注入装置、半导体发光装置、制造装置和半导体发光装置的制造方法

专利名称：注入装置、半导体发光装置、制造装置和半导体发光装置的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种在半导体发光元件的周围使含有荧光体的透光性 树脂材料成形的注入装置、制造装置和半导体发光装置的制造方法。此 外，本发明在通过丝网印刷法在半导体发光元件的周围使荧光体含有材 料成形的装置所关联的工业领域中适于应用。
背景技术：
在现有技术中公知有以下半导体发光装置以含有荧光体的树脂即 荧光体含有材料覆盖半导体发光元件的周围，利用半导体发光元件所射 出的紫外光和/或可见光来激励荧光体(电子的轨道从低能态向高能态 变化)而使其发光。通过旋涂法或丝网印刷法使荧光体含有材料成形。但是，旋涂法只能使荧光体含有材料的层厚成形为100 900pdi左右的厚度，并且只能在基板的顶面成形荧光体含有材料。另一方面，丝网印 刷法不仅在基板的顶面而且在基板的周围也能成形荧光体含有材料，并且能够将荧光体含有材料的层厚均匀地形成为0. 3 0. 5mm。此外，关于丝网印刷法，专利文献l (日本国公开特许公报特开 2002-185048号公报
公开日2002年6月28日)和专利文献2 (日 本国公开特许公报特开2004-82514号公报
公开日2004年3月18 日)作了具体的公开。即，专利文献1和专利文献2公开了一种在被 涂布物上配置网版，将网版上载置的涂布物以透过网版的细孔的方式进 行挤压后涂布在被涂布物上的方法。此外，专利文献3 (日本国公开特 许公报特开2000-233489号公报
公开日2000年8月29日)特 别公开了一种通过使被称为网印刮刀(squeegee)的橡胶刮刀往返运动 来将网版上载置的涂布物以透过网版的细孔的方式进行挤压后涂布在
被涂布物上的方法。如上所述，在旋涂法和丝网印刷法中，丝网印刷法在使荧光体含有 材料成形时较为有利，所以，在在半导体发光元件的周围成形荧光体含 有材料时一般广泛使用丝网印刷法。专利文献4 (日本国公开特许公报特开2003-179269号公报、公 开日2003年6月27日)、专利文献5 (日本国公开特许公报特开 2002-134792号公报
公开日2002年5月10日)和专利文献6 (日 本国公开特许公报特开2005-123238号公报
公开日2005年5月 12日)都公开了通过丝网印刷法在半导体发光元件的周围成形荧光体 含有材料。也就是，专利文献4公开了一种将掩膜用作上述网版来成形 荧光体含有材料的方法。专利文献5公开了一种将金属掩膜用作上述网 版来成形荧光体含有材料的方法。专利文献6公开了以下方法g卩，在 被称为型板(stencil)的网版中所形成的多个开口部的中心将半导体 发光元件收敛地配置，在上述开口部中填充荧光体含有材料后，除去型 板，将荧光体含有材料固化，从而使荧光体含有材料成形在半导体发光 元件上。以下，通过图8详细说明专利文献6所述的半导体发光装置的制造 方法。图8是用于说明专利文献6所述的半导体发光装置的制造方法的、 上述半导体发光装置的剖面图。如图8所示，在专利文献6所述的半导 体发光装置的制造方法中，为了使半导体发光元件ioo的发光面由荧光 体层102覆盖，在安装有半导体发光元件100的基板104上配置荧光体 层形成用模具(型板)101，该荧光体层形成用模具101具有用于形成 荧光体层102的开口部103。然后，在荧光体层形成用模具101的开口 部103中填充荧光体含有材料，并固化所填充的荧光体含有材料，且从 基板104上取除荧光体层形成用模具101，从而形成荧光体层102。