透明导电元件及其制造方法、输入装置、电子设备以及透明导电层的加工方法

透明导电元件及其制造方法、输入装置、电子设备以及透明导电层的加工方法
【专利摘要】容易大面积地形成微小图案的透明导电元件，具备：具有表面的基体材料，以及在表面平面地交替设置的透明导电部及透明绝缘部。在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。
【专利说明】透明导电元件及其制造方法、输入装置、电子设备以及透明 导电层的加工方法

【技术领域】
[0001] 本技术涉及透明导电元件及其制造方法、输入装置、电子设备以及透明导电层的 加工方法。详细而言，涉及透明导电部及透明绝缘部在基体材料表面平面地交替设置的透 明导电元件。

【背景技术】
[0002] 近年来，静电电容式的触摸面板搭载于便携电话和便携音乐终端等的移动设备的 情况不断增加。静电电容式的触摸面板中，使用在基体材料膜表面设有被构图的透明导电 层的透明导电膜。
[0003] 在专利文献1中，提出了如下构成的透明导电片。透明导电片具备：在基体片上形 成的导电图案层；以及在基体片的未形成导电图案层的部分形成的绝缘图案层。而且，导电 图案层具有多个微小小孔，绝缘图案层由狭小槽形成为多个岛状。
[0004] 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2010-157400号公报。


【发明内容】

[0005] 发明要解决的课题 近年来，期望大面积地制作如上所述具有微小图案的透明导电层。为了顺应这样的要 求，优选微小图案也容易大面积地形成的透明导电层。
[0006] 因此，本技术的目的在于，提供大面积微小图案的形成容易的透明导电元件及其 制造方法、输入装置、电子设备以及透明导电层的加工方法。
[0007] 用于解决课题的方案 为了解决上述课题，第1技术是一种透明导电元件，具备： 具有表面的基体材料；以及 在表面平面地交替设置的透明导电部及透明绝缘部， 在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。
[0008] 第2技术是一种输入装置，具备： 具有第1表面及第2表面的基体材料；以及 平面地交替设在第1表面及第2表面的发透明导电部及透明绝缘部， 在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。
[0009] 第3技术是一种输入装置，具备： 第1透明导电元件；以及 设在第1透明导电元件的表面的第2透明导电元件， 第1透明导电元件及第2透明导电元件具备： 具有表面的基体材料；以及 在表面平面地交替设置的透明导电部及透明绝缘部， 在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。 [0010] 第4技术是一种电子设备，具备： 透明导电元件，包括具有第1表面及第2表面的基体材料以及平面地交替设在第1表 面及第2表面的透明导电部及透明绝缘部， 在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。
[0011] 第5技术是一种电子设备，具备： 第1透明导电元件；以及 设在第1透明导电元件的表面的第2透明导电元件， 第1透明导电元件及第2透明导电元件具备： 具有第1表面及第2表面的基体材料；以及 平面地交替设在第1表面及第2表面的透明导电部及透明绝缘部， 在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。
[0012] 第6技术是一种透明导电元件的制造方法， 经由具有随机图案的至少1种掩模对基体材料表面的透明导电层照射光，来反复形成 单位区段，从而在基体材料表面平面地交替形成透明导电部及透明绝缘部。
[0013] 第7技术是一种透明导电层的加工方法， 通过将具有图案的至少1种掩模对基体材料表面的透明导电层照射光，反复形成单位 区段，从而在基体材料表面平面地交替形成透明导电部及透明绝缘部。
[0014] 本技术中，在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1 种单位区段，因此能够容易大面积地形成随机图案。
[0015] 本技术中，在基体材料表面平面地交替设有透明导电部及透明绝缘部，因此能够 降低设有透明导电部的区域与未设有透明导电部的区域的反射率差。因此，能够抑制透明 导电部的图案的视觉辨认。
[0016] 发明的效果 如以上说明的那样，依据本技术，能够提供大面积微小图案的形成容易的透明导电元 件。

【专利附图】

【附图说明】
[0017] 图1是示出本技术的第1实施方式所涉及的信息输入装置的一构成例的截面图。
[0018] 图2A是示出本技术的第1实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平 面图。图2B是沿图2A所示的A-A线的截面图。
[0019] 图3A是示出第1透明导电元件的透明电极部的一构成例的平面图。图3B是示出 第1透明导电元件的透明绝缘部的一构成例的平面图。
[0020] 图4A是示出第1透明导电元件的透明电极部的单位区段的一构成例的平面图。图 4B是沿图4A所示的A-A线的截面图。图4C是示出第1透明导电元件的透明绝缘部的单位 区段的一构成例的平面图。图4D是沿图4C所示的A-A线的截面图。
[0021] 图5是示出边界部的形状图案的一个例子的平面图。
[0022] 图6A是示出本技术的第1实施方式所涉及的第2透明导电元件的一构成例的平 面图。图6B是沿图6A所示的A-A线的截面图。
[0023] 图7是示出用于制作透明电极部及透明绝缘部的激光加工装置的一构成例的示 意图。
[0024] 图8A是示出用于制作透明电极部13的第1掩模的一构成例的平面图。图8B是 示出用于制作透明绝缘部14的第2掩模的一构成例的平面图。
[0025] 图9A?图9C是用于说明本技术的第1实施方式所涉及的第1透明导电元件的制 造方法的一个例子的工序图。
[0026] 图10A是示出透明电极部的单位区段的变形例的平面图。图10B是沿图10A所示 的A-A线的截面图。图10C是示出透明绝缘部的单位区段的变形例的平面图。图10D是沿 图10C所示的A-A线的截面图。
[0027] 图11A?图11D是示出本技术的第1实施方式所涉及的第1透明导电元件的变形 例的截面图。
[0028] 图12A、图12B是示出本技术的第1实施方式所涉及的第1透明导电元件的变形例 的截面图。
[0029] 图13A是示出本技术的第2实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平 面图。图13B是用于在透明电极部及透明绝缘部的边界部制作边界图案的第3掩模的一构 成例的平面图。
[0030] 图14A是示出本技术的第3实施方式所涉及的第1透明导电元件的透明电极部的 一构成例的平面图。图14B是示出本技术的第3实施方式所涉及的第1透明导电元件的透 明绝缘部的一构成例的平面图。
[0031] 图15A是示出透明电极部的单位区段的一构成例的平面图。图15B是沿图15A所 示的A-A线的截面图。图15C是示出透明绝缘部的单位区段的一构成例的平面图。图15D 是沿图15C所示的A-A线的截面图。
[0032] 图16是示出边界部的形状图案的一个例子的平面图。
[0033] 图17A是示出本技术的第4实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平 面图。图17B是示出用于在透明电极部及透明绝缘部的边界部制作边界图案的第3掩模的 一构成例的平面图。
[0034] 图18是示出本技术的第5实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平 面图。
[0035] 图19A是示出本技术的第6实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平 面图。图19B是用于在透明电极部及透明绝缘部的边界部制作边界图案的第3掩模的一构 成例的平面图。
[0036] 图20A是示出本技术的第7实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平 面图。图20B是示出本技术的第7实施方式所涉及的第1透明导电元件的变形例的平面图。
[0037] 图21A是示出本技术的第8实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平 面图。图20B是示出本技术的第8实施方式所涉及的第1透明导电元件的变形例的平面图。
[0038] 图22A是示出本技术的第9实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平 面图。图22B是示出本技术的第9实施方式所涉及的第2透明导电元件的一构成例的平面 图。
[0039] 图23是示出本技术的第10实施方式所涉及的信息输入装置的一构成例的截面 图。
[0040] 图24A是示出本技术的第11实施方式所涉及的信息输入装置的一构成例的平面 图。图24B是沿图24A所示的A-A线的截面图。
[0041] 图25A是放大示出图24A所示的交叉部C附近的平面图。图25B是沿图25A所示 的A-A线的截面图。
[0042] 图26是作为电子设备示出电视机的例的外观图。
[0043] 图27A、图27B是作为电子设备不出数码相机的例的外观图。
[0044] 图28是作为电子设备示出笔记本型个人计算机的例的外观图。
[0045] 图29是作为电子设备示出摄像机的例的外观图。
[0046] 图30是作为电子设备示出便携终端装置的例的外观图。
[0047] 图31A是示出通过显微镜观察实施例1-5的透明导电片表面的结果的图。图31B 是示出通过显微镜观察实施例2-1的透明导电片表面的结果的图。
[0048] 图32是示出用于制作透明电极部及透明绝缘部的激光加工装置的变形例的示意 图。
[0049] 图33是示出对透明导电片照射激光时的加工深度d的图。
[0050] 图34A是示出通过显微镜观察实施例5-4的透明导电片表面的结果的图。图34B 是示出通过显微镜观察实施例5-5的透明导电片表面的结果的图。图34C是示出通过显微 镜观察实施例5-6的透明导电片表面的结果的图。
[0051] 图35A是示出通过显微镜观察实施例5-7的透明导电片表面的结果的图。图35B 是示出通过显微镜观察实施例5-8的透明导电片表面的结果的图。
[0052] 图36是示出实施例5-1?5-3的透明导电片的电阻比的结果的图。
