一种硅片隐裂检测装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种硅片隐裂检测装置，包括一密闭箱体，加热器、热电偶、温控智能仪表、进气管和出气管；所述密闭箱体内容置液态水；所述加热器对所述液态水加热；所述热电偶测量所述液态水的温度；所述温控智能仪表控制所述加热器的通断电；空气经所述进气管输入所述密闭箱体内，且所述空气与所述水蒸气构成混合气；所述混合气经所述出气管输出所述密闭箱体，并喷射于待测硅片上。所述硅片隐裂检测装置，成本低，操作简单，持续性长，可投入在生产中广泛应用。
【专利说明】—种硅片隐裂检测装置
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种硅片隐裂检测装置。
【背景技术】
[0002]在光伏领域，硅片隐裂是指在硅片的表面存在未穿透且不可见的裂纹。该隐裂随着长时间放置或隐裂硅片重复性接触，裂纹会逐渐延伸或穿透，导致硅片碎裂。
[0003]现有技术中，大多利用分选设备对硅片进行红外光透射，来捕捉硅片的隐裂缺陷。但多数分选设备易误判，造成良品的硅片误判为隐裂硅片，隐裂的硅片误判为良品。给公司及客户带来很大的损失。
实用新型内容
[0004]本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种硅片隐裂检测装置，可有效检测出硅片的隐裂，提高检测的准确率。
[0005]为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种硅片隐裂检测装置，包括一密闭箱体，加热器、热电偶、温控智能仪表、进气管和出气管；所述密闭箱体内容置液态水；所述加热器对所述液态水加热；所述热电偶测量所述液态水的温度；所述温控智能仪表控制所述加热器的通断电；空气经所述进气管输入所述密闭箱体内，且所述空气与所述水蒸气构成混合气；所述混合气经所述出气管输出所述密闭箱体，并喷射于待测硅片上。
[0006]其中，所述密闭箱体为防生锈材质。
[0007]其中，所述密闭箱体的材质为不锈钢、铝、铜、铝合金或聚四氟乙烯中的一种，所述加热器的材质为铁铬铝电热丝和镍铬电热丝中的一种。
[0008]其中，所述液态水的温度范围介于24°C?100°C之间。
[0009]其中，所述热电偶测得所述液态水为第一温度时，所述温控智能仪表控制所述加热器通电，所述加热器对所述液态水加热；所述热电偶测得所述液态水温度为第二温度时，所述温控智能仪表控制所述加热器断电，所述加热器停止对所述液态水加热，所述第一温度低于所述第二温度。
[0010]其中，所述第一温度小于30°C，所述第二温度为30?50°C。
[0011]其中，所述硅片隐裂检测装置还包括一水位传感器，所述密闭箱体内的液态水低于深度设定值时，所述温控智能仪表控制所述加热器断电，所述加热器停止对所述液态水加热。
[0012]其中，所述进气管外接至空气过滤器的第一端，所述空气过滤器的第二端连接至一空气压缩机，所述空气在所述进气管处的压强为0.05?IMPa。
[0013]其中，所述出气管呈“L”型，所述出气管的第一端部与所述密闭箱体连接，且所述出气管的第一端部相对水平面向上呈15°?45°倾斜，所述混合气输出所述出气管的第二端部，并喷射到所述待测硅片表面，所述出气管的第二端部的压强小于0.1MPa0
[0014]其中，所述出气管的第二端部的端部设滤网，所述混合气经所述滤网后喷射于所述待测硅片表面。
[0015]本实用新型采用所述空气与所述水蒸气混合，并在一定压强下喷在所述待测硅片表面。所述混合气会覆盖在所述待测硅片表面并迅速干燥，而所述待测硅片的隐裂同时显示然后消失。此时，检测人员可通过肉眼直观判断是否存在隐裂，而且准确率较高。本实用新型实施例提供的所述硅片隐裂检测装置，成本低，操作简单，持续性长，可投入在生产中广泛应用。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本实用新型实施例提供的硅片隐裂检测装置的结构示意图。
【具体实施方式】
[0018]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0019]下面参考附图对本实用新型的实施例进行描述。参见图1，为本实用新型中实施例的硅片隐裂检测装置100的结构示意图。所述硅片隐裂检测装置100包括一密闭箱体10，加热器20、热电偶30、温控智能仪表(图中未示出)、进气管50、出气管60和电控箱40。
[0020]所述密闭箱体10内容置液态水。所述加热器20对所述液态水加热，所述液态水在常温下也会蒸发成为水蒸气。在加热条件下，所述液态水蒸发为水蒸气的速率增加。为了提高所述密闭箱体10的耐热性和防生锈性，所述密闭箱体10为防生锈材质，具体的为不锈钢、铝、铜、铝合金或聚四氟乙烯中的一种。另外，所述加热器20的材质为铁铬铝电热丝和镍铬电热丝中的一种。且所述液态水的温度为24°C?100°C。