但是，在利用专利文献l、 2、 3、 4或者5所公开的丝网印刷法在 半导体发光元件的周围成形荧光体含有材料的装置中，荧光体含有材料 的粘度可随着周围的温度而变化较大，荧光体含有材料中的沉淀物的沉 淀状态也发生变化(比重较大的荧光体沉淀)。另外，沉淀后的沉淀物 若不通过对荧光体含有材料进行搅拝就处于沉淀的状态。从而荧光体含 有材料中的浓度产生不均，就无法将荧光体含有材料以相同的混合比涂 布在半导体发光元件的周围。由此，在由上述半导体发光元件进行发光 的半导体发光装置中，产生色彩不均和发光不均。另外，在专利文献6所述的半导体发光装置中，当填充荧光体含有材料时，由于将粘度变化而混合比偏移后的荧光体含有材料进行填充， 所以在荧光体含有材料和半导体发光元件之间侵入气泡或者产生气泡。 由此，产生在型板的开口部中注入的荧光体含有材料发生走形、或者在 荧光体含有材料中气泡侵入的问题。发明内容本发明的目的在于提供一种能够将荧光体含有材料均匀地涂布在 半导体发光元件上的注入装置、制造装置以及半导体发光装置的制造方 法。为了实现上述目的，本发明的注入装置是在通过丝网印刷对装入半 导体发光装置的封装内的半导体发光元件涂布包含荧光体及树脂的荧 光体含有材料的制造装置中所使用的、将上述荧光体含有材料填充到用 于丝网印刷的成形用模具的注入装置，上述注入装置具备用于抑制上述 荧光体含有材料中包含的混合物在荧光体含有材料中的混合比的偏差 的均匀化部。另外，为了实现上述目的，本发朋的半导体发光装置的制造方法， 对装入半导体发光装置的封装内的半导体发光元件涂布包含荧光体和树脂的荧光体含有材料，该装置方法包括均匀化工序，借助于注入装置的均匀化部来抑制由上述注入装置填充到上述成形用模具的、上述荧 光体含有材料中的混合物在上述荧光体含有材料中混合比的偏差，其中，上述注入装置将上述荧光体含有材料填充在用于丝网印刷的成形用 模具。根据上述发明，由于具有抑制荧光体含有材料中的混合物的混合比 的偏差的均匀化部，所以能够使荧光体含有材料中的混合物的混合比在 荧光体含有材料中保持均匀。因此，能够将混合比均匀的荧光体含有材 料填充在用于制造装置的丝网印刷用的成形用模具中，其中，该制造装
置通过丝网印刷将荧光体含有材料涂布在半导体发光装置的封装中的 半导体发光元件上。其结果，能够提供一种可抑制色度充足率的降低、 发光均匀且色斑较少的半导体发光装置。另外，为了实现上述目的，本发明的制造装置通过丝网印刷对装入 半导体发光装置的封装内的半导体发光元件涂布包含荧光体的树脂即 荧光体含有材料，上述制造装置具有用于丝网印刷的成形用模具和上述 任一注入装置。因此，本发明的制造装置能够将荧光体含有材料均匀地涂布在半导 体发光元件上。本发明的其他目的、特征和优点在以下的描述中会变得十分清楚。 此外，以下参照附图可使本发明的优点明确。


图1是本发明的荧光体含有材料注入装置的一实施方式的示意图。 图2是本发明的半导体发光装置制造装置的一实施方式的示意图。图3是半导体发光装置的一实施方式的剖面图，其中，上述半导体发光装置是利用上述半导体发光装置制造装置在半导体发光元件的周 围成形荧光体含有材料所制得的半导体发光装置。图4是半导体发光装置的另一实施方式的剖面图，其中，上述半导 体发光装置是利用上述半导体发光装置制造装置在半导体发光元件的 周围成形荧光体含有材料所制得的半导体发光装置。图5是半导体发光装置的另一实施方式的剖面图，其中，上述半导 体发光装置是利用上述半导体发光装置制造装置在半导体发光元件的 周围成形荧光体含有材料所制得的半导体发光装置。图6是表示本发明的半导体发光装置的制造方法的图。图7 (a)至图7 (f)是表示本发明的半导体发光装置的制造方法 的图。图8是表示利用现有技术的半导体发光装置的制造方法所制造的 半导体发光装置的剖面图。