[0053] 图37是示出实施例5-4?5-8的透明导电片的电阻比的结果的图。
[0054] 图38A是示出通过显微镜观察实施例7-1的透明导电片表面的结果的图。图38B 是示出通过显微镜观察实施例7-2的透明导电片表面的结果的图。图38C是示出通过显微 镜观察实施例7-3的透明导电片表面的结果的图。
[0055] 图39是示出实施例7-1?7-3的透明导电片的电阻比的结果的图。
[0056] 图40A是示出通过显微镜观察实施例8-1的透明导电片表面的结果的图。图40B 是示出通过显微镜观察实施例8-2的透明导电片表面的结果的图。
[0057] 图41A是示出通过显微镜观察实施例8-3的透明导电片表面的结果的图。图41B 是示出通过显微镜观察实施例8-4的透明导电片表面的结果的图。
[0058] 图42是示出实施例8-1?8-4的透明导电片的电阻比的结果的图。
[0059] 图43是示出比较例8-1?8-4的透明导电片及实施例8-1?8-4的透明导电片 的表面电阻的结果的图。
[0060] 图44是示出比较例8-1?8-4的透明导电片及实施例8-1?8-4的透明导电片 的电阻比的结果的图。
[0061] 图45A是示出一般的台（stage)的移动速度的变化的图。图45B是示出高速台的 移动速度的变化的图。

【具体实施方式】
[0062] 参照附图的同时按照以下的顺序说明本技术的实施方式。
[0063] 1.第1实施方式(通过具有随机图案的单位区段构成透明电极部及透明绝缘部的 例子） 2. 第2实施方式(通过具有随机的边界图案的单位区段构成的边界部的例子） 3. 第3实施方式(通过具有规则图案的单位区段构成透明电极部及透明绝缘部的例 子） 4. 第4实施方式(通过具有规则的边界图案的单位区段构成边界部的例子） 5. 第5实施方式(将透明电极部设为连续膜的例子） 6. 第6实施方式(通过具有随机图案的单位区段构成边界部的例子） 7. 第7实施方式(通过具有随机图案的单位区段构成透明电极部，并通过具有规则图 案的单位区段构成透明绝缘部的例子） 8. 第8实施方式(通过具有规则图案的单位区段构成透明电极部，并通过具有随机图 案的单位区段构成透明绝缘部的例子） 9. 第9实施方式(设有连结了焊盘部的形状的透明电极部的例子） 10. 第10实施方式(在基体材料两面设有透明电极部的例子） 11. 第11实施方式(在基体材料的一主面交叉设有透明电极部的例子） 12. 第12实施方式(对电子设备应用的例子） < 1.第1实施方式>
[信息输入装置的结构] 图1是示出本技术的第1实施方式所涉及的信息输入装置的一构成例的截面图。如图 1所示，信息输入装置10设在显示装置4的显示面上。信息输入装置10例如由贴合层5贴 合于显示装置4的显示面。
[0064] (显示装置） 应用信息输入装置10的显示装置4虽没有特别限定，但如果进行例示，则可举出液晶 显示器、CRT (Cathode Ray Tube :阴极射线管）显示器、等离子体显示器（Plasma Display Panel :PDP)，电致发光（Electro Luminescence :EL)显示器、表面传导型电子发射元件显示 器（Surface-conduction Electron-emitter Display :SED)等的各种显不装置。
[0065] (信息输入装置） 信息输入装置10是所谓的投影型静电电容方式触摸面板，具备第1透明导电元件1和 设在该第1透明导电元件1的表面上的第2透明导电元件2,第1透明导电元件1与第2透 明导电元件2经由贴合层6而贴合。另外，根据需要，也可以在第2透明导电元件2的表面 上还具备光学层3。
[0066] (光学层） 光学层3例如具备基体材料31和设在基体材料31与第2透明导电元件2之间的贴合 层32,基体材料31经由该贴合层32贴合于第2透明导电元件2的表面。光学层3并不限 定于该例，也可能是Si02等的陶瓷敷层(覆盖层)。
[0067] (第1透明导电元件） 图2A是示出本技术的第1实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平面图。 图2B是沿图2A所示的A-A线的截面图。如图2A及图2B所示，第1透明导电元件1具备 具有表面的基体材料11和设在该表面的透明导电层12。在此，将在基体材料11的面内处 于正交交叉的关系的2个方向定义为X轴方向（第1方向）及Y轴方向(第2方向）。
[0068] 透明导电层12具备透明电极部(透明导电部)13和透明绝缘部14。透明电极部13 是沿X轴方向延伸的X电极部。透明绝缘部14是所谓的伪电极部，沿X轴方向延伸，并且 介于透明电极部13之间，是使相邻的透明电极部13之间绝缘的绝缘部。这些透明电极部 13和透明绝缘部14,朝向Y轴方向平面地交替邻接而设在基体材料11的表面。此外，在图 2A、图2B，第1区域凡表示透明电极部13的形成区域，第2区域R 2表示透明绝缘部14的 形成区域。
[0069] (透明电极部、透明绝缘部） 透明电极部13及透明绝缘部14的形状，优选与画面形状或驱动电路等相应地适当选 择，可举出例如直线状、将多个菱形状(金刚石形状）直线状连结的形状等，但并不特别限定 于这些形状。此外，在图2A、图2B中，例示出将透明电极部13及透明绝缘部14的形状设为 直线状的结构。
[0070] 图3A是示出第1透明导电元件的透明电极部的一构成例的平面图。透明电极部 13如图3A所示，是具有孔部13a的随机图案的单位区段13p被反复设置的透明导电层12。 单位区段13p例如沿X轴方向以周期Tx反复设置，沿Y轴方向以周期Ty反复设置。即，单 位区段13p沿X轴方向及Y轴方向2维排列。周期Tx及周期Ty分别独立，例如在从微米 量级到纳米量级的范围内设定。
[0071] 图3B是示出第1透明导电元件的透明绝缘部的一构成例的平面图。透明电极部 13如图3B所示，是具有岛部14a的随机图案的单位区段14p被反复设置的透明导电层12。 单位区段14p例如沿X轴方向以周期Tx反复设置，沿Y轴方向以周期Ty反复设置。即，单 位区段14p沿X轴方向及Y轴方向2维排列。周期Tx及周期Ty分别独立，例如在微米量 级到纳米量级的范围内设定。
[0072] 图3A及图3B中，单位区段13p及单位区段14p分别是1种的情况被作为例子示 出，但也可以使单位区段13p及单位区段14p为2种以上。在该情况下，能够设为同一种单 位区段13p及单位区段14p沿X轴方向及Y轴方向周期或随机地重复。
[0073] 单位区段13p及单位区段14p的形状只要是能够沿X轴方向及Y轴方向大致没有 间隙地反复设置的形状即可，并没有特别限定，但若进行例示，则可举出三角形状、四角形 状、六角形状或八角形状等的多边形状或不定形状等。
[0074] 图4A是示出第1透明导电元件的透明电极部的单位区段的一构成例的平面图。 图4B是沿图4A所示的A-A线的截面图。图4C是示出第1透明导电元件的透明绝缘部的 单位区段的一构成例的平面图。图4D是沿图4C所示的A-A线的截面图。透明电极部13 的单位区段13p如图4A及图4B所示，是多个孔部(绝缘要素）13a分开而以随机图案设置 的透明导电层12,透明导电部13b介于相邻的孔部13a之间。另一方面，透明绝缘部14的 单位区段14p如图4C及图4D所示，是具有分开而以随机图案设置的多个岛部（导电要素） 14a的透明导电层12,作为绝缘部的间隙部14b介于相邻的岛部14a之间。岛部14a是例 如以透明导电材料为主成分的岛状的透明导电层12。在此，在间隙部14b，优选透明导电层 12被完全除去，但只要在间隙部14b作为绝缘部发挥功能的范围内，则透明导电层12的一 部分残留为岛状或薄膜状也可以。
[0075] 单位区段13p优选作为随机图案的图案要素的孔部13a相切或具有切断的边，更 优选构成单位区段13p的所有的边与图案要素处于这样的关系。此外，还能采用作为随机 图案的图案要素的孔部13a与所有的边分开的结构。
[0076] 单位区段14p优选作为随机图案的图案要素的岛部14a相切或具有切断的边，更 优选构成单位区段14p的所有的边与图案要素处于这样的关系。此外，还能采用作为随机 图案的图案要素的岛部14a与所有的边分开的结构。
[0077] 作为孔部13a及岛部14a的形状，能够使用例如点状。作为点状，能够使用从例如 圆形状、椭圆形状、将圆形状的一部分切下的形状、将椭圆形状的一部分切下的形状、多边 形状、倒角的多边形状及不定形状构成的组中选取的1种以上。作为多边形状可举出例如 三角形状、四角形状(例如菱形等)、六角形状、八角形状等，但不限于此。在孔部13a及岛部 14a采用不同形状也可以。在此，在圆形中不仅包含数学上定义的完整的圆（正圆），还包含 被赋予一些变形的大致圆形。在椭圆形中不仅包含数学上定义的完整的椭圆，还包含被赋 予一些变形的大致椭圆形(例如长圆、卵型等)。在多边形中不仅包含数学上定义的完整的 多边形，还包含对边赋予了变形的大致多边形、对角赋予了弧度的大致多边形以及对边赋 予了变形并且对角赋予了弧度的大致多边形等。作为对边赋予的变形，可举出凸状或凹状 等的弯曲。
[0078] 孔部13a及岛部14a优选是不能够通过目视识别的尺寸。具体而言，孔部13a或 岛部14a的尺寸优选为100 μ m以下，更优选为60 μ m以下。在此，尺寸(直径Dmax)在不是 圆形的情况下意味着孔部13a及岛部14a的直径的长度之中的最大者。此外，在圆形的情 况下成为直径Dmax的直径。若使孔部13a及岛部14a直径Dmax为100 μ m以下，则能够抑 制通过目视的孔部13a及岛部14a的视觉辨认。具体而言例如，在使孔部13a及岛部14a 为圆形状的情况下，优选它们的直径为ΙΟΟμπι以下。此外，作为透明导电片的顶面(最外表 面）和底面(激光加工部的底面(达到通过激光照射的烧蚀的基体材料11表面。以下，在基 体材料11内也产生烧蚀的情况下，将其露出表面适当称作基体材料11表面)）的随机图案 的孔部的深度的距离在图4中以标号d示出。即，从透明导电部13b的表面至孔部13a的 底面(基体材料11的表面)的平均深度d及从岛部14a的表面至间隙部14b的底面(基体材 料11的表面）的平均深度d在图4中示出。
[0079] 在第1区域&，相对于例如多个孔部13a成为基体材料表面的露出区域，介于相邻 的孔部13a间的透明导电部13b成为基体材料表面的覆盖区域。另一方面，在第2区域R 2， 相对于多个岛部14a成为基体材料表面的覆盖区域，介于相邻的岛部14a间的间隙部14b 成为基体材料表面的露出区域。将第1区域&和第2区域R2的覆盖率差为60%以下，优 选我40%以下，更优选为30%以下，并且，优选以不能够用目视视觉辨认的大小来形成孔 部13a及岛部14a的部分。在通过目视来比较透明电极部13和透明绝缘部14时，感觉透 明导电层12在第1区域&和第2区域R 2以相同的方式被覆盖，因此能够抑制透明电极部 13和透明绝缘部14的视觉辨认。
