具有吸收多层的光伏器件及制造该光伏器件的方法

具有吸收多层的光伏器件及制造该光伏器件的方法
【专利摘要】描述了一种具有吸收多层（270)的光伏器件(20)以及制造该光伏器件的方法。邻近于窗口层(130)形成的吸收多层（270)可包括包含第一掺杂剂的掺杂的第一硫化镉层（142)和本征的第二碲化镉层（144)。吸收多层还可至少包括邻近于背接触件（150)形成的第三碲化镉层（146)。至少第三碲化镉层（146)可包括掺杂的或本征的碲化镉。
【专利说明】具有吸收多层的光伏器件及制造该光伏器件的方法
[0001] 要求优先权
[0002] 本申请要求按照35U.S.C. §119(e)于2012年1月17日提交的序列号为第 61/587, 171号的临时美国专利申请的优先权，所述临时美国专利申请通过引用全部包含于 此。

【技术领域】
[0003] 公开的实施例涉及光伏器件及其制造方法的领域，所述光伏器件包括光伏电池和 包含多个电池的光伏模块。

【背景技术】
[0004] 诸如光伏模块或电池的光伏器件可使用多种半导体材料作为基本层以产生电流。 这些基本层可包括η型半导体窗口层（例如，硫化镉）和P型半导体吸收层（例如，碲化 镉）。当光子穿过η型窗口层并在ρ型吸收层内被吸收时，产生电子空穴对。η型窗口层和 Ρ型吸收层的界面建立使这样的电子空穴对分离的电场以产生电流。
[0005] 光转换效率是光伏器件转换成电流的入射光子的比例。各种损耗机制可潜在地使 光转换效率减小。例如，被吸收在窗口层内的光子不能被转换成电流。另外，电子可通过被 称为复合的过程损耗，其中当这样的电子从导带落回到被称为空穴的在价带中的空状态中 或电子可存在的在价带中的位置时，将另外产生电流的在导带中的受激电子被损耗。
[0006] 减轻复合来提高光伏器件的光转换效率。带隙是在价带中的电子轨道和在导带中 的电子轨道之间的能量差。这个差是将电子激发到导带以产生能够有助于电流在光伏器件 中的流动的移动的电荷载流子所需要的电磁能的量。具有宽带隙的物质通常是绝缘体，而 具有较窄的带隙的物质通常是半导体。如果电子不再在导带中，则将不再有助于电流流动。 因此，潜在的复合妨碍电流在器件中的流动。通常地，邻近可与Ρ型吸收层连接的背接触件 的更宽的带隙可帮助抵制电子远离背接触件以避免复合。
[0007] 为使光伏器件的光转换效率最大化，期望的是使在窗口层内的光子吸收最小化并 减轻复合。一种使用吸收层来减轻这种潜在的损耗机制并提升光转换效率的方法是特别期 望的。

【专利附图】

【附图说明】
[0008] 图1是传统的光伏器件的剖视图。
[0009] 图2Α是根据第一实施例的光伏器件在形成碲化镉多层之后的处理阶段时的剖视 图。
[0010] 图2Β是图2Α的光伏器件在图2Α的处理阶段之后的处理阶段时的剖视图。
[0011] 图3Α是根据第二实施例的光伏器件在碲化镉多层的形成之后的处理阶段时的剖 视图。
[0012] 图3Β是图3Α的光伏器件在图3Α的处理阶段之后的处理阶段时的剖视图。
[0013] 图4A是根据第三实施例的光伏器件在形成碲化镉多层之后的处理阶段时的剖视 图。
[0014] 图4B是图4A的光伏器件在图4A的处理阶段之后的处理阶段时的剖视图。
[0015] 图5A是根据第四实施例的光伏器件在形成碲化镉多层之后的处理阶段时的剖视 图。
[0016] 图5B是图5A的光伏器件在图5A的处理阶段之后的处理阶段时的剖视图。
[0017] 图6A是根据第五实施例的光伏器件在形成碲化镉多层之后的处理阶段时的剖视 图。
