半导体结构及其制法
【技术领域】
[0001]本发明有关于一种半导体结构及其制法，尤指一种于半导体晶片上具有金属柱的半导体结构及其制法。
【背景技术】
[0002]随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能与微型化(miniaturizat1n)的趋势。为了满足半导体封装件微型化的封装需求，遂发展出许多封装技术。
[0003]图1A至图1G所示者，为现有封装结构的制法的剖视图。
[0004]如图1A所示，提供具有相对的作用面10a与非作用面10b的半导体晶片10，该作用面10a上具有多个电极垫101，于该电极垫101与作用面10a上形成具有多个钝化层开孔110的钝化层11，各该钝化层开孔110对应外露各该电极垫101，于该钝化层11与电极垫101上依序形成做为凸块底下金属层(Under Bump Metallurgy,简称UBM) 12的钛层121与铜层122，于该铜层122上形成具有多个阻层开孔130的阻层13，各该阻层开孔130的位置对应各该钝化层开孔110及其周缘。
[0005]如图1B所示，于各该阻层开孔130中电镀形成铜凸块14。
[0006]如图1C所示，移除该阻层13及其所覆盖的该钛层121与铜层122。
[0007]如图1D所示，藉由粘着层15将该半导体晶片10以其非作用面10b接置于一承载板16的凹槽160的底面上。
[0008]如图1E所示，于该承载板16上形成包覆该半导体晶片10与铜凸块14的封装胶体17。
[0009]如图1F所示，形成多个封装胶体开孔170，各该封装胶体开孔170对应外露各该铜凸块14。
[0010]如图1G所示，于各该封装胶体开孔170中的铜凸块14上形成导电盲孔18，后续再于该封装胶体17与导电盲孔18上形成电性连接该半导体晶片10的线路重布层(未图示)Ο
[0011]惟，由于现有为于阻层开孔中电镀形成多个铜凸块，而此制作方法所形成的铜凸块容易高度不一，导致后续连接该铜凸块时发生电性接触不良现象；此外，形成对应外露该铜凸块的封装胶体开孔时亦容易发生对位有所偏差，进而使后续对于该铜凸块的电性接触不良，并降低产品良率。
[0012]因此，如何避免上述现有技术中的种种问题，实为目前业界所急需解决的课题。
【发明内容】
[0013]有鉴于上述现有技术的缺失，本发明提供一种半导体结构及其制法，能有效提升产品良率。
[0014]本发明的半导体结构，包括:半导体晶片，具有非作用面与相对该非作用面的作用面，该作用面上形成有多个金属柱，该金属柱与作用面之间及该金属柱的侧表面上形成有凸块底下金属层。
[0015]本发明还提供一种半导体结构的制法，包括:于承载板上接置具有相对的作用面与非作用面的半导体晶片，令该非作用面连接该承载板，该作用面上形成有多个金属柱，该金属柱与作用面之间及该金属柱的侧表面上形成有凸块底下金属层；以及于该承载板上形成封装胶体，以包覆该半导体晶片，该封装胶体的表面齐平于该金属柱的端面。
[0016]本发明还提供一种半导体结构的制法，包括:于半导体晶片的作用面上形成具有开孔的介电层，并令该作用面外露于该介电层的开孔；于该介电层、开孔孔壁与外露于该开孔中的作用面上形成凸块底下金属层；于该凸块底下金属层上形成金属层；移除高于该介电层的金属层与凸块底下金属层，以于该作用面上形成多个金属柱；令该半导体晶片的相对于该作用面的非作用面连接承载板；以及于该承载板上形成封装胶体，以包覆该半导体晶片，该封装胶体的表面齐平于该金属柱的端面。
[0017]由上可知，本发明先形成外露电极垫的介电层，接着形成凸块底下金属层与金属层，再移除该凸块底下金属层与金属层的部分厚度，所以能避免现有金属柱高度不均的情况；再者，本发明是将半导体晶片接置于承载板上后，再形成包覆该半导体晶片与金属柱的封装胶体，然后研磨移除该封装胶体与金属柱的部分厚度以外露该金属柱，因此本发明无需如现有般形成外露该金属柱的封装胶体开孔，所以可避免现有的对位偏差问题，且不会受到半导体晶片的厚度不一致及粘着层的厚度不一致的影响。
【附图说明】
[0018]图1A至图1G所示者为现有封装结构的制法的剖视图；
[0019]图2A至图21所示者为本发明的半导体结构的制法的第一实施例的剖视图；以及
[0020]图3A至图3D所示者为本发明的半导体结构的制法的第二实施例的剖视图。
[0021]符号说明
[0022]10,20半导体晶片
[0023]10a、20a作用面
[0024]10b>20b非作用面
[0025]101、201电极垫
[0026]11,21钝化层
[0027]110、210钝化层开孔
[0028]12、23凸块底下金属层
[0029]121、231钛层
[0030]122、232铜层
[0031]13阻层
[0032]130阻层开孔
[0033]14铜凸块
[0034]15、25粘着层
[0035]16、26承载板
[0036]160、260凹槽
[0037]17、27封装胶体
[0038]170封装胶体开孔
[0039]18导电盲孔
[0040]22介电层
[0041]220开孔
[0042]24金属层
[0043]24’金属柱
[0044]28线路重布层
[0045]29绝缘保护层
[0046]30焊球。
【具体实施方式】
[0047]以下藉由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
[0048]须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用于配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用于限定本发明可实施的限定条件，所以不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的用语也仅为便于叙述的明了，而非用于限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本发明可实施的范畴。
[0049]第一实施例
[0050]图2A至图21所示者，为本发明的半导体结构的制法的第一实施例的剖视图。
[0051]如图2A所示，提供具有相对的作用面20a与非作用面20b的半导体晶片20，该作用面20a上具有多个电极垫201，于该电极垫201与作用面20a上形成具有多个钝化层开孔210的钝化层21，各该钝化层开孔210对应外露各该电极垫201，于该钝化层21上形成具有多个开孔220的介电层22，令各该开孔220对应外露各该电极垫201，该介电层22可为感光性绝缘层或光阻。
[0052]如图2B所示，于该介电层22、开孔220孔壁与开孔220中的电极垫201上依序形成做为凸块底下金属层(Under Bump Metallurgy,简称UBM) 23的钛层231与铜层232。
[0053]如图2C所示，于该铜层232上形成金属层24，形成该金属层24的材质可为铜。
[0054]如图2D所不，以例如研磨方式移除高于该介电层22的金属层24与凸块底下金属层23，而于该电极垫201上留下金属柱24’，且该金属柱24’与作用面20a之间及该金属柱24’的侧表面上形成有该凸块底下金属层23,该介电层22包覆该金属柱24’与凸块底下金属层23，且齐平于该金属柱24’的端面；此时可视需要移除该介电层22 (未图示此情况