1、II1-VI 及 IV-VI 半导体硫属化物或其它类似物。在此实施例中，假使第一氧化物薄膜104不同于第二氧化物薄膜304，则第一硫属化物薄膜106可不同于第二硫属化物薄膜306。
[0058]一旦形成第一硫属化物薄膜106后，可利用第二硫属化物薄膜306上的退火工艺309，以移除介于第一硫属化物薄膜106与基底102之间及介于第一硫属化物薄膜106与第二硫属化物薄膜306之间的界面的缺陷，并增进第一硫属化物薄膜106及第二硫属化物薄膜306的品质。在一些实施例中，可于约500°C至700°C的温度下实行退火工艺309，例如于约600°C下实行约10分钟至2小时。
[0059]由于第二氧化物薄膜系通过第二ALD工艺所形成，故随后形成的第二硫属化物薄膜306具有均匀且更薄的厚度，因此具有一致的电气性能。此外，由于第二 ALD工艺及第二硫属化工艺系实行于相同的腔室202之中，故可防止第一硫属化物薄膜106及第二硫属化物薄膜306受到灰尘及其它粒子的污染。再者，诸如第一 /第二硫属化物薄膜106/306的双层硫属化物薄膜可作为二极管，其具有可调整的电气特性及良好的性能。
[0060]请参照图4A-4B，其为在一些实施例中，Al2O3基底上的单层WSe2硫属化物薄膜的拉曼光谱及光学影像。在图4A中，可观察到于约417cm—1及约250cm—1处的拉曼波峰，其分别相应于Al2O3基底及其上方的单层WSe2硫属化物薄膜。在图4B中，无法观察到明显的光点于单层WSe2硫属化物薄膜的表面，代表本揭露所制造的薄膜具有均匀的表面。
[0061 ]请参照图5A-5B，其为在一些实施例中，Al2O3基底上的双层WSe2硫属化物薄膜的拉曼光谱及光学影像。在图5A中，可观察到于约417cm—1及约250cm—1处的拉曼波峰，其具有与图4A相同位置的拉曼波峰。请注意图5A所示的于约308cm—1处的拉曼波峰，其为双层WSe2硫属化物薄膜的介层振动。此外，请参照图5A，于约250cm—1处的拉曼波峰的强度高于图4A的拉曼波峰，代表已形成双层WSe2硫属化物。图5B显示在一些实施例中，生长于Al2O3基底上的双层WSe2硫属化物的均匀表面。
[0062]尽管上述的硫属化物薄膜为单层或双层硫属化物薄膜，其亦可为具有三层或更多子层的硫属化物薄膜。在一些实施例中，多层硫属化物薄膜其至少一子层的材料可不同于其它层以提供异质结构。在其它实施例中，多层硫属化物薄膜的每层子层的材料可彼此不同。
[0063]重复氧化物薄膜的ALD生长及硫属化工艺，可形成具有不同金属/半导体及硫属元素的组合的多层硫属化物异质结构。
[0064]尽管本揭露具体地描述了一些实施例，但应当理解的是，本揭露并非限制于所揭露的实施例。显然地，本领域普通技术人员可对本揭露的实施例做各种修饰及改变。因此，说明书及实例仅被视为示范例，而本揭露的实际范围显示于下列申请专利范围及其附属项中。
【主权项】
1.一种硫属化物薄膜的制造方法，包括: 提供一基底于一腔室中； 实行一第一原子层沉积工艺以形成一第一氧化物薄膜于该基底上方；以及 实行一第一硫属化工艺，包括注入一第一硫属元素，以使该第一氧化物薄膜转变为一第一硫属化物薄膜。2.根据权利要求1所述的硫属化物薄膜的制造方法，还包括: 在实行该第一硫属化工艺之后，于该第一硫属化物薄膜上实行一退火工艺。3.根据权利要求2所述的硫属化物薄膜的制造方法，还包括: 在实行该退火工艺之前，实行一第二原子层沉积工艺，以形成一第二氧化物薄膜于该第一硫属化物薄膜上方；以及 实行一第二硫属化反应，包括注入一第二硫属元素，以使该第二氧化物薄膜转变为一第二硫属化物薄膜。4.根据权利要求3所述的硫属化物薄膜的制造方法，其中该第一氧化物薄膜及该第二氧化物薄膜各自包括一过渡金属氧化物薄膜或一半导体氧化物薄膜。5.根据权利要求4所述的硫属化物薄膜的制造方法，其中该过渡金属氧化物薄膜包括氧化钼、氧化钨或氧化铪，且该半导体氧化物薄膜包括氧化镓、氧化铟、氧化锗或氧化锌。