[0080] 优选使第1区域Ri中的透明导电部13b造成的覆盖面积的比例较高。这是因为 随着覆盖率变低，若想具有相同的导电性，为了增加透明导电部13b的厚度，则必须增加最 初的整个面制膜时的厚度，成本与覆盖率成反比地增大。例如，覆盖率为50%的情况下材料 费为2倍，覆盖率为10%的情况下材料费为10倍。此外还产生通过透明导电部13b的膜厚 变厚，光学特性变差等的问题。当覆盖率变得过小，则绝缘的可能性也变大。若考虑以上的 点，则优选至少覆盖率为10%以上。覆盖率的上限值并未特别受限。
[0081] 第2区域R2中的岛部14a造成的覆盖率，若过高则随机图案的生成自身变得困难， 并且存在岛部14a彼此接近而短路的担心，因此优选使岛部14a造成的覆盖率为95%以下。
[0082] 透明电极部13及透明绝缘部14的反射L值之差的绝对值优选为不到0. 3。这是 因为能够抑制透明电极部13及透明绝缘部14的视觉辨认。在此，反射L值之差的绝对值， 是遵从JIS Z8722而评价的值。
[0083] 设在第1区域（电极区域)&的透明电极部13的平均边界线长度La，以及设在第2 区域(绝缘区域）R 2的透明绝缘部14的平均边界线长度Lb,优选是0 < La、Lb < 20mm/mm2 的范围内。但是，平均边界线长度La是设在透明电极部13的孔部13a和透明导电部13b 的边界线的平均边界线的长度，平均边界线的长度Lb是设在透明绝缘部14的岛部14a和 间隙部14b的边界线的平均边界线的长度。
[0084] 通过使平均边界线长度La、Lb在上述范围内，在基体材料11的表面，使形成有透 明导电层12的部分与未形成的部分的边界减少，能够降低在该边界上的光散射量。因此， 能够与后述的平均边界线长度的比（La/Lb)无关地，使上述反射L值之差的绝对值为不到 0. 3。即，能够抑制透明电极部13及透明绝缘部14的视觉辨认。
[0085] 在此，关于透明电极部13的平均边界线长度La及透明绝缘部14的平均边界线长 度Lb的求出方法进行说明。
[0086] 可如以下那样求出透明电极部13的平均边界线长度La。首先，利用数码显微镜 (株式会社々一工^ 7 (KEYENCE)制，商品名：VHX-900)在观察倍率100?500倍的范围观 察透明电极部13,保存观察像。接着，从保存的观察像通过图像解析来计测边界线（Σ Q = Q+……+ Cn)，得到边界线长度U [mm/mm2]。对于从透明电极部13随意选出的10个视野 进行该计测，得到边界线长度U、……、L 1(I。接着，将所得到的边界线长度U、……、1^简 单地平均(算术平均)，求出透明电极部13的平均边界线长度La。
[0087] 可如以下那样求出透明绝缘部14的平均边界线长度Lb。首先，利用数码显微镜 (株式会社々一 $ ^ 7制，商品名：VHX-900)在观察倍率100?500倍的范围观察透明绝缘 部14,保存观察像。接着，从保存的观察像通过图像解析来计测边界线（Σ(； = Q +……+ Cn)，得到边界线长度U [mm/mm2]。对于从透明绝缘部14随意选出的10个视野进行该计测， 得到边界线长度U、……、L 1(I。接着，将所得到的边界线长度U、……、L1(I简单地平均(算 术平均)，求出透明绝缘部14的平均边界线长度Lb。
[0088] 设在第1区域（电极区域）&的透明电极部13的平均边界线长度La，以及设在第 2区域(绝缘区域)R 2的透明绝缘部14的平均边界线长度Lb的平均边界线长度比（La/Lb)， 优选是0. 75以上1. 25以下的范围内。若平均边界线长度比（La/Lb)为上述范围外，则在透 明电极部13的平均边界线长度La及透明绝缘部14的平均边界线长度Lb未设定为20_/ mm2以下的情况下，即使透明电极部13与透明绝缘部14的覆盖率差相等，也可视觉辨认透 明电极部13及透明绝缘部14。这是由于例如在基体材料11的表面，在具有透明导电层12 的部分与没有的部分折射率不同。在具有透明导电层12的部分与没有的部分折射率差较 大的情况下，在具有透明导电层12的部分与没有的部分的边界部发生光散射。由此，透明 电极部13及透明绝缘部14的区域之中边界线长度更长的区域的一方看起来更发白，与覆 盖率差无关地可视觉辨认透明电极部13的电极图案。定量地，遵从JIS Z8722而评价的透 明电极部13与透明绝缘部14的反射L值之差的绝对值成为0. 3以上。
[0089] (边界部） 图5是示出边界部的形状图案的一个例子的平面图。在透明电极部13与透明绝缘部 14的边界部，设有随机的形状图案。通过这样在边界部设置随机的形状图案，能够抑制边界 部的视觉辨认。在此，所谓边界部，表示透明电极部13与透明绝缘部14之间的区域，所谓 边界L，表示划分透明电极部13与透明绝缘部14的边界线。此外，取决于边界部的形状图 案，还存在边界L不是实线而是虚线的情况。
[0090] 边界部的形状图案优选包含透明电极部13及透明绝缘部14的至少一个随机图案 的图案要素的整体和/或一部分。更具体而言，边界部的形状图案优选包含从由孔部13a 的整体、孔部13a的一部分、岛部14a的整体及岛部14a的一部分构成的组中选取的1种以 上的形状。
[0091] 边界部的形状图案所包含的孔部13a的整体，例如与透明电极部13侧的边界L相 切或大致相切地设置。边界部的形状图案所包含的岛部14a的整体，例如与透明绝缘部14 侧的边界L相切或大致相切地设置。
[0092] 边界部的形状图案所包含的孔部13a的一部分，例如具有由边界L将孔部13a部 分切断的形状，其切断边与透明电极部13侧的边界L相切或大致相切地设置。边界部的形 状图案所包含的岛部14a的一部分，例如具有由边界L将岛部14a部分切断的形状，其切断 边与透明绝缘部14侧的边界L相切或大致相切地设置。
[0093] 单位区段13p优选作为随机图案的图案要素的孔部13a相切或具有被切断的边， 该边以与透明电极部13及透明绝缘部14的边界L相切或大致相切的方式设置。
[0094] 单位区段14p优选作为随机图案的图案要素的岛部14a相切或具有切断的边，该 边以与透明电极部13及透明绝缘部14的边界L相切或大致相切的方式设置。
[0095] 此外，在图5中示出边界部的形状图案包含透明电极部13及透明绝缘部14双方 的随机图案的图案要素的一部分的例子。更具体而言，示出边界部的形状图案包含孔部13a 及岛部14a双方的一部分的例子。该例中，设为边界部所包含的孔部13a的一部分具有孔 部13a被边界L部分切断的形状，其切断边与透明电极部13侧的边界L相切。另一方面， 设为边界部所包含的岛部14a的一部分具有岛部14a被边界L部分切断的形状，其切断边 与透明绝缘部14侧的边界L相切。
[0096] (基体材料） 作为基体材料11的材料，能够使用例如玻璃、塑料。作为玻璃，能够使用例如公知的 玻璃。作为公知的玻璃，具体而言可举出例如碱石灰玻璃、铅玻璃、硬质玻璃、石英玻璃、液 晶化玻璃等。作为塑料，能够使用例如公知的高分子材料。作为公知的高分子材料，具体而 言可举出例如三醋酸纤维素 （TAC)、聚酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚萘二甲酸乙二 醇酯（PEN)、聚酰亚胺（PI)、聚酰胺（PA)、芳族聚酰胺、聚乙烯（PE)、聚丙烯酸酯、聚醚砜、聚 砜、聚丙烯（PP)、双乙酰纤维素、聚氯乙烯、丙烯树脂（PMMA)、聚碳酸酯（PC)、环氧树脂、尿 素树脂、尿烷树脂、三聚氰胺树脂、环状烯烃聚合物（C0P)、降冰片烯类热塑性树脂等。
[0097] 玻璃基体材料的厚度优选为20 μ m?10mm，但并不特别限定于该范围。塑料基体 材料的厚度优选为20 μ m?500 μ m，但并不特别限定于该范围。
[0098] (透明导电层） 作为透明导电层12的材料，例如能够使用从具有电导电性的金属氧化物材料、金属材 料、碳材料及导电聚合物等构成的组中选择的1种以上。作为金属氧化物材料，可举出例如 铟锡氧化物（IT0)、氧化锌、氧化铟、铺添加氧化锡、氟添加氧化锡、错添加氧化锌、镓添加氧 化锌、硅添加氧化锌、氧化锌-氧化锡类、氧化铟-氧化锡类、氧化锌-氧化铟-氧化镁类等。 作为金属材料，能够使用例如金属纳米粒子、金属线等。作为其具体的材料可举出例如铜、 银、金、钼、钮、镍、锡、钴、铭、铱、铁、钌、锇、猛、钥、鹤、银、钽、钛、秘、铺、铅等的金属，或这些 的合金等。作为碳材料，可举出例如碳黑、碳纤维、富勒烯、石墨烯、碳纳米管、碳微线圈及纳 米突等。作为导电聚合物，能够使用例如置换或无置换的聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩及从这些 选择的1种或2种构成的(共）聚合物等。
[0099] 作为透明导电层12的形成方法，能够使用例如溅射法、真空蒸镀法、离子镀法等 的PVD法、或CVD法、涂抹法、印刷法等。透明导电层12的厚度，优选适当选择使得在构图前 的状态(在基体材料11的整个面形成有透明导电层12的状态)下表面电阻成为1000 Ω / 口 以下。
[0100] (第2透明导电元件） 图6A是示出本技术的第1实施方式所涉及的第2透明导电元件的一构成例的平面图。 图6B是沿图6A所示的A-A线的截面图。如图6A及图6B所示，第2透明导电元件2具备 具有表面的基体材料21和设在该表面的透明导电层22。在此，将在基体材料21的面内处 于正交交叉的关系的2个方向定义为X轴方向（第1方向）及Y轴方向(第2方向）。
[0101] 透明导电层22具备透明电极部(透明导电部）23和透明绝缘部24。透明电极部 23是在Y轴方向延伸的Y电极部。透明绝缘部24是所谓的伪电极部，在Y轴方向延伸，并 且介于透明电极部23之间，是使相邻的透明电极部23之间绝缘的绝缘部。这些透明电极 部23和透明绝缘部24,在基体材料21的表面朝向X轴方向交替邻接设置。第1透明导电 元件1所具有的透明电极部13及透明绝缘部14,和第2透明导电元件2所具有的透明电极 部23及透明绝缘部24,例如处于互相正交的关系。此外，图6A、图6B中，第1区域凡表示 透明电极部23的形成用区域，第2区域R 2表示透明绝缘部24的形成区域。
[0102] 关于第2透明导电元件2,上述以外情况与第1透明导电元件1相同。
[0103] [激光加工装置] 接着，参照图7的同时，说明用于制作透明电极部13及透明绝缘部14的激光加工装置 的一构成例。激光加工装置是利用激光烧蚀工艺对透明导电层进行构图的加工装置，如图7 所示，具备激光器41、掩模部42和台43。掩模部42设在激光器41与台43之间。从激光 器41出射的激光经由掩模部42,到达在台43固定的透明导电基体材料la。
