一种磁环生产工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种磁环生产工艺，依次包括以下步骤：a)先将磁环的原料按组分配比好，做成磁环生坯；b)然后将磁环生坯进行一次假烧，假烧的温度范围为750-900℃；c)接着将经过假烧的磁环生坯装入磨削夹具中，放在磨床上进行抛光；d)最后把磁环生坯进行最终烧结，相较于传统生产工艺，本发明实现了磁环毛刺的去除，并可避开高峰用电，一定程度上降低了生产成本，提高磁环电性能合格率并缩短最终烧结时间，且将原有的生产流程进行优化改进，不仅工艺简单，而且易于操作。
【专利说明】一种磁环生产工艺【技术领域】
[0001]本发明涉及磁环加工领域，尤其是一种磁环生产工艺。
【背景技术】
[0002]目前在磁环生产中，为了提高产品性能与产量，通常采用环形磁芯，再经过烧结而成，在成型过程中，磁环容易产生毛刺，传统的工艺是将产品烧结后进行抛光处理，因磁环烧结完成后，毛刺密度大，需进行长时间强烈振动方能将其去除，这样产品性能降幅大、电性能合格率低。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题就是提供一种磁环生产工艺，该生产工艺生产出来的磁环电性能合格率较高。
[0004]为实现上述目的，本发明采用如下技术方案:一种磁环生产工艺，其特征在于:依次包括以下步骤:
[0005]a)先将磁环的原料按组分配比好，做成磁环生坯；
[0006]b)然后将磁环生坯进行一次假烧，假烧的温度范围为750_900°C ；
[0007]c)接着将经过假烧的磁环生坯装入磨削夹具中，放在磨床上进行抛光；
[0008]d)最后把磁环生还进行最终烧结。
[0009]作为优选，所述b)步骤中假烧的温度为850°C。
[0010]作为优选，所述b)步骤中假烧的温度为750°C。
[0011]本发明磁环生产工艺在传统生产工艺中的抛光工序之前先对磁环生坯进行一次假烧工序，相较于传统生产工艺，本发明实现了磁环毛刺的去除，并可避开高峰用电，一定程度上降低了生产成本，提高磁环电性能合格率并缩短最终烧结时间，且将原有的生产流程进行优化改进，不仅工艺简单，而且易于操作。
【具体实施方式】
[0012]本发明磁环生产工艺实施例1，依次包括以下步骤:
[0013]a)先将磁环的原料按组分配比好，做成磁环生坯；
[0014]b)然后将磁环生坯进行一次假烧，假烧的温度范围为750_900°C ；
[0015]c)接着将经过假烧的磁环生坯装入磨削夹具中，放在磨床上进行抛光；
[0016]d)最后把磁环生还进行最终烧结。
[0017]所谓假烧，即将磁环放到表面热处理设备中进行高温处理，例如回转窑中，一般温度不超过1000°c。所述b)步骤中假烧的温度为850°C，可分解磁环中有机物成分并提高磁环密度，提高磁环密度并排胶，因为磁环生坯密度较小，不利于抛光处理，此时若进行抛光处理，磁环容易损伤，导致外观不良，合格率较低，所以在抛光工序前先进行一次假烧，所述
b)步骤中假烧的温度也可为750°C、800°C、87(rC，假烧都能取得较好的效果。[0018]本发明在传统生产工艺中的抛光工序之前先对磁环生坯进行一次假烧工序，其他工序相同，相较于传统生产工艺，本发明实现了磁环毛刺的去除，并可避开高峰用电，一定程度上降低了生产成本，提高磁环电性能合格率并缩短最终烧结时间，且将原有的生产流程进行优化改进，不仅工艺简单，而且易于操作。
[0019]上述实施例是对本发明的说明，不是对本发明的限定，任何对本发明简单变换后的方案均属于本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种磁环生产工艺，其特征在于:依次包括以下步骤: a)先将磁环的原料按组分配比好，做成磁环生坯； b)然后将磁环生坯进行一次假烧，假烧的温度范围为750-900°C； c)接着将经过假烧的磁环生坯装入磨削夹具中，放在磨床上进行抛光； d)最后把磁环生坯进行最终烧结。
2.根据权利要求1所述的磁环生产工艺，其特征在于:所述b)步骤中假烧的温度为850。。。
3.根据权利要求1所述的磁环生产工艺，其特征在于:所述b)步骤中假烧的温度为750。。。
【文档编号】H01F41/02GK103646771SQ201310548329
【公开日】2014年3月19日 申请日期:2013年11月7日 优先权日:2013年11月7日
【发明者】柏玉新 申请人:长兴柏成电子有限公司