一种具有空穴注入层的有机发光二极管的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种有机发光二极管，其包括衬底、阳极、空穴注入层、有机发光层和阴极，其中，空穴注入层的材料为具有通式（VIII）的苯并二氢吡喃聚合物，有机发光层的材料是具有通式(I)结构的苯并噻吩类聚合物，。本发明的发光二极管采用的有机发光层作为高效的发光聚合物，同时采用与其配合优异的聚合物作为空穴注入层，使发光二极管的发光性能得到显著提高。
【专利说明】一种具有空穴注入层的有机发光二极管
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种光电器件，尤其涉及一种发光二极管。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管具有材料成本低廉，驱动电压低，主动发光，视角宽，能耗低等特点，更有易于大面积成型，发光波长可通过分子结构设计而进行调节等优势，可以广泛应用于高分辨全色平面显示器，也可以应用于聚合物太阳能电池。
[0003]当在有机发光二极管两端加上正向偏压，空穴由正极注入到有机发光层的价带并向负极迁移，电子由负极注入到有机发光层的导带并向正极迁移。空穴和电子在迁移过程中互相俘获，复合成激子，激子态的电子发生辐射跃迁，能量以光子形式释放出去，实现电致发光。但是，现有技术中发光二极管仍存在一些缺陷，例如空穴注入层的材料效能不足，柔性发光二极管的制备工艺复杂，成本高，制备的发光二极管的发光性能不能满足需要，因此希望研发一种发光效率更高、性能更好的有机发光二极管。
【发明内容】
[0004]本发明的有机发光二极管包括衬底、阳极、空穴注入层、有机发光层和阴极，其中，
[0005]空穴注入层的材料为具有通式(VIII)的苯并二氢吡喃聚合物，
【权利要求】
1.一种具有空穴注入层的有机发光二极管，包括衬底、阳极、空穴注入层、有机发光层和阴极，其特征在于， 所述空穴注入层的材料为具有通式(VIII)的苯并二氢吡喃聚合物，
2.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述Z为C13~C19烷基或-CH2CH2-S- (C8 ~C2tl 烷基)。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述R1选自C6-C14芳基，C3-C12杂环，C3-C18杂芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7环烷基； R2选自C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C3-C12杂环，C3-C18杂芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7环烷基； R6选自C6-C14芳基，C5-C14杂芳基，C6-C14芳基烷基，C5-C14杂芳基烷基，C3-C12杂环，C3-C7环烷基或C3-C7环烯基； R1^R6可被一种或一种以上的以下基团所任选取代:卤素，硝基，-NRaRb, -SO2Rc, -SO2NRdRe，-CONRfRg, -NRhCORij-NRjSO2Rk,叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR1 ；R2非氢时可被一种或一种以上的以下基团所任选取代:卤素或-ORm ；
上述中，Ra，Rb，Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Ri, Rj, Rk, R1 独立地选自氢或 C1-C6 烷基或 C6-C14芳基；Rm独立地选自氢或C1-C6烷基。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述R1选自C6-C14芳基，C3-C12杂环，C3-C18杂芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7环烷基； R2选自C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C3-C12杂环，C3-C18杂芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7环烷基； R6选自C6-C14芳基，C5-C14杂芳基，C6-C14芳基烷基，C5-C14杂芳基烷基，C3-C12杂环，C3-C7环烷基或C3-C7环烯基； R1^R6可被一种或一种以上的以下基团所任选取代:卤素，硝基，-NRaRb, -SO2Rc, -SO2NRdRe，-CONRfRg, -NRhCORij-NRjSO2Rk,叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR1 ；R2非氢时可被一种或一种以上的以下基团所任选取代:卤素或-ORm ； A为羟基；
上述中，Ra，Rb，Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Ri, Rj, Rk, R1 独立地选自氢或 C1-C6 烷基或 C6-C14芳基；Rm独立地选自氢或C1-C6烷基。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述衬底可以为硬衬底或柔性衬底，其中硬衬底优选玻璃、陶瓷、金属等；柔性衬底优选聚对苯二甲酸乙二酯、有机玻璃坐寸ο
6.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述阳极优选为氧化铟锡。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述阴极优选为Ag导电胶，也可以是Ag薄膜或Ba/Al薄膜。
【文档编号】H01L51/50GK103811666SQ201310545931
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2013年11月6日 优先权日:2013年11月6日
【发明者】张翠 申请人:溧阳市江大技术转移中心有限公司