料的种类或其含量等来控制。
[0111] 而且，在密封用片10中，在上述的各成分W外还可W根据需要适当地配合其他的 添加剂。
[0112] 密封用片10的厚度没有特别限定，然而从作为密封用片使用的观点考虑，例如为 50咖~2000咖。
[0113]密封用片10的制造方法没有特别限定，然而优选制备用于形成密封用片10的树脂 组合物的混炼物、并涂布所得的混炼物的方法;将所得的混炼物塑性加工为片状的方法。由 此，就可W不使用溶剂地制作密封用片10,因此可W抑制半导体忍片23因挥发的溶剂而受 到影响的情况。
[0114]具体而言，通过将后述的各成分用混合漉、加压式捏合机、挤出机等公知的混炼机 烙融混炼而制备混炼物，并将所得的混炼物利用涂布或塑性加工制成片状。作为混炼条件， 溫度优选为上述的各成分的软化点W上，例如为30~150°C，如果考虑环氧树脂的热固性， 则优选为40~140°C，更优选为60~120°C。时间例如为1~30分钟，优选为5~15分钟。
[0115]混炼优选在减压条件下(减压气氛下)进行。由此，就可W进行脱气，同时可W防止 气体向混炼物中的侵入。减压条件下的压力优选为〇.lkg/cm2W下，更优选为0.05kg/cm2W 下。减压下的压力的下限没有特别限定，然而例如为lXl(T4kg/cm2W上。
[0116]在涂布混炼物而形成密封用片10的情况下，烙融混炼后的混炼物优选不进行冷却 而保持高溫状态不变地涂布。作为涂布方法没有特别限制，可W举出棒涂法、刮涂法、狭缝 式挤压涂布法等。作为涂布时的溫度，优选为上述的各成分的软化点W上，如果考虑环氧树 脂的热固性及成型性，则例如为40~150°C，优选为50~140°C，更优选为70~120°C。在涂布 混炼物而形成密封用片10的情况下，可W通过控制无机填充剂的含量、粒子直径，而将表面 粗糖度设为所需的值。
[0117] 在对混炼物进行塑性加工而形成密封用片10的情况下，烙融混炼后的混炼物优选 不进行冷却而保持高溫状态不变地进行塑性加工。作为塑性加工方法没有特别限制，可W 举出平板压制法、T型模头挤出法、螺杆模头挤出法、漉压延法、漉混炼法、吹塑挤出法、共挤 出法、压延成型法等。作为塑性加工溫度优选为上述的各成分的软化点W上，如果考虑环氧 树脂的热固性及成型性，则例如为40~150°C，优选为50~140°C，更优选为70~120°C。在对 混炼物进行塑性加工而形成密封用片10的情况下，可W通过控制无机填充剂的含量、粒子 直径，而将表面粗糖度设为所需的值。
[0118] 而且，密封用片10也可W如下得到，即，向适当的溶剂中溶解用于形成密封用片10 的树脂等，使之分散而制备清漆，将该清漆涂布在剥离片上而得到。在涂布清漆而形成密封 用片10的情况下，可W通过控制无机填充剂的含量、粒子直径，而将表面粗糖度设为所需的 值。另外，也可W通过将剥离片的表面粗糖度(Ra)设为3皿W下的范围内，而将剥离片面侧 的涂布层(密封用片10)的表面粗糖度设为所需的值。
[0119] 而且，也可W在将用于形成密封用片10的形成材料涂布在第一剥离片上后，叠加 第二脱模片，其后，使之干燥而形成密封用片10。该情况下，作为第一脱模片、或第二脱模 片，选择可W使密封用片10的表面粗糖度平滑的片，作为另一方，选择可W将密封用片10的 表面粗糖度(Ra)设为3皿W下的范围内的片即可。
[0120] [配置密封用片和层叠体的工序]
[0121] 在准备密封用片的工序后，如图3所示，在下侧加热板32上使安装有半导体忍片23 的面朝上地配置层叠体20,并且在层叠体20的安装有半导体忍片23的面上配置密封用片 10。在该工序中，既可W在下侧加热板32上先配置层叠体20,其后，在层叠体20上配置密封 用片10,也可W在层叠体20上先层叠密封用片10,其后，将层叠层叠体20和密封用片10而得 的层叠物配置于下侧加热板32上。
[0122] [形成密封体的工序]
[01剖然后，如图4所示，利用下侧加热板32和上侧加热板34进行热压，将半导体忍片23 埋入密封用片10中（工序B)。密封用片10作为用于保护半导体忍片23及其附带的要素免受 外部环境影响的密封树脂发挥作用。由此，就可W得到将安装于半导体晶片22上的半导体 忍片23埋入密封用片10中的密封体28。
[0124]作为将半导体忍片23埋入密封用片10中时的热压条件，溫度例如为40~100°C，优 选为50~90°C，压力例如为0.1~lOMPa，优选为0.5~8MPa，时间例如为0.3~10分钟，优选 为0.5~5分钟。由此，就可W得到将半导体忍片23埋入密封用片10中的半导体装置。另外， 如果考虑密封用片10与半导体忍片23及半导体晶片22的密合性及追随性的提高，优选在减 压条件下进行压制。
[0125] 作为所述减压条件，压力例如为0.1~化化，优选为0.1~IOOPa，减压保持时间（从 减压开始到压制开始的时间）例如为5~600秒，优选为10~300秒。
[01%][剥离衬垫剥离工序]
[0127]然后，将剥离衬垫11剥离(参照图5)。
[012引[热固化工序]
[0129] 然后，将密封用片10热固化。具体而言，例如，对将安装于半导体晶片22上的半导 体忍片23埋入密封用片10中的密封体28整体进行加热。
