一种硅片单面膜层的去除方法
【专利摘要】本发明公开了一种硅片单面膜层的去除方法，包括以下步骤：A、使用保护介质将待处理硅片不需要去除膜层的正面覆盖，确保硅片正面不受腐蚀；B、将步骤A的硅片置于具有腐蚀性蒸汽的环境中，利用蒸汽将硅片背面的待去除膜层腐蚀去除；C、采用去离子水对步骤B中腐蚀后的硅片进行清洗。本发明与现有技术相比的优点是：溶液用量小，成本低，污染少；与传统浸入溶液腐蚀方法相比，气体腐蚀对正面保护层要求低，正面保护层制作简单，而且容易去除；本方法更容易实现流水线作业，产量高；对设备机械精度容忍度很高，节约了设备制造成本，同时工艺稳定，容易控制。本发明适用性广，适合各种规格硅片上多种膜层的单面去除。
【专利说明】一种硅片单面膜层的去除方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体集成工艺及太阳能电池片制作工艺领域，尤其涉及一种硅片单面膜层的去除方法。
【背景技术】
[0002]现有半导体和太阳能电池工艺技术中，硅片表面生长(淀积)膜层的做法是非常普遍的，但是在长膜工艺过程中，硅片两面往往都会伴随有膜层，而背面的膜层常会给工艺带来不利的影响，需要去除。目前常用单面去膜技术的缺点是工艺流程复杂，腐蚀液用量大，容易造成环境污染，成本高，产量低。
【发明内容】
[0003]本发明是为了解决上述不足，提供了一种硅片单面膜层的去除方法。
[0004]本发明的上述目的通过以下的技术方案来实现:一种硅片单面膜层的去除方法，包括以下步骤:
[0005]A、使用保护介质将待处理硅片不需要去除膜层的正面覆盖，确保硅片正面不受腐蚀；
[0006]B、将步骤A的硅片置于具有腐蚀性蒸汽的环境中，利用蒸汽将硅片背面的待去除膜层腐蚀去除；
[0007]C、采用去离子水对步骤B中腐蚀后的硅片进行清洗。
[0008]步骤A中的保护介质可以是液体，如水、乙醇等；也可以是惰性固体，如细沙、橡胶坐寸ο
[0009]步骤B中的待去除膜层可以是二氧化硅膜、磷硅玻璃、硼硅玻璃，氮化硅膜、二氧化钛膜或三氧化二铝膜等。
[0010]步骤B中的腐蚀性蒸汽来源于易挥发的腐蚀性溶液，所述腐蚀液可以是酸液及其混合液，也可以是碱液及其混合液；腐蚀液挥发出的蒸汽可以腐蚀硅片表面膜层，但是不腐蚀硅材料，也不会破坏正面保护层。
[0011]本发明与现有技术相比的优点是:本发明采用腐蚀性溶液挥发出的蒸汽进行单面膜层的腐蚀，溶液用量小，成本低，污染少；与传统浸入溶液腐蚀方法相比，气体腐蚀对正面保护层要求低，正面保护层制作简单，而且容易去除；本方法更容易实现流水线作业，产量高；对设备机械精度容忍度很高，节约了设备制造成本，同时工艺稳定，容易控制。本发明适用性广，适合各种规格硅片上多种膜层的单面去除。
【具体实施方式】
[0012]下面对本发明进一步详述:
[0013]实施例1:
[0014]表面带有20nm 二氧化硅薄膜的硅片，正面向下水平置于传送带上，经过HF蒸汽环境，进行I分钟的腐蚀，上述过程中硅片正面受到直接接触的传送带保护，腐蚀性气体无法侵入；背面向上暴露在HF蒸汽环境中，二氧化硅膜层被腐蚀。然后经去离子水进行清洗。实现单面膜层的去除。
[0015]实施例2:
[0016]表面带有70nm氮化硅薄膜的硅片，正面向上置于间隔传送滚轮上，表面喷洒保护性液体，经过HF蒸汽环境，进行2分钟的腐蚀，上述过程中硅片正面受到保护液的覆盖，腐蚀性气体无法侵入；而背面在传送过程受到HF蒸汽的腐蚀，氮化硅硅膜层被腐蚀。然后经去离子水进行清洗。实现单面膜层的去除。
[0017]以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的【技术领域】，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【权利要求】
1.一种硅片单面膜层的去除方法，其特征在于:包括以下步骤: A、使用保护介质将待处理硅片不需要去除膜层的正面覆盖，确保硅片正面不受腐蚀； B、将步骤A的硅片置于具有腐蚀性蒸汽的环境中，利用蒸汽将硅片背面的待去除膜层腐蚀去除； C、采用去离子水对步骤B中腐蚀后的硅片进行清洗。
2.根据权利要求1所述的一种硅片单面膜层的去除方法，其特征在于:步骤A中的保护介质为水、乙醇、细沙或橡胶。
3.根据权利要求1所述的一种硅片单面膜层的去除方法，其特征在于:步骤B中的待去除膜层为二氧化硅膜、磷硅玻璃、硼硅玻璃，氮化硅膜、二氧化钛膜或三氧化二铝膜。
4.根据权利要求1所述的一种硅片单面膜层的去除方法，其特征在于:步骤B中的腐蚀性蒸汽来源于易挥发的腐蚀性溶液，所述腐蚀液为酸液及其混合液或碱液及其混合液。
【文档编号】H01L21/311GK104078348SQ201310096925
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2013年3月25日 优先权日:2013年3月25日
【发明者】刘金升, 郑晔 申请人:苏州晶洲装备科技有限公司