[0104] 激光加工装置构成为可调整加工倍率，例如，可将加工倍率调整为加工倍率1/4 或加工倍率1/8。以下，示出加工倍率1/4及加工倍率1/8的情况下的掩模部42的激光照 射范围与在台固定的透明导电基体材料la的加工范围的关系的例子。
[0105] 加工倍率1/4 :激光照射范围8mmX8mm，加工范围2mmX2mm 加工倍率1/8 :激光照射范围8_X8mm，加工范围1_X1_ 作为激光器41，例如，只要能利用激光烧蚀工艺对透明导电层进行构图即可，并没有特 别限定，如若进行例示，能够使用波长248nm的KrF受激准分子激光、波长266nm的三次谐 波飞秒激光、波长355nm的三次谐波YAG激光等的UV激光。
[0106] 掩模部42具备用于制作透明电极部13的第1掩模和用于制作透明绝缘部14的 第2掩模。掩模部42具有能通过控制装置（图示省略）等来切换第1掩模与第2掩模的结 构。因此，利用激光加工装置，能够连续地反复形成透明电极部13和透明绝缘部14。
[0107] 此外，作为透明电极部13的单位区段13p具备2种以上的单位区段13p的情况下， 使得掩模部42具备2种以上的第1掩模即可。另外，作为透明绝缘部14的单位区段14p 具备2种以上的单位区段14p的情况下也同样如此，使得掩模部42具备2种以上的第2掩 模即可。
[0108] 台43具有用于固定作为被加工体的透明导电基体材料la的固定面。透明导电基 体材料la具备基体材料11和透明导电层12,以基体材料11 一侧的面与固定面对置的方式 固定于台43。
[0109] 调整台43的朝向使得从激光器41出射的激光经由掩模部42对台43的固定面垂 直入射。台43具有在将激光的入射角度保持为一定的状态下，可在X轴方向(水平方向)及 Y轴方向（垂直方向）移动的结构。
[0110] 图8A是示出用于制作透明电极部13的第1掩模的一构成例的平面图。第1掩模 53如图8A所不，是多个孔部(光透射要素)53a分开而以随机图案设置在玻璃表面或玻璃内 部的遮光层的玻璃掩模，遮光部53b介于相邻的孔部53a之间。
[0111] 图8B是示出用于制作透明绝缘部14的第2掩模的一构成例的平面图。第2掩模 54如图8B所示，是多个遮光部(遮光要素)54a分开而以随机图案设置在玻璃表面或玻璃内 部的玻璃掩模，相邻的遮光部54a之间成为可透射激光的间隙部(光透射部）54b。
[0112] 遮光部53b及遮光部54a只要是能对从激光器41出射的激光遮光的材料即可，并 没有特别限定，但若进行例示，则可举出铬（Cr)等。
[0113] 第1掩模53优选作为随机图案的图案要素的孔部53a相切，或具有被切断的边， 更优选构成第1掩模53的所有的边与图案要素处于这样的关系。此外，还能采用作为随机 图案的图案要素的孔部53a与所有的边分开的结构。
[0114] 第2掩模54优选作为随机图案的图案要素的遮光部54a相切，或具有被切断的 边，更优选构成第2掩模54的所有的边与图案要素处于这样的关系。此外，还能采用作为 随机图案的图案要素的遮光部54a与所有的边分开的结构。孔部53a及遮光部54a的形状 及大小分别与上述孔部13a及岛部14a的形状及大小相应地适当选择。
[0115] [透明导电元件的制造方法] 接着，参照图9A?图9C的同时，说明具有上述结构的第1透明导电元件1的制造方法 的一个例子。此外，第2透明导电元件2能够与第1透明导电元件1大致同样地制造，因此 省略说明第2透明导电元件2的制造方法。
[0116] (透明导电层的成膜工序） 首先，如图9A所示，通过在基体材料11的表面上成膜透明导电层12,来制作透明导电 基体材料la。作为透明导电层12的成膜方法，能够使用干类及湿类的任一种成膜方法。
[0117] 作为干类的成膜方法，能够使用例如热CVD、等离子体CVD、光CVD、ALD (Atomic Layer Disposition (原子层沉积法））等的 CVD 法（Chemical Vapor Deposition (化学蒸镀 法）：利用化学反应从气相析出薄膜的技术）之外，真空蒸镀、等离子体辅助蒸镀、溅射、离子 镀等的PVD法（Physical Vapor Deposition (物理蒸镀法）：在真空中使物理地气化的材料 在基板上凝聚来形成薄膜的技术)。
[0118] 在使用干类的成膜方法的情况下，在透明导电层12的成膜后，根据需要，对透明 导电层12实施烧成处理(退火处理）也可以。由此，透明导电层12成为例如非晶和多晶的 混合状态或多晶状态，提高透明导电层12的导电性。
[0119] 作为湿类的成膜方法，例如，在将透明导电涂料涂敷或印刷于基体材料11的表面 而在基体材料11的表面形成涂膜后，能够使用干燥和/或烧成的方法。作为涂敷法，能够 使用例如微凹版涂敷法、线棒涂敷法、直接凹版涂敷法、模具涂敷法、浸涂法、喷涂法、逆转 辊涂敷法、幕涂敷法、点涂敷法、刀涂敷法、旋涂法等，但并不特别限定于此。另外，作为印刷 法，能够使用例如凸版印刷法、胶版印刷法、照相凹版印刷法、凹版印刷法、橡胶版印刷法、 丝网印刷法等，但并不特别限定于此。另外，作为透明导电基体材料la，可使用市售的材料。
[0120] (透明电极部及透明绝缘部的形成工序） 接着，使用上述激光加工装置，交替反复第1激光加工工序和第2激光加工工序，对透 明导电基体材料la的透明导电层12进行构图。此时，也可以通过吸引处理等来除去通过 激光加工产生的灰尘。接着，根据需要，对透明导电基体材料la实施送风处理和/或冲洗 清洗处理等。由此，透明电极部13及透明绝缘部14朝向一个方向而平面地交替邻接地形 成。第1激光加工工序是通过经由第1掩模53对透明导电基体材料la的透明导电层12照 射激光来进行的工序。第2激光加工工序是通过经由第2掩模54对透明导电基体材料la 的透明导电层12照射激光来进行的工序。在此，关于这些第1激光加工工序及第2激光加 工工序的细节，以下进行说明。
[0121] (第1激光加工工序） 如图9B所示，经由第1掩模53对透明导电基体材料la的透明导电层12照射激光，在 透明导电层12的表面形成照射部13L。由此，透明电极部13的单位区段13p被形成。一边 使照射部13L在X轴方向及Y轴方向分别以周期Tx及周期Ty移动，一边对透明导电层12 的第1区域(透明电极部13的形成区域)&整体进行该操作。由此，单位区段13p在X轴方 向及Y轴方向反复周期性地形成而得到透明电极部13。
[0122] (第2激光加工工序） 如图9C所示，经由第2掩模54对透明导电基体材料la的透明导电层12照射激光，在 透明导电层12的表面形成照射部14L。由此，透明绝缘部14的单位区段14p被形成。一边 使照射部14L在X轴方向及Y轴方向分别以周期Tx及周期Ty移动，一边对透明导电层12 的第2区域(透明绝缘部14的形成区域)R 2整体进行该操作。由此，单位区段14p在X轴方 向及Y轴方向反复周期性地形成而得到透明绝缘部14。
[0123] 通过以上方式，可得到作为目的的第1透明导电元件1。
[0124] (利用激光加工的加工深度） 图33示意性示出对透明导电片照射激光时的加工的平均深度d。在图33中，示出在基 体材料11的表面上成膜有透明导电层12的透明导电基体材料la。此外，在图33中，为了 简化，示出以规则的图案加工了孔部的透明导电基体材料la。
[0125] 如图33所示，用激光加工中，在透明导电基体材料la形成(构图）了孔部的情况 下，通过烧蚀，不仅透明导电层12,连基体材料11也被加工。相对于此，虽也取决于基体材 料11的种类，但利用湿蚀刻的透明导电基体材料la的加工中，一般不在基体材料11形成 孔部。因此，是否用激光加工来构图，能够通过用光学显微镜等，对基体材料11的激光加工 部的状态(例如，平均深度d等的形状)进行评价来确认。此外，如果加工的孔部作为绝缘部 发挥功能，则以在基体材料11产生烧蚀的方式进行加工也可以。
[0126] [效果] 依据第1实施方式，第1透明导电元件1具备在基体材料11的表面平面地交替邻接而 设置的透明电极部13及透明绝缘部14。而且，透明电极部13具有重复具有随机图案的单 位区段13p的结构，并且透明绝缘部14具有重复具有随机图案的单位区段14p的结构。因 此，能够大面积地容易地形成随机图案。
[0127] 以随机图案设置单位区段13p的孔部13a及单位区段14p的岛部14a，因此能够抑 制云纹的发生。
[0128] 第1透明导电元件1具备在基体材料11的表面平面地交替邻接而设置的透明电 极部13及透明绝缘部14,因此能够降低透明电极部13与透明绝缘部14的反射率差。因 此，能够抑制透明电极部13的视觉辨认。
[0129] 在透明电极部13与透明绝缘部14的边界部进一步设有形状图案的情况下，能够 进一步抑制边界部的视觉辨认。因此，能够进一步抑制透明电极部13的视觉辨认。
[0130] 第2透明导电元件2具备在基体材料21的表面平面地交替邻接而设置的透明电 极部23及透明绝缘部24。透明电极部23及透明绝缘部24具有与第1透明导电元件1的 透明电极部13及透明绝缘部14相同的结构。因此，第2透明导电元件2也能够得到与第 1透明导电元件1相同的效果。
[0131] 在信息输入装置10具备叠合的第1透明导电元件1和第2透明导电元件2的情 况下，能够抑制透明电极部13及透明电极部23的视觉辨认。因此，能够实现视觉辨认性优 异的信息输入装置10。进而在显示装置4的显示面具备该信息输入装置10的情况下，能够 抑制信息输入装置10的视觉辨认。
[0132] 与其他工艺相比，激光加工在细微加工的点上具有例如如下的优点。即，与丝网 印刷等的湿工艺中是L/S = 30μπι程度的图案精度相对，激光加工工艺中能够实现L/S < 10 μ m的图案精度。此外，在此，L是图案线宽度，S是线间隔。
[0133] 在使用UV激光进行了激光加工的情况下，能够抑制PET膜等的基体材料11、21的 由蚀刻液等造成的损坏。因此，能够选择性地烧蚀包含金属纳米线或铟锡氧化物（ΙΤ0)的 透明导电层。
[0134] (变形例） 以下，说明第1实施方式的变形例。
[0135] (透明电极部） 图10A是示出透明电极部的单位区段的变形例的平面图。图10B是沿图10A所示的A-A 线的截面图。透明电极部13的单位区段13p如图10A及图10B所示，是由设为随机的网状 的透明导电部13b构成的透明导电层12。透明导电部13b在随机的方向延伸设置，由所延 伸设置的透明导电部13b形成独立的孔部13a。因此，在透明电极部13的单位区段13p，随 机设有多个孔部13a。在观察透明导电元件1的情况下，具有随机的线状。