具体实施方式
以下根据图1至图7 (f)说明本发明的一实施方式。此外，以下 的说明所使用的附图，对相同的部件或具有相同功能的部件赋予相同的 符号。由此，不重复其详细说明。首先，利用图2说明半导体发光装置制造装置1的结构的概况。图 2是表示本实施方式中的半导体发光装置制造装置1的示意结构的图。 如图2所示，本实施方式的半导体发光装置制造装置1具备荧光体含 有材料注入装置2、加压装置(压力调整装置)3、以及定量用模具(成 形用模具)20。在半导体发光装置制造装置1中，在一个例如被密闭的 筐体内这样的密闭空间内具有荧光体含有材料注入装置2、加压装置3、 以及定量用模具20。首先，注入装置2向后述的定量用模具20填充荧光体含有材料M。 关于荧光体含有材料和注入装置2的详细结构将后述。接着，加压装置3用于改变上述密闭空间内的气压，其中，在上述 密闭空间内设置有注入装置2、加压装置3、以及定量用模具20。加压 装置3例如可采用气囊等。在将气囊用作加压装置3的情况下，气囊膨 胀而使上述密闭空间内的气压上升，气囊萎縮而使上述密闭空间内的气 压下降。定量用模具20是通过丝网印刷法在后述的半导体发光元件37的周 围定量地成形荧光体含有材料M的模具。关于定量用模具20的详细结 构，将在此后进行阐述。接着，利用图1说明注入装置2的概要结构。图1是表示本实施方 式的注入装置2的概要结构的图。如图1所示，本实施方式中的注入装 置2具有荧光体含有材料的温度控制部(均匀化部、温度控制部)10、 荧光体含有材料的搅拌部(均匀化部、搅拌部)11、荧光体含有材料余 量传感器(均匀化部、余量检测部)12、荧光体含有材料注入量调节部 (均匀化部、材料注入量调节部)13、刮刀14、阀15、以及储存部16。温度控制部10使注入装置2的装置内温度保持为一定的温度。作 为温度控制部10，例如，可以采用通过施加电流使得热量从一个面移 动至另一个面的珀耳帖元件、通过转动风扇来控制装置内温度的器件
等。另外，温度控制部IO也可以构成为通过在其内部设置温度传感 器(内部的温度传感器)，来检测上述装置内的温度，从而将上述装置 内温度保持为一定的温度。温度控制部IO还可以构成为通过在其外 部设置温度传感器(外部的温度传感器)，来检测上述装置内的温度， 根据外部的温度传感器检测出的温度数据将上述装置内的温度保持为 一定的温度。上述一定的温度优选为1(TC以上3(TC以下，更优选例如为lrc以上25x:以下。由此，可使得荧光体含有材料M的粘度保持一定，同时可防止该材料M中的荧光体发生劣化。如果过度冷却，上述装 置内的水分就会侵入上述材料M中，或者，随着上述材料M的粘度上升， 在搅拌后的材料M中就会混入气泡，所以，上述一定的温度更优选为 19"C以上2rC以下。
搅拌部ll对储存部16中的荧光体含有材料M进行搅拌，其中，储 存部16被设置在注入装置2中，在储存部16中储存有材料M。作为搅 拌部11，例如，可釆用附加有驱动装置的螺旋桨状的叶片、开有孔穴 的隔壁等。例如，在采用附加有驱动装置的螺旋桨状的叶片的情况下， 通过驱动装置能够使储存部16中的螺旋桨状的叶片旋转从而搅拌储存 部中的荧光体含有材料M。另外，在采用开有孔穴的隔壁的情况下，例 如，隔壁近似水平地设置在储存部16中，并在隔壁上随机地设置有多 个开孔，荧光体含有材料M通过上述多个开孔作往返运动(荧光体蜿蜒 行进)，由此，能够对储存部16中的荧光体含有材料M实施搅拌。
