一种背照式cmos影像传感器的制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种背照式CMOS影像传感器，包括晶圆、光电二极管、彩色滤光片、微型透镜、金属连线层，所述金属连线层位于晶圆的正面，所述彩色滤光片位于晶圆的背面，所述微型透镜位于彩色滤光片上，所述彩色滤光片设有三片，分别为红色滤光片、绿色滤光片、蓝色滤光片，在所述红色滤光片、绿色滤光片、蓝色滤光片的正下方的晶圆内部分别设有第一光电二极管、第二光电二极管、第三光电二极管，所述第一光电二极管与第二光电二极管之间和第二光电二极管与第三光电二极管之间的晶圆背面均设有沟槽，所述两条沟槽分别贯穿于所述晶圆，所述两沟槽内均填充有金属物质。本发明解决背照式CMOS传感器的串扰，以制造性能更高的产品。
【专利说明】一种背照式CMOS影像传感器
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种传感器，尤其涉及一种背照式CMOS影像传感器。
【背景技术】
[0002]不同于前照式影像传感器，背照式CMOS影像传感器由硅晶的前端构建影像传感器，其将彩色滤光片以及微镜片放置于像素的背部，使得入射光由影像传感器的背部进入影像传感器。相较于前面照明CMOS影像传感器，这种背照式CMOS影像传感器具有数种优点:较少的光损失、以及更优异的量子效率；但是其串扰问题是急需改进的方面。现有工艺采用晶圆正面浅槽隔离(STI)的方式进行隔离，以防止串扰问题，但是随着像素尺寸的减少，已逐渐难以满足需求。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是提供一种可以避免串扰问题的背照式CMOS传感器。
[0004]本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种背照式CMOS影像传感器，包括晶圆、光电二极管、彩色滤光片、微型透镜、金属连线层，所述金属连线层位于所述晶圆的正面，所述光电二极管内嵌于所述晶圆的内部，所述彩色滤光片位于所述晶圆的背面，所述微型透镜位于所述彩色滤光片上，所述彩色滤光片设有三片，分别为红色滤光片、绿色滤光片、蓝色滤光片，在所述红色滤光片、绿色滤光片、蓝色滤光片的正下方的晶圆内部分别设有一个光电二极管，分别为第一光电二极管、第二光电二极管、第三光电二极管，所述第一光电二极管位于所述红色滤光片正下方的晶圆内部，所述第二光电二极管位于所述绿色滤光片正下方的晶圆内部，所述第三光电二极管位于所述蓝色滤光片正下方的晶圆内部，所述第一光电二极管与第二光电二极管之间的晶圆背面设有沟槽，且所述第二光电二极管与第三光电二极管之间的晶圆背面也设有沟槽，所述两条沟槽分别从所述晶圆背面贯穿至所述晶圆正面，所述两沟槽内均填充有金属物质。
[0005]本发明的有益效果是:本发明一种背照式CMOS影像传感器通过在晶圆背面蚀刻出深沟槽，然后填入金属以实现隔离，来解决背照式CMOS传感器的串扰，以制造性能更高的产品。
[0006]在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
[0007]进一步，所述所述金属物质为铝或钨。
[0008]进一步，所述靠近晶圆背面的沟槽宽度大于靠近晶圆正面的沟槽宽度。【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1为本发明一种背照式CMOS影像传感器的结构示意图。
[0010]附图中，各标号所代表的部件列表如下:
[0011]1、晶圆，2.1、第一光电二极管，2.2、第二光电二极管，2.3、第三光电二极管，3、彩色滤光片，3.1、红色滤光片,3.2、绿色滤光片,3.3、蓝色滤光片,4、微型透镜,5、金属连线层，6、沟槽。【具体实施方式】
[0012]以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
[0013]如图1所示，一种背照式CMOS影像传感器，包括晶圆1、光电二极管、彩色滤光片
3、微型透镜4、金属连线层5，所述晶圆I的两面是一样，如果定义了晶圆I的一面为正面，另一面则称为背面，所述金属连线层5位于所述晶圆I的正面，所述光电二极管内嵌于所述晶圆I的内部，所述彩色滤光片3位于所述晶圆I的背面，所述微型透镜4位于彩色滤光片3上，所述彩色滤光片3设有三片,分别为红色滤光片3.1、绿色滤光片3.2、蓝色滤光片3.3，在所述红色滤光片3.1、绿色滤光片3.2、蓝色滤光片3.3的正下方的晶圆I内部分别设有一个光电二极管，分别为第一光电二极管2.1、第二光电二极管2.2、第三光电二极管2.3，所述第一光电二极管2.1位于所述红色滤光片3.1正下方的晶圆I内部，所述第二光电二极管2.2位于所述绿色滤光片3.2正下方的晶圆I内部，所述第三光电二极管2.3位于所述蓝色滤光片3.3正下方的晶圆I内部，所述第一光电二极管2.1与第二光电二极管2.2之间的晶圆I背面设有沟槽6，且所述第二光电二极管2.2与第三光电二极管2.3之间的晶圆I背面也设有沟槽6，所述两条沟槽6分别从所述晶圆I背面贯穿至所述晶圆I正面，所述两沟槽内6均填充有金属物质，所述所述金属物质可以为铝也可以为钨。所述靠近晶圆I背面的沟槽6宽度大于靠近晶圆I正面的沟槽6宽度。
[0014]在晶圆I背面设有沟槽6，且沟槽6贯穿于所述晶圆1，此沟槽6为深沟槽，在晶圆I背部刻蚀有深沟槽，然后填充金属物质，解决了背照式CMOS影像传感器的串扰，提高了产品的性能。
[0015]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种背照式CMOS影像传感器，其特征在于:包括晶圆、光电二极管、彩色滤光片、微型透镜、金属连线层，所述金属连线层位于所述晶圆的正面，所述光电二极管内嵌于所述晶圆的内部，所述彩色滤光片位于所述晶圆的背面，所述微型透镜位于所述彩色滤光片上，所述彩色滤光片设有三片，分别为红色滤光片、绿色滤光片、蓝色滤光片，在所述红色滤光片、绿色滤光片、蓝色滤光片的正下方的晶圆内部分别设有一个光电二极管，分别为第一光电二极管、第二光电二极管、第三光电二极管，所述第一光电二极管位于所述红色滤光片正下方的晶圆内部，所述第二光电二极管位于所述绿色滤光片正下方的晶圆内部，所述第三光电二极管位于所述蓝色滤光片正下方的晶圆内部，所述第一光电二极管与第二光电二极管之间的晶圆背面设有沟槽，且所述第二光电二极管与第三光电二极管之间的晶圆背面也设有沟槽，所述两条沟槽分别分别从所述晶圆背面贯穿至所述晶圆正面，所述两沟槽内均填充有金属物质。
2.根据权利要求1所述的一种背照式CMOS影像传感器，其特征在于:所述金属物质为招或鹤。
3.根据权利要求1或2所述的一种背照式CMOS影像传感器，其特征在于:所述靠近晶圆背面的沟槽宽度大于靠近晶圆正面的沟槽宽度。
【文档编号】H01L27/146GK103474444SQ201310456471
【公开日】2013年12月25日 申请日期:2013年9月29日 优先权日:2013年9月29日
【发明者】洪齐元, 黄海 申请人:武汉新芯集成电路制造有限公司