离子注入段问题机台的判定方法
【专利摘要】一种离子注入段问题机台的判定方法，包括：执行步骤S1：针对生产工艺中不同制程工序，以及在所述制程工序中进行不同离子注入的物质成分建立数据库；执行步骤S2：在检测出颗粒缺陷时，测定所述颗粒成分，获得所述缺陷元素类型；执行步骤S3：根据所述缺陷元素类型和制程工序，比照数据库，当所述缺陷元素类型与所述制程工序对应时，判定所述制程工序之离子注入机为离子注入段问题机台。本发明离子注入段问题机台的判定方法在当离子注入工艺发生缺陷问题，良率扫描又没有前值的时候，可以有效缩短怀疑区间，帮助工程师快速的锁定问题机台，从而减少出现缺陷情况后导致的质量受影响产品数量，节约成本。
【专利说明】离子注入段问题机台的判定方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体【技术领域】，尤其涉及一种离子注入段问题机台的判定方法。
【背景技术】
[0002]随着半导体制造技术不断的发展，其生产工艺流程也越来越复杂。为了让产品有更多的功能，需要在芯片上集成更多的各种微电子器件，根据不同要求需要通过大量的离子注入工艺来调整器件的电性参数，以满足不同的运算要求。
[0003]目前，业界对于离子注入工艺的检测普遍存在良率抽检比例有限，抽检产品向重要站点倾斜的趋势。这会造成很长段的离子注入工艺不能够在每一个站点均可进行缺陷检测。生产中时常出现严重的缺陷事件而不能快速的确定问题机台的情况，势必使得离子注入段的缺陷情况对后续工艺带来严重影响，给生产带来重大损失。
[0004]故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本发明一种离子注入段问题机台的判定方法。
【发明内容】
[0005]本发明是针对现有技术中，传统的离子注入工艺生产中时常出现严重的缺陷事件而不能快速的确定问题机台的情况，势必使得离子注入段的缺陷情况对后续工艺带来严重影响，给生产带来重大损失等缺陷提供一种离子注入段问题机台的判定方法。
[0006]为了解决上述问题，本发明提供一种离子注入段问题机台的判定方法，所述方法包括:
[0007]执行步骤S1:针对生产工艺中不同制程工序，以及在所述制程工序中进行不同离子注入的物质成分建立数据库；
[0008]执行步骤S2:在检测出颗粒缺陷时，测定所述颗粒成分，获得所述缺陷元素类型；
[0009]执行步骤S3:根据所述缺陷元素类型和制程工序，比照数据库，当所述缺陷元素类型与所述制程工序对应时，判定所述制程工序之离子注入机为离子注入段问题机台。
[0010]可选地，所述制程工序包括深N阱注入，采用P元素注入；P阱注入，采用B元素注入;N阱注入，采用As元素注入；N型轻掺杂漏极注入，采用BF2注入；以及P型轻掺杂漏极注入，采用C注入。
[0011]可选地，所述颗粒成分通过能量色散X射线光谱仪(EDX)测定。
[0012]综上所述，本发明离子注入段问题机台的判定方法在当离子注入工艺发生缺陷问题，良率扫描又没有前值的时候，可以有效缩短怀疑区间，帮助工程师快速的锁定问题机台，从而减少出现缺陷情况后导致的质量受影响产品数量，节约成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1所示为本发明一种离子注入段问题机台的判定方法之流程图；
[0014]图2所示为生产工艺中不同制程工序及不同离子注入的物质成分数据库；[0015]图3所示为离子注入段产生缺陷示意图。
【具体实施方式】
[0016]为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。
[0017]请参阅图1，图1所示为本发明一种离子注入段问题机台的判定方法之流程图。所述离子注入段问题机台的判定方法包括以下步骤，
[0018]执行步骤S1:针对生产工艺中不同制程工序，以及在所述制程工序中进行不同离子注入的物质成分建立数据库；
