光电转换元件、光电转换元件的制造方法以及电子设备的制作方法
【专利摘要】本发明涉及光电转换元件、光电转换元件的制造方法以及电子设备。上述光电转换元件具备：基板；具有设置在基板上的第一导电膜及第二导电膜的第一电极膜；覆盖第一电极膜而设置的金属化合物膜；与金属化合物膜连接设置的半导体膜；与半导体膜连接设置的第二电极膜；以及设置成包覆基板、第一电极膜、半导体膜及金属化合物膜的绝缘膜，上述光电转换元件的制造方法包括：形成与基板连接的第一导电膜以及与第一导电膜连接的第二导电膜的第一电极膜形成工序；在第一电极膜形成工序之后，通过湿蚀刻法将第二导电膜形成为规定的形状的第一图案化工序；以及在第一图案化工序之后，形成覆盖第一电极膜的金属化合物膜的金属化合物膜形成工序。
【专利说明】光电转换元件、光电转换元件的制造方法以及电子设备
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及光电转换元件、光电转换元件的制造方法以及电子设备。
【背景技术】
[0002]作为形成具有黄铜矿结构的半导体装置的薄膜，公知有含有铜(Cu)、铟(In)和硒(Se)的所谓CIS薄膜，以及含有铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)和硒(Se)等的所谓CIGS薄膜。这些CIS和CIGS薄膜由于光电转换率优异而多用于太阳能电池。而且，由于这些CIS和CIGS薄膜在可见光至近红外光的广泛波长区域具有高感光度，因此，可望作为光电转换元件应用于传感器等。
[0003]例如，在专利文献I中公布有具有黄铜矿结构的P型化合物半导体薄膜的光电转换元件，上述化合物半导体薄膜层压在设置于基板的电极膜上，作为光吸收层发挥作用。
[0004]然而，在对黄铜矿结构的半导体薄膜进行图案化的工序中，当为了除去该半导体薄膜的不需要的部分而使用蚀刻法时，存在损伤作为下层的电极膜的风险。而且，如果为了抑制由干蚀刻导致的电极膜的损伤而控制(抑制)蚀刻量，则产生由干蚀刻导致的电极膜的残渣，且由于需要利用湿蚀刻法等除去该残渣，还存在降低生产率的风险。
[0005]在先技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日本专利特开2007-123721号公报(图2)
【发明内容】
[0008]本发明的目的在于解决上述课题中的至少一部分，可以作为以下方式或应用例来实现。
[0009]应用例I
[0010]本应用例所涉及的光电转换元件的制造方法，其特征在于，上述光电转换元件具备:基板；第一电极膜，具有设置在基板上的第一导电膜和第二导电膜；金属化合物膜，覆盖第一电极膜而设置；半导体膜，与金属化合物膜连接设置；第二电极膜，与半导体膜连接设置；以及绝缘膜，设置成包覆基板、第一电极膜、半导体膜及金属化合物膜，上述光电转换元件的制造方法包括:第一电极膜形成工序，形成与基板连接的第一导电膜以及与第一导电膜连接的第二导电膜；第一图案化工序，在第一电极膜形成工序之后，通过湿蚀刻将第二导电膜形成为规定的形状；以及金属化合物膜形成工序，在第一图案化工序之后，形成覆盖第一电极膜的金属化合物膜。
[0011]应用例2
[0012]上述应用例所涉及的光电转换元件的制造方法，优选包括:半导体膜形成工序，形成与金属化合物膜连接的半导体膜；第二图案化工序，将金属化合物膜及半导体膜形成为规定的形状；绝缘膜形成工序，形成绝缘膜；以及第二电极膜形成工序，除去一部分绝缘膜，形成与半导体膜连接的第二电极膜。[0013]根据这种光电转换元件的制造方法，在形成金属化合物膜的金属化合物膜形成工序之前，进行通过对与第一导电膜连接形成的第二导电膜进行湿蚀刻而形成规定的形状的第一图案化工序。在第一图案化工序中进行的湿蚀刻，对第一导电膜的蚀刻速率慢，而对第二导电膜的蚀刻速率快，可以使用蚀刻剂。由此，通过湿蚀刻，能够对第二导电膜进行选择性地进行图案化(蚀刻)，并能够抑制第一导电膜上产生的第二导电膜的蚀刻残渣，以及抑制对第一导电膜和基板的侵蚀。
