半导体构造及形成半导体构造的方法
【专利摘要】一些实施例包含半导体构造。所述构造具有延伸穿过半导体裸片的导电柱。所述柱具有高于所述裸片的背侧表面的上部表面，且具有在所述背侧表面与所述上部表面之间延伸的侧壁表面。光敏材料在所述背侧表面上方且沿着所述侧壁表面。导电材料直接抵靠所述柱的所述上部表面。所述导电材料被配置为所述柱上方的帽。所述帽具有横向向外延伸超出所述柱且环绕所述柱的边缘。所述边缘的整体在所述光敏材料正上方。一些实施例包含形成半导体构造的方法，所述半导体构造具有邻近穿晶片互连件的光敏材料，且具有在所述互连件的上部表面上方且直接抵靠所述上部表面并且直接抵靠所述光敏材料的上部表面的导电材料帽。
【专利说明】半导体构造及形成半导体构造的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体构造及形成半导体构造的方法。
【背景技术】
[0002]集成电路装置(例如存储器裸片)的商业化生产可涉及单个半导体晶片或其它块体半导体衬底上的大量相同电路图案的制作。增加制作于给定大小的半导体衬底上的半导体装置的密度以实现半导体装置的增加的合格率及其增强的性能为半导体制造商的持续目标。
[0003]一种用于增加半导体组合件中的半导体装置的密度的方法为形成通孔(S卩，穿孔)，所述通孔完全延伸穿过半导体裸片；且具体来说，从裸片的作用表面延伸到裸片的相对背侧表面。通孔可填充有导电材料以形成穿衬底互连件(其还可称为穿晶片互连件)。互连件提供从裸片的作用表面到裸片的背侧表面的电路径。穿衬底互连件可电耦合到电触点，所述电触点沿着裸片的背侧且延伸到裸片外部的电路组件。在一些应用中，裸片可并入到一个三维多芯片模块(3-DMCM)中，且裸片外部的电路组件可由另一半导体裸片及/或由载体衬底构成。
[0004]已揭示用于形成半导体衬底中的穿衬底互连件的各种方法。例如，第7，855，140号、第7，626, 269号及第6，943, 106号美国专利描述可用于形成穿衬底互连件的实例性方法。
[0005]可在形成到穿衬底互连件的连接期间遇到各种问题。因此，开发形成到穿衬底互连件的连接的新方法及开发新的穿衬底互连件架构为合意的。
【专利附图】
【附图说明】
[0006]图1到7是实例性实施例方法的各个过程阶段处的构造的一部分的图解性横截面图。
[0007]图3A、5A及7A分别是图3、5及7的构造的俯视图；其中图3、5及7的视图分别沿着图3A的线3-3、图5A的线5-5及图7A的线7_7。
[0008]图8到10是另一实例性实施例方法的各个过程阶段处的构造的一部分的图解性横截面图。
[0009]图1OA是图10的构造的俯视图；其中图10的视图沿着图1OA的线10-10。
[0010]图11是根据另一实例性实施例的作为图3的过程阶段的替代方案的过程阶段处的构造的一部分的图解性横截面图。
[0011]图12是根据实例性实施例的继图11的过程阶段之后的过程阶段处的构造的一部分的图解性横截面图。
【具体实施方式】
[0012]在一些实施例中，本发明包含其中在导电柱(在一些方面中，其可为穿晶片互连件)上方提供光敏材料且接着将光敏材料图案化以在所述柱上方形成开口的方法。随后，可在开口内及在光敏材料上方形成凸块下冶金(UBM)。光敏材料可在完成的构造中保持作为UBM的导电材料下方的绝缘材料。一些实施例包含包括邻近导电柱的光敏材料且包括在所述柱上方并延伸到光敏材料上方的导电帽的构造。
[0013]参考图1到12描述实例性实施例。
