一种自测温半导体制冷片的制作方法

文档序号:7009227阅读:621来源:国知局
一种自测温半导体制冷片的制作方法
【专利摘要】本发明公开一种自测温半导体制冷片,包括冷端基片(1)、热端基片(2)以及被夹持在两个基片之间构成PN结(7)的一组P型半导体粒子(5)与N型半导体粒子(6),冷端基片(1)上还设有正极引线(3)与负极引线(4),其特征在于,所述冷端基片(1)上还集成有测温电路;所述P型半导体粒子(5)、N型半导体粒子(6)、冷端基片(1)与热端基片(2)通过高温导电胶(8)粘结成一体;高温导电胶(8)将P型半导体粒子(5)、N型半导体粒子(6)冷端基片(1)与热端基片(2)粘结成一体,极大地提高了半导体制冷片的耐温温度,通过测温电路来检测半导体制冷片的工作环境温度,达到实时监测的目的。
【专利说明】一种自测温半导体制冷片
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制冷领域,具体是一种自测温半导体制冷片。
【背景技术】
[0002]公知的,随着半导体技术的发展,集成电路芯片的引脚数急剧增加,集成电路芯片的功耗与发热量也相应的增加,对集成电路芯片的散热降温就变得尤为重要,对芯片封装的耐高温要求也更加严格;目前一般采用半导体制冷片对集成电路芯片进行降温,为了满足发展的需要,需要有耐高温的制冷片来适应封装。但是受限于常规的封装方式现有的半导体制冷片的耐温温度较低,不能适应对集成电路芯片封装的要求,而且也不能够得知其工作环境的真实温度。

【发明内容】

[0003]本发明的目的在于提供一种自测温半导体制冷片,该半导体制冷片能够提高自身的耐温温度,利于对集成电路芯片进行封装,并且能够对其工作环境的温度实时监测。
[0004]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种自测温半导体制冷片,包括冷端基片、热端基片以及被夹持在两个基片之间构成PN结的一组P型半导体粒子与N型半导体粒子,冷端基片上还设有正极引线与负极引线,所述冷端基片上还集成有测温电路;所述P型半导体粒子、N型半导体粒子、冷端基片与热端基片通过高温导电胶粘结成一体。
[0005]进一步地,所述高温导电胶采用JM7000。
[0006]进一步地,所述冷端基片与热端基片采用硅片或陶瓷片。
[0007]上述方案中,高温导电胶作为粘结剂被广泛应用于陶瓷、金属制品当中,具有耐高温、附着力好等优点;测温电路是半导体领域常用的温度传感器,通常利用热敏电阻对温度敏感,不同的温度下表现出不同电阻值的特性来构成。
[0008]本发明的有益效果是,使用高温导电胶将P型半导体粒子、N型半导体粒子冷端基片与热端基片粘结成一体,极大地提高了半导体制冷片的耐温温度,通过测温电路来检测半导体制冷片的工作环境温度,达到实时监测的目的。
【专利附图】

【附图说明】
[0009]下面结合附图和实施例对本发明进一步说明:
图1是本发明的结构示意图;
图2是本发明纵剖面示意图;
1.冷端基片;2.热端基片;3.正极引线;4.负极引线;5.P型半导体粒子;6.N型半导体粒子;7.PN结;8.高温导电胶。
【具体实施方式】[0010]结合图1及图2所示,冷端基片I与热端基片2之间夹持有构成PN结7的一组P型半导体粒子5与N型半导体粒子6,冷端基片I上还设有正极引线3与负极引线4,所述冷端基片上I还集成有测温电路;所述P型半导体粒子5、N型半导体粒子6、冷端基片I与热端基片2通过高温导电胶8粘结成一体;本实施例中冷端基片I与热端基片2采用硅片或陶瓷片,高温导电胶8采用JM7000。
[0011]使用时,将冷端基片I和需要降温的集成电路芯片贴合安装,通过正极引线3与负极引线4施加直流电,半导体制冷片即开始制冷工作,通过集成在冷端基片I上的测温电路对半导体制冷片工作环境的温度进行实时监测;本发明结构简单,采用了高温导电胶8将P型半导体粒子5、N型半导体粒子6、冷端基片I与热端基片2粘结成一体,极大地提高了半导体制冷片的耐温温度,利于对集成电路芯片进行封装;通过测温电路来检测半导体制冷片的工作环境温度,达到实时监测的目的。
【权利要求】
1.一种自测温半导体制冷片,包括冷端基片(I)、热端基片(2)以及被夹持在两个基片之间构成PN结(7)的一组P型半导体粒子(5)与N型半导体粒子(6),冷端基片(I)上还设有正极引线(3)与负极引线(4),其特征在于,所述冷端基片(I)上还集成有测温电路;所述P型半导体粒子(5)、N型半导体粒子(6)、冷端基片(I)与热端基片(2)通过高温导电胶(8)粘结成一体。
2.根据权利要求1所述的一种自测温半导体制冷片,其特征在于,所述高温导电胶(8)采用 JM7000。
3.根据权利要求1所述的一种自测温半导体制冷片,其特征在于,所述冷端基片⑴与热端基片(2)采用硅片或陶瓷片。
【文档编号】H01L35/32GK103531703SQ201310505668
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年10月24日 优先权日:2013年10月24日
【发明者】谢斌, 陈计学, 向圆, 吴慧, 李丙旺, 王涛, 张乐银, 李彪 申请人:华东光电集成器件研究所
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