[0014]应用例3
[0015]本应用例所涉及的光电转换元件，其特征在于，包括:基板；以及光电转换部，具有设置在基板上的第一电极部、第二电极部及光吸收部，其中，第一电极部具有设置成具有第一面及与第一面为正反面关系的第二面且基板与第一面连接的第一导电膜、以及设置于第一导电膜的外周边缘的内侧并与第二面连接的第二导电膜，光吸收部具有:金属化合物膜，覆盖第二导电膜，与第二面连接设置；半导体膜，与金属化合物膜连接设置；以及绝缘膜，设置成与基板连接，包围第一导电膜、金属化合物膜及半导体膜，一部分开口而使得半导体膜露出，第二电极部具有与从绝缘膜露出的半导体膜连接并设置在绝缘膜上的第二电极膜。
[0016]根据这种光电转换兀件，第二导电膜以被第一导电膜和金属化合物膜包围的方式设置于第一导电膜的第二面。由此，可以抑制通过包括金属化合物膜的光吸收部转换的电流从与该金属化合物膜连接的第二导电膜泄露到绝缘膜。此外，可以抑制因第一导电膜、金属化合物膜以及绝缘膜之间的热膨胀率(线膨胀率)差而产生的这些膜剥离。
[0017]应用例4
[0018]上述应用例所涉及的光电转换元件的金属化合物膜中优选含有铜(Cu)、铟(In)、硒(Se)。
[0019]根据这种光电转换元件，金属化合物通过采用具有包含铜、铟、硒的P型特性的所谓CIS薄膜，与采用硅薄膜的情况相比，能够得到光电转换效率高的光电转换元件。
[0020]应用例5
[0021]上述应用例所涉及的光电转换元件的绝缘膜中,优选包含氧化娃。
[0022]根据这种光电转换元件，绝缘膜通过包含氧化硅，能够在与该绝缘膜连接的基板、第一导电膜、第二导电膜、金属化合物膜以及半导体膜之间具有优异的粘附性，并抑制各自之间的膜剥离。
[0023]应用例6
[0024]本应用例所涉及的电子设备，其特征在于搭载有上述光电转换元件。
[0025]通过应用上述光电转换元件，这种电子设备能够实现提高搭载有光电转换元件的电子设备的可靠性。
【专利附图】
【附图说明】
[0026]图1是第一实施方式所涉及的光电转换元件的简要结构的示意图。
[0027]图2是表示第一实施方式所涉及的光电转换元件的制造工序的流程图。
[0028]图3是说明第一实施方式所涉及的光电转换元件的制造工序的图。
[0029]图4是说明第一实施方式所涉及的光电转换元件的制造工序的图。[0030]图5是说明第一实施方式所涉及的光电转换元件的制造工序的图。
[0031]图6是第二实施方式所涉及的光电转换元件的简要结构的示意图。
[0032]图7是实施例所涉及的电子设备的示意图。
【具体实施方式】
[0033]以下，根据附图对本发明的实施方式进行说明。此外，在如下所示的各图中，为了使得各结构元件为在附图上能够识别的程度的大小，有时会将各结构元件的尺寸和比例与实际结构元件相比作适当改变而进行记载。
[0034]第一实施方式
[0035]使用图1至图5，对第一实施方式所涉及的光电转换元件以及光电转换元件的制造方法进行说明。
[0036]图1是表示本实施方式所涉及的光电转换元件的简要结构的图。图2是表示光电转换元件的制造工序的流程图。此外，图3至图5是表示光电转换元件的制造工序的图。另夕卜，如图1 (a)所示，本实施方式的光电转换元件例如在基板上设置成阵列状，各图所示的光电转换兀件不出其一部分被放大后的截面。
[0037]光电转换元件的结构
[0038]图1 (b)所示的光电转换元件I具备基板110和光电转换部200。而且，图1 (b)是表示将图1 (a)所示的光电转换元件I放大后的截面的图。此外，对图3至图5所示的光电转换兀件I也相同。
