发光二极管外延片及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种发光二极管外延片，所述外延片包括衬底、在所述衬底上依次向上生长的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，所述多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个量子阱层，所述量子垒层与所述量子阱层相互交替生长，其特征在于，所述外延片还包括设于所述多量子阱层和所述p型层之间的空穴注入层，所述空穴注入层的禁带宽度大于所述多量子阱层中最靠近所述空穴注入层的量子阱层的禁带宽度；所述外延片还包括设于所述空穴注入层与所述p型层之间的电子阻挡层，所述电子阻挡层的禁带宽度大于所述空穴注入层的禁带宽度；所述空穴注入层为InxGa1-xN层，所述量子阱层为InyGa1-yN层，所述电子阻挡层为p型AlaGa1-aN层，其中，0<x<1，0<y<1，x＜y，0＜a＜1；所述空穴注入层为多层，每层所述空穴注入层的禁带宽度中，最小的禁带宽度不小于所述多量子阱层中最靠近所述空穴注入层的量子阱层的禁带宽度，最大的禁带宽度不大于所述电子阻挡层的禁带宽度，各层所述空穴注入层的InxGa1-xN中x的取值不同且InxGa1-xN的厚度厚薄交替。2.一种发光二极管外延片的制造方法，所述方法包括：提供衬底，并依次在所述衬底上生长缓冲层、n型层；在所述n型层上生长多量子阱层，所述多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个量子阱层，所述量子垒层与所述量子阱层相互交替生长；在所述多量子阱层上生长p型层；其特征在于，所述方法还包括：在所述多量子阱层和所述p型层之间生长空穴注入层，所述空穴注入层的禁带宽度大于所述多量子阱层中最靠近所述空穴注入层的量子阱层的禁带宽度；所述方法还包括：在所述空穴注入层和所述p型之间生长电子阻挡层，所述电子阻挡层的禁带宽度大于所述空穴注入层的禁带宽度；所述空穴注入层为InxGa1-xN层，所述量子阱层为InyGa1-yN层，所述电子阻挡层为p型AlaGa1-aN层，其中，0<x<1，0<y<1，x＜y，0＜a＜1；所述空穴注入层为多层，每层所述空穴注入层的禁带宽度中，最小的禁带宽度不小于所述多量子阱层中最靠近所述空穴注入层的量子阱层的禁带宽度，最大的禁带宽度不大于所述电子阻挡层的禁带宽度，各层所述空穴注入层的InxGa1-xN中x的取值不同且InxGa1-xN的厚度厚薄交替。