[0014]参考图1，半导体构造10展示为包括多个导电柱20到22，导电柱20到22延伸到半导体基底12中。在一些实施例中，基底12可对应于半导体裸片。此裸片具有背侧14及前侧16。集成电路(未展示)可与前侧相关联，且提供虚线17以图解性地图解说明裸片内的电路的大致边界。集成电路可包括存储器(例如，NAND、DRAM等)，逻辑等。虽然集成电路可主要与前侧相关联，但在一些实施例中，还可存在与背侧相关联的集成电路。
[0015]在图1的处理阶段处，背侧具有表面15且此背侧表面高于柱。基底还将具有前侧表面，且在一些实施例中，柱20到22可完全穿过裸片，使得柱具有沿着裸片的前侧表面的表面。在图1中未图解说明前侧表面。在图1的处理阶段处，裸片的前侧表面可连结到载体晶片(未展示)。
[0016]基底12可包括单晶硅，且可称为半导体衬底或称为半导体衬底的一部分。术语“半导电衬底”、“半导体构造”及“半导体衬底”意指包括半导电材料的任何构造，包含(但不限于)例如半导电晶片的块体半导电材料(单独地或在包括其它材料的组合件中)及半导电材料层(单独地或在包括其它材料的组合件中)。术语“衬底”指任何支撑结构，包含(但不限于)上文所描述的半导电衬底。
[0017]导电柱20到22可包括任何适合导电组合物或组合物的组合。在一些实施例中，所述柱可包括形成于穿衬底通孔(TSV)内的一或多种导电组合物。在一些实施例中，所述柱可包括铜。
[0018]电介质材料18围绕柱20到22延伸，且使所述柱与基底12电绝缘。所述电介质材料可包括任何适合组合物或组合物的组合；包含(举例来说)二氧化硅、氮化硅等。在一些实施例中，所述柱可包括铜，且铜势垒材料(例如，含钌材料)可介于所述柱的铜与电介质材料18之间。
[0019]参考图2，构造10经受研磨及/或其它适当处理以使背侧表面15形成为跨越柱20到22及基底12延伸的平面化表面。
[0020]参考图3，半导体材料12经受浮雕蚀刻，所述浮雕蚀刻使背侧表面15相对于柱20到22凹入。例如，如果半导体材料12包括沿着背侧14的硅、基本上由其组成或由其组成，那么可利用氟碳及/或氧化剂进行浮雕蚀刻。
[0021]图3的柱20到22具有高于背侧表面15的顶部表面,且具有从顶部表面延伸到背侧表面15的侧壁表面。例如，导电柱20展不为包括顶部表面25,且包括从顶部表面25延伸到基底12的背侧表面15的侧壁表面23。
[0022]柱20到22可具有任何适合配置。例如，图3A展示图3的俯视图且展示所述柱可在一些实施例中为圆柱形支柱。图3A的俯视图还展示图3的侧壁23可为完全围绕柱20延伸的连续侧壁的部分。
[0023]虽然图3的处理阶段展示已从沿着柱的在高于背侧表面15的区域中的侧壁移除电介质材料18，但在其它实施例中，所述电介质材料可保持沿着柱的此类侧壁。下文参考图11描述此类其它实施例的实例。
[0024]参考图4，光敏材料30形成于裸片12的背侧表面15上方及柱20到22上方。在所展示的实施例中，光敏材料30直接接触裸片12的半导体材料，且直接接触柱20到22的沿着所述柱的顶部(例如，柱20的顶部25)及沿着所述柱的侧壁(例如，柱20的侧壁23)的导电材料。如果柱包括铜，那么光敏材料30可在一些实施例中直接接触沿着柱的顶部及侧壁的铜。在其它实施例中，光敏材料可通过铜势垒材料(例如，含钌材料)与沿着柱的侧壁的铜间隔开。在一些实施例中，可在形成光敏材料30之前跨越背侧表面15提供电介质材料(下文参考图11论述为材料80)，且因此光敏材料可通过电介质材料与裸片12的背侧表面间隔开。
[0025]光敏材料30可包括任何适合组合物，且优选地包括适合于在完成的构造中保持的电介质组合物。在一些实施例中，光敏材料包括选自由以下各项组成的群组的一或多种材料:含硅氧烷材料、含环氧丙烯酸酯材料、含聚酰亚胺材料及含聚(苯并恶唑)材料。