[0019]执行步骤S2:在检测出颗粒缺陷时，测定所述颗粒成分，获得所述缺陷元素类型；其中，所述颗粒成分通过能量色散X射线光谱仪(EDX)测定。
[0020]执行步骤S3:根据所述缺陷元素类型和制程工序，比照数据库，当所述缺陷元素类型与所述制程工序对应时，判定所述制程工序之离子注入机为离子注入段问题机台。
[0021]为更直观的阐述本发明之技术方案，凸显本发明之有益效果，现以具体的实施方式为例进行阐述。在【具体实施方式】中，所述缺陷元素类型、所述制程工序仅为列举，不应视为对本发明专利技术方案的限制。
[0022]请参阅图2、图3，图2所示为生产工艺中不同制程工序及不同离子注入的物质成分之数据库。图3所示为离子注入段产生缺陷示意图。所述离子注入段问题机台的判定方法包括以下步骤，
[0023]执行步骤S1:针对生产工艺中不同制程工序，以及在所述制程工序中进行不同离子注入的物质成分建立数据库I ;
[0024]作为具体的实施方式，非限制性地，所述制程工序包括深N阱注入，采用P元素注入；P阱注入，采用B元素注入；N阱注入，采用As元素注入；N型轻掺杂漏极注入，采用BF2注入；以及P型轻掺杂漏极注入，采用C注入等。
[0025]执行步骤S2:在检测出颗粒2缺陷时，测定所述颗粒2的成分，获得所述缺陷元素类型；
[0026]执行步骤S3:根据所述缺陷元素类型和制程工序，比照数据库1，当所述缺陷元素类型与所述制程工序对应时，判定所述制程工序离子注入机台为离子注入段问题机台。
[0027]显然地，本发明所述离子注入段问题机台的判定方法，通过针对生产工艺中不同制程工序，以及在所述制程工序中进行不同离子注入的物质成分建立数据库，并在检测出颗粒缺陷时，测定所述颗粒的成分，获得所述缺陷元素类型，之后比照数据库，当所述缺陷元素类型与所述制程工序对应时，判定所述制程工序机台为离子注入段问题机台，所述方法在当离子注入工艺发生缺陷问题，良率扫描又没有前值的时候，可以有效缩短怀疑区间，帮助工程师快速的锁定问题机台，从而减少出现缺陷情况后导致的质量受影响产品数量，节约成本。
[0028]综上所述，本发明离子注入段问题机台的判定方法在当离子注入工艺发生缺陷问题，良率扫描又没有前值的时候，可以有效缩短怀疑区间，帮助工程师快速的锁定问题机台，从而减少出现缺陷情况后导致的质量受影响产品数量，节约成本。
[0029]本领域技术人员均应了解，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变型。因而，如果任何修改或变型落入所附权利要求书及等同物的保护范围内时，认为本发明涵盖这些修改和变型。
【权利要求】
1.一种离子注入段问题机台的判定方法，其特征在于，所述方法包括: 执行步骤S1:针对生产工艺中不同制程工序，以及在所述制程工序中进行不同离子注入的物质成分建立数据库； 执行步骤S2:在检测出颗粒缺陷时，测定所述颗粒成分，获得所述缺陷元素类型； 执行步骤S3:根据所述缺陷元素类型和制程工序，比照数据库，当所述缺陷元素类型与所述制程工序对应时，判定所述制程工序之离子注入机为离子注入段问题机台。
2.如权利要求1所述的离子注入段问题机台的判定方法，其特征在于，所述制程工序包括深N阱注入，采用P元素注入；P阱注入，采用B元素注入；N阱注入，采用As元素注入；N型轻掺杂漏极注入，采用BF2注入；以及P型轻掺杂漏极注入，采用C注入。
3.如权利要求1所述的离子注入段问题机台的判定方法，其特征在于，所述颗粒成分通过能量色散X射线光谱仪(EDX)测定。
【文档编号】H01L21/66GK103839849SQ201410060668
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2014年2月21日 优先权日:2014年2月21日
【发明者】何理, 许向辉, 郭贤权, 陈超 申请人:上海华力微电子有限公司