[0018] 图6B是图6A的光伏器件在图6A的处理阶段之后的处理阶段时的剖视图。
[0019] 图7是用于具有碲化镉多层的光伏器件的制造工艺的示意图。

【具体实施方式】
[0020] 在下面的详细描述中，参考构成其一部分的附图，在附图中通过举例说明示出了 可实践的具体实施例。这些实施例被足够详细地描述以使本领域技术人员能够制造并使用 它们，且将理解的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可对公开的具体实施例作出 结构、逻辑或程序上的改变。
[0021] 在此描述的实施例提供具有多层的基本层的光伏器件以及制造该光伏器件的方 法。多层的基本层可减轻光子吸收并通过复合减轻使在光伏器件内的光转化效率最大化。 在公开的实施例中，使用的多层的基本层是吸收层。多层的吸收层（或吸收多层）至少包 括掺杂的第一碲化镉层和本征的（即，在形成时基本上无掺杂剂材料）第二碲化镉层。注 意的是，虽然在此描述的实施例包括具有掺杂的碲化镉第一层和本征的碲化镉第二层的多 层的吸收层，但本发明不因此受限制。可被用于减轻光子吸收并使光转换效率最大化的任 何方法也在本发明的范围内。例如，如下所述，多于一个的掺杂的吸收层可与本征的吸收层 结合使用。因此，具有掺杂的第一碲化镉层和本征的第二碲化镉层的多层的吸收层的使用 只是为了举例的目的。
[0022] 参照图1，通过示例的方式，可以在例如钠钙玻璃或其他适合的玻璃或材料的基板 100上以堆叠方式顺序地形成传统的光伏器件10。因为基板100是不导电的，所以器件10 可包括前接触件120,该前接触件可包括具有若干功能层的多层的透明导电氧化物（TC0) 堆叠件，例如，这些功能层包括用于保护半导体层免受来自基板100的潜在的污染物影响 的阻挡层112、用于提供高的光透射率和低的电阻的TC0层114以及用于减轻在半导体层的 随后的形成期间的潜在的不规则的缓冲层116。阻挡层112可包括例如二氧化硅。TC0层 114可包括例如锡酸镉或氧化镉锡的任何适合的透明导电氧化物。缓冲层116可包括例如 氧化锡（例如，二氧化锡）、氧化锌锡、氧化锌或氧化锌镁的各种适合的材料。
[0023] 半导体层可包括形成在前接触件120上的诸如硫化镉层的η型半导体窗口层130 和形成在半导体窗口层130上的诸如締化镉层的ρ型半导体吸收层140。窗口层130可使 得太阳能穿透到吸收层140,光子能量在吸收层140处被转换成电能。背接触件150形成 在吸收层140上方。背接触件150可为提供低电阻欧姆接触的例如钥、铝、铜、银、金或它们 的任何组合的一个或更多个高导电材料。前接触件120和背接触件150可用作电极以将光 电流传输远离器件10。可为玻璃的背支撑件160形成在背接触件150上方以保护器件10 免收外部危害的影响。每层可继而包括多于一个的层或膜。另外，每层可覆盖器件的全部 或一部分和/或层或在层下方的基板的全部或一部分。例如，"层"可包括接触表面的全部 或一部分的任何量的任何材料。应该注意和理解的是，任何上述的层可包括多个层，并且 "在……上"或"到……上"不意味"直接在……上"，从而在一些实施例中，一个或更多个另 外的层可置于描绘的层之间。