[0039]光电转换部200在上述基板110上，由第一电极部201、光吸收部202、第二电极部203构成。
[0040]第一电极部201被设置作为第一电极膜,具备第一导电膜210和第二导电膜220。光吸收部202具备金属化合物膜230、半导体膜240和绝缘膜260。此外，第二电极部203具备第二电极膜270。
[0041]另外，在下列说明中，使用相同的符号(201)，作为第一电极部对第一电极膜进行说明。
[0042]如图1 (b)所示，光电转换元件I的光电转换部200在基板110上设置有第一电极膜201，并且在第一电极膜201上重叠设置有光吸收部202和第二电极部203。
[0043]基板110形成为包含玻璃等材料。基板110例如使用硼硅酸玻璃等。
[0044]光电转换部的结构
[0045]在第一电极膜201中，基板110上设置有第一导电膜210,第一导电膜210上设置有第二导电膜220。
[0046]第一导电膜210具有为正反面关系的第一面210a和第二面210b。
[0047]第一导电膜210的第一面210a连接到基板110,第一导电膜210被图案化成规定的形状而设置。第一导电膜210被设置成包含钛(Ti)等的导电膜。
[0048]第二导电膜220在第一导电膜210上被图案化成规定的形状而设置。具体而言，第二导电膜220与第一导电膜210的第二面210b连接，并被图案化成规定的形状而设置。而且，第二导电膜220被设置在俯视观察第一导电膜210时的外周边缘的内侧。换言之，第二导电膜220比第一导电膜210面积小,第一导电膜210的第二面210b上具有未设置第二导电膜220的区域。
[0049]另外，第二导电膜220被设置成包含钥(Mo)等的导电膜。
[0050]接着，在光吸收部202以包覆第一电极膜201的方式设置有金属化合物膜230。而且，在金属化合物膜230上设置有半导体膜240。另外，对应于基板110以包覆第一导电膜210、金属化合物膜230及半导体膜240的方式设置有绝缘膜260。
[0051]本实施方式的光吸收部202是具有黄铜矿结构的半导体装置，将射入光电转换元件I的光转换为电(电流)信号。
[0052]光吸收部202设置有作为具有包含Ib (Ib)族元素、IIIb (3b)族元素和VIb (6b)族元素的黄铜矿结构的P型半导体的金属化合物膜230，以及与该金属化合物膜230连接的后述的η型半导体膜240。
[0053]金属化合物膜231 (230)被设置为包含铜(Cu)和铟(In)等。金属化合物膜231通过进行在硒(Se)气氛中被加热的所谓的退火处理，被设置为硒化的金属化合物膜230。上述硒化的金属化合物膜230是所谓的CIS (Cu，In，Se)薄膜。
[0054]而且，可以将金属化合物膜231 (230)设置为包含铜(Cu)、铟(In)和镓(Ga)等。这种金属化合物膜231通过进行在硒(Se)气氛中加热的退火处理，可以设置为硒化的金属化合物膜230。上述的硒化金属化合物膜230是所谓的CIGS (Cu、In、Ga、Se)薄膜。
[0055]半导体膜240例如被设置成η型半导体膜240且包含氧化锌(ZnO)等。
[0056]绝缘膜260被设置成与基板110重叠对应并包覆第一导电膜210、金属化合物膜230、半导体膜240。
[0057]另外，绝缘膜260具备其一部分开口而露出半导体膜240的露出区域251。换言之，露出区域251是半导体膜240不被绝缘膜260覆盖的区域。绝缘膜260设置成例如包含氧化硅(Si02)。
[0058]其次，第二电极部203是从光吸收部202取出电(电流)信号的电极膜。第二电极膜270被设置成与绝缘膜260重叠并图案化为规定的形状。另外，第二电极膜270的一部分通过露出区域251与光吸收部202所具备的半导体膜240连接。第二电极膜270形成为例如包含ITO (氧化铟锡)等的导电膜。
[0059]光电转换元件I的制造方法
