一种真空灭弧室的制作方法

文档序号:7007756阅读:242来源:国知局
一种真空灭弧室的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种真空灭弧室,包括:导向套、动盖板、瓷套、内部动导电杆、波纹管、动触头、静触头、屏蔽筒、静盖板、软包、L型结构的内部新型静导电杆;其中,该内部新型静导电杆包括第一分段、第二分段,第一分段与第二分段为一体结构,且第一分段与第二分段之间的连接部分为弧形,第一分段一部分装设在所述真空灭弧室内部,第一分段另一部分、第二分段装设在所述真空灭弧室外部,第一分段端头上装设静触头,第二分段端头用于与外部导电杆连接。本发明能使其与外部导电杆组成的绝缘极柱具有电场强度分布更加均匀、耐压水平较高、局部放电量较小等特点,可广泛应用于电力系统中。
【专利说明】一种真空灭弧室
【技术领域】
[0001]本发明涉及配电技术,特别是涉及一种真空灭弧室。
【背景技术】
[0002]真空灭弧室已经广泛应用于各类开关中,比如,断路器、负荷开关、接地开关、接触器等。图1为现有技术中真空灭弧室的组成结构示意图。如图1所示,现有技术中真空灭弧室包括导向套11、动盖板12、瓷套13、内部动导电杆14、波纹管15、动触头161、静触头162、屏蔽筒17、内部静导电杆18、静盖板19、软包110。实际应用中,内部静导电杆18位于真空灭弧室内部,且真空灭弧室通过内部静导电杆18与外部各类导电杆组成绝缘极柱。图2为现有技术中真空灭弧室与外部第一导电杆组成的绝缘极柱的组成结构示意图。图3为现有技术中真空灭弧室与外部第二导电杆组成的绝缘极柱的组成结构示意图。如图1、图2所不,真空灭弧室I中的内部静导电杆162与外部第一导电杆21或外部第二导电杆22之间通过螺钉固定在一起。目前,由真空灭弧室与外部各类导电杆组成的绝缘极柱电场强度分布不是非常均匀、耐压水平比较低、局部放电量比较大。虽然图3所示的真空灭弧室I与外部第二导电杆22组成的绝缘极柱的电场强度分布、耐压水平、局部放电量均比图2所示的真空灭弧室I与外部第一导电杆21组成的绝缘极柱的电场强度分布、耐压水平、局部放电量较好;但是,真空灭弧室与外部各类导电杆组成的绝缘极柱的电场强度、耐压水平、局部放电量尚需提高。
[0003]由此可见,在现有技术中,真空灭弧室与外部导电杆组成的绝缘极柱存在电场强度分布不是非常均匀、耐压水平较低、局部放电量较大等问题。

【发明内容】

[0004]有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种能使其与外部导电杆组成的绝缘极柱电场强度分布更加均匀、耐压水平较高、局部放电量较小的真空灭弧室。
[0005]为了达到上述目的,本发明提出的一种技术方案为:
[0006]一种真空灭弧室,包括:导向套、动盖板、瓷套、内部动导电杆、波纹管、动触头、静触头、屏蔽筒、静盖板、软包、L型结构的内部新型静导电杆;其中,该内部新型静导电杆包括第一分段、第二分段,第一分段与第二分段为一体结构,且第一分段与第二分段之间的连接部分为弧形,第一分段一部分装设在所述真空灭弧室内部,第一分段另一部分、第二分段装设在所述真空灭弧室外部,第一分段端头上装设静触头,第二分段端头用于与外部导电杆连接。
[0007]综上所述,本发明所述真空灭弧室与外部导电杆组成的绝缘极柱是一个复杂的不均匀电场。由电场强度分布原理可知,导体距离高压源越近,导体内部产生的电场强度越大。新型导电杆相当于一个高压源,其离真空灭弧室越近,真空灭弧室内部的断口间形成的电场强度就受新型导电杆的影响越大:电场强度不稳定且耐压水平降低。本发明中,所述真空灭弧室中的内部新型静导电杆采用L型一体结构,且内部新型静导电杆第一分段一部分装设在所述真空灭弧室内部,内部新型静导电杆第一分段另一部分、内部新型静导电杆第二分段装设于所述真空灭弧室外部,内部新型静导电杆第二分段端头用于连接外部导电杆。由此可见,本发明所述真空灭弧室采用所述内部新型静导电杆连接外部导电杆后,加大了真空灭弧室与外部导电杆之间的距离,使得本发明所述真空灭弧室与外部导电杆组成的绝缘极柱的电场强度分布更加均匀、耐压水平较高、绝缘水平也有较大提高。此外,本发明还可以使绝缘极柱的电场强度有较大增强。
【专利附图】