余量传感器12对荧光体含有材料M的余量进行检测，该余量是从 储存部16下方的开孔送出至储存部16的外部并积存在呈封闭状态的阀 15和刮刀14之间的(为了向定量用模具20送出而在注入装置2中准 备的)材料M的余量。例如，余量传感器12，通过对荧光体含有材料M 照射光并由感光元件检测来自荧光体含有材料M的反射光量，从而检测 出荧光体含有材料M的余量。
材料注入量调节部13根据余量传感器12所检测出的荧光体含有材 料M的余量，来调节从注入装置2要向定量用模具20填充的荧光体含 有材料M的量。材料注入量调节部13使刮刀14进行动作以阻塞储存部 16下方的开孔从而阻止从储存部16送出荧光体含有材料M或者打开上
述开孔从而使得从储存部16送出荧光体含有材料M。另外，材料注入 量调节部13通过对阀15的开合进行调节从而对从注入装置2要向定量 用模具20送出的荧光体含有材料M的量进行调节。如上所述，刮刀14根据材料注入量调节部13的指示进行动作以阻 塞储存部16下方的开孔从而阻止从储存部16送出荧光体含有材料M 或者打开上述开孔而使得从储存部16送出荧光体含有材料M。阀15根 据材料注入量调节部13的指示进行开合，对从注入装置2向定量用模 具20送出的荧光体含有材料M的量进行调节。储存部16对从注入装置 2向定量用模具20送出的荧光体含有材料M进行储存。荧光体含有材料M是含有荧光体的树脂。上述材料M优选含有荧光 体的透光性树脂材料。理由为，与以包含非光学透明树脂的荧光体含有 透光性树脂材料作为荧光体含有材料M的情况相比，以包含光学透明树 脂的荧光体含有透光性树脂材料作为荧光体含有材料M的半导体的发 光更为良好。另外，荧光体含有材料M优选含有硅系树脂、环氧系树脂、 丙烯酸系树脂、氟系树脂、聚酰亚胺系树脂、以及硅变性环氧系树脂中 的至少l.种的透光性树脂。由此，能够釆用硅系树脂、环氧系树脂、丙烯酸系树脂、氟系树脂、聚酰亚胺系树脂、以及硅变性环氧系树脂作为 荧光体含有材料M。另外，特别优选硅系树脂，这是由于硅系树脂的耐 候性、耐热性、绝缘性、化学稳定性优异，并且，至可见光 紫外光区 域为止具有非常高的透过率。以下通过图3 图5说明半导体发光装置的概要结构，其中，半导体发光装置是通过半导体发光装置制造装置1在半导体发光元件的周 围成形荧光体含有材料制成的。图3是表示半导体发光装置4的剖面图，其中，半导体发光装置是通过半导体发光装置制造装置1在半导体发光 元件的周围成形荧光体含有材料制成的。如图3所示，半导体发光装置 4具有以下结构，S卩封装30、元件基板31、 n型半导体层32、发光 体层33、 p型半导体层34、 n侧电极35、以及p侧电极36。另外，元 件基板31、 n型半导体层32、发光体层33、 p型半导体层34、 n侧电 极35、以及p侧电极36构成半导体发光元件37。如图3所示，荧光体 含有材料M覆盖包括发光体层33的半导体发光元件37，从而成形半导
