密封用片、以及使用了该密封用片的半导体装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及密封用片、W及使用了该密封用片的半导体装置的制造方法。
【背景技术】
[0002] W往，作为半导体装置的制造方法，已知有在将固定于基板等上的1个或多个半导 体忍片用密封树脂密封后、将密封体切割为半导体装置单元的封装件的方法。作为此种密 封树脂，例如已知有热固性树脂片(例如参照专利文献1)。
[0003] 现有技术文献
[0004] 专利文献
[0005] 专利文献1:日本特开2006-19714号公报
【发明内容】
[0006] 发明所要解决的问题
[0007] 在如上所述的半导体装置的制造方法中制造半导体装置的情况下，优选对密封树 脂进行激光标记，W便可W将密封体、半导体装置彼此识别。然而，由于密封树脂是用于进 行密封的物质，因此有时会缺乏激光标记性。
[0008] 本发明是鉴于上述的问题而完成的，其目的在于，提供激光标记性优异的密封用 片、W及使用了该密封用片的半导体装置的制造方法。
[0009] 用于解决问题的方法
[0010] 本申请发明人等发现，通过采用下述的构成，就可W解决所述的问题，从而完成了 本发明。
[0011] 目P，本发明提供一种在电子器件的密封中使用的热固性的密封用片，其特征在于，
[0012] 一个面的表面粗糖度(Ra)为3皿W下。
[0013] 根据本发明的密封用片，一个面的表面粗糖度(Ra)为3皿W下。由于所述一个面平 坦到表面粗糖度(Ra)为3wiiW下，因此该一个面的激光标记性优异。另外，由于所述一个面 平坦到表面粗糖度(Ra)为3wiiW下，因此外观性优异。另外，由于所述一个面平坦到表面粗 糖度(Ra)为3WI1W下，因此在不能进行磨削等处理的情况下，容易进行借助吸附夹头(吸着 3レ外)的吸附。其结果是，可W抑制搬送错误。
[0014] 本发明中，所述表面粗糖度(Ra)既可W在固化前为3曲iW下，也可W在固化后为化 mW下，还可W在固化前及固化后为3皿W下。
[001引即，本发明包括：
[0016] (1)所述表面粗糖度(Ra)在固化前为3wiiW下并且在固化后不是3wiiW下的情况、
[0017] (2)所述表面粗糖度(Ra)在固化后为3wiiW下并且在固化前不是3wiiW下的情况、 W及
[001引（3)所述表面粗糖度(Ra)在固化前为3皿W下并且在固化后为3皿W下的情况。 [0019]在所述构成中，优选在所述一个面侧添加有着色剂。如果在所述一个面侧添加有 着色剂，则可W进一步提高被激光标记了的部分的观察性。
[0020] 另外，本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
[0021] 具有：
[0022] 工序A，将电子器件倒装忍片式接合在半导体晶片的电路形成面;和
[0023] 工序B，将倒装忍片式接合在所述半导体晶片上的所述电子器件埋入密封用片中 而形成密封体，
[0024] 所述密封用片的与所述半导体晶片相面对的面的相反一面的表面粗糖度(Ra)为3 皿W下。
[0025] 根据本发明的半导体装置的制造方法，将电子器件埋入密封用片而得的密封体的 表面(与半导体晶片相面对的面的相反一面)的表面粗糖度(Ra)为3wiiW下。由于所述密封 体的表面平坦到表面粗糖度(Ra)为3wiiW下，因此激光标记性优异。另外，所述密封体的表 面平坦到所述表面粗糖度(Ra)为3wiiW下，因此外观性优异。另外，由于所述密封体的表面 平坦到表面粗糖度(Ra)为3wiiW下，因此在不能进行磨削等处理的情况下，容易进行借助吸 附夹头的吸附。其结果是，可W抑制搬送错误。
[0026] 所述构成中，优选在所述密封用片的与所述半导体晶片相面对的面的相反一面 侦U，添加有着色剂。如果在所述密封用片的与所述半导体晶片相面对的面的相反一面侧添 加有着色剂，则可W进一步提高被激光标记了的部分的观察性。
[0027] 发明效果
[0028] 根据本发明，可W提供激光标记性优异的密封用片、W及使用了该密封用片的半 导体装置的制造方法。
【附图说明】
[0029] 图1是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0030] 图2是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0031] 图3是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0032] 图4是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0033] 图5是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0034] 图6是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0035] 图7是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0036] 图8是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0037] 图9是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0038] 图10是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0039] 图11是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
