)。
[0055]如图2E所示，藉由粘着层25将该半导体晶片20以其非作用面20b接置于一承载板26的凹槽260的底面上；于其他实施例中，该承载板26亦可不具有该凹槽260。承载板26的材质例如为晶圆、玻璃板或金属板。
[0056]于另一实施例中，也可提供具有多个半导体晶片的晶圆，进行上述图2A-图2D的制程后，可进行切单制程(singulat1n)，以将该晶圆切割为多个如图2E所示的半导体晶片20，此时即可将该些半导体晶片20接置于该承载板26上并进行后续制程。
[0057]如图2F所示，于该承载板26上形成封装胶体27，以包覆该半导体晶片20与金属柱24’，且该封装胶体27还形成于该凹槽260中。
[0058]如图2G所示，以例如研磨方式移除该封装胶体27与金属柱24’的部分厚度，并视需要一并移除该承载板26与该介电层22的部分厚度，以令该封装胶体27的表面齐平于该金属柱24’的端面。
[0059]如图2H所示，于该封装胶体27与金属柱24’上形成电性连接该半导体晶片20的线路重布层28，并于该线路重布层28上形成外露部分该线路重布层28的绝缘保护层29。
[0060]如图21所示，于该线路重布层28上设置多个焊球30。
[0061]第二实施例
[0062]图3A至图3D所示者，为本发明的半导体结构的制法的第二实施例的剖视图。
[0063]本实施例大致上相同于前一实施例，主要不同之处在于，本实施例的多个该半导体晶片20的厚度或其非作用面20b上的粘着层25的厚度与前一实施例并不相同，使得该半导体晶片20与金属柱24’位在不同高度，但本发明的实施并不因此受到影响。
[0064]本发明提供一种半导体结构，包括:承载板26 ;半导体晶片20，其设于该承载板26上，且具有连接该承载板26的非作用面20b与相对该非作用面20b的作用面20a，该作用面20a上形成有多个金属柱24’，该金属柱24’与作用面20a之间及该金属柱24’的侧表面上形成有凸块底下金属层(Under Bump Metallurgy,简称UBM) 23 ;以及封装胶体27,其形成于该承载板26上，以包覆该半导体晶片20，该封装胶体27的表面齐平于该金属柱24’的端面。
[0065]于前述的半导体结构中，该半导体晶片20的作用面20a上还形成有介电层22，该介电层22并包覆该金属柱24’与凸块底下金属层23，且齐平于该金属柱24’的端面，该介电层22为感光性绝缘层或光阻。
[0066]于本实施例的半导体结构中，该承载板26还具有凹槽260,该半导体晶片20设于该凹槽260的底面上，且该封装胶体27形成于该凹槽260中。
[0067]于本发明的半导体结构中，该凸块底下金属层23包括层迭的钛层231与铜层232，且该铜层232位于该金属柱24’与该钛层231之间，且还包括线路重布层28，形成于该封装胶体27与金属柱24’上，以电性连接该半导体晶片20。
[0068]综上所述，相较于现有技术，由于本发明先形成外露电极垫的介电层，接着形成凸块底下金属层与金属层，再移除该凸块底下金属层与金属层的部分厚度，所以能避免现有金属柱高度不均的情况；此外，本发明将半导体晶片接置于承载板上后，再形成包覆该半导体晶片与金属柱的封装胶体，然后研磨移除该封装胶体与金属柱的部分厚度以外露该金属柱，因此本发明无需如现有般形成外露该金属柱的封装胶体开孔，所以可避免现有的对位偏差问题，且不会受到半导体晶片的厚度不一致及粘着层的厚度不一致的影响。
[0069]上述实施例仅用于例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。因此本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。
【主权项】