[0136] (透明绝缘部） 图10C是示出透明绝缘部的单位区段的变形例的平面图。图10D是沿图10C所示的A-A 线的截面图。透明绝缘部14的单位区段14p如图10C及图10D所示，是间隙部14b设为随 机的网状的透明导电层12。具体而言，在单位区段14p配置的透明导电层12,由在随机的 方向延伸设置的间隙部14b分割为独立的岛部14a。S卩，单位区段14p使用透明导电层12 来构成，由在随机的方向延伸设置的间隙部14b将透明导电层12分割而成的岛部14a的图 案，被配置为随机图案。这些岛部14a的图案（即随机图案)，例如成为由在随机的方向延伸 设置的间隙部14b分割为随机的多边形。此外，延伸设置方向随机的间隙部14b自身也成 为随机图案。间隙部14b例如在从设有透明导电层12的侧面观察第1透明导电元件1的 情况下，具有随机的线状。间隙部14b例如是设在岛部14a间的槽部。
[0137] 在此，设在单位区段14p的各间隙部14b，是在单位区段14p在随机的方向延伸设 置的。相对于延伸设置方向垂直方向的宽度(称作线宽度)例如选择为相同的线宽度。在该 单位区段14p，通过各间隙部14b的线宽度，可调整透明导电层12造成的覆盖率。该单位区 段14p上的透明导电层12的覆盖率，优选以与透明电极部13上的透明导电层12的覆盖率 成为相同程度的方式设定。在此所谓相同程度，意味着透明电极部13及透明绝缘部14不 能够作为图案视觉辨认的程度。
[0138] (硬涂敷层） 如图11A所示，第1透明导电元件1的两表面之中，在至少一个表面设置硬涂敷层61 也可以。由此，在将塑料基体材料用于基体材料11的情况下，能够防止工序上的基体材料 11的损伤、赋予耐药品性、抑制低聚物等的低分子量物的析出。对于硬涂敷材料，最优选使 用利用光或电子束等来固化的电离放射线固化型树脂、或利用热来固化的热固化型树脂、 利用紫外线来固化的感光性树脂。作为这样的感光性树脂，能够使用例如尿烷丙烯酸酯、环 氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、多元醇丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、三聚氰胺丙烯酸酯等的丙烯 酸酯类树脂。例如，通过使异氰酸酯单体或者预聚物与聚酯多元醇反应，使具有氢氧基的丙 烯酸酯或甲基丙烯酸酯类的单体与所得到的生成物反应，从而得到尿烷丙烯酸酯树脂。硬 涂敷层61的厚度优选为Ιμπι?20μπι，但并没有特别限定于该范围。
[0139] 硬涂敷层61如下形成。首先，将硬涂敷涂料涂抹于基体材料11的表面。涂抹方 法并未特别限定，能够使用公知的涂抹方法。作为公知的涂抹方法，可举出例如微凹版涂敷 法、线棒涂敷法、直接凹版涂敷法、模具涂敷法、浸涂法、喷涂法、逆转辊涂敷法、幕涂敷法、 点涂敷法、刀涂敷法、旋涂法等。硬涂敷涂料例如含有二官能以上的单体和/或低聚物等的 树脂原料、光聚合引发剂以及溶剂。接着，根据需要，通过使涂抹在基体材料11的表面的硬 涂敷涂料干燥，使溶剂挥发。接着，利用例如电离放射线照射或加热，使基体材料11的表面 的硬涂敷涂料固化。此外，与上述的第1透明导电元件1相同，第2透明导电元件2的两表 面之中，在至少一个表面设置硬涂敷层61也可以。
[0140] (光学调整层） 如图11Β所示，优选将光学调整层62介于第1透明导电元件1的基体材料11与透明 导电层12之间。由此，能够有助于透明电极部13的图案形状的非视觉辨认性。光学调整 层62例如由折射率不同的2层以上的层叠体构成，在低折射率层侧形成透明导电层12。更 具体而言，作为光学调整层62,能够使用例如现有公知的光学调整层。作为这样的光学调 整层，能够使用例如日本特开2008-98169号公报、日本特开2010-15861号公报、日本特开 2010-23282号公报、日本特开2010-27294号公报所记载的。此外，与上述的第1透明导电 元件1相同，将光学调整层62介于第2透明导电元件2的基体材料21与透明导电层22之 间也可以。
[0141] (密合辅助层） 如图11C所示，作为第1透明导电元件1的透明导电层12的基底层优选设置密合辅助 层63。由此，能够提高透明导电层12相对于基体材料11的密合性。作为密合辅助层63的 材料，能够使用例如聚丙烯酸类树脂、聚酰胺类树脂、聚酰胺亚胺类树脂、聚酯类树脂以及 金属元素的氯化物或过氧化物或烃氧基金属等的加水分解及脱水缩合生成物等。
[0142] 不使用密合辅助层63,使用对设置透明导电层12的表面照射辉光放电或电晕放 电的放电处理也可以。另外，对设置透明导电层12表面，使用用酸或碱进行处理的化学药 品处理法也可以。另外，设置透明导电层12后，通过压延处理来提高密合也可以。此外，关 于第2透明导电元件2,也可以设置与上述的第1透明导电元件1相同的密合辅助层63。另 夕卜，实施用于提高上述密合性的处理也可以。
[0143] (屏蔽层） 如图11D所示，优选将屏蔽层64设在第1透明导电元件1。例如，经由透明粘着剂层将 设有屏蔽层64的膜粘合于第1透明导电元件1也可以。另外，在X电极及Y电极形成于1 块基体材料11的相同面侧的情况下，在与其相反侧直接形成屏蔽层64也可以。作为屏蔽 层64的材料，能够使用与透明导电层12相同的材料。作为屏蔽层64的形成方法，能够使 用与透明导电层12相同的方法。但是，屏蔽层64未构图而以形成在基体材料11的整个表 面的状态使用。通过在第1透明导电元件1形成屏蔽层64,能够降低从显示装置4发出的 起因于电磁波等的噪声，提高信息输入装置10的位置检测的精度。此外，与上述的第1透 明导电元件1相同，在第2透明导电元件2设置屏蔽层64也可以。
[0144] (防止反射层） 如图12A所示，优选进一步在第1透明导电元件1设置防止反射层65。防止反射层65 例如设在第1透明导电元件1的两主面之中、设有透明导电层12的一侧的相反侧的主面。
[0145] 作为防止反射层65,能够使用例如低折射率层或蛾眼构造体等。在作为防止反射 层65使用低折射率层的情况下，在基体材料11与防止反射层65之间进一步设置硬涂敷层 也可以。此外，与上述的第1透明导电元件1相同，在第2透明导电元件2也可以进一步设 置防止反射层65。
[0146] 图12B是示出设有防止反射层65的第1透明导电元件及第2透明导电元件的适 用例的截面图。如图12B所示，第1透明导电元件1及第2透明导电元件2,以它们的两主 面之中设有防止反射层65的一侧的主面与显示装置4的显示面对置的方式，配置在显示装 置4上。通过采用这样的结构，能够提高来自显示装置4的显示面的光的透射率，提高显示 装置4的显示性能。
[0147] (激光加工装置） 图32是示出激光加工装置的变形例的示意图。激光加工装置具备台43、掩模44、透镜 45及激光器（图示省略)。掩模44具有比作为被加工物的透明导电基体材料la更大的尺 寸。掩模44构成为可与台43同步地在X轴方向及Y轴方向移动。激光L经由掩模44及 透镜45,照射至透明导电基体材料la的透明导电层。
[0148] 以下说明具有上述结构的激光加工装置的动作。
[0149] 首先，经由具有图案的掩模对作为被加工体的透明导电基体材料la的透明导电 层照射激光。接着，通过使掩模44和台43同步地在X轴方向和/或Y轴方向移动，来移动 激光对掩模的照射位置。由此，透明导电基体材料la的透明导电层的大致整体得以加工， 透明电极部13及透明绝缘部14朝向一个方向平面地交替邻接而形成。
[0150] 用该变形例的激光加工装置，不会产生单位区段13p、14p等的图案的重叠或图案 间的未加工区域，因此得到能够提高第1透明导电元件1等的特性这一优点。
[0151] <2.第2实施方式>
[透明导电元件的结构] 图13A是示出本技术的第2实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平面 图。第2实施方式所涉及的第1透明导电元件1，在还具备在透明电极部13及透明绝缘部 14的边界部具有边界图案的单位区段15p的点上，与第1实施方式所涉及的第1透明导电 元件1不同。
[0152] 单位区段15p例如朝向Y轴方向（即边界部的延伸方向）以周期Ty反复设置。图 13A中，作为例子示出单位区段15p为1种的情况，但使单位区段15p为2种以上也可以。 在该情况下，能使同一种单位区段15p在Y轴方向周期地或随机地重复。
[0153] 单位区段15p的形状只要是能在边界部无间隙地反复设置的形状即可，并没有特 别限定，若进行例示，则可举出三角形状、四角形状、六角形状或八角形状等的多边形状或 不定形状等。
[0154] 单位区段15p如图13A所示，具有设有随机的形状图案的边界部。通过这样在边 界部设置随机的形状图案，能够抑制边界部的视觉辨认。作为边界部的形状图案，也可采用 与上述第1实施方式相同的图案，也可以是透明电极部13及透明绝缘部14的随机图案的 图案要素以外的形状。
[0155] 单位区段15p具备第1区段15a和第2区段15b，两区段在边界L接合。第1区段 15a例如是透明电极部13的单位区段13p的一部分。另一方面，第2区段15b例如是透明 绝缘部14的单位区段14p的一部分。具体而言，第1区段15a是由边界L将单位区段13p 部分切断的区段，其切断边与透明电极部13侧的边界L相切设置。另一方面，第2区段15b 是由边界L将单位区段14p部分切断的区段，其切断边与透明绝缘部14侧的边界L相切而 设置。
[0156] 此外，图13A中，示出单位区段15p的第1区段15a及第2区段15b分别由单位区 段13p及单位区段14p的一半构成的例子。构成第1区段15a及第2区段15b的单位区段 13p及单位区段14p的大小并不限定于此，而是两者的大小可任意选择。另外，作为第1区 段15a及第2区段15b的随机图案，单位区段13p及单位区段14p也可使用不同的随机图 案。也可替代第1区段15a及第2区段15b的随机图案，使用规则图案。
[0157] [激光加工装置] 除上述第1实施方式中的第1掩模53及第2掩模54之外，激光加工装置的掩模部42 还在透明电极部13及透明绝缘部14的边界部具备用于制作边界图案的第3掩模。
[0158] 掩模部42具有能通过控制装置（图示省略)等来切换第1掩模53、第2掩模54和 第3掩模的结构。因此，用激光加工装置，能够连续地反复形成透明电极部13、透明绝缘部 14和它们的边界部。此外，在作为单位区段15p具备2种以上的单位区段15p的情况下，只 要掩模部42具备2种以上的第3掩模即可。
[0159] 图13B是示出用于在透明电极部13及透明绝缘部14的边界部制作边界图案的 第3掩模的一构成例的平面图。第3掩模55如图13B所示，具备第1区段55a及第2区段 55b，两区段在边界L接合。第1区段55a例如是第1掩模53的一部分。另一方面，第2区 段55b例如是第2掩模54的一部分。具体而言，第1区段55a是由边界L将第1掩模53 部分切断的区段，其切断边与边界L的一侧相切而设置。另一方面，第2区段55b是由边界 L将第2掩模54部分切断的区段，其切断边与边界L的另一侧相切而设置。