[0060]其次，对制造光电转换元件I的各工序进行说明。
[0061]如图2所示，制造光电转换元件I的工序包括:第一电极膜形成工序S100、第一图案化工序S200、金属化合物膜形成工序S300、半导体膜形成工序S400、第二图案化工序S500、绝缘膜形成工序S600、第二电极形成工序S700。下面，利用图3至图5按工序顺序对光电转换元件I的制造工序进行说明。
[0062]第一电极膜形成工序
[0063]第一电极膜形成工序SlOO是形成作为第一电极膜201的第一导电膜210以及第二导电膜220的工序。
[0064]第一电极膜形成工序SlOO包括:形成与基板110连接并包含钛(Ti)的第一导电膜210的工序、将第一导电膜210图案化为规定的形状的工序、形成于形成为规定的形状的第一导电膜210连接并包含钥(Mo)的第二导电膜220的工序。
[0065]图3 (a)示出第一导电膜210在基板110上形成规定的形状后的状态。而且，图3 (b)示出在上述第一导电膜210的第二面210b上形成第二导电膜220后的状态。
[0066]形成第一导电膜210的工序是例如通过溅射法等在基板110上形成包含钛的导电膜。
[0067]将第一导电膜210形成为规定的形状的工序为是例如通过光刻法等在第一导电膜210的第二面210b上形成掩膜图案(未图示)。
[0068]接着，通过湿蚀刻法等除去(蚀刻)未形成上述掩膜图案的区域，即、作为规定的形状所不需要的部分的第一导电膜210。本实施方式中除去第一导电膜210使用了将第一导电膜210浸溃于含氢氟酸的蚀刻剂(水溶液)的湿蚀刻法，但并不仅限于此，也可以根据所除去的第一导电膜210的组成等进行适当的变更。
[0069]形成第二导电膜220的工序是例如通过溅射法等在形成为规定的形状的第一导电膜210上形成包含钥的导电膜。
[0070]第一图案化工序
[0071]第一图案化工序S200是将第二导电膜220图案化为规定的形状的工序。
[0072]图3 (C)示出通过第一图案化工序S200，第二导电膜220被图案化为规定的形状后的状态。
[0073]第一图案化工序S200例如通过光刻法等将在第二导电膜220以及基板110上形成掩膜图案(未图示)。接着，通过湿蚀刻法除去(蚀刻)未形成掩膜图案的区域，即、作为规定的形状所不需要的部分的第二导电膜220。本实施方式中第一图案化工序S200使用了将第二导电膜220浸溃于含硝酸和磷酸的蚀刻剂(水溶液)的湿蚀刻法。
[0074]通过使用含硝酸和磷酸的蚀刻剂，可以减缓对第一导电膜210的蚀刻速率，反之加快对第二导电膜220的蚀刻速率。由此，可以选择性地蚀刻含有钥的第二导电膜220，并且抑制对含有钛的第一电极膜201和基板110的侵蚀。而且，由于对第二导电膜220的蚀刻速率快，因此可以抑制对第二导电膜220的侧面的侵蚀，即所谓的侧蚀刻。因此，可以抑制该工序中在第一导电膜210的第二面210b上产生应该除去的第二导电膜220的残渣。
[0075]金属化合物膜形成工序
[0076]金属化合物膜形成工序S300是形成与第一电极膜201连接，并包含铜(Cu)和铟(In)、或者铜(Cu)、铟(In)和镓(Ga)等的金属化合物膜230 (231)的工序。
[0077]图4(a)示出通过金属化合物膜形成工序S300上述第一电极膜201、以及基板110上形成金属化合物膜230后的状态。
[0078]金属化合物膜形成工序S300例如使用溅射法形成包含铜(Cu)和铟(In)、或者铜(Cu)、铟(In)和镓(Ga)等的金属化合物膜231 (230)。
[0079]而且，金属化合物膜形成工序S300包括进行在硒(Se)气氛中加热金属化合物膜231的所谓的退火处理的硒化工序。金属化合物膜231通过利用硒化工序在硒(Se)气氛中进行退火处理而被硒化，从而形成为所谓的CIS (Cu，In，Se2)薄膜，或者CIGS (Cu，In，Ga，Se2)薄膜。本实施方式中的硒化工序，其退火处理温度大致为300°C。另外，该退火处理温度可以根据金属化合物膜231的组成适当地变更。
