板上的安装时，可W使用倒装片接合机、忍片接合机等 公知的装置。
[0147] W上，根据本实施方式的半导体装置的制造方法，由于密封体28的表面(与半导体 晶片22相面对的面的相反一面)平坦到表面粗糖度(Ra)在固化后为3皿W下，因此激光标记 性(激光标记工序1中的激光标记性)优异。
[0148]另外，由于密封体28的表面平坦到所述表面粗糖度(Ra)为3皿W下，因此外观性优 异。具体而言，（1)在密封体28的表面的所述表面粗糖度(Ra)在固化前为3皿W下并且在固 化后不是3WI1W下的情况下，固化前的外观性优异。（2)在密封体28的表面的所述表面粗糖 度(Ra)在固化后为3wiiW下并且在固化前不是3皿W下的情况下，固化后的外观性优异。（3) 在密封体28的表面的所述表面粗糖度(Ra)在固化前为3wiiW下并且在固化后为3wiiW下的 情况下，固化前及固化后的外观性优异。
[0149]在上述的实施方式中，对进行工序C(磨削密封用片的工序)的情况进行了说明。然 而，在本发明中，也可W不进行所述工序C。该情况下，由于密封体28的表面平坦到表面粗糖 度(Ra)为化mW下，因此容易进行借助吸附夹头的吸附。其结果是，可W抑制搬送错误。
[0150]在上述的实施方式中，对在热固化工序(使密封体的密封用片热固化的工序)后进 行工序E-I(密封用片磨削前的激光标记工序)的情况进行了说明。然而，本发明的进行工序 E-I(密封用片磨削前的激光标记工序）的时刻并不限定于该例。作为进行工序E-I的时刻， 也可W是形成密封体的工序后、剥离衬垫剥离工序前。另外，也可W是剥离衬垫剥离工序 后、热固化工序前。
[0151] 在上述的实施方式中，对在工序B(密封体形成工序）后、工序C(密封用片磨削工 序）前进行使密封体的密封用片热固化的热固化工序的情况进行了说明。然而，在本发明 中，进行所述热固化工序的时刻并不限定于该例，也可W与工序A(形成密封体的工序）同时 地进行。另外，也可W在工序E-I(密封用片磨削前的激光标记工序）后进行所述热固化工 序。在工序E-I(密封用片磨削前的激光标记工序)后进行所述热固化工序的情况下，密封体 28的表面的表面粗糖度(Ra)优选在热固化前为3miW下。如果所述表面粗糖度(Ra)在热固 化前为3WI1W下，则激光标记性(激光标记工序1中的激光标记性)优异。
[0152]另外，虽然在上述的实施方式中，对在热固化工序前将剥离衬垫11剥离的情况进 行了说明，然而也可W在热固化工序后剥离。
[0153]另外，虽然在上述的实施方式中，对进行工序E-I(密封用片磨削前的激光标记工 序)和工序E-2(密封用片磨削后的激光标记工序)双方的情况进行了说明，然而本发明中， 也可W仅进行任意一方。另外，也可W是工序E-I及工序E-2都不进行。
[0154]此外，本发明并不限定于上述的实施方式，只要进行所述工序A和所述工序B即可， 除此W外的工序是任意的，既可W进行也可W不进行。另外，只要进行所述工序A和所述工 序邮P可，除此W外的工序无论W何种顺序进行都可W。
[0155]本发明中，对于（1)使所述表面粗糖度(Ra)在固化前为3wiiW下并且在固化后不是 SwnW下、还是（2)使所述表面粗糖度(Ra)在固化后为3wiiW下并且在固化前不是3wiiW下、 还是(3)使所述表面粗糖度(Ra)在固化前为3wiiW下并且在固化后为3wiiW下，可W根据所 采用的工序的顺序来决定。
[0156]在上述的实施方式中，对本发明的电子器件为半导体忍片的情况进行了说明。然 而，本发明的电子器件并不限定于此。作为本发明的电子器件，可W举出传感器、MEMS (MicroElectroMechanicalSystems)、SAW(SurfaceAcousticWave)滤波器等具有中空 结构的电子器件（中空型电子器件）；半导体忍片、IC(集成电路）、晶体管等半导体元件；电 容器；电阻等。而且，所谓中空结构，是指电子器件与搭载有电子器件的基板之间是中空的 结构。
[0157][实施例]
[0158]W下，使用实施例对本发明进行详细说明，然而本发明只要不超出其主旨，就不受 W下的实施例限定。另外，各例中，份只要没有特别指出，就是重量基准。
[0159] 实施例1~3、比较例1
[0160]对实施例、比较例中使用的成分进行说明。
[0161] < 成分 >
[0162]环氧树脂:新日铁化学(株)制的YSLV-80XY(双酪F型环氧树脂、环氧当量200g/eq. 软化点80°C)
[0163]酪醒树脂：明和化成公司制的MEH-7851-SS(具有联苯基芳烷基骨架的酪醒树脂、 径基当量203g/eq.软化点67°C)
[0164]硅烷偶联剂:信越化学公司制的邸M-403(3-环氧丙氧基丙基S甲氧基硅烷）
[0165]阻燃剂:伏见制药所制的FP-IOCK苯氧基环憐腊低聚物）
[0166] 炭黑:S菱化学公司制的#20(粒子直径50nm)
[0167] 固化促进剂：四国化成工业公司制的2P监-PW( 2-苯基-4，5-二径基甲基咪挫）
[016引热塑性树脂:KA肥KA公司制的SIBSTAR072T(聚苯乙締-聚异下締-聚苯乙締共聚 物）