【附图说明】
[0008]图1为现有技术中真空灭弧室的组成结构示意图。
[0009]图2为现有技术中真空灭弧室与外部第一导电杆组成的绝缘极柱的组成结构示意图。
[0010]图3为现有技术中真空灭弧室与外部第二导电杆组成的绝缘极柱的组成结构示意图。
[0011]图4为本发明所述真空灭弧室的组成结构示意图。
【具体实施方式】
[0012]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例对本发明作进一步地详细描述。
[0013]图4为本发明所述真空灭弧室的组成结构示意图。如图4所示,本发明所述真空灭弧室包括:导向套、动盖板、瓷套、内部动导电杆、波纹管、动触头、静触头、屏蔽筒、静盖板、软包、L型结构的内部新型静导电杆3 ;其中,内部新型静导电杆3包括第一分段31、第二分段32,第一分段31与第二分段32为一体结构,且第一分段31与第二分段32之间的连接部分为弧形,第一分段31 —部分装设在所述真空灭弧室内部,第一分段31另一部分、第二分段32装设在所述真空灭弧室外部,第一分段31端头上装设静触头,第二分段32端头用于与外部导电杆连接。这里,导向套、动盖板、瓷套、内部动导电杆、波纹管、动触头、静触头、屏蔽筒、静盖板、软包均为现有技术,此处不再赘述。
[0014]总之,本发明所述真空灭弧室与外部导电杆组成的绝缘极柱是一个复杂的不均匀电场。由电场强度分布原理可知,导体距离高压源越近,导体内部产生的电场强度越大。新型导电杆相当于一个高压源,其离真空灭弧室越近,真空灭弧室内部的断口间形成的电场强度就受新型导电杆的影响越大:电场强度不稳定且耐压水平降低。本发明中,所述真空灭弧室中的内部新型静导电杆采用L型一体结构,且内部新型静导电杆第一分段一部分装设在所述真空灭弧室内部,内部新型静导电杆第一分段另一部分、内部新型静导电杆第二分段装设于所述真空灭弧室外部,内部新型静导电杆第二分段端头用于连接外部导电杆。由此可见,本发明所述真空灭弧室采用所述内部新型静导电杆连接外部导电杆后,加大了真空灭弧室与外部导电杆之间的距离,使得本发明所述真空灭弧室与外部导电杆组成的绝缘极柱的电场强度分布更加均匀、耐压水平较高、绝缘水平也有较大提高。此外,本发明还可以使绝缘极柱的电场强度有较大增强。
[0015]综上所述,以上仅为本发明的较佳实施例而已,并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种真空灭弧室,包括:导向套、动盖板、瓷套、内部动导电杆、波纹管、动触头、静触头、屏蔽筒、静盖板、软包;其特征在于,所述真空灭弧室还包括:L型结构的内部新型静导电杆,该内部新型静导电杆包括第一分段、第二分段,第一分段与第二分段为一体结构,且第一分段与第二分段之间的连接部分为弧形,第一分段一部分装设在所述真空灭弧室内部,第一分段另一部分、第二分段装设在所述真空灭弧室外部,第一分段端头上装设静触头,第二分段端头用于与外部导电杆连接。
【文档编号】H01H33/664GK103500681SQ201310460702
【公开日】2014年1月8日 申请日期:2013年9月30日 优先权日:2013年9月30日
【发明者】钱璿 申请人:北京维益埃电气股份有限公司
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