技术总结
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。该外延片包括：衬底、在衬底上依次向上生长的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个量子阱层，量子垒层与量子阱层相互交替生长，外延片还包括设于多量子阱层和p型层之间的空穴注入层，空穴注入层的禁带宽度大于多量子阱层中最靠近空穴注入层的量子阱层的禁带宽度。本发明通过设置空穴注入层，在多量子阱层和p型层之间形成一个势阱，该势阱能够聚集从p型层注入到多量子阱层的空穴，然后在外加电压的作用下，将聚集的空穴注入到多量子阱层，从而提高了空穴的注入效率，促进了电子和空穴的辐射复合效率，提高了外延片的发光效率。
技术研发人员：王明军;魏世祯;胡加辉
受保护的技术使用者：华灿光电股份有限公司
文档号码：201310188694
技术研发日：2013.05.21
技术公布日：2017.07.25