[0160] 此外，图13B中，示出第3掩模55的第1区段55a及第2区段55b分别由第1掩 模53及第2掩模54的一半构成的例子。分别构成第1区段55a及第2区段55b的第1掩 模53p及第2掩模54的大小并不限定于此，而是两者的大小可任意选择。另外，作为第1 区段55a及第2区段55b的随机图案，也可使用与第1掩模53及第2掩模54不同的随机 图案。也可替代第1掩模53及第2掩模54的随机图案，使用规则图案。
[0161] [透明导电元件的制造方法] 第2实施方式所涉及的第1透明导电元件的制造方法，在透明电极部及透明绝缘部的 形成工序，在第1激光加工工序及第2激光加工工序之间，还具备第3激光加工工序的点 上，与第1实施方式所涉及的第1透明导电元件的制造方法不同。第3激光加工工序是用 于在透明电极部13及透明绝缘部14的边界部制作边界图案的工序。以下，说明第3激光 加工工序。
[0162] (第3激光加工工序） 经由第3掩模55对透明导电基体材料la的透明导电层12照射激光，在透明导电层12 的表面形成照射部。由此，边界部的单位区段15p得以形成。一边使照射部在Y轴方向（即 边界部的延伸方向）以周期Ty移动，一边依次反复进行该操作。由此，单位区段15p在Y轴 方向反复周期性地形成，得到设有随机的形状图案的边界部。
[0163] 在第2实施方式中，除上述以外的情况，与第1实施方式相同。
[0164] <3.第3实施方式>
[透明导电元件的结构] (透明电极部、透明绝缘部） 图14A是示出第1透明导电元件的透明电极部的一构成例的平面图。图15A是示出透 明电极部的单位区段的一构成例的平面图。图15B是沿图15A所示的A-A线的截面图。透 明电极部13是具有孔部13a的规则图案的单位区段13p被反复设置的透明导电层12。
[0165] 图14B是示出第1透明导电元件的透明绝缘部的一构成例的平面图。图15C是示 出透明绝缘部的单位区段的一构成例的平面图。图是沿图15C所示的A-A线的截面图。 透明绝缘部14是具有岛部14a的规则图案的单位区段14p被反复设置的透明导电层12。
[0166] (边界部） 在透明电极部13与透明绝缘部14的边界部，设有规则的形状图案。通过这样在边界 部设置规则的形状图案，能够抑制边界部的视觉辨认。
[0167] 图16是示出边界部的形状图案的一个例子的平面图。边界部的形状图案优选包 含透明电极部13及透明绝缘部14的至少一个规则图案的图案要素的整体和/或一部分。 更具体而言，边界部的形状图案优选包含从由孔部13a的整体、孔部13a的一部分、岛部14a 的整体及岛部14a的一部分构成的组中选择的1种以上的形状。
[0168] 单位区段13p优选作为规则图案的图案要素的孔部13a相切或具有切断的边，该 边以与透明电极部13及透明绝缘部14的边界L相切或大致相切的方式设置。
[0169] 单位区段14p优选作为规则图案的图案要素的岛部14a相切或具有切断的边，该 边以与透明电极部13及透明绝缘部14的边界L相切或大致相切的方式设置。
[0170] 此外，在图16中，示出边界部的形状图案包含透明电极部13及透明绝缘部14双 方的规则图案的一部分的例子。更具体而言，示出边界部的形状图案包含孔部13a及岛部 14a双方的一部分的例子。该例中，边界部所包含的孔部13a的一部分，具有孔部13a部分 地被边界L切断的形状，其切断边与透明电极部13侧的边界L相切而设置。另一方面，边 界部所包含的岛部14a的一部分，具有岛部14a被边界L部分切断的形状，其切断边与透明 绝缘部14侧的边界L相切而设置。
[0171] [透明导电元件的制造方法] 第3实施方式所涉及的第1透明导电元件的制造方法中，作为第1掩模53,使用具有分 开而以规则图案设置的多个孔部(光透射要素）53a的掩模。作为第2掩模54,使用具有分 开而以规则图案设置的多个遮光部(遮光要素）54a的掩模。
[0172] 第3实施方式中除上述以外的情况，与第1实施方式相同。
[0173] <4.第4实施方式>
[透明导电元件的结构] 图17A是示出本技术的第4实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平面 图。第4实施方式所涉及的第1透明导电元件1，在还具备在透明电极部13及透明绝缘部 14的边界部具有边界图案的单位区段15p的点上，与第3实施方式所涉及的第1透明导电 元件1不同。
[0174] 单位区段15p如图17A所示，具有设有规则的形状图案的边界部。通过这样在边 界部设置规则的形状图案，能够抑制边界部的视觉辨认。作为边界部的形状图案，也可采用 与上述第3实施方式相同的图案，但也可以是透明电极部13及透明绝缘部14的规则图案 的图案要素以外的形状。
[0175] 此外，图17A中，示出单位区段15p的第1区段15a及第2区段15b分别由单位区 段13p及单位区段14p的一半构成的例子。分别构成第1区段15a及第2区段15b的单位 区段13p及单位区段14p的大小并不限定于此，而是两者的大小可任意选择。另外，作为第 1区段15a及第2区段15b的规则图案，也可使用与单位区段13p及单位区段14p不同的规 则图案。也可替代第1区段15a及第2区段15b的规则图案，使用随机图案。
[0176] [激光加工装置] 除上述第3实施方式中的第1掩模53及第2掩模54之外，激光加工装置的掩模部42 还具备用于在透明电极部13及透明绝缘部14的边界部制作边界图案的第3掩模。
[0177] 图17B是示出用于在透明电极部13及透明绝缘部14的边界部制作边界图案的 第3掩模的一构成例的平面图。第3掩模55如图17B所示，具备第1区段55a及第2区段 55b，两区段在边界L接合。
[0178] 此外，图17B中，示出第3掩模55的第1区段55a及第2区段55b分别由第1掩 模53及第2掩模54的一半构成的例子。分别构成第1区段55a及第2区段55b的第1掩 模53及第2掩模54的大小并不限定于此，而是两者的大小可任意选择。另外，作为第1区 段55a及第2区段55b的规则图案，也可使用与第1掩模53及第2掩模54不同的规则图 案。也可替代第1掩模53及第2掩模54的规则图案，使用随机图案。
[0179] [透明导电元件的制造方法] 第4实施方式所涉及的第1透明导电元件的制造方法，除了使用上述激光加工装置以 外的情况，与第2实施方式所涉及的第1透明导电元件的制造方法相同。
[0180] 关于第4实施方式除了上述以外的情况，与第2实施方式相同。
[0181] <5.第5实施方式>
[透明导电元件的结构] (透明电极部、透明绝缘部） 图18是示出本技术的第5实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平面图。 第5实施方式所涉及的第1透明导电元件1如图18所示，在具备连续设置的透明导电层12 作为透明电极部13的点上，与第1实施方式所涉及的第1透明导电元件不同。
[0182] 透明电极部13,是没有在第1区域（电极区域）&由孔部13a露出基体材料11的 表面、连续设置的透明导电层(连续膜）12。但是，第1区域（电极区域）&与第2区域(绝缘 区域）R 2的边界部除外。作为连续膜的透明导电层12,优选具有大致一样的膜厚。
[0183] (边界部） 在透明电极部13与透明绝缘部14的边界部，设有随机的形状图案。通过这样在边界 部设置随机的形状图案，能够抑制边界部的视觉辨认。
[0184] 边界部的形状图案包含从由岛部14a的整体及岛部14a的一部分构成的组中选择 的1种以上的形状。具体而言例如，边界部的形状图案包含岛部14a的整体、岛部14a的一 部分或岛部14a的整体及一部分双方。
[0185] 在图18中，示出边界部的形状图案包含岛部14a的一部分的例子。该例中，边界 部所包含的岛部14a的一部分例如具有岛部14a由边界L部分切断的形状，其切断边与透 明绝缘部14侧的边界L相切而设置。
[0186] [透明导电元件的制造方法] 在第4实施方式所涉及的第1透明导电元件1的制造方法中，省略第1激光加工工序， 仅反复进行第2激光加工工序的点上，与第1实施方式所涉及的第1透明导电元件1的制 造方法不同。通过仅反复进行第2激光加工工序，与透明导电层12的第2区域(透明绝缘 部14的形成区域）R 2被构图相对，透明导电层12的第1区域(透明电极部13的形成区域） 札未被构图，透明导电层12作为连续膜残留。
[0187] 关于第5实施方式除了上述以外的情况，与第1实施方式相同。
[0188] <6.第6实施方式>
[透明导电元件的结构] (透明电极部、透明绝缘部） 图19A是示出本技术的第6实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平面 图。第6实施方式所涉及的第1透明导电元件1，在还在透明电极部13及透明绝缘部14的 边界部具备具有边界图案的单位区段15p的点上，与第5实施方式所涉及的第1透明导电 元件1不同。
[0189] 单位区段15p如图19A所示，具有设有随机的形状图案的边界部。通过这样在边 界部设置随机的形状图案，能够抑制边界部的视觉辨认。作为边界部的形状图案，也可采用 与上述第5实施方式同样的图案，但也可以是透明电极部13及透明绝缘部14的规则图案 的图案要素以外的形状。
[0190] 此外，图19A中，示出单位区段15p的第1区段15a及第2区段15b分别由单位区 段13p (由于是连续膜所以是假想的单位区段)及单位区段14p的一半构成的例子。分别构 成第1区段15a及第2区段15b的单位区段13p及单位区段14p的大小并不限定于此，而 是两者的大小可任意选择。另外，作为第2区段15b的规则图案，也可使用与单位区段14p 不同的规则图案。也可替代第2区段15b的随机图案，使用规则图案。
[0191] [激光加工装置] 除上述第5实施方式中的第1掩模53及第2掩模54之外，激光加工装置的掩模部42 还在透明电极部13及透明绝缘部14的边界部具备用于制作边界图案的第3掩模。
[0192] 图19B是示出用于在透明电极部13及透明绝缘部14的边界部制作边界图案的 第3掩模的一构成例的平面图。第3掩模55如图19B所示，具备第1区段55a及第2区段 55b，两区段在边界L接合。
[0193] 此外，图19B中，示出第3掩模55的第1区段55a及第2区段55b分别由第1掩 模53及第2掩模54的一半构成的例子。分别构成第1区段55a及第2区段55b的第1掩 模53及第2掩模54的大小并不限定于此，而是两者的大小可任意选择。另外，作为第2区 段55b的随机图案，也可使用与第2掩模54不同的规则图案。也可替代第2掩模54的随 机图案，使用规则图案。