[0024] 由窗口层130吸收的光子不能由吸收层140吸收，吸收层140降低器件10的光转 换效率。例如，一种减轻在窗口层130内的光吸收的方法是在沉积时减小其厚度。然而，这 有缺点。例如，小于300埃（通常厚度范围从300埃至750埃）的窗口层厚度太薄以至于窗 口层130可在其中具有不连续性。例如，窗口层130可提供对前接触件120的仅大约30% 至大约70%的覆盖。前接触件120的这样有限的覆盖导致窗口层130和吸收层140之间的 间断的和减少的接触，这会破坏形成在P型吸收层140和η型窗口层130的界面处或附近 的ρ-η结内的局部的、内建的电场。当ρ-η结被破坏时，不均匀的、不可预知的跨过ρ-η结 的元素扩散可发生，这增大了器件10的电性能被削弱的风险。目前的前接触件120形成工 艺可产生具有可有助于在其上沉积的窗口层130中的不连续性的增大的风险的表面粗糙 度的前接触件120。虽然缓冲层116可使该粗糙的一些平滑，但当使用薄的窗口层130时会 不足。
[0025] 图2Α示出在代替吸收层140 (图1)的碲化镉吸收多层270形成之后的处理阶段 时的光伏器件20的第一实施例的剖视图。参照图2Α，例如，窗口层130被形成且它的厚度 在原位被控制为大于300埃，而不是例如沉积比300埃薄的窗口层。使窗口层的厚度为至 少300埃大大地使在前接触件120上的窗口层的不连续的可能性最小化。
[0026] 碲化镉多层270包括掺杂的第一碲化镉层142和本征的第二碲化镉层144。可通 过例如图7所示以及下面讨论的气相输运沉积来形成碲化镉多层270。
[0027] 掺杂的第一碲化镉层142可包括诸如铷或硅的第一掺杂剂。更具体地，第一掺杂 剂可包括例如锂、钠、钾、铷、铯的Ι-A族掺杂剂材料，例如铜、银、金的Ι-Β族掺杂剂材料，例 如氮、磷、砷、锑、铋的V-A族掺杂剂材料，例如硅、锗、锡的IV-A族掺杂剂材料和/或上述掺 杂剂材料的含氯化合物。可单独地或以组合方式使用上述的掺杂剂材料。掺杂剂材料是指 可改变半导体层130、270的物理和/或电学性能的材料。掺杂的第一碲化镉层142和本征 的第二締化镉层144各自可具有大于lnm、大于10nm、大于20nm、大于1 μ m、大于5 μ m或小 于10 μ m的厚度。
[0028] 可在使用任何适合的掺杂技术的沉积之前、期间或之后将第一掺杂剂包含到掺杂 的第一碲化镉层142中。例如，可由将与诸如碲化镉的将被沉积的材料、载气或诸如碲化 镉-娃粉末的直接掺杂的粉末结合的引入的第一掺杂剂粉末来提供第一掺杂剂。可选择 地，可通过来自器件20的另一层的扩散来提供第一掺杂剂。例如，在一个吸收层内的诸如 铷的掺杂剂材料可扩散到另一吸收层中。在掺杂的第一碲化镉层142中的第一掺杂剂浓度 可为大约ΚΓ 7重量％至大约10重量％、大约10重量4%至大约ΚΓ3重量％、大约ΚΓ3重 量％至大约0. 1重量％或大约0. 1重量％至大约1重量％。根据第一掺杂剂包含到掺杂的 第一碲化镉层142中的比率，任何合适的量的第一掺杂剂可被引入到沉积环境中，以实现 例如大于lOOppm、大于250ppm、大于400ppm或小于500ppm的这些浓度范围。
[0029] 在碲化镉多层270的形成之后，可在施加诸如在图1中的背接触件150的背接触 件之前执行一个或更多个热处理步骤。例如，热处理需要使用例如氯化镉的含氯化合物在 大约380°C和大约800°C之间、在大约450°C和大约800°C之间或在大约380°C和大约450°C 之间将镀覆半导体的基板热处理大约20分钟。可通过各种技术诸如通过溶液喷射、蒸气或 雾化的雾来涂敷氯化镉。氯化镉优先地扩散通过本征的第二碲化镉层144和掺杂的第一碲 化镉层142的晶界区域或不同取向的晶粒或微晶接触的界面。晶界区域通常包含可降低导 电性的缺陷或其他杂质或已经被从它们的最初的晶格格位破坏的原子。这个工艺被称为修 复或消除在层144、142内的晶界缺陷或瑕疵。在热处理期间，会发生再结晶，由此使碲化镉 晶粒增大并使在多层270内的更均匀的掺杂分布成为可能。在通过热处理来修复层144、 142之后，例如电子和空穴的光子产生的载流子更可移动且因此更容易被收集。