体发光装置4。元件基板31形成为矩形形状。例如，元件基板31可采用绝缘性的蓝宝石基板、导电性的Si、 SiC、 GaAs、 GaP、 GaN、 ZnO等基板。在元件基板31上层叠例如GaN或者AlGaN等而形成N型半导体层 32。在本实施方式中，n型半导体层32和元件基板31之间没有设置缓 冲层，但并不限于此。例如，可以在n型半导体层32和元件基板31 之间设置由GaN或者InGaN形成的缓冲层。发光体层33是在n型半导体层32的整个面上含有InGaN的活性层， 通过电子和空穴的再结合进行发光。另外，P型半导体层34是在发光 体层33的整个面上层叠GaN所形成的层。发光体层33和p型半导体层 34的形成方式为下述，即在n型半导体层32的整个面上层叠含有 InGaN的发光体层33，接着，在发光体层33的整个面上形成通过层叠 GaN而得到的p型半导体层34，然后，通过干蚀刻在n型半导体层32 露出用于形成n侧电极35的区域。在本实施方式中，在发光体层33 的表面层叠GaN来形成p型半导体层34，但并不限于此。例如，也可 以采用在发光体层33和p型半导体层(p型GaN半导体层)34之间层 叠p型AlGaN半导体层的结构。n侧电极35由与n型半导体层32连接的Ti和适于焊接(bonding) 的Au形成。为了与p型半导体层34进行欧姆接触，p侧电极36由Ni 和Au形成。半导体发光元件37的层叠顺序是在元件基板31上层叠n型半导 体层32，在n型半导体层32上除去用于形成n侧电极35的区域而层 叠发光体层33，在发光体层33上层叠p型半导体层34，在p型半导体 层34上形成p侧电极36。然后，在形成有配线图案的封装30内安装 以上述顺序形成的半导体发光元件37,由此，n侧电极35和p侧电极 36实现连接。此外，荧光体含有材料M覆盖半导体发光元件37的周围，该半导 体发光元件37被载置在封装30内。关于覆盖半导体发光元件37的顶 面的荧光体含有材料M的厚度和覆盖侧面的荧光体含有材料M的厚度， 可根据荧光体含有材料M沉淀等原因所导致的亮度不均，对其进行适当
的设定。利用半导体发光装置制造装置1在半导体发光元件37周围成形荧 光体含有材料而制成的半导体发光装置并不限于图3所示的半导体发光装置4。例如，图4所示的半导体发光装置4a和图5所示的半导体 发光装置4b也能够通过半导体发光装置制造装置1制造。图4是表示 半导体发光装置4a的剖面图，其中，半导体发光装置4a是通过半导体 发光装置制造装置1在半导体发光元件37周围形成荧光体含有材料M 制成的。图5是表示半导体发光装置4b的剖面图，其中，半导体发光 装置4b是通过半导体发光装置制造装置1在半导体发光元件37周围形 成荧光体含有材料M制成的。图4所示的半导体发光装置4a具有封装30、元件基板31、 n型 半导体层32、发光体层33、 p型半导体层34、 n侧电极35、以及p侧 电极36 (未图示)。半导体发光装置4a与半导体发光装置4的区别在 于，半导体发光元件37的层叠顺序不同。具体来说，在半导体发光装 置4a中，在封装30内依次形成p型半导体层34、发光体层33、 n型 半导体层32、元件基板31。即，在半导体发光装置4a的半导体发光元 件37中，从上到下依次层叠元件基板31、 n型半导体层32、发光体层33、 p型半导体层34。图5所示的半导体发光装置4b与半导体发光装置4a同样，包括 封装30、元件基板31、 n型半导体层32、发光体层33、 p型半导体层34、 n侧电极35、 p侧电极36 (未图示)，以及在元件基板31的背面侧 设置的电极。半导体发光装置4b的半导体发光元件37的层叠顺序不同 于半导体发光装置4，并且也不同于半导体发光装置4a。具体来说，在 半导体发光装置4b中，在封装30内依次层叠元件基板31、 p型半导体 层34、发光体层33、 n型半导体层32。即，在半导体发光装置4b的半 导体发光元件37中从上到下依次层叠n型半导体层32、发光体层33、 p型半导体层34、元件基板31。