[0026]在一些实施例中，光敏材料可为光可成像旋涂电介质。而且，光敏材料可为可在小于或等于约200°C的温度下沉积的材料。利用低温度来沉积光敏材料可为有利的，这是因为用以将裸片附着到载体晶片的接合粘合剂可经配置以在暴露于超过约200°C的温度后即刻释放裸片。
[0027]光敏材料30的利用有利地提供一种材料，所述材料通过随后暴露于电磁辐射而容易地图案化，且所述材料又可在完成的半导体构造中保持作为电介质材料。出于解释本发明及所附权利要求书的目的，“光敏材料”为在暴露于电磁辐射后即刻改变以使得可相对于未暴露区域选择性地移除经暴露区域(或反之亦然)的材料。可利用显影剂溶液进行经暴露区域相对于未暴露区域的选择性移除(或反之亦然)。
[0028]参考图5及5A，光敏材料30为经光图案化的。此光图案化可包括将光敏材料暴露于经图案化电磁辐射且接着利用显影剂来相对于未暴露区域选择性地移除经暴露区域(或反之亦然)的常规方法。光敏材料的光图案化暴露柱20到22的上部表面(例如，暴露柱20的上部表面25)，且留下光敏材料30的在柱之间的区域。在所展示的实施例中，光敏材料30经图案化以形成围绕柱中的每一者的凹入区域32，其中除暴露柱的顶部表面以外此类凹入区域还暴露柱的侧壁(例如，柱20的侧壁23)。在一些实施例中，可将凹入区域32视为薄区域，且可将图5的经光图案化材料30视为包括在此类薄区域之间延伸的厚区域31。厚区域具有厚度T1且薄区域具有厚度T2。在所展示的实施例中，柱20到22的上部表面(例如，柱20的上部表面25)高于薄区域32的光敏材料30。厚度T2可在一些实施例中小于或等于厚度T1的约一半。
[0029]参考图6，导电材料40跨越材料30及柱20到22而形成。在所展示的实施例中，导电材料40直接抵靠柱20到22的顶部表面(例如，柱20的顶部表面25)，且还直接抵靠此类柱的侧壁表面(例如，柱20的侧壁表面23)。导电材料40还直接抵靠光敏材料30的上部表面。在一些实施例中，柱20到22可包括铜且铜势垒材料(例如，含钌材料)可沿着柱的侧壁。在此类实施例中，导电材料40可沿着邻近柱的侧壁的铜势垒材料，而非直接抵靠柱的铜。
[0030]在一些实施例中，导电材料40可用作用于铜的后续电解生长的种子材料。在此类实施例中，材料40可(举例来说)包括钛与铜的混合物、基本上由其组成或由其组成。
[0031]经图案化遮蔽材料42形成于导电材料40上方。在一些实施例中，经图案化遮蔽材料42可包括以光学光刻方式图案化的光致抗蚀剂。经图案化遮蔽材料42具有延伸穿过其的开口 43到45。所述开口在柱20到22正上方，且在光敏材料30的薄区域32的部分的正上方O
[0032]导电材料46及48形成于开口 43到45内。在一些实施例中，材料46可包括以电解方式生长于导电材料40上方的铜，且材料48可包括以电解方式生长于材料46上方的镍或钯。虽然在所展示的实施例中两种材料46及48形成于开口 43到45内，但在其它实施例中单个导电材料可形成于开口内，或两种以上材料可形成于此类开口内。例如，镍及钯两者可在一些实施例中形成于含铜材料46上方。材料46及48可最终并入到凸块下冶金(UBM)中，且因此可在一些实施例中包括适合于用于UBM中的常规组合物。
[0033]参考图7及7A，遮蔽材料42 (图6)被移除，且随后材料48在材料40的蚀刻期间用作硬掩模。图7及7A的构造可视为包括多个导电帽50到52，导电帽50到52由材料40组合材料46及48形成。帽50到52与柱20到22为——对应，且可最终对应于用于电耦合焊料球或其它布线组件(未展示)与柱的UBM。
[0034]帽50到52可具有任何适合形状，且图7A展示其中帽为圆形的实施例。在图7A中以虚线展示柱20到22以指示此类柱在帽50到52下面。