[0030] 图2B示出在完成碲化镉多层270的工艺之后的器件20。例如玻璃的背接触件150 和背支撑件160依次被施加在碲化镉多层270上。背接触件150可包括一种或更多种高导 电材料。例如，背接触件150可包括钥、铝、铜、银、金或它们的任何组合。
[0031] 图3A示出本发明的第二实施例。在图3A中，描绘了具有与图2A的多层270相似 的碲化镉多层370的光伏器件30。然而，在本实施例的碲化镉多层370中，本征的第二碲化 镉层144形成在窗口层130和掺杂的第一締化镉层142之间。
[0032] 出于若干原因，图2A和图3A中的光伏器件20、30可表现出提高的光转换效率。第 一，在热处理期间，第一掺杂剂在窗口层130内、在吸收多层270内以及在窗口层130和吸 收多层270之间的界面处形成具有低熔点（例如低于大约450°C的热处理温度的温度）的 中间化合物。中间化合物在热处理期间熔化。这样的化合物能够在原位控制窗口层130的 厚度，因为化合物导致窗口层130熔化或变薄，但仍然使得窗口层130保持连续并符合前接 触件120。通过相对于窗口层130的掺杂的第一碲化镉层142的设置以及通过在吸收多层 270中的第一掺杂剂的浓度来运用该控制。这样的控制减小窗口层130的厚度，从而减轻其 中的光子的吸收。
[0033] 第二，因为本征的第二碲化镉层144用作在窗口层130和掺杂的第一碲化镉层142 之间的扩散阻挡件，所以图3A的实施例提供了对窗口层130的厚度的更大的原位控制。因 此，例如铷或硅的第一掺杂剂必须扩散通过本征的第二碲化镉层144以到达硫化镉窗口层 130并与硫化镉窗口层130反应来形成上述的中间化合物。因此，窗口层130更慢地熔化。 该延迟可提供更宽的温度工艺窗口和增大的处理弹性。例如，在中间化合物形成并引起窗 口层130熔化之前，热处理可在更高的温度发生。因此，提供减轻其中的光子的吸收的窗口 层130的薄化仍然发生，但它以允许在处理期间的更弹性的温度窗口的延迟的方式发生。
[0034] 第三，继续参照图3A的实施例，除了使第一掺杂剂扩散到窗口层130中缓慢之外， 由于相似的原因，本征的第二碲化镉层144也可防止在掺杂的第一碲化镉层142外部的第 一掺杂剂的过度的初始扩散，因此提供在掺杂的第一碲化镉层142内的至少暂时的第一掺 杂剂浓度控制。高掺杂剂浓度可增大在多层370和窗口层130的界面处或附近跨过p-n结 的例如电子、空穴的载流子浓度，这可引起增大的光转换效率。
[0035] 已经发现的是，在热处理之后，碲化镉多层270、370已经具有更好的晶粒结构和 表面粗糙度。例如，均包括具有第一掺杂剂娃的掺杂的第一締化镉层142的締化镉多层 270、370被证明与传统的p型吸收层140(图1)相比具有更低的标准偏差的表面粗糙度。
[0036] 图3B示出在完成碲化镉多层370的处理之后的器件30。依次被施加在多层370 上方的背接触件150和背支撑件160与在图2B的实施例中的这样的层相同。