【具体实施方式】
[0040] W下，在参照附图的同时，对本发明的实施方式进行说明。然而，本发明并不仅限 定于运些实施方式。W下的实施方式中，对本发明的电子器件为半导体忍片的情况进行说 明。
[0041 ]本实施方式的半导体装置的制造方法至少具有：
[0042]工序A,将半导体忍片倒装忍片式接合在半导体晶片的电路形成面;和
[0043]工序B，将倒装忍片式接合在所述半导体晶片上的所述半导体忍片埋入密封用片 中而形成密封体。
[0044]此外，所述密封用片的与所述半导体晶片相面对的面的相反一面的表面粗糖度 (Ra)为3皿W下。
[0045]图1~图11是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示 意图。
[0046][准备工序]
[0047]如图1所示，本实施方式的半导体装置的制造方法中，首先，准备具有电路形成面 23a的1个或多个半导体忍片23、和具有电路形成面2姑的半导体晶片22。而且，W下对将多 个半导体忍片倒装忍片式接合在半导体晶片上的情况进行说明。
[004引[将半导体忍片倒装忍片式接合的工序]
[0049] 然后，如图2所示，将半导体忍片23倒装忍片式接合在半导体晶片22的电路形成面 22a(工序A)。在半导体忍片23向半导体晶片22上的搭载时，可W使用倒装片接合机或忍片 接合机等公知的装置。具体而言，将形成于半导体忍片23的电路形成面23a的凸块23b与形 成于半导体晶片22的电路形成面22a的电极22b电连接。由此，就可W得到在半导体晶片22 上安装有多个半导体忍片23的层叠体20。此时，也可W在半导体忍片23的电路形成面23a贝占 附底部填充用的树脂片24。该情况下，如果将半导体忍片23倒装忍片式接合在半导体晶片 22上，则可W对半导体忍片23与半导体晶片22之间的间隙进行树脂密封。而且，对于将贴附 有底部填充用的树脂片24的半导体忍片23倒装忍片式接合在半导体晶片22上的方法，例如 公开于日本特开2013-115186号公报等中，因此省略此处的详细说明。
[0050][准备密封用片的工序]
[0051]另外，本实施方式的半导体装置的制造方法中，如图3所示，准备密封用片10。也可 WW层叠于聚对苯二甲酸乙二醇醋(PET)膜等剥离衬垫11上的状态准备密封用片10。该情 况下，为了容易进行密封用片10的剥离，也可W对剥离衬垫11实施脱模处理。
[0052](密封用片）
[0053] 密封用片10的一个面的表面粗糖度(Ra)为3皿W下。而且，该一个面在将半导体忍 片23密封时，成为与半导体晶片22相面对的面的相反一侧的面。所述表面粗糖度(Ra)优选 为Inm~2皿，更优选为20nm~1皿。由于平坦到所述表面粗糖度(Ra)为3皿W下，因此该一个 面的激光标记性优异。另外，由于所述一个面平坦到表面粗糖度(Ra)为3wiiW下，因此外观 性优异。另外，由于所述一个面平坦到表面粗糖度(Ra)为3wiiW下，因此在不能进行磨削等 处理的情况下，容易进行借助吸附夹头的吸附。其结果是，可W抑制搬送错误。表面粗糖度 的测定方法基于实施例中记载的方法。
[0054]密封用片10的构成材料优选含有环氧树脂、W及作为固化剂的酪醒树脂。由此，就 可W获得良好的热固性。
[0055]作为所述环氧树脂，没有特别限定。例如可W使用=苯基甲烧型环氧树脂、甲酪线 性酪醒型环氧树脂、联苯型环氧树脂、改性双酪A型环氧树脂、双酪A型环氧树脂、双酪F型环 氧树脂、改性双酪F型环氧树脂、双环戊二締型环氧树脂、苯酪线性酪醒型环氧树脂、苯氧基 树脂等各种环氧树脂。运些环氧树脂既可W单独使用，也可W并用巧巾W上。
[0056]从确保环氧树脂的固化后的初性及环氧树脂的反应性的观点考虑，优选环氧当量 为150~250、软化点或烙点为50~130°C的在常溫下为固体的环氧树脂，其中，从可靠性的 观点考虑，更优选=苯基甲烧型环氧树脂、甲酪线性酪醒型环氧树脂、联苯型环氧树脂。
[0057]所述酪醒树脂只要是在与环氧树脂之间发生固化反应的酪醒树脂，就没有特别限 定。例如，可W使用苯酪线性酪醒树脂、苯酪芳烷基树脂、联苯基芳烷基树脂、双环戊二締型 酪醒树脂、甲酪线性酪醒树脂、甲阶酪醒树脂等。运些酪醒树脂既可W单独使用，也可W并 用2种W上。
[0058]作为酪醒树脂，从与环氧树脂的反应性的观点考虑，优选使用径基当量为70~ 250、软化点为50~110°C的酪醒树脂，其中，从固化反应性高的观点考虑，可W合适地使用 苯酪线性酪醒树脂。另外，从可靠性的观点考虑，也可W合适地使用苯酪芳烷基树脂或联苯 基芳烷基树脂之类的低吸湿性的酪醒树脂。
[0059]对于环氧树脂与酪醒树脂的配合比例，从固化反应性的观点考虑，相对于环氧树 脂中的环氧基1当量，优选W使酪醒树脂中的径基的合计为0.7~1.5当量的方式配合，更优 选为0.9~1.2当量。
[0060]密封用片10中的环氧树脂及酪醒树脂的合计含量优选为2.5重量％ ^上，