[0035]图7展示帽50到52的导电材料直接抵靠柱20到22的上部表面，且还沿着柱的侧壁表面。具体来说，在所展示的实施例中，帽的导电材料40直接抵靠柱的上部表面及侧壁表面。图7还展示帽具有横向向外延伸超出柱且环绕柱的边缘(例如，帽51展示为具有从柱21横向向外且环绕所述柱的边缘55)。在所展示的实施例中，帽的此类边缘完全在光敏材料30正上方。在所展示的实施例中，光敏材料30的在帽的边缘正下方的区域具有低于柱20到22的上部表面的上部表面。
[0036]在所展示的实施例中，帽50到52的边缘覆盖光敏材料30的薄区域32的部分，且不覆盖薄区域32的其它部分(即，第二厚度区域32的一些部分向外延伸超出帽50到52的边缘)。在所展示的实施例中，帽的导电材料的边缘(例如，帽51的边缘55)的整体直接抵靠光敏材料30。在其它实施例(未展示)中，电介质材料(例如，二氧化硅或氮化硅)可提供于帽的导电材料与光敏材料30之间。
[0037]图8到10图解说明将光敏材料并入到形成导电帽的过程中的另一实例性实施例方法，所述导电帽在导电柱上方且与导电柱电耦合。图8展示一些实施例中的可在图4的处理阶段之后的处理阶段处的构造10a。
[0038]图8的构造1a包括跨越裸片12的背侧表面15的光敏材料30。所述材料经图案化以形成延伸穿过所述材料到达柱20到22的上部表面的多个开口 60到62。经图案化材料30具有邻近柱20到22的薄区域64，且具有在薄区域之间的厚区域63。在所展示的实施例中，薄区域具有与柱20到22的上部表面大致共面的上部表面。在一些实施例中，一些薄区域可具有高于或低于邻近柱的上部表面的表面以使得薄区域中的仅一些区域具有与邻近柱的上部表面大致共面的表面。
[0039]虽然在所展示的实施例中开口 60到62比柱20到22宽，但在其它实施例中开口可与柱的宽度相当，且在又一些实施例中开口可比柱窄以使得仅暴露柱的上部表面的部分。
[0040]参考图9，导电材料40跨越材料30及柱20到22而形成。在所展示的实施例中，导电材料40直接抵靠柱20到22的顶部表面，且直接抵靠光敏材料30的上部表面。
[0041]经图案化遮蔽材料42形成于导电材料40上方。经图案化遮蔽材料具有延伸穿过其的开口 70到72。开口在柱20到22正上方，且在光敏材料30的邻近柱的部分的正上方。
[0042]导电材料66形成于开口 70到72内。在一些实施例中，材料66可包括上文参考图6所描述的材料46及48，且可最终并入到凸块下冶金(UBM)中。
[0043]参考图10及10A，遮蔽材料42 (图9)被移除，且随后材料66在材料40的蚀刻期间用作硬掩模。图10及1A的构造可视为包括由材料40组合材料66形成的多个导电帽74到76。帽74到76与柱20到22为——对应，且可最终对应于用于电耦合焊料球或其它布线组件(未展示)与柱的UBM。
[0044]帽74到76可具有任何适合形状，且图1OA展示其中帽为圆形的实施例。在图1OA中以虚线展示柱20到22以指示此类柱在帽74到76下面。
[0045]图10展示帽74到76的导电材料直接抵靠柱20到22的上部表面，且还展示帽具有横向向外延伸超出柱且环绕柱的边缘(例如，帽75展示为具有从柱21横向向外且环绕所述柱的边缘77)。在所展示的实施例中，帽的此类边缘完全在光敏材料30正上方。在所展示的实施例中，光敏材料30的在帽的边缘正下方的区域具有高于柱20到22的上部表面的上部表面。