此外，图5所示的半导体发光装置4b 所包含的元件基板31可以采用Cu、 Cu — W(钨)、Cu — Ag、 Cu—Mo (钼)。以下通过图6至图7 (f)说明利用半导体发光装置制造装置1在 半导体发光元件37周围形成荧光体含有材料M，制造半导体发光装置4的制造方法。图6是表示用本发明的注入装置2向定量用模具填充荧光体含有材料M的图，其中，荧光体含有材料M用于涂布半导体发光装置 4。图7(a)是表示定量用模具20的图，其中，定量用模具20用于向 半导体发光元件37周围涂布荧光体含有材料M。图7 (b)是表示向定 量用模具的开口部23填充荧光体含有材料M后的状态图。图7 (c)是 表示利用刮刀14a从定量用模具20除去多余的荧光体含有材料的工序 的图。图7 (d)是表示利用刮刀14a从定量用模具20除去多余的荧光 体含有材料后的状态的图。图7 (e)是表示通过定量用模具20的网状 掩膜的开口部22向半导体发光元件37涂布荧光体含有材料M的工序的 图。图7 (f)是表示荧光体含有材料M成形结束后的半导体发光装置4 的图。以下根据图6说明利用注入装置2在定量用模具20中填充用于涂 布半导体发光装置4的荧光体含有材料M之前的工序。在本发明中，利用温度控制部10使注入装置2内保持一定的温度 (温度控制工序)。然后，利用搅拌部ll对储存部16中储存的荧光体 含有材料M进行搅拌(搅拌工序)，其中储存部16是注入装置2的装置 内所具备的部件。接着，储存部16储存的荧光体含有材料M利用重力 从储存部16下方的开孔被送出到储存部16的外部。另外，在具有上述 注入装置2、加压装置3、定量用模具20的密闭空间内密封有例如氮、 氩等惰性气体的情况下，储存在储存部16中的荧光体含有材料M由于 气压作用而从储存部16下方的开孔送出到储存部16的外部。根据材料 注入量调节部13的指示，堵塞上述储存部16下部的开孔的刮刀14从 上述开孔移开，由此，荧光体含有材料M被送出到储存部16的外部。 然后，根据余量传感器12所检测出(余量检测工序)的荧光体含有材 料M的余量，材料注入量调节部13对阀15的开合进行调节，由此，对 由注入装置2送出的荧光体含有材料M的量进行调节，将荧光体含有材 料M填充在定量用模具20中(材料注入量调节工序)。上述气压优选比大气压高1. OkPa 4. OkPa。另外，在本实施方式中，材料注入量调节部13根据余量传感器12 检测出的荧光体含有材料M的余量来对阀15的开合进行调节，从而调
节从注入装置2送出的荧光体含有材料的量。但并不限于此。也可以为诸如下述的结构，即材料注入量调节部13根据余量传感器12检测出的荧光体含有材料M的余量，使刮刀14进行动作，调节要向储存部16 的外部送出的荧光体含有材料的量，由此，调节从注入装置2送出的荧 光体含有材料M的量。另外，还可以为以下结构，g卩材料注入量调节 部13调节阀15的开合以及刮刀14的动作来调节从注入装置2送出的 荧光体含有材料M的量。以下通过图7 (a)至图7 (f)说明将已填充在定量用模具20中的 荧光体含有材料M成形在半导体发光元件37周围的工序。首先，如图7 (a)所示，准备定量用模具20，使得网状掩膜21 的网格部分(网状掩膜的开口部22)位于定量用模具23的开口部。本 实施方式中的定量用模具20以及网状掩膜的材质为不锈钢。另外，网 格状掩膜的开口部22的宽度为20um，定量用模具的开口部23为4> 2mm，相邻的定量用模具的开口部23彼此的间隔为5.2mm。除了不锈钢 以外，还能够以镍等金属形成定量用模具20和网格状掩膜21。因此， 即使将荧光体含有材料M填充入定量用模具的开口部23，定量用模具 20和网格状掩膜21也不容易被腐蚀，并且不容易损伤。