[0021]所述热电偶30测量所述液态水的温度。所述温控智能仪表控制所述加热器20的通断电状态。具体的，所述热电偶30测得所述液态水为第一温度时，所述温控智能仪表控制所述加热器20通电，所述加热器20对所述液态水加热。所述热电偶30测得所述液态水的温度为第二温度时，所述温控智能仪表控制所述加热器20断电，所述加热器20停止对所述液态水加热，所述第一温度低于所述第二温度。本实施方式中，所述第一温度小于30°C，所述第二温度为30?50°C。例如，所述热电偶30测得所述加热器20的温度为45°C，高于所述温控智能仪表内设置的断电温度时，所述温控智能仪表控制所述加热器20断电。
[0022]所述硅片隐裂检测装置100还包括一水位传感器(图中未示出)，用于对所述加热器20进行保护，防止所述液态水的水位较低时，所述加热器20干烧而毁坏。具体的，当所述密闭箱体10内的液态水低于深度设定值时，所述温控智能仪表控制所述加热器20断电，所述加热器20停止对所述液态水加热，降低液体水蒸发速度。所述水位传感器的控制装置、所述热电偶的控制装置和所述温控智能仪表均装设于所述电控箱40内。[0023]所述进气管50外接至空气过滤器(图中未示出)的第一端，所述空气过滤器的第二端连接至一空气压缩机(图中未示出)。空气经所述进气管50输入所述密闭箱体10内，且所述空气与所述水蒸气构成混合气。所述空气用于调节所述混合气的湿度，且利于所述混合气经所述出气管60喷出。所述空气过滤器用于过滤空气的水分。所述空气在所述进气管50处的压强为0.05?IMPa。
[0024]所述出气管60呈“L”型，所述出气管60的第一端部与所述密闭箱体10连接。且所述出气管60的第一端部相对水平面向上呈15°?45°倾斜，以利于冷凝后的所述混合气回流到所述密闭箱体10中。
[0025]所述出气管60的第二端部的端部设滤网(图中未示出)，所述混合气经所述滤网后喷射于所述待测硅片表面。所述出气管60的第二端部的压强小于0.1MPa,以利于所述混合气以适当的速率晾干，提高检测效率。
[0026]本实用新型实施例采用所述空气与所述水蒸气混合，并在一定压强下喷在所述待测硅片表面。所述混合气会覆盖在所述待测硅片表面并迅速干燥，而所述待测硅片的隐裂同时显示然后消失。此时，检测人员可通过肉眼直观判断是否存在隐裂，而且准确率较高。
[0027]综上，本实用新型实施例提供的所述硅片隐裂检测装置100，成本低，操作简单，持续性长，可投入在生产中广泛应用。
[0028]以上所述的实施方式，并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在该技术方案的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种硅片隐裂检测装置，其特征在于，包括一密闭箱体，加热器、热电偶、温控智能仪表、进气管和出气管；所述密闭箱体内容置液态水；所述加热器对所述液态水加热；所述热电偶测量所述液态水的温度；所述温控智能仪表控制所述加热器的通断电；空气经所述进气管输入所述密闭箱体内，且所述空气与所述水蒸气构成混合气；所述混合气经所述出气管输出所述密闭箱体，并喷射于待测硅片上。
2.如权利要求1所述的硅片隐裂检测装置，其特征在于，所述密闭箱体为防生锈材质。
3.如权利要求2所述的硅片隐裂检测装置，其特征在于，所述密闭箱体的材质为不锈钢、铝、铜、铝合金或聚四氟乙烯中的一种，所述加热器的材质为铁铬铝电热丝和镍铬电热丝中的一种。
4.如权利要求1所述的硅片隐裂检测装置，其特征在于，所述液态水的温度范围介于24°C ?100°C 之间。
5.如权利要求1所述的硅片隐裂检测装置，其特征在于，所述热电偶测得所述液态水为第一温度时，所述温控智能仪表控制所述加热器通电，所述加热器对所述液态水加热；所述热电偶测得所述液态水温度为第二温度时，所述温控智能仪表控制所述加热器断电，所述加热器停止对所述液态水加热，所述第一温度低于所述第二温度。
6.如权利要求5所述的硅片隐裂检测装置，其特征在于，所述第一温度小于30°C，所述第二温度为30?50°C。
7.如权利要求1所述的硅片隐裂检测装置，其特征在于，所述硅片隐裂检测装置还包括一水位传感器，所述密闭箱体内的液态水低于深度设定值时，所述温控智能仪表控制所述加热器断电，所述加热器停止对所述液态水加热。
8.如权利要求1所述的硅片隐裂检测装置，其特征在于，所述进气管外接至空气过滤器的第一端，所述空气过滤器的第二端连接至一空气压缩机，所述空气在所述进气管处的压强为0.05?IMPa0
9.如权利要求1所述的硅片隐裂检测装置，其特征在于，所述出气管呈“L”型，所述出气管的第一端部与所述密闭箱体连接，且所述出气管的第一端部相对水平面向上呈15°?45°倾斜，所述混合气输出所述出气管的第二端部，并喷射到所述待测硅片表面，所述出气管的第二端部的压强小于0.1MPa0
10.如权利要求9所述的硅片隐裂检测装置，其特征在于，所述出气管的第二端部的端部设滤网，所述混合气经所述滤网后喷射于所述待测硅片表面。
【文档编号】H01L21/66GK203573960SQ201320723723
【公开日】2014年4月30日 申请日期:2013年11月15日 优先权日:2013年11月15日
【发明者】张细根, 毛伟, 张涛, 李松林, 刘俊, 陈旭光, 于大亮, 宋绍林 申请人:江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司