集成式单向超低电容tvs器件的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种集成式单向超低电容TVS器件，包括：第一导电类型衬底；位于其上的第一导电类型外延层；位于第一导电类型外延层中的第二导电类型埋层；位于第一导电类型外延层上的第二导电类型外延层，构成二极管D2；沟槽贯穿所述第二导电类型外延层的沟槽，形成了第一区域、第二区域及第三区域；位于第一区域中的第一导电类型隔离，其与第一导电类型衬底相连；位于第一区域中的第二导电类型注入区，其与所述第一导电类型隔离相连，构成二极管Z1；位于第二区域中的第一导电类型注入区，构成二极管D1；及连接所述二极管Z1及二极管D1的第一金属线，连接所述二极管D1及二极管D2的第二金属线。从而避免封装缺陷，提高器件质量。
【专利说明】集成式单向超低电容TVS器件
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体制造【技术领域】，特别涉及一种集成式单向超低电容TVS器件。
【背景技术】
[0002]目前市场上单向超低电容TVS器件通常是将一个低电容二极管与一个传统稳压型TVS 二极管串联，再与另外一个低电容二极管并联组合形成(见图1)，从电源Vcc对地GND的1-V曲线来看，正、反向特性仍然相当于一个普通二极管，但系统线路的电容却远远低于相同电压的单个普通TVS 二极管的电容。
[0003]组合而成的单向超低电容TVS器件，其电源Vcc对地GND的电容值Ct可以表示为:
[0004]
【权利要求】
1.一种集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，包括: 第一导电类型衬底； 形成于所述第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层； 形成于所述第一导电类型外延层中的第二导电类型埋层； 形成于所述第一导电类型外延层上的第二导电类型外延层，所述第一导电类型外延层与第二导电类型外延层构成二极管D2 ； 沟槽，所述沟槽贯穿所述第二导电类型外延层，并在所述第二导电类型外延层中形成了第一区域、第二区域及第三区域； 形成于所述第一区域中的第一导电类型隔离，所述第一导电类型隔离与所述第一导电类型衬底相连； 形成于所述第一区域中的第二导电类型注入区，所述第二导电类型注入区与所述第一导电类型隔离相连，所述第二导电类型注入区与所述第一导电类型隔离构成二极管Zl ； 形成于所述第二区域中的第一导电类型注入区，所述第一导电类型注入区与第二导电类型外延层构成二极管Dl ;及 连接所述二极管Zl及二极管Dl的第一金属线，连接所述二极管Dl及二极管D2的第二金属线。
2.如权利要求1所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，所述沟槽的深度为10μ m~20 μ m、截面宽度为L 5 μ m~3.0 μ m。`
3.如权利要求2所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，所述沟槽中填充有多晶硅，形成了隔离结构。
4.如权利要求1所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，所述第二区域及第三区域中均形成有第二导电类型注入区，所述第二区域及第三区域中形成的第二导电类型注入区均作为欧姆接触层。
5.如权利要求4所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，在所述第二区域中形成的第二导电类型注入区为梳齿型结构。
6.如权利要求5所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，在所述第二区域中形成的第一导电类型注入区为梳齿型结构。
7.如权利要求6所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，在所述第二区域中形成的梳齿型结构的第二导电类型注入区的梳齿与在所述第二区域中形成的梳齿型结构的第一导电类型注入区的梳齿相互交错。
8.如权利要求1所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型、所述第二导电类型为N型；或者所述第一导电类型为N型、所述第二导电类型为P型。
9.如权利要求1~8中任一项所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，所述第一导电类型衬底的电阻率为0.005 Ω.cm~0.2 Ω.cm。
10.如权利要求1~8中任一项所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，所述第一导电类型外延层的电阻率为2.0 Ω.cm~4.0 Ω.cm，所述第一导电类型外延层的厚度为 6.0 μ m ~14.0 μ m。
11.如权利要求1~8中任一项所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，所述第二导电类型外延层的电阻率为25 Ω.cm~35 Ω.cm,所述第二导电类型外延层的厚度为 6.0 μ m ~12.0 μ m。
12.如权利要求1~8中任一项所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，所述二极管Zl的击穿电压为3.3V~7.0V。
13.如权利要求1~8中任一项所述的集成式单向超低电容TVS器件，其特征在于，所述第一导电类型衬底为 地端，所述第二金属线与电源端连接。
【文档编号】H01L27/08GK203445118SQ201320574502
【公开日】2014年2月19日 申请日期:2013年9月16日 优先权日:2013年9月16日
【发明者】张常军, 王平 申请人:杭州士兰集成电路有限公司