一种晶片上的基准芯片结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种芯片结构，尤其是一种晶片上的芯片结构。一种晶片上的基准芯片结构，包括衬底、设置于衬底上的布线层、设置于布线层上的钝化膜，在布线层与钝化膜间设置有抗反射膜；在所述钝化膜上设置有开口部分，所述开口部分贯穿钝化膜与抗反射膜衔接；所述开口部分为两个。本实用新型具有如下优点：识别度高。
【专利说明】 —种晶片上的基准芯片结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种芯片结构，尤其是一种晶片上的芯片结构。
【背景技术】
[0002]在半导体器件制造过程中，通常会对保持在晶片状态下的半导体器件做多次检查，即使多次检查，也会把含有缺陷的误当做没有缺陷的芯片登记，传送到后续的装配步骤。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的是提供一种识别度高的基准芯片结构。
[0004]为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案:一种晶片上的基准芯片结构，包括衬底、设置于衬底上的布线层、设置于布线层上的钝化膜，在布线层与钝化膜间设置有抗反射膜；在所述钝化膜上设置有开口部分，所述开口部分贯穿钝化膜与抗反射膜衔接；所述开口部分为两个。
[0005]此芯片结构由于在基准芯片中形成了两个狭缝状的开口结构，即使使用传统的图像识别处理器，也能很容易的区分处理。
[0006]本实用新型具有如下优点:识别度高。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1是本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0008]下面结合附图对本实用新型做进一步的详述:一种晶片上的基准芯片结构，包括衬底1、设置于衬底I上的布线层2、设置于布线层上的钝化膜3，在布线层与钝化膜间设置有抗反射膜4 ;在所述钝化膜3上设置有开口部分5，所述开口部分5贯穿钝化膜3与抗反射膜4衔接；所述开口部分5为两个；所述钝化膜3由绝缘膜的单层或多层制得。
【权利要求】
1.一种晶片上的基准芯片结构，包括衬底(I)、设置于衬底(I)上的布线层(2)、设置于布线层上的钝化膜(3)，其特征在于:在布线层与钝化膜间设置有抗反射膜(4);在所述钝化膜(3)上设置有开口部分(5)，所述开口部分(5)贯穿钝化膜(3)与抗反射膜(4)衔接。
2.根据权利要求1所述的晶片上的基准芯片结构，其特征在于:所述钝化膜(3)由绝缘膜的单层或多层制得。
3.根据权利要求1所述的晶片上的基准芯片结构，其特征在于:所述开口部分(5)为两个。
【文档编号】H01L23/544GK203481224SQ201320554603
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2013年9月9日 优先权日:2013年9月9日
【发明者】洪元本, 彭成炫 申请人:江西省一元数码科技有限公司