上述开口部23的深度优选0. 2mm至1. Omm。上述开口部23优选其平面形状为圆形，直径为0.2腿 10mm。如上图6所述，利用注入装置2将荧光体含有材料M填充在定量用 模具的开口部23中，从而得到如图7 (b)所示的在定量用模具的开口 部23中填充了荧光体含有材料M的定量用模具20。在本实施方式中， 此时使用的荧光体含有材料M为BOS系荧光体。接着，如图7 (c)所示，利用刮刀14a除去厚度过量的荧光体含 有材料M。在本实施方式中，如图7(d)所示，除去荧光体含有材料M， 以使定量用模具20的顶面露出为止。之后，如图7 (e)所示，进行配置使得定量用模具的开口部23和 封装30的开口部的位置彼此对准，其中，在定量用模具的开口部23 中填充有荧光体含有材料M，在封装30的开口部中载置有半导体发光 元件37。然后，施加气压P，使填充在定量用模具的开口部23中的荧
光体含有材料M通过网格状掩膜的开口部22，并将其涂布在载置有半 导体发光元件37的封装30内。在本实施方式中，使用了通过在作为加 压装置3的气囊中注入空气使其膨胀，升高半导体发光装置制造装置1 的装置内压力从而实施加压(气压P)的方法。另外，在本实施方式中 的气压P是2.5kPa。除了使用气囊之外，加压装置3也可以采用例如 将半导体发光装置制造装置1外部的气压导入半导体发光装置制造装 置1的内部从而调整气压的结构。最后，由于在荧光体含有材料M中含有热固化性粘合剂，将荧光体 含有材料M在热固化炉内固化后，如图7(F)所示，在封装30内的半 导体发光元件37的周围成形荧光体含有材料M，从而得到半导体发光 装置4。本发明的注入装置2具有以下结构，即抑制荧光体含有材料M中所 包含的混合物在荧光体含有材料M中的混合比的偏差的荧光体含有材 料温度控制部10、荧光体含有材料搅拌部11、荧光体含有材料余量传 感器12、以及荧光体含有材料注入量调节部13。本发明可以包括以下工序，即在封装30内配置半导体发光元件 37的工序；在封装30内设置定量用模具(成形用模具)20的工序，其 中，网格状掩膜的开口部22位于半导体发光元件37的上部；利用注入 装置2所具有的温度控制部10、搅拌部ll、余量传感器12、以及材料 注入量调节部13 (均匀化部)来抑制从注入装置2填充在定量用模具 20的上述荧光体含有材料M中所包含的混合物的在荧光体含有材料M 中的混合比的偏差的工序(均匀化工序)，其中，注入装置2将荧光体 含有材料M填充在丝网印刷用的定量用模具20中；利用注入装置2向 网格状掩膜的开口部22填充上述荧光体含有材料M的工序；除去多余 的荧光体含有材料的工序；向上述荧光体含有材料M施加气压P的工序； 在除去定量用模具20后，固化上述荧光体含有材料M而使荧光体含有 材料M成形的工序。由此，因为具备用于控制荧光体含有材料M中所包含的混合物的混 合比的偏差的温度控制部10、搅拌部ll、余量传感器12、以及材料注 入量调节部13 (均匀化部)，所以，荧光体含有材料M所含有的混合物