[0080]半导体膜形成工序
[0081]半导体膜形成工序S400是形成与上述金属化合物膜形成工序S300中形成的金属化合物膜230连接的半导体膜240的工序。[0082]图4 (b)示出通过该工序在金属化合物膜230上形成半导体膜240后的状态。
[0083]半导体膜形成工序S400例如通过CVD (化学气相沉积)法形成含氧化锌(ZnO)等的η型半导体膜240。
[0084]第二图案化工序
[0085]第二图案化工序S500是将金属化合物膜230和半导体膜240形成为规定的形状的工序。图4 (c)示出通过该第二图案化工序S500，金属化合物膜230和半导体膜240被图案化为规定的形状后的状态。
[0086]第二图案化工序S500例如通过光刻法在半导体膜240上形成掩膜图案(未图示)，并通过湿蚀刻法除去(蚀刻)未形成掩膜图案的区域，即、作为规定的形状所不需要的半导体膜240和金属化合物膜230。
[0087]绝缘膜形成工序
[0088]绝缘膜形成工序S600是以与基板110重叠并包覆第一导电膜210、金属化合物膜230以及半导体膜240的方式形成绝缘膜260的工序。
[0089]图5 Ca)示出通过该工序形成绝缘膜260后的状态。
[0090]绝缘膜形成工序S600例如通过CVD法形成包含氮化硅(SiNx)或氧化硅(Si02)的绝缘膜260。通过包含氧化硅，绝缘膜260与基板110、金属化合物膜230、半导体膜240以及第二电极膜270的粘附性提高，可以抑制和绝缘膜260各自之间的膜剥离。
[0091]第二电极膜形成工序
[0092]第二电极膜形成工序S700是在绝缘膜260上形成与上述半导体膜240连接的第二电极膜270的工序。
[0093]第二电极膜形成工序S700包括:形成第二电极膜270的工序、形成连接第二电极膜270和半导体膜240的露出区域251的工序。图5 (b)示出通过该工序第二电极膜270与半导体膜240连接而形成后的状态。
[0094]而且，第二电极膜形成工序S700包括将所形成的第二电极膜270图案化为规定的形状的工序。图5 (c)示出通过该工序第二电极膜270被图案化为规定的形状后的状态。
[0095]第二电极膜形成工序S700在形成第二电极膜270之前形成露出区域251。形成露出区域251的工序是例如在绝缘膜260上通过光刻法形成成为露出区域2551的部分开口的掩膜图案(未图示)。接着，通过干蚀刻法等，除去(蚀刻)在掩膜图案的开口部分、即、成为露出区域251的部分形成的绝缘膜260。在本实施方式的干蚀刻法中使用的是含有六氟化硫(SF6)的蚀刻气体，但并不仅限于此，也可以根据绝缘膜260的组成等适当地变更蚀刻气体。
[0096]接着，第二电极膜形成工序S700形成与半导体膜240连接的第二电极膜270的形成。第二电极膜270的形成是例如通过溅射法等在绝缘膜260上以及在露出区域251露出的半导体膜240上形成包含ITO的第二电极膜270。
[0097]接着，第二电极膜形成工序S700进行将第二电极膜270图案化为规定的形状的工序。第二电极膜270的图案化是在形成的第二电极膜270上例如通过光刻法形成掩膜图案(未图示)，然后通过湿蚀刻法除去(蚀刻)未形成掩膜图案的区域，即、作为规定的形状所不需要的第二电极膜270。
[0098]在本实施方式中，第二电极膜形成工序S700使用了将第二电极膜270浸溃于含有草酸的蚀刻剂(水溶液)的湿蚀刻法，但并不仅限于此，也可以根据第二电极膜270等的组成等适当地变更。
[0099]第二电极膜形成工序S700完成后，光电转换元件I的制造工序即完成。