[0046]图11及12图解说明将光敏材料并入到形成导电帽的过程中的另一实例性实施例方法，所述导电帽在导电柱上方且与导电柱电耦合。图11展示可作为上文参考图4所描述的处理阶段的替代方案的处理阶段处的构造10b。材料30形成于裸片12的背侧表面15上方。然而，材料30通过电介质材料80与裸片12的背侧表面间隔开，而非直接抵靠此背侧表面。电介质材料80可包括任何适合材料，且可(举例来说)包括氮化硅、氧化硅等、基本上由其组成或由其组成。电介质材料80可用于除由光敏材料30单独提供的保护及/或电绝缘以外还提供对裸片12的半导体材料的额外保护及/或电绝缘。
[0047]图11的实施例与图4的实施例的不同还在于:电介质材料18展示为沿着柱20到22的高于裸片12的背侧表面15的侧壁表面延伸(例如，电介质材料18展示为沿着柱20的侧壁表面23延伸)。虽然在图11的实施例中展示为沿着柱的高于背侧15的侧壁的为电介质18，但(另外或替代地)可在其它实施例中存在沿着柱的此类侧壁的导电材料。例如，如果柱包括铜，那么可存在沿着柱的高于背侧表面15的侧壁的铜势垒材料(例如，含钌材料)。
[0048]参考图12，展示类似于上文参考图7所描述的处理阶段的处理阶段处的构造10b。因此，材料30已图案化成厚区域31及薄区域32，且导电帽已形成于薄区域上方且直接抵靠柱20到22的上部表面。所述帽包括导电材料40、46及48且可对应于UBM冶金。图12的构造类似于上文参考图7所描述的构造。所述构造与图7的构造的不同在于:电介质材料80介于光敏材料30与裸片12之间。所述构造与图7的构造的不同还在于:导电材料40不直接抵靠柱20到22的侧壁表面(例如，柱20的侧壁表面23)，而是通过材料18与此类侧壁表面间隔开。
[0049]与现有技术方法相比，本文中所描述的实施例中的一些实施例可有利地相对易于并入到现有制作过程中，这是因为此类实施例可利用在半导体制作设施中已存在的工具(例如光处理工具等)。在一些实施例中，上文所描述的光敏材料30可为光可成像旋涂电介质。此类材料可具有小于或等于I微米的光敏分辨率，且可具有充足热阻以容许可在裸片封装过程期间利用的高温度堆叠程序。一些实施例可相对于现有技术过程实现减小的跨越晶片的穿厚度变化(TTV)。
[0050]图式中的各种实施例的特定定向仅出于图解说明的目的，且实施例可在一些应用中相对于所展示的定向旋转。本文中所提供的说明及所附权利要求书涉及在各种特征之间具有所描述关系的任何结构，而不管结构是处于图式的特定定向中还是相对于此定向旋转。
[0051]所附图解说明的横截面图仅展示横截面的平面内的特征，且为了简化图式不展示横截面的平面背后的材料。
[0052]当上文称一结构“在”另一结构“上”或“抵靠着”另一结构时，其可直接在所述另一结构上或还可存在介入结构。相比来说，当称一结构“直接在”另一结构“上”或“直接抵靠”另一结构时，不存在介入结构。当称一结构“连接”或“耦合”到另一结构时，其可直接连接或耦合到所述另一结构，或可存在介入结构。相比来说，当称一结构“直接连接”或“直接耦合”到另一结构时，不存在介入结构。
[0053]在一些实施例中，一种半导体构造包括延伸穿过半导体裸片的导电柱。所述柱具有高于所述裸片的背侧表面的上部表面，且具有在所述背侧表面与所述上部表面之间延伸的侧壁表面。光敏材料在所述背侧表面上方且沿着所述侧壁表面。导电材料直接抵靠所述柱的所述上部表面。所述导电材料被配置为所述柱上方的帽。所述帽具有横向向外延伸超出所述柱且环绕所述柱的边缘。所述边缘的整体在所述光敏材料正上方。
[0054]在一些实施例中，一种半导体构造包括延伸穿过半导体裸片的多个导电柱。所述柱具有高于所述裸片的背侧表面的上部表面，且具有在所述背侧表面与所述上部表面之间延伸的侧壁表面。光敏材料在所述背侧表面上方且沿着所述侧壁表面。导电材料帽直接抵靠所述柱的所述上部表面且在所述光敏材料的邻近所述柱的区域的正上方。所述光敏材料具有在介于所述帽之间的区域中的第一厚度且具有在所述帽正下方的区域中的第二厚度。所述第二厚度小于所述第一厚度。所述第二厚度区域的上部表面低于所述柱的所述上部表面。
