有机发光二极管的制作方法
【专利摘要】本发明涉及有机发光二极管及其制造方法。本发明的有机发光二极管包括含有由式1代表的化合物的激子阻挡层以将激子限制在发光层，从而防止光泄漏，并且因此具有使有机电致发光二极管实现优异发光效率的作用。此外，即使没有单独的电子注入层，通过包含含有由式2或3所代表的化合物的电子传输层，电子注入和光传输特性是优异的，因此可使有机发光二极管相较于相关现有技术而言具有简单和经济的制造方法、低的电压、高的效率和长的寿命。
【专利说明】有机发光二极管
【技术领域】
[0001]本申请要求2012年2月27日在KIPO提交的第10-2012-0019959号韩国专利申请的优先权，该申请公开内容通过引用的方式全文纳入本文中。
[0002]本发明涉及有机发光二极管。更具体地，本发明涉及具有优异特性的有机发光二极管，所述优异特性包括低电压、高效率、长寿命和简单的制造方法。
【背景技术】
[0003]有机发光现象是通过特定有机分子的内部过程而将电流转化成可见光线的实例。有机发光现象是基于以下原理。当有机材料层被置于阳极和阴极之间时，如果在两个电极之间施加电压，则电子和空穴从阴极和阳极注入有机材料层。注入有机材料层的电子和空穴重新结合形成激子(exciton)，激子降至基态而发射光。使用该原理的有机发光二极管通常可由阴极、阳极和置于其间的有机材料层构成，例如包含空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的有机材料层。
[0004]在有机发光二极管中所使用的材料中大部分是纯的有机材料或络合化合物，在所述络合化合物中有机材料和金属形成络合物，所述材料可根据其用途分为空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料或电子注入材料等。在本文中，主要使用具有P型性能的有机材料，即当有机材料被氧化时易氧化且电化学稳定的有机材料，作为空穴注入材料或空穴传输材料。同时，主要使用具有η型性能的有机材料，即当有机材料被还原时易还原且电化学稳定的有机材料，作为电子注入材料或电子传输材料。优选同时具有P型和η型性能的有机材料，即其在氧化和还原时都稳定的材料，作为发光层材料，且当激子形成时，优选具有将激子转化成光的高发光效率的材料。
[0005]此外，优选在有机发光二极管中所使用的材料还具有以下性能。
[0006]首先，优选在有机发光二极管中所使用的材料具有优异的热稳定性。这是因为电荷在有机发光二极管中的运动产生焦耳热(joule heating)。目前，主要用作空穴传输层材料的NPB具有100° C以下的玻璃化转变温度，因此存在难以在需要高电流的有机发光二极管中使用NPB的问题。
[0007]其次，为了获得能在低电压下驱动并具有高效率的有机发光二极管，注入有机发光二极管内的空穴或电子必须平稳地传输至发光层，且注入的空穴和电子一定不能逸出到发光层外。为了实现这一点，在有机发光二极管中所使用的材料必须具有合适的带隙(bandgap)和合适的HOMO或LUMO能级。目前使用溶液涂布法制造的有机发光二极管中，用作空穴传输材料的PED0T:PSS与用作发光层材料的有机材料相比，LUMO能级更低，因此难以制造具有闻效率和长寿命的有机发光二极管。
[0008]此外，在有机发光二极管中所使用的材料必须具有优异的化学稳定性、电荷迁移率以及与电极或相邻层的界面特性。即，在有机发光二极管中所使用的材料应几乎不因湿气或氧气而变形。此外，应保证合适的空穴或电子迁移率以平衡空穴和电子在有机发光二极管发光层中的密度，并由此使激子的形成最大化。此外，其与包含金属或金属氧化物的电极的界面应有利于二极管的稳定性。
[0009]为了使上述有机发光二极管充分表现出优异的特性，二极管中形成有机材料层的材料，例如，空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料等应预先由稳定且有效的材料承载，但用于有机发光二极管的稳定且有效的有机材料层的材料的开发还不足，因此仍然需要开发新的材料。
【发明内容】
[0010][技术问题]
[0011]本发明试图提供具有优异特性的有机发光二极管，所述优异特性包括低电压、高效率、长寿命以及简单的制造方法。
[0012][技术方案]
[0013]本发明的示例性实施方案提供了一种有机发光二极管，其包括阳极、阴极和置于所述阳极和所述阴极之间的一层或多层有机材料层，
[0014]其中所述有机材料层包括发光层，
[0015]在所述阳极与所述发光层之间包含了含有由下式I代表的化合物的有机材料层，且
[0016]在所述阴极和所述发光层之间包含了含有下式2或3代表的化合物的有机材料层。
[0017][式I]
[0018]
【权利要求】
1.一种有机发光二极管，其包括阳极、阴极和置于所述阳极和所述阴极之间的一层或多层有机材料层， 其中所述有机材料层包括发光层， 在所述阳极与所述发光层之间包含了含有由下式I代表的化合物的有机材料层，且 在所述阴极和所述发光层之间包含了含有由下式2或3代表的化合物的有机材料层: [式I]
2.权利要求1的有机发光二极管，其中在所述阳极和所述发光层之间包含电子阻挡层，所述电子阻挡层包括由式I代表的化合物。
3.权利要求1的有机发光二极管，其中在所述阳极和所述发光层之间包含空穴传输层和电子阻挡层，并且所述电子阻挡层包括式1代表的化合物。
4.权利要求2或3的有机发光二极管，其中所述电子阻挡层为与发光层接触的有机材料层。
5.权利要求1的有机发光二极管，其中在所述阴极和所述发光层之间包含电子传输层，所述电子传输层包括由式2或3代表的化合物。
6.权利要求1的有机发光二极管，其中在所述阴极和所述发光层之间包括电子传输层和电子注入层，并且所述电子传输层包括由式2或3代表的化合物。
7.权利要求1的有机发光二极管，其中式I的CYl和CY2均为苯环，Ar3为氢或苯基，且Ar4为苯基或联苯基。
8.权利要求1的有机发光二极管，其中式I的CYl和CY2均为苯环，并且L为联苯基。
9.权利要求1的有机发光二极管，其中由式I代表的化合物由下式4至6的任何一个表不: [式4]
10.权利要求1的有机发光二极管，其中由式I代表的化合物选自以下结构式:
11.权利要求1的有机发光二极管，其中由式2或3代表的化合物选自以下结构式:
【文档编号】H01L51/50GK103827256SQ201380003134
【公开日】2014年5月28日 申请日期:2013年2月27日 优先权日:2012年2月27日
【发明者】洪性佶, 金公谦, 张俊起, 金渊焕, 千民承 申请人:株式会社Lg化学