[0100]根据上述的第一实施方式，可以得到以下效果。
[0101]根据这种光电转换元件1，在形成金属化合物膜230的金属化合物膜形成工序S300之前，通过进行将形成在第一导电膜210上的第二导电膜220形成为规定的形状的第一图案化工序S200,可以以被第一导电膜210和金属化合物膜230包围的方式,在第一导电膜210上设置第二导电膜220。
[0102]由此，能够利用湿蚀刻法选择性地除去在第一导电膜210上被图案化的第二导电膜220所不需要的部分，能够抑制在该第一导电膜210上产生被蚀刻的第二导电膜的残渣，并抑制对第一导电膜210和基板110的侵蚀。
[0103]因此，可以得到抑制了从第二导电膜220漏出的电流即暗电流的、SN比高的光电转换元件I。
[0104]第二实施方式
[0105]图6是本实施方式所涉及的光电转换元件的简要结构的示意图。
[0106]本实施方式的光电转换元件2是在第一实施方式中说明的光电转换元件I上设置有电路部300的光电转换元件。
[0107]光电转换元件2的结构
[0108]图6所示的光电转换元件2具备基板110、电路部300和光电转换部200。
[0109]电路部300在基板110上具有开关元件310。并且，电路部300具备覆盖该开关元件310的平坦化膜320.[0110]光电转换部200在上述平坦化膜320上具备第一电极部201、光吸收部202和第二电极部203。
[0111]如图6所示，光电转换元件2在基板110上重叠设置有电路部300和光电转换部200。
[0112]电路部的结构
[0113]电路部300在基板110上设置有由开关半导体部311、源电极部312、漏电极部313、栅电极部314、栅极绝缘部315、层间绝缘部316、以及保护部317构成的作为薄膜晶体管的开关元件310。在本实施方式中，开关元件310例示为在开关半导体部311中使用多晶硅的、所谓的多晶硅薄膜晶体管。但是，并不仅限于此，开关元件310也可以设置非晶硅薄膜晶体管或使用其他半导体膜的晶体管。
[0114]而且，电路部300设置有平坦化膜320以覆盖开关元件310。平坦化膜320例如设置成包含氧化硅(SiO2)。
[0115]光电转换部的结构
[0116]光电转换部200和第一实施方式相同，重叠设置有第一电极部201、光吸收部202和第二电极部203。光电转换部200中第一导电膜210与设置于电路部300的漏电极部313连接。由于其他光电转换部200的结构和第一实施方式中说明的光电转换元件I相同，因此省略其说明。
[0117]光电转换元件2的制造方法[0118]其次，对制造光电转换元件2的工序进行说明。
[0119]光电转换元件2的制造方法是在制造第一实施方式中说明的光电转换元件I的光电转换部200的工序之前，进行形成开关元件310的工序。
[0120]在本实施方式中，开关元件310的形成工序可以使用作为公知技术的多晶硅薄膜晶体管制造技术。另外，覆盖开关元件310的平坦化膜320的形成，例如，可以通过CVD法形成包含氧化硅(SiO2)等的膜。
[0121]由于其他的制造光电转换元件2的工序和第一实施方式中说明的制造光电转换元件I的工序相同，因此省略其说明。
[0122]根据上述第二实施方式，可以得到以下效果。
[0123]根据这种光电转换元件2，通过根据由光电转换部200转换的电信号使开关元件310动作，例如，在光电转换元件2被设置成阵列状的情况下(参照图1 (a))，可以容易地检测光射入光电转换元件2的部分。
[0124]实施例
[0125]其次，根据图7对应用本发明的一实施方式所涉及的光电转换元件I的电子设备的实施例进行说明。
[0126]电子设备
[0127]图7是作为具备本发明的实施方式所涉及的光电转换元件I的电子设备的酒精浓度测定制造1000的简要示图。图7所示的酒精浓度测定装置1000是将向静脉中流动的血液照射光，通过光电转换元件I接收其反射光并测定血液中酒精浓度的装置。