[0194] [透明导电元件的制造方法] 第6实施方式所涉及的第1透明导电元件的制造方法，除了使用上述激光加工装置以 外的情况，与第5实施方式所涉及的第1透明导电元件的制造方法相同。
[0195] 关于第6实施方式除了上述以外的情况，与第5实施方式相同。
[0196] <7.第7实施方式>
[透明导电元件的结构] 图20A是示出本技术的第7实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平面 图。透明电极部13是具有孔部13a的随机图案的单位区段13p被反复设置的透明导电层 12。具体而言，透明电极部13的结构与第1实施方式中的透明电极部13相同。透明绝缘 部14是具有岛部14a的规则图案的单位区段14p被反复设置的透明导电层12。具体而言， 透明绝缘部14的结构与第3实施方式所涉及的透明绝缘部14相同。
[0197] 如图20B所示，在透明电极部13与透明绝缘部14之间还具备具有边界图案的单 位区段15p也可以。
[0198] 关于第7实施方式除了上述以外的情况，与第1实施方式相同。
[0199] <8.第8实施方式>
[透明导电元件的结构] 图21A是示出本技术的第8实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平面 图。透明电极部13是具有孔部13a的规则图案的单位区段13p被反复设置的透明导电层 12。具体而言，透明电极部13的结构与第3实施方式中的透明电极部13相同。透明绝缘 部14是具有岛部14a的随机图案的单位区段14p被反复设置的透明导电层12。具体而言， 透明绝缘部14的结构与第1实施方式所涉及的透明绝缘部14相同。
[0200] 如图21B所示，在透明电极部13和透明绝缘部14之间还具备具有边界图案的单 位区段15p也可以。
[0201] 关于第8实施方式除了上述以外的情况，与第1实施方式相同。
[0202] < 9.第9实施方式>
[透明导电元件的结构] 图22A是示出本技术的第9实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平面 图。图22B是示出本技术的第9实施方式所涉及的第2透明导电元件的一构成例的平面图。 关于第9实施方式，透明电极部13、透明绝缘部14、透明电极部23及透明绝缘部24的结构 以外，与第1实施方式相同。
[0203] 透明电极部13具备多个焊盘部（单位电极体）13m和将多个焊盘部13m彼此连结 的多个连结部13η。连结部13η在X轴方向延伸，将相邻的焊盘部13m的端部彼此连结。焊 盘部13m与连结部13η被整体地形成。
[0204] 透明电极部23具备多个焊盘部（单位电极体）23m和将多个焊盘部23m彼此连结 的多个连结部23η。连结部23η在Y轴方向延伸，将相邻的焊盘部23m的端部彼此连结。焊 盘部23m与连结部23η被整体地形成。
[0205] 作为焊盘部13m及焊盘部23m的形状，能够使用例如菱形(金刚石形）或矩形等的 多边形状、星形及十字形等，但并没有限定于这些形状。
[0206] 作为连结部13η及连结部23η的形状能够采用矩形状，但连结部13η及连结部23η 的形状只要是可将相邻的焊盘部13m及焊盘部23m彼此连结的形状即可，并未特别限定于 矩形状。作为矩形状以外的形状的例，能够举出线状、长圆状、三角形状、不定形状等。
[0207] 为了进一步提高非视觉辨认性，优选设定将第1透明导电元件（X电极)1与第2透 明导电元件（Y电极）2的双方重叠状态下的两元件的覆盖率的关系。
[0208] 关于第9实施方式除了上述以外的情况，与第1实施方式相同。
[0209] [效果] 依据第9实施方式，能够得到与第1实施方式相同的效果。
[0210] < 10.第10实施方式>
[信息输入装置的结构] 图23是示出本技术的第10实施方式所涉及的信息输入装置的一构成例的截面图。第 10实施方式所涉及的信息输入装置10,在基体材料21的一个主面(第1主面）具备透明导 电层12,在另一个主面(第2主面)具备透明导电层22的点上，与第1实施方式所涉及的信 息输入装置10不同。透明导电层12具备透明电极部和透明绝缘部。透明导电层22具备 透明电极部和透明绝缘部。透明导电层12的透明电极部是在X轴方向延伸的X电极部，透 明导电层22的透明电极部是在Y轴方向延伸的Y电极部。因此，透明导电层12及透明导 电层22的透明电极部处于互相正交的关系。
[0211] 关于第10实施方式除了上述以外的情况，与第1实施方式相同。
[0212] [效果] 依据第10实施方式，能够在第1实施方式的效果之外进一步得到以下的效果。即，在 基体材料21的一个主面设置透明导电层12,在另一个主面设置透明导电层22,因此能够省 略第1实施方式中的基体材料11 (图1)。因此，能够使信息输入装置10进一步薄型化。
[0213] < 11.第11实施方式>
[信息输入装置的结构] 图24A是示出本技术的第11实施方式所涉及的信息输入装置的一构成例的平面图。图 24B是沿图24A所示的A-A线的截面图。信息输入装置10是所谓的投影型静电电容方式触 摸面板，如图24A及图24B所示，具备基体材料11、多个透明电极部13及透明电极部23、透 明绝缘部14以及透明绝缘层51。多个透明电极部13及透明电极部23,设在基体材料11 的相同表面。透明绝缘部14设在基体材料11的面内方向上的透明电极部13及透明电极 部23之间。透明绝缘层51介于透明电极部13及透明电极部23的交叉部间。
[0214] 另外，如图24B所示，根据需要，在形成有透明电极部13及透明电极部23的基体 材料11的表面还具备光学层52也可以。此外，图24A中，省略光学层52的记载。光学层 52具备贴合层56和基体57,基体57经由贴合层56贴合于基体材料11的表面。信息输入 装置10是对于显示装置的显示面适用的合适的装置。基体材料11及光学层52例如对于 可见光具有透明性，其折射率η优选为1. 2以上1. 7以下的范围内。以下，将在信息输入装 置10的表面的面内互相正交的2个方向分别设为X轴方向及Υ轴方向，将垂直于该表面的 方向称作Ζ轴方向。
[0215] (透明电极部） 透明电极部13在基体材料11的表面在X轴方向(第1方向)延伸，与此相对，透明电极 部23在基体材料11的表面朝向Υ轴方向(第2方向)延伸。因此，透明电极部13与透明电 极部23互相正交交叉。在透明电极部13与透明电极部23交叉的交叉部C，介入有用于将 两电极间绝缘的透明绝缘层51。在透明电极部13及透明电极部23的一端分别电连接取出 电极，该取出电极与驱动电路经由FPC (Flexible Printed Circuit :柔性印刷电路）连接。
[0216] 图25A是放大示出图24A所示的交叉部C附近的平面图。图25B是沿图25A所示 的A-A线的截面图。透明电极部13具备多个焊盘部(单位电极体）13m和多个焊盘部13m 彼此连结的多个连结部13η。连结部13η在X轴方向延伸，将相邻的焊盘部13m的端部彼此 连结。透明电极部23具备多个焊盘部(单位电极体）23m和多个焊盘部23m彼此连结的多 个连结部23η。连结部23η在Y轴方向延伸，将相邻的焊盘部23m的端部彼此连结。
[0217] 在交叉部C，连结部23η、透明绝缘层51、连结部13η以此顺序层叠于基体材料11 的表面。连结部13η以横断跨过透明绝缘层51的方式形成，跨过透明绝缘层51的连结部 13η的一端，与相邻的焊盘部13m的一个电连接，跨过透明绝缘层51的连结部13η的另一 端，与相邻的焊盘部13m的另一个电连接。
[0218] 焊盘部23m与连结部23η整体地形成，与此相对，焊盘部13m与连结部13η分别形 成。焊盘部13m、焊盘部23m、连结部23η及透明绝缘部14,例如由设在基体材料11的表面 的单层的透明导电层12构成。连结部13η例如由导电层构成。
[0219] 作为焊盘部13m及焊盘部23m的形状，能够使用例如菱形(金刚石形）或矩形等的 多边形状、星形及十字形等，但并不限定于这些形状。
[0220] 作为构成连结部13η的导电层，能够使用例如金属层或透明导电层。金属层包含 金属作为主成分。作为金属，优选使用导电性高的金属，作为这样的材料，可举出例如Ag、 Al、Cu、Ti、Nb、添加杂质的Si等，但若考虑导电性的高低以及成膜性及印刷性等，则优选 Ag。优选通过使用导电性高的金属作为金属层的材料，从而使连结部13η的宽度变窄，使其 厚度变薄，使其长度变短。由此能够提高视觉辨认性。
[0221] 作为连结部13η及连结部23η的形状能够采用矩形状，但只要连结部13η及连结 部23η的形状是能将相邻的焊盘部13m及焊盘部23m彼此连结的形状即可，并没有特别限 定于矩形状。作为矩形状以外的形状的例子，能够举出线状、长圆状、三角形状、不定形状 等。
[0222] (透明绝缘层） 透明绝缘层51优选具有比连结部13η与连结部23η交叉的部分更大的面积，例如，具 有盖上位于交叉部C的焊盘部13m及焊盘部23m的前端程度的大小。
[0223] 透明绝缘层51包含透明绝缘材料作为主成分。作为透明绝缘材料，优选使用具有 透明性的高分子材料，作为这样的材料，可举出例如聚甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯和 其他烷基（甲基）丙烯酸酯、苯乙烯等这样的与乙烯基单体的共聚物等的（甲基）丙烯酸类树 脂；聚碳酸酯、二甘醇双碳酸丙烯酸酯（CR-39)等的聚碳酸酯类树脂；（溴化)双酚A型二（甲 基）丙烯酸酯的均聚物或共聚物、（溴化）双酚A单（甲基）丙烯酸酯的尿烷改性单体的聚合 物及共聚物等这样的热固化性（甲基）丙烯类树脂；聚酯特别是聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚 萘二甲酸乙二醇酯及不饱和聚酯、丙烯腈一苯乙烯共聚物、聚氯乙烯、聚尿烷、环氧树脂、聚 芳酯、聚醚砜、聚醚酮、环烯经聚合物(商品名：ART0N、ZE0N0R)、环烯经共聚物等。另外，还能 使用考虑了耐热性的芳族聚酰胺类树脂。在此，（甲基）丙烯酸酯意味着丙烯酸酯或甲基丙 稀fe醋。
[0224] 透明绝缘层51的形状在交叉部C介于透明电极部13与透明电极部23之间，只要 是能防止两电极的电接触的形状即可，并没有特别限定，若进行例示，则能够举出四角形等 的多边形、椭圆形、圆形等。作为四角形，可举出例如长方形、正方形、菱形、梯形、平行四边 形、角带有曲率R的矩形状。
[0225] 关于第11实施方式除上述以外的情况，与第1实施方式相同。