[0037] 图4A示出具有碲化镉多层470的光伏器件40的第三实施例。如相对于图2A所 述，在掺杂的第一碲化镉层142上方形成本征的第二碲化镉层144之后，至少一个掺杂的第 三碲化镉层146被形成在本征的第二碲化镉层144上方。例如，可通过如在图7中示出以 及在下面讨论的气相输运沉积来形成碲化镉多层470。所述的至少一个掺杂的第三碲化镉 层146可具有例如大于lnm、大于10nm、大于20nm、大于1 μ m、大于5 μ m或小于10 μ m的任 何合适的厚度。例如，所述的至少一个掺杂的第三碲化镉层146可包括诸如铜、银、金、氮、 磷、砷、锑、铋、氧的I-B族、V-A族或VI-A族掺杂剂材料和/或上述掺杂剂材料的含氯化合 物的第二掺杂剂。如下更详细地讨论的，因为例如铜的第二掺杂剂使在碲化镉多层470和 背接触件150之间的接触电阻（即，由电引线和电连接引起的材料电阻）最小化并减轻在 背接触件150处或附近的电子复合，所以第二掺杂剂可与第一掺杂剂不同。第二掺杂剂也 可与在掺杂的第一碲化镉层142中使用的第一掺杂剂相同或可包括第一掺杂剂。可使用诸 如相对于第一掺杂剂（图2A)描述的掺杂技术的任何适合的掺杂技术来将第二掺杂剂包含 到所述至少一个掺杂的第三碲化镉层146。在所述至少一个掺杂的第三碲化镉层146内的 第二掺杂剂的浓度可为ΚΓ 7重量％至大约10重量％、大约ΚΓ5重量％至大约ΚΓ3重量％、 大约ΚΓ 3重量％至大约0. 1重量％或大约0. 1重量％至大约1重量％。
[0038] 图4B示出在完成碲化镉多层470的处理之后的器件40。依次被施加在碲化镉多 层470上的背接触件150和背支撑件160与在图2B的实施例中的这样的层相同。
[0039] 图5A示出光伏器件50的第四实施例，其中在图4A中的掺杂的第一碲化镉层142 和本征的第二碲化镉层144的顺序可被颠倒以形成碲化镉多层570。如相对于图3A所述， 在掺杂的第一碲化镉层142的形成之后，至少一个掺杂的第三碲化镉层146形成在掺杂的 第一碲化镉层142上。上面讨论的第二实施例（图3A和图3B)和第三实施例（图4A和图 4B)的优点适用于第四实施例。
[0040] 图5B示出在完成碲化镉多层570的处理之后的器件50。依次被施加在碲化镉多 层570上的背接触件150和背支撑件160与在图2B的实施例中的这样的层相同。
[0041] 具有碲化镉多层470、570的光伏器件40、50显出若干优点。将第二掺杂剂包含到 所述的至少一个掺杂的第三碲化镉层146使与背接触件150邻近的带隙变宽，这继而减轻 在背接触件150处及附近的电子复合。当光子在多层470、570内被吸收时，通过在形成在 多层470、570和窗口层130的界面处或附近的p-n结的电场来分离在多层470、570中产生 的电子空穴对。这造成电子朝着该界面流动。然而，一些电子仍然可朝着它们可与空穴结 合的背接触件150扩散。使用第二掺杂剂处理的所述至少一个掺杂的第三碲化镉层146使 靠近背接触件150的带隙弯曲（S卩，变宽）以有效地抵制电子朝着背接触件150的扩散，因 此防止电子复合并增大光转换效率。另外，与传统的吸收层140(图1)相比，在所述至少一 个掺杂的第三碲化镉层146内的第二掺杂剂引起在多层470、570和背接触件150之间的减 小的接触电阻。