[0128]这种酒精浓度测定装置1000具备:向手指1200照射光并接收其反射的光的摄像装置1120、以及控制装置1140。
[0129]摄像装置1120具备发光部1121、以及作为光接收部1122的光电转换元件I。而且，还具备放置手指1200的检测面1160。
[0130]控制装置1140具备:控制发光部1121的发光控制部1141、处理由作为光接收部1122的光电转换元件输出的电信号的光接收处理部1142、以及根据由光接收处理部1142处理的信号进行酒精浓度的测定的测定部1143。
[0131]作为具备光电转换元件I的电子设备的酒精浓度测定装置1000，通过搭载有作为光接收部1122的本发明的实施方式所涉及的光电转换元件1，可以提高由血液反射的光的光接收灵敏度。
[0132]另外，本发明的实施方式所涉及的光电转换元件1，除了图7的酒精浓度测定装置1000以外，例如，可以应用于生物体认证装置、指纹成像装置、静脉图案成像装置、太阳能电
池装置等。
【权利要求】
1.一种光电转换元件的制造方法，其特征在于， 所述光电转换元件包括: 基板； 第一电极膜，具有设置在所述基板上的第一导电膜及第二导电膜； 金属化合物膜，覆盖所述第一电极膜而设置； 半导体膜，与所述金属化合物膜连接设置； 第二电极膜，与所述半导体膜连接设置；以及 绝缘膜，设置成包覆所述基板、所述第一电极膜、所述半导体膜及所述金属化合物膜， 所述光电转换元件的制造方法包括: 第一电极膜形成工序，形成与所述基板连接的所述第一导电膜及与所述第一导电膜连接的所述第二导电膜； 第一图案化工序，在所述第一电极膜形成工序之后，通过湿蚀刻将所述第二导电膜形成为规定的形状；以及 金属化合物膜形成工序，在所述第一图案化工序之后，形成覆盖所述第一电极膜的所述金属化合物膜。
2.根据权利要求1所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于， 所述光电转换元件的制造方法包括:` 半导体膜形成工序，形成与所述金属化合物膜连接的所述半导体膜； 第二图案化工序，将所述金属化合物膜及所述半导体膜形成为规定的形状； 绝缘膜形成工序，形成所述绝缘膜；以及 第二电极膜形成工序，除去所述绝缘膜的一部分，形成与所述半导体膜连接的所述第二电极膜。
3.一种光电转换元件，其特征在于， 包括: 基板；以及 光电转换部，具有设置在所述基板上的第一电极部、第二电极部及光吸收部， 其中， 所述第一电极部具有: 第一导电膜，设置成具有第一面及与所述第一面为正反关系的第二面，且所述基板和所述第一面连接；以及 第二导电膜，与所述第二面连接，并设置在所述第一导电膜的外周边缘的内侧， 所述光吸收部具有: 金属化合物膜，覆盖所述第二导电膜，与所述第二面连接设置； 半导体膜，与所述金属化合物膜连接设置；以及 绝缘膜，设置成与所述基板连接，并包围所述第一导电膜、所述金属化合物膜及所述半导体膜，所述绝缘膜的一部分开口而使得所述半导体膜露出， 所述第二电极部具有: 第二电极膜，所述第二电极膜与从所述绝缘膜露出的所述半导体膜连接并设置在所述绝缘膜上。
4.根据权利要求3所述的光电转换元件，其特征在于，所述金属化合物膜包含铜(Cu)、铟(In)、硒(Se)。
5.根据权利要求3所述的光电转换元件，其特征在于，所述绝缘膜包含氧化硅。
6.—种电子设备,其特征在于，搭载有权利要求3至5中任一项所述的光电转换元件。
【文档编号】H01L31/09GK103681957SQ201310421599
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年9月16日 优先权日:2012年9月20日
【发明者】宫田崇, 服部恭典 申请人:精工爱普生株式会社