[0226] [效果] 依据第11实施方式，除第1实施方式的效果之外进而还能够得到以下的效果。即，在 基体材料11的一个主面设有透明电极部13、23,因此能够省略第1实施方式中的基体材料 21 (图1)。因此，能够使信息输入装置10进一步薄型化。
[0227] < 12.第12实施方式> 第12实施方式所涉及的电子设备，在显示部具备第1?第11实施方式所涉及的信息 输入装置10的任一个。以下，说明本技术的第12实施方式所涉及的电子设备的例子。
[0228] 图26是作为电子设备示出电视机200的例子的外观图。电视机200具备由前面 板202和滤波器玻璃203等构成的显示部201，在该显示部201还具备第1?第11实施方 式所涉及的信息输入装置10的任一个。
[0229] 图27A、图27B是作为电子设备示出数码相机的例子的外观图。图27A是从正面侧 观察数码相机的外观图。图27B是从背面侧观察数码相机的外观图。数码相机210具备闪 光灯用的发光部211、显示部212、菜单开关213、快门按钮214等，在该显示部212具备第 1?第11实施方式所涉及的信息输入装置10的任一个。
[0230] 图28是作为电子设备示出笔记本型个人计算机的例子的外观图。笔记本型个人 计算机220在主体221具备输入字符等时操作的键盘222、显示图像的显示部223等，在该 显示部223具备第1?第11实施方式所涉及的信息输入装置10的任一个。
[0231] 图29是作为电子设备示出摄像机的例子的外观图。摄像机230具备主体部231、 在朝向前方的侧面的拍照对象摄影用的透镜232、摄影时的开始/停止开关233、显示部234 等，在该显示部234具备第1?第11实施方式所涉及的信息输入装置10的任一个。
[0232] 图30是作为电子设备示出便携终端装置的例子的外观图。便携终端装置例如是 便携电话机，具备上侧壳体241、下侧壳体242、连结部(在此为铰接部）243、显示部244,在 该显示部244具备第1?第11实施方式所涉及的信息输入装置10的任一个。
[0233] [效果] 以上说明的第12实施方式所涉及的电子设备，具备第1?第11实施方式所涉及的信 息输入装置10的任一个，因此能够抑制在显示部的信息输入装置10的视觉辨认。
[0234] [实施例] 以下，通过实施例来具体说明本技术，但本技术并没有仅限定于这些实施例。参照附图 的同时按以下的顺序说明本技术的实施例。
[0235] 1.实施例1 (将激光照射面积设为小的例子） 2. 实施例2 (将激光照射面积设为大的例子） 3. 实施例3 (使激光的照射次数变化的例子） 4. 实施例4 (使激光的能量密度变化的例子） 5. 实施例5 (使激光的照射次数或能量密度变化的例子） 6. 实施例6 (构图有非导通部的例子） 7. 实施例7 (将最接近距离设为一定值的例子） 8. 实施例8 (将导电材料覆盖率设为一定值的例子） 9. 比较例8 (将导电材料覆盖率设为一定值、用湿蚀刻进行了加工的例子） 10. 实施例9 (激光构图的高速度化的一个例子） < 1.实施例1 (将激光照射面积设为小的例子）> (实施例1-1?1-7) 首先，利用涂敷法在厚度125 μ m的PET片的表面形成包含银纳米线的透明导电层，从 而得到透明导电片。接着，利用4探针法测定了该透明导电片的表面电阻。此外，作为测定 装置，使用了株式会社三菱化学ANALYTECH制、Loresta-EP，MCP-T360型。其结果，表面电 阻为 200 Ω / □。
[0236] 接着，使用图7所示的激光加工装置，通过激光加工工序(第1激光加工工序)，对 透明导电片的透明导电层进行了构图。具体而言，经由掩模(第1掩模）对透明导电片的透 明导电层照射激光，在透明导电层的表面形成正方形状的激光照射部，并且使激光照射部 沿X轴方向及Y轴方向移动。
[0237] 作为掩模，使用具有点状（圆形状）的多个孔部分开而以随机图案设置在玻璃表面 的遮光层的玻璃掩模。此外，对掩模的结构及激光加工装置的加工倍率进行了调整，使得激 光对于透明导电片的照射面积、透明导电层的孔部的直径的最大值、透明导电层的孔部间 的最接近距离以及透明导电层(透明导电材料）的覆盖率成为表1所示的值。另外，作为激 光使用UV激光(波长248nm的KrF受激准分子激光)，在同一位置进行了 4次激光的照射。 此外，将激光强度调整为200mJ/cm2。
[0238] 通过以上方式，得到作为目的的透明导电片。
[0239] < 2.实施例2 (将激光照射面积设为大的例子）> (实施例2-1?2-6) 除了调整了掩模的结构及激光加工装置的加工倍率，使得激光对于透明导电片的照射 面积、透明导电层的孔部之间直径的最大值、透明导电层的孔部间的最接近距离以及透明 导电层(透明导电材料）的覆盖率成为表1所示的值以外，与实施例1-1?1-7相同而得到 透明导电片。
[0240] < 3.实施例3 (使激光的照射次数变化的例子）> (实施例3-1?3-10) 调整了掩模的结构及激光加工装置的加工倍率，使得激光对于透明导电片的照射面 积、透明导电层的孔部的直径的最大值、透明导电层的孔部间的最接近距离以及透明导电 层(透明导电材料）的覆盖率成为表1所示的值。另外，对每个样本使在同一位置的激光的 照射次数如表1所示地变化。上述以外与实施例1-1?1-7相同而得到透明导电片。
[0241] (图案视觉辨认的评价） 关于如上所述而得到的透明导电片，对点形状(孔部形状）及单位区段形状(格子状）的 图案视觉辨认评价如下。首先，透明导电片的透明导电层侧面经由粘着片以与画面对置的 方式粘合在对角3. 5英寸的液晶显示器上。接着，在透明导电片的基体材料（PET片)侧，经 由粘着片将AR (Anti Reflect:防止反射）膜粘合。随后，使液晶显示器进行黑显示或绿色 显示，通过目视来观察显示面，对点形状及单位区段形状的图案视觉辨认进行了评价。表1 示出其结果。
[0242] 以下示出点形状及单位区段形状的图案视觉辨认的评价基准。
[0243] <点形状的视觉辨认> 〇：不能视觉辨认点形状； X :能视觉辨认点形状。
[0244] <单位区段形状的视觉辨认> 〇：不能视觉辨认单位区段形状； X :能视觉辨认单位区段形状。
[0245] 图31A示出通过显微镜观察实施例1-5的透明导电片表面的结果。图31B示出通 过显微镜观察实施例2-1的透明导电片表面的结果。
[0246] [表 1]

【权利要求】
1. 一种透明导电元件，具备： 具有表面的基体材料，以及 在所述表面平面地交替设置的透明导电部及透明绝缘部， 在所述透明导电部及所述透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位 区段。
2. 如权利要求1所述的透明导电元件，所述透明导电部及所述透明绝缘部的边界部包 含所述随机图案的一部分。
3. 如权利要求2所述的透明导电元件，关于所述单位区段，所述随机图案的图案要素 相切或具有切断的边， 所述边设在所述透明导电部及所述透明绝缘部的边界。
4. 如权利要求1?3的任一项所述的透明导电元件，在所述透明导电部及所述透明绝 缘部的边界部，重复具有边界图案的单位区段。
5. 如权利要求1?4的任一项所述的透明导电元件，所述透明导电部的随机图案是分 开而设置的多个绝缘要素的图案， 所述透明绝缘部的随机图案是分开而设置的多个导电要素的图案。
6. 如权利要求5所述的透明导电元件，所述绝缘要素是孔部， 所述导电要素是岛部。
7. 如权利要求5所述的透明导电元件，所述绝缘要素及所述导电要素具有点状。
8. 如权利要求5所述的透明导电元件，所述绝缘要素具有点状，所述导电要素间的间 隙部具有网状。
9. 如权利要求1?8的任一项所述的透明导电元件，所述透明导电部及所述透明绝缘 部包含金属线。
10. 如权利要求1所述的透明导电元件，在所述透明导电部，透明导电层连续设置， 在所述透明绝缘部，重复具有随机图案的至少1种单位区段。
11. 一种输入装置，具备： 具有第1表面及第2表面的基体材料，以及 在所述第1表面及所述第2表面平面地交替设置的透明导电部及透明绝缘部， 在所述透明导电部及所述透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位 区段。
12. -种输入装置，具备： 第1透明导电元件，以及 在所述第1透明导电元件的表面设置的第2透明导电元件， 所述第1透明导电元件及所述第2透明导电元件具备： 具有表面的基体材料，以及 在所述表面平面地交替设置的透明导电部及透明绝缘部， 在所述透明导电部及所述透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位 区段。
13. -种电子设备，具备： 透明导电元件，包括具有第1表面及第2表面的基体材料以及在所述第1表面及所述 第2表面平面地交替设置的透明导电部及透明绝缘部， 在所述透明导电部及所述透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位 区段。
14. 一种电子设备，具备： 第1透明导电元件，以及 在所述第1透明导电元件的表面设置的第2透明导电元件， 所述第1透明导电元件及所述第2透明导电元件具备： 具有第1表面及第2表面的基体材料，以及 在所述第1表面及所述第2表面平面地交替设置的透明导电部及透明绝缘部， 在所述透明导电部及所述透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位 区段。
15. -种透明导电元件的制造方法，经由具有随机图案的至少1种掩模对基体材料表 面的透明导电层照射光，来反复形成单位区段，从而在所述基体材料表面平面地交替形成 透明导电部及透明绝缘部。
16. 如权利要求15所述的透明导电元件的制造方法，经由具有边界图案的至少1种掩 模对所述基体材料表面的透明导电层照射光，来反复形成单位区段，从而形成所述透明导 电部及所述透明绝缘部的边界部。
17. 如权利要求15所述的透明导电元件的制造方法，一边切换具有随机图案的2种掩 模，一边在所述基体材料表面平面地交替形成透明导电部及透明绝缘部。
18. 如权利要求17所述的透明导电元件的制造方法，所述具有随机图案的2种掩模， 是具有多个遮光要素的随机图案的第1掩模，以及具有多个光透射要素的随机图案的第2 掩模。
19. 一种透明导电层的加工方法，经由具有图案的至少1种掩模对基体材料表面的透 明导电层照射光，来反复形成单位区段，从而在所述基体材料表面平面地交替形成透明导 电部及透明绝缘部。
【文档编号】H01B5/14GK104054140SQ201380006590
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2013年1月24日 优先权日:2012年1月24日
【发明者】井上纯一, 水野干久 申请人:迪睿合电子材料有限公司