[0055]在一些实施例中，一种半导体构造包括延伸穿过半导体裸片的多个导电柱。所述柱具有高于所述裸片的背侧表面的上部表面，且具有在所述背侧表面与所述上部表面之间延伸的侧壁表面。光敏材料在所述背侧表面上方且沿着所述侧壁表面。导电材料帽直接抵靠所述柱的所述上部表面且在所述光敏材料的邻近所述柱的区域的正上方。所述光敏材料具有在介于所述柱之间的区域中的第一厚度且具有在邻近所述柱的区域中的第二厚度。所述第二厚度小于所述第一厚度。所述第一厚度区域的上部表面高于所述柱的所述上部表面。
[0056]在一些实施例中，一种形成半导体构造的方法包括:跨越多个穿晶片互连件形成光敏材料；及对所述光敏材料进行光图案化以暴露所述互连件的上部表面，同时留下所述光敏材料的在所述互连件之间的区域。所述方法还包括直接抵靠所述互连件的所述所暴露上部表面且直接抵靠所述光敏材料形成导电材料。所述导电材料形成在所述互连件上方的帽，其中所述帽具有横向向外延伸超出所述互连件且环绕所述互连件的边缘。所述边缘完全在所述光敏材料正上方。
【权利要求】
1.一种半导体构造，其包括: 导电柱，其延伸穿过半导体裸片；所述柱具有高于所述裸片的背侧表面的上部表面，且具有在所述背侧表面与所述上部表面之间延伸的侧壁表面； 光敏材料，其在所述背侧表面上方且沿着所述侧壁表面；及 导电材料，其直接抵靠所述柱的所述上部表面；所述导电材料被配置为所述柱上方的帽；所述帽具有横向向外延伸超出所述柱且环绕所述柱的边缘；所述边缘的整体在所述光敏材料正上方。
2.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述光敏材料的在所述帽的所述边缘正下方的上部表面低于所述柱的上部表面。
3.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述光敏材料的邻近所述柱的上部表面与所述柱的上部表面大致共面。
4.根据权利要求3所述的半导体构造，其中所述光敏材料的在所述帽的所述边缘正下方的上部表面高于所述柱的上部表面。
5.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述导电材料的所述边缘的所述整体直接抵靠所述光敏材料。
6.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述光敏材料包括选自由以下各项组成的群组的一或多种材料:含硅氧烷材料、含环氧丙烯酸酯材料、含聚酰亚胺材料及含聚(苯并恶唑)材料。
7.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述光敏材料直接抵靠所述半导体裸片的半导体材料。
8.根据权利要求1所述的半导体构造，其中一或多种电绝缘材料介于所述光敏材料与所述半导体裸片的半导体材料之间。
9.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述光敏材料直接抵靠所述柱的所述侧壁表面。
10.根据权利要求1所述的半导体构造，其中一或多种电绝缘材料介于所述光敏材料与所述柱的侧壁表面之间。
11.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述柱包括铜；且其中一或多种铜势垒材料介于所述光敏材料与所述柱的所述铜之间。