6.根据权利要求3所述的硫属化物薄膜的制造方法，其中该第一硫属元素及该第二硫属元素各自包括硫、砸或碲。7.根据权利要求3所述的硫属化物薄膜的制造方法，其中该第一硫属化物薄膜及该第二硫属化物薄膜各自包括至少一单层。8.根据权利要求3所述的硫属化物薄膜的制造方法，其中该第一氧化物薄膜不同于该第二氧化物薄膜。9.根据权利要求3所述的硫属化物薄膜的制造方法，其中该第一硫属化物薄膜的厚度及该第二硫属化物薄膜的厚度各自为Inm至1nm010.根据权利要求1所述的硫属化物薄膜的制造方法，其中该基底包括硅或一介电材料，其中该介电材料包括氧化硅、氮化硅、石英、氧化铝或玻璃。11.根据权利要求1所述的硫属化物薄膜的制造方法，其中于150°C至600°C的温度下实行该第一原子层沉积工艺。12.根据权利要求1所述的硫属化物薄膜的制造方法，其中该第一硫属化工艺包括于150 0C至700 0C的温度下进行UV辅助光化学反应。13.根据权利要求1所述的硫属化物薄膜的制造方法，还包括: 于注入该第一硫属元素期间，注入作为还原气体的氢气及作为载体气体的氩气。14.一种硫属化物薄膜的制造方法，包括: 提供一基底于一腔室中； 实行一第一原子层沉积工艺以形成一第一氧化物薄膜于该基底上方； 实行一第二原子层沉积工艺以形成一第二氧化物薄膜于该第一氧化物薄膜上方；以及 实行一第一硫属化工艺，包括注入一第一硫属元素，以使该第一氧化物薄膜及该第二氧化物薄膜转变为一第一硫属化物薄膜及一第二硫属化薄膜。15.根据权利要求14所述的硫属化物薄膜的制造方法，还包括: 在实行该第一硫属化工艺之后，于该第一硫属化物薄膜及该第二硫属化薄膜上实行一退火工艺。16.根据权利要求14所述的硫属化物薄膜的制造方法，其中该第一氧化物薄膜及该第二氧化物薄膜各自包括一过渡金属氧化物薄膜或一半导体氧化物薄膜。17.根据权利要求16所述的硫属化物薄膜的制造方法，其中该过渡金属氧化物薄膜包括氧化钼、氧化钨或氧化铪，且该半导体氧化物薄膜包括氧化镓、氧化铟、氧化锗或氧化锌。18.根据权利要求14所述的硫属化物薄膜的制造方法，其中该第一硫属元素及该第二硫属元素各自包括硫、砸或碲。19.根据权利要求14所述的硫属化物薄膜的制造方法，其中该第一硫属化物薄膜及该第二硫属化物薄膜各自包括至少一单层。20.根据权利要求14所述的硫属化物薄膜的制造方法，其中该第一氧化物薄膜不同于该第二氧化物薄膜。21.根据权利要求14所述的硫属化物薄膜的制造方法，其中该第一硫属化物薄膜的厚度及该第二硫属化物薄膜的厚度各自为Inm至1nm022.根据权利要求14所述的硫属化物薄膜的制造方法，其中该基底包括硅或一介电材料，其中该介电材料包括氧化硅、氮化硅、石英、氧化铝或玻璃。23.根据权利要求14所述的硫属化物薄膜的制造方法，其中于150°C至600°C的温度下实行该第一原子层沉积工艺。24.根据权利要求14所述的硫属化物薄膜的制造方法，其中该第一硫属化工艺包括于150 0C至700 0C的温度下进行UV辅助光化学反应。25.根据权利要求14所述的硫属化物薄膜的制造方法，还包括: 于注入该第一硫属元素期间，注入作为还原气体的氢气及作为载体气体的氩气。26.一种硫属化物薄膜的制造方法，包括: 提供一基底于一腔室中； 实行多个原子层沉积工艺以形成多层氧化物薄膜于该基底上方，其中至少一层的该多层氧化物薄膜不同于其它层； 实行一第一硫属化工艺，包括注入一第一硫属元素，以使该多层氧化物薄膜转变为多层硫属化物薄膜。27.根据权利要求26所述的硫属化物薄膜的制造方法，其中该多层氧化物薄膜各自与彼此不同。
【文档编号】C23C16/56GK105862009SQ201610081902
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年2月5日
【发明人】叶昭辉, 邱壬官
【申请人】炬力奈米科技有限公司