[0042] 图6A示出具有碲化镉多层670的光伏器件60的第五实施例，除了与本征的碲化 镉层144相似的至少一个本征的第三碲化镉层148基本上无掺杂剂材料之外，碲化镉多层 670与在图5A中的碲化镉多层570相似。在两个本征的碲化镉层（即，144和148)之间形 成掺杂的第一碲化镉层142具有优点。首先，如相对于图3A的上面讨论的，层144、142的 顺序提供了减轻在窗口层130内的光子吸收的窗口层130的延迟的或可控的熔化并且还提 供更宽的工艺窗口，或使得窗口层130对在高的处理温度下的熔化较不敏感。另外，本征的 层144、148用作双重的扩散阻挡使得层144、148包含在掺杂的第一碲化镉层142内的期望 量的第一掺杂剂并防止向上和向下对背接触件150和前接触件120的相互扩散，因此提供 在多层670内的掺杂剂浓度控制。已经发现的是，在相对于图2A的上述的浓度范围（其可 通过层144、148的阻挡功能的协助来更好地达到和维持）内的例如铷或硅的第一掺杂剂可 增大在窗口层130和多层670中的自由电荷载流子浓度，这增强了电流的流动并提高了器 件60的整体电性能。
[0043] 图6B示出在完成碲化镉多层670的处理之后的器件60。依次被施加在碲化镉多 层670上的背接触件150和背支撑件160与在图2B的实施例中的这样的层相同。
[0044] 通常，可使用如图7所示的沉积系统70来形成窗口层130和各个碲化镉多层270、 370、470、570、670的制造。图7示出用于处理器件20、30、40、50、60的沉积系统70,沉积系 统70包括沉积站302、312、322、332、342,每个沉积站可包括其自己的室。可选择地，单个室 可将沉积站302、312、322、332、342容纳在描绘的区域中，其中可在改变条件的情况下沉积 不同的材料。可根据在公开的实施例中描述的顺序以不同的站或以相同的站在分别指定的 沉积站302、312、322、332、342中顺序地形成器件20、30、40、50、60的每层。
[0045] 沉积站302、312、322、332、342可被加热以达到在大约4501：至大约8001：的范围 中的处理温度并且可分别包括连接到沉积蒸气供应器的沉积分配器。沉积系统70可包括 传送器34,例如用于将基板100传送通过沉积站302、312、322、332、342的滚轮传送带。传 送器沿传输路径传输例如钠钙玻璃的基板100并进入用于在基板100的暴露的表面32上 顺序地沉积材料的层的一系列的沉积站302、312、322、332、342。各个站302、312、322、332、 342可具有其自己的蒸气分配器和供应器。分配器可为具有变化的喷嘴几何结构的一个或 更多个蒸气喷嘴36的形式，以实现蒸气供应的均勻分布。
[0046] 通过示例的方式，参照图4A和图7，可分别在沉积站302、312、322、332中顺序地形 成窗口层130、掺杂的第一碲化镉层142、本征的第二碲化镉层144以及至少一个掺杂的第 三碲化镉层146。
[0047] 还应该理解的是，在图2A、图2B、图3A、图3B、图4A、图4B、图5A、图5B、图6A、图 6B和图7中描绘的基板100可包括一个或更多个层，并且可包括任何适合的基板和基体材 料。因此，在此讨论的和描绘的沉积系统70可为用于制造光伏器件的更大系统的一部分。 例如，在遇到沉积系统70之前或之后，基板100可经历各种其他沉积和/或处理步骤，以形 成如图2A、图2B、图3A、图3B、图4A、图4B、图5A、图5B、图6A、图6B和图7所示的各种层。
[0048] 虽然气相输运沉积可被使用以形成窗口层140和碲化镉多层270、370、470、570、 670,但这不是限制性的。可使用例如大气压化学气相沉积、溅射、原子层外延、激光烧蚀、物 理气相沉积、近距离升华、电沉积、丝网印刷、喷涂或金属有机化学气相沉积的其他适合的 沉积技术。