12.—种半导体构造，其包括: 多个导电柱，其延伸穿过半导体裸片；所述柱具有高于所述裸片的背侧表面的上部表面，且具有在所述背侧表面与所述上部表面之间延伸的侧壁表面； 光敏材料，其在所述背侧表面上方且沿着所述侧壁表面； 导电材料帽，其直接抵靠所述柱的所述上部表面且在所述光敏材料的邻近所述柱的区域的正上方；且 所述光敏材料具有在介于所述帽之间的区域中的第一厚度及在所述帽正下方的区域中的第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；所述第二厚度区域的上部表面低于所述柱的所述上部表面。
13.根据权利要求12所述的半导体构造，其中所述第二厚度区域向外延伸超出所述帽的边缘。
14.根据权利要求12所述的半导体构造，其中二氧化硅介于所述光敏材料与所述导电柱的侧壁表面之间。
15.根据权利要求12所述的半导体构造，其中所述导电柱包括铜；且其中一或多种含钌材料介于所述光敏材料与所述导电柱的所述铜之间。
16.一种半导体构造，其包括: 多个导电柱，其延伸穿过半导体裸片；所述柱具有高于所述裸片的背侧表面的上部表面，且具有在所述背侧表面与所述上部表面之间延伸的侧壁表面； 光敏材料，其在所述背侧表面上方且沿着所述侧壁表面； 导电材料帽，其直接抵靠所述柱的所述上部表面且在所述光敏材料的邻近所述柱的区域的正上方；且 所述光敏材料具有在介于所述柱之间的区域中的第一厚度及在邻近所述柱的区域中的第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；所述第一厚度区域的上部表面高于所述柱的所述上部表面。
17.根据权利要求16所述的半导体构造，其中所述第二厚度区域的上部表面与所述导电柱中的至少一些导电柱的上部表面大致共面。
18.根据权利要求16所述的半导体构造，其中所述帽具有在所述光敏材料的所述第一厚度区域上方的边缘。
19.一种形成半导体构造的方法，其包括: 跨越多个穿晶片互连件形成光敏材料； 对所述光敏材料进行光图案化以暴露所述互连件的上部表面，同时留下所述光敏材料的在所述互连件之间的区域；及 直接抵靠所述互连件的所述所暴露上部表面且直接抵靠所述光敏材料形成导电材料；所述导电材料形成在所述互连件上方的帽，其中所述帽具有横向向外延伸超出所述互连件且环绕所述互连件的边缘；所述边缘完全在所述光敏材料正上方。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述光敏材料的在所述帽的所述边缘正下方的上部表面低于所述互连件的所述上部表面。
21.根据权利要求19所述的方法，其中所述光敏材料的邻近所述互连件的上部表面与所述互连件中的至少一些互连件的所述上部表面大致共面。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述光敏材料的在所述帽的边缘正下方的上部表面高于所述互连件的所述上部表面。
23.根据权利要求19所述的方法，其中所述导电材料的所述边缘直接抵靠所述光敏材料。
24.根据权利要求19所述的方法，其中所述光敏材料包括选自由以下各项组成的群组的一或多种材料:含硅氧烷材料、含环氧丙烯酸酯材料、含聚酰亚胺材料及含聚(苯并恶唑)材料。
25.根据权利要求19所述的方法，其中将所述光敏材料形成为直接抵靠所述半导体裸片的半导体材料。
26.根据权利要求19所述的方法，其中将所述光敏材料形成为通过一或多种电绝缘材料与所述半导体裸片的半导体材料间隔开。
【文档编号】H01L23/488GK104335335SQ201380027208
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2013年4月25日 优先权日:2012年5月22日
【发明者】孙洋洋, 兰德尔·S·帕克, 杰斯皮德·S·甘德席, 李劲 申请人:美光科技公司