[0130] 作为热固化处理的条件，加热溫度优选为100°CW上，更优选为120°CW上。另一方 面，加热溫度的上限优选为200°CW下，更优选为180°CW下。加热时间优选为10分钟W上， 更优选为30分钟W上。另一方面，加热时间的上限优选为180分钟W下，更优选为120分钟W 下。另外，根据需要也可W进行加压，优选为0.IMPaW上，更优选为0.5MPaW上。另一方面， 上限优选为IOMPaW下，更优选为5MPaW下。
[0131] [激光标记工序1(密封用片磨削前的激光标记工序）]
[0132] 然后，如图6所示，使用激光标记用的激光器36,对密封用片10进行激光标记（W下 也称作"工序E-r)。作为激光标记的条件没有特别限定，然而优选在强度为0.3W~2.OW的 条件下向密封用片10照射激光[波长:532nm]。另外，优选W使此时的加工深度(深度)为2曲1 W上的方式进行照射。所述加工深度的上限没有特别限制，然而例如可W从2WI1~25WI1的范 围中选择，优选为3皿W上(3皿~20皿），更优选为扣mW上(5皿~15皿)。通过将激光标记的 条件设为所述数值范围内，就可W发挥优异的激光标记性。
[0133] 而且，密封用片10的激光加工性可W利用构成树脂成分的种类或其含量、着色剂 的种类或其含量、交联剂的种类或其含量、填充材料的种类或其含量等来控制。
[0134] 在所述工序E-I中，作为密封用片10的进行激光标记的部位，没有特别限定，既可 W是半导体忍片23的正上方，也可W是没有配置半导体忍片23的部位的上侧（例如密封用 片10的外周部分）。另外，作为利用激光标记进行标记的信息，既可W是用于能够实现基于 密封体单元的区别的文字信息或图形信息等，也可W是用于能够在相同的一个密封体28内 使半导体装置彼此区别的文字信息或图形信息等。由此，就可W使下一个工序、即密封用片 10被磨削之前的期间的、密封体28或密封体28内的多个半导体忍片23(半导体装置)具有相 互识别性。
[0135] [磨削密封用片的工序]
[0136] 然后，如图7所示，磨削密封体28的密封用片10而使半导体忍片23的背面23c露出 (工序C)。作为磨削密封用片10的方法，没有特别限定，例如可W举出使用高速旋转的砂轮 的磨片法。
[0137] 而且，对于利用工序E-I附加的标记，在工序C中磨削的厚度大于标记深度(加工深 度)的情况下，标记会消失。另一方面，在工序C中磨削的厚度小于标记深度(加工深度)的情 况下，标记就被残留下来。
[0138] [激光标记工序2(密封用片磨削后的激光标记工序）]
[0139] 然后，如图8所示，使用激光标记用的激光器38,对密封用片10进行激光标记（W下 也称作"工序E-2")。作为激光标记的条件没有特别限定，然而优选在强度为0.3W~2.OW的 条件下对密封用片10照射激光[波长:532皿]。另外，优选W使此时的加工深度(深度)为2皿 W上的方式进行照射。所述加工深度的上限没有特别限制，然而例如可W从2WI1~25WI1的范 围中选择，优选为3皿W上(3皿~20皿），更优选为扣mW上(5皿~15皿)。通过将激光标记的 条件设为所述数值范围内，就可W发挥优异的激光标记性。
[0140]在所述工序E-2中，作为密封用片10的进行激光标记的部位没有特别限定，然而可 W设为没有配置半导体忍片23的部位的上侧。另外，作为利用激光标记进行标记的信息，既 可W是用于能够实现基于密封体单元的区别的文字信息或图形信息等，也可W是用于能够 在相同的一个密封体28内使半导体装置彼此区别的文字信息或图形信息等。由此，就可W 使密封用片10被磨削后的密封体28、半导体装置具有相互识别性。特别是，即使在所述工序 BW后直至所述工序CW前的期间，对所述密封用片10进行了激光标记，也有因所述工序C中 的磨削而使标记消失的情况。然而，如果在所述工序E-2中，对密封用片10进行激光标记，贝U 即使在密封用片10被磨削后，也可W再次使密封体28、半导体装置具有相互识别性。另外， 作为利用激光标记进行标记的信息，也可W是在后述的切割工序中能够使用的对位用的图 形信息(对准标记）。
[0141] [形成布线层的工序]
[0142]然后，磨削半导体晶片22的与搭载有半导体忍片23的一侧相反一侧的面，形成通 孔(Via)22c后(参照图9)，形成具有布线27a的布线层27(参照图10)。作为磨削半导体晶片 22的方法，没有特别限定，例如可W举出使用高速旋转的砂轮的磨片法。也可W在布线层27 形成从布线27a突出的凸块27b。作为形成布线层27的方法，可W使用半加成法、减成法等W 往公知的电路基板或内插板(interposer)的制造技术，因此省略此处的详细的说明。
[0143][切割工序]
[0144] 接下来，如图11所示，对露出了半导体忍片23的背面23c的密封体28进行切割（工 序D)。由此，就可W得到基于半导体忍片23单元的半导体装置29。
[0145][基板安装工序]
[0146]根据需要，可W进行将半导体装置29安装于另外的基板（未图示）的基板安装工 序。在半导体装置29在所述另外的基