[0169] 填料A:电化学工业公司制的FB-950 (烙融球状二氧化娃粉末、平均粒子直径23.祉 m)
[0170] 填料B:电化学工业公司制的FB-9454(烙融球状二氧化娃粉末、平均粒子直径19.9 皿）
[0171] 填料C:电化学工业公司制的FB-7SDC(亲水性气相二氧化娃、平均粒子直径5.8nm)
[0172] 填料D:电化学工业公司制的FB-560(烙融球状二氧化娃粉末、平均粒子直径30皿）
[0173] <密封用片的制作>
[0174]将上述各成分依照下述表1配合，利用漉混炼机在60~120°C、减压条件下 (O.Olkg/cm2)进行烙融混炼，制备出混炼物。然后，将所得的混炼物W夹隔隔片菱化学 公司制、产品名"MRF38"、表面粗糖度0.03如m)的状态载放在瞬间真空层叠装置(MIKADO TECHNOS公司制的VS008-1515)的设置有IOOwii的间隔件的压板上，对其进行真空压制(压制 条件:真空保持时间30秒、加压时间60秒、压力203.9g/cm2、压制溫度90°C)。如此所述地制 作出本实施例1~3及比较例1的密封用片。
[0175](表面粗糖度的测定）
[0176]从实施例、比较例中制成的密封用片中剥离隔片，基于JISB0601，使用WYKO公司 制的非接触S维粗糖度测定装置(NT3300)测定出露出面的表面粗糖度(Ra)。测定条件设为 50倍，测定值是对测定数据实施中值滤波而求出。对各密封用片在变更测定部位的同时进 行5次测定，将其平均值作为表面粗糖度(Ra)。将其设为固化前的表面粗糖度。将结果表示 于下述表1中。
[0177]另外，在从实施例、比较例中制成的密封用片中剥离隔片后，在150°C、1小时的条 件下使密封用片固化。其后，与固化前的表面粗糖度的测定相同地测定出密封用片的固化 后的表面粗糖度。将结果表示于下述表1中。
[0178](激光标记性评价）
[0179]从实施例、比较例中制成的密封用片中剥离隔片，W使露出面为上面的方式放置， 使用激光打字装置(商品名"MD-S9900"、KEYENCE公司制），利用下述的照射条件进行了激光 打字。
[0180] <激光打字的照射条件>
[0181] 激光波长：532nm
[0182] 激光功率:1.2W
[0183]频率：3 化Hz
[0184]对进行了激光打字的粘接片，使用KEYENCE公司的装置名：CA-DDW8，对于密封用一 面从全方位方向照射斜光照明，用CCD照相机(装置名:CV-0350KKEYENCE公司制川欠入反射 光。使用KEYENCE公司的装置名:CV-5000测定收入的反射光的亮度。亮度测定是对激光打字 部和非打字部双方进行。而且，所谓亮度，是将白色设为100%并将黑色设为0%的值，在本 说明书中，采用使用上述的KEYENCE公司的装置名CV-5000测定的值。将激光打字部的亮度 与非打字部的亮度的差设为对比度[% ]，将40 %W上的情况评价为O，将小于40 %的评价 为X。将其作为固化前的对比度进行了评价。将结果表示于表1中。
[0185]另外，从实施例、比较例中制成的密封用片中剥离隔膜后，在150°C、1小时的条件 下使密封用片固化。其后，与固化前的对比度评价相同地进行激光打字，评价了对比度。将 其设为固化后的对比度评价。将结果表示于下述表1中。
[0188]符号的说明
[0189] 10密封用片，
[0190] 20层叠体，
[0191] 22半导体晶片，
[0192] 23半导体忍片，
[0193] 28密封体，
[0194] 29半导体装置
【主权项】
1. 一种密封用片，是电子器件的密封中使用的热固性的密封用片，其特征在于， 一个面的表面粗糙度即Ra为3μπι以下。2. 根据权利要求1所述的密封用片，其特征在于， 在所述一个面侧添加有着色剂。3. -种半导体装置的制造方法，其特征在于， 具有： 工序Α，将电子器件倒装芯片式接合在半导体晶片的电路形成面;和 工序Β，将倒装芯片式接合在所述半导体晶片的所述电子器件埋入密封用片而形成密 封体， 所述密封用片的与所述半导体晶片相面对的面的相反一面的表面粗糙度即Ra为3μπι以 下。4. 根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 在所述密封用片的与所述与半导体晶片相面对的面的相反一面侧添加有着色剂。
【专利摘要】本发明提供一种密封用片，是电子器件的密封中使用的热固性的密封用片，一个面的表面粗糙度(Ra)在固化前为3μm以下。
【IPC分类】H01L21/56, H01L23/31, H01L23/29, H01L23/00
【公开号】CN105431937
【申请号】CN201480043139
【发明人】饭野智绘, 松村健, 志贺豪士, 盛田浩介
【申请人】日东电工株式会社
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2014年6月30日
【公告号】US20160211217, WO2015015982A1