1.一种半导体结构，包括: 半导体晶片，具有非作用面与相对该非作用面的作用面； 多个金属柱，形成于该作用面上；以及 凸块底下金属层，形成于该金属柱与作用面之间及该金属柱的侧表面上。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征为，该半导体晶片的作用面上还形成有介电层，该介电层并包覆该金属柱与凸块底下金属层，且齐平于该金属柱的端面。3.如权利要求3所述的半导体结构，其特征为，该介电层为感光性绝缘层或光阻。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征为，该凸块底下金属层包括层迭的钛层与铜层，且该铜层位于该金属柱与该钛层之间。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征为，该结构还包括: 承载板，其连接该半导体晶片的非作用面；以及 封装胶体，其形成于该承载板上，以包覆该半导体晶片，该封装胶体的表面齐平于该金属柱的端面。6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征为，该承载板还具有凹槽，该半导体晶片设于该凹槽的底面上，且该封装胶体形成于该凹槽中。7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征为，该结构还包括线路重布层，其形成于该封装胶体与金属柱上，以电性连接该半导体晶片。8.一种半导体结构的制法，包括: 于承载板上接置具有相对的作用面与非作用面的半导体晶片，令该非作用面连接该承载板，该作用面上形成有多个金属柱，该金属柱与作用面之间及该金属柱的侧表面上形成有凸块底下金属层；以及 于该承载板上形成封装胶体，以包覆该半导体晶片，该封装胶体的表面齐平于该金属柱的端面。9.如权利要求8所述的半导体结构的制法，其特征为，形成该封装胶体的步骤还包括研磨移除该封装胶体与金属柱的部分厚度。10.如权利要求8所述的半导体结构的制法，其特征为，该承载板还具有凹槽，该半导体晶片设于该凹槽的底面上，且该封装胶体形成于该凹槽中。11.如权利要求8所述的半导体结构的制法，其特征为，该半导体晶片的作用面上还形成有介电层，该介电层并包覆该金属柱与凸块底下金属层，且齐平于该金属柱的端面。12.如权利要求11所述的半导体结构的制法，其特征为，该介电层为感光性绝缘层或光阻。13.如权利要求8所述的半导体结构的制法，其特征为，该凸块底下金属层包括层迭的钛层与铜层，该铜层位于该金属柱与该钛层之间。14.如权利要求8所述的半导体结构的制法，其特征为，该制法还包括于该封装胶体与金属柱上形成电性连接该半导体晶片的线路重布层。15.—种半导体结构的制法，包括: 于半导体晶片的作用面上形成具有开孔的介电层，并令该作用面外露于该介电层的开孔； 于该介电层、开孔孔壁与外露于该开孔中的作用面上形成凸块底下金属层； 于该凸块底下金属层上形成金属层；以及 移除高于该介电层的金属层与凸块底下金属层，以于该作用面上形成多个金属柱。16.如权利要求15所述的半导体结构的制法，其特征为，该凸块底下金属层包括层迭的钛层与铜层，该铜层位于该金属柱与该钛层之间。17.如权利要求15所述的半导体结构的制法，其特征为，移除该金属层与凸块底下金属层的方式为研磨。18.如权利要求15所述的半导体结构的制法，其特征为，于移除高于该介电层的金属层与凸块底下金属层的步骤后，还包括移除该介电层。
【专利摘要】一种半导体结构及其制法，该半导体结构包括承载板、半导体晶片与封装胶体，该半导体晶片设于该承载板上，且具有连接该承载板的非作用面与相对该非作用面的作用面，该作用面上形成有多个金属柱，该金属柱与作用面之间及该金属柱的侧表面上形成有凸块底下金属层，该封装胶体形成于该承载板上，以包覆该半导体晶片，该封装胶体的表面齐平于该金属柱的端面。本发明能有效提升产品良率。
【IPC分类】H01L21/60, H01L21/56, H01L23/31
【公开号】CN105428328
【申请号】CN201410540181
【发明人】蒋静雯, 陈光欣, 陈贤文
【申请人】矽品精密工业股份有限公司
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2014年10月14日
【公告号】US20160086903