[0049] 通过举例说明和示例的方式提供上面描述的实施例。应该理解的是，上面提供的 示例可在某些方面改变并仍然保留在权利要求的范围内。应该理解的是，尽管参照上面的 示例实施例已经描述了本发明，但其他实施例在权利要求的范围内。还应该理解的是，附图 未必是按比例绘制的，以呈现本发明的各种特征和基本原理的略简化的表示。
【权利要求】
1. 一种光伏器件，所述光伏器件包括： 窗口层； 背接触件，形成在窗口层上方；以及 吸收多层，形成在窗口层和背接触件之间，吸收多层包括： 掺杂的第一碲化镉层，包含第一掺杂剂；以及 本征的第二碲化镉层。
2. 如权利要求1所述的光伏器件，其中，掺杂的第一締化镉层形成在窗口层和本征的 第二碲化镉层之间。
3. 如权利要求1所述的光伏器件，其中，本征的第二碲化镉层形成在窗口层和掺杂的 第一締化镉层之间。
4. 如权利要求1所述的光伏器件，其中，第一掺杂剂包括从由锂、钠、钾、铷、硅、锗、锡、 铜、银、金、氮、磷、砷、锑、铋以及它们的含氯化合物组成的组中选择的材料。
5. 如权利要求4所述的光伏器件，其中，第一掺杂剂包括铷或娃。
6. 如权利要求1所述的光伏器件，吸收多层还包括： 至少一个第三碲化镉层。
7. 如权利要求6所述的光伏器件，其中，所述至少一个第三碲化镉层形成在背接触件 和掺杂的第一締化镉层之间。
8. 如权利要求6所述的光伏器件，其中，所述至少一个第三碲化镉层形成在背接触件 和本征的第二碲化镉层之间。
9. 如权利要求6所述的光伏器件，其中，所述至少一个第三碲化镉层包含第二掺杂剂。
10. 如权利要求6所述的光伏器件，其中，所述至少一个第三碲化镉层包括本征的碲化 铺。
11. 如权利要求9所述的光伏器件，其中，第二掺杂剂包括从由铜、银、金、氮、磷、砷、 锑、铋、氧以及它们的含氯化合物组成的组中选择的材料。
12. 如权利要求11所述的光伏器件，其中，第二掺杂剂包括铜。
13. -种形成光伏器件的方法，所述方法包括： 在基板上方形成窗口层； 在窗口层上方形成吸收多层，吸收多层包括： 掺杂的第一碲化镉层，包含第一掺杂剂；以及 本征的第二碲化镉层。
14. 如权利要求13所述的方法，其中，在窗口层上方形成吸收多层的步骤还包括形成 至少一个第三碲化镉层。
15. 如权利要求14所述的方法，其中，所述至少一个第三碲化镉层形成在背接触件和 掺杂的第一碲化镉层之间。
16. 如权利要求13所述的方法，所述方法还包括：在有氯化镉的存在下在大约380°C和 大约800°C之间的温度下加热吸收多层。
17. 如权利要求13所述的方法，所述方法还包括：加热光伏器件，以提供窗口层的厚度 的原位控制。
18. 如权利要求17所述的方法，其中，加热步骤包括在大约450°C和大约800°C之间的 温度下加热光伏器件。
19. 如权利要求18所述的方法，其中，窗口层包括硫化镉，其中，加热步骤还包括： 使第一掺杂剂与硫化镉反应；以及 将窗口层厚度控制为大于大约300埃。
20. 如权利要求19所述的方法，其中，加热步骤还包括： 形成具有低于大约450°C的熔点的中间化合物。
【文档编号】H01L31/073GK104221165SQ201380005760
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2013年1月17日 优先权日:2012年1月17日
【发明者】金昌明, 彭希林, 里克·C·鲍威尔, 乔志林·亚伦, 熊刚 申请人:第一太阳能有限公司, 金昌明, 彭希林, 里克·C·鲍威尔, 乔志林·亚伦, 熊刚