能够在荧光体含有材料M中保持均匀的混合比。因此，能够在丝网印刷的半导体发光装置制造装置1的丝网印刷用的定量用模具20中填充混 合比均匀的荧光体含有材料M，其中，半导体发光装置制造装置l对设 置在半导体发光装置4的封装30中的半导体发光元件37涂布荧光体含 有材料M。因此，可在半导体发光元件37上均匀地涂布荧光体含有材 料M。其结果，能够提供一种可抑制色度充足率降低、发光均匀且色斑 较少的半导体发光装置。另外，上述混合物的混合比例如是荧光体和树 脂的重量比例。进而，本发明的注入装置2具有余量传感器12和材料注入量调 节部13，其中，余量传感器12检测被送出到设置在检测注入装置2内 的储存部16的外部的、用于从注入装置2向定量用模具20送出的荧光 体含有材料M的余量，调节部13根据余量传感器12检测出的上述余量 来调节要送出到定量用模具20的荧光体含有材料M的量。因此，调节部13能够根据由余量传感器12检测出的荧光体含有材 料M的余量来调整要向定量用模具20送出的荧光体含有材料M的量， 使得荧光体和透光性树脂的混合比恒定。所以，可将荧光体含有材料M 在荧光体和透光性树脂的混合比始终能够保持不变的状态下进行涂布。另外，在上述材料M中含有的荧光体并没有特别限定，但优选包括 添加有钆和铈的YAG(Yttrium Aluminum Garnet)系荧光体、BOS(Barium Ortho—silicate)系焚光体禾口 TAG (Terbium Aluminum Garnet)系突 光体中的至少一种荧光体。上述荧光体所相应的半导体发光元件37可 以是发出紫外线、红色光、蓝色光、黄色光或绿色光的半导体发光元件 中的一种或两种以上。因此，诸如蓝色发光元件和YAG荧光体的组合等的、发光器件通用 的组合可以直接用作荧光体含有材料中的荧光体。当组合使用两种以上 不同种类的荧光体时，第2荧光体不仅吸收半导体发光元件37发出的 光并发出波长光，而且，吸收第l荧光体发出的荧光并发出波长光。另 外，荧光体可以包括光扩散构件。由此还可望减少发光不均的发生。另外，在本实施方式中采用不锈钢作为网格状掩膜21的材质，但 并不限于此。作为网格状掩膜21的材质，可采用其它金属例如镍，还
可以采用由聚酰胺系合成高分子化合物构成的合成纤维(尼龙)和聚酯 系合成纤维(帝特龙)等的至少1种。另外，定量用模具20和网格状掩膜21可以形成为一体，也可以分 别独立地形成。定量用模具20和网格状掩膜21可由不同的材料形成。本实施方式中，定量用模具的开口部23的平面形状为圆形，但定 量用模具的开口部23的形状可以根据封装30的形状而改变。其中，定 量用模具对荧光体含有材料进行定量。例如，定量用模具的开口部23 的平面形状可以是矩形、多角形或者不规则形状。在本实施方式中，网格状掩膜的开口部22是矩形，也可以为圆形、 多角形或不规则形状。在本实施方式中，网格状掩膜的开口部22的宽度为20um，定量 用模具的开口部23为4)2mm，相邻的定量用模具的开口部23之间的间 隔为5.2誦，气压P为2.5kPa。但并不限于此，可适当进行设定。在本实施方式中，通过图6至图7 (f)表示了半导体发光装置4 的制造方法，也可通过与图6至图7 (f)相同的方法来制造半导体发 光装置4a和半导体发光装置4b。在本实施方式中，注入装置2具有温度控制部10、搅拌部ll、余 量传感器12和材料注入量调节部13。但并不限于此。例如，注入装置 2可以不包括搅拌部11、余量传感器12和材料注入量调节部13。即使 在这种情况下，可通过温度控制部10使注入装置2内的荧光体含有材 料M保持恒定，所以，荧光体含有材料M的混合比也能够保持均匀。另 外，例如，注入装置2也可以不包括温度控制部10、余量传感器12和 材料注入量调节部13。即使在这种情况下，可通过搅拌部ll搅拌注入 装置2内的荧光体含有材料M，由此使荧光体含有材料M的混合比也能 够保持相同。进而，例如，注入装置2也可以不包括温度控制部10和 搅拌部ll。即使在这种情况下，可通过余量传感器12和材料注入量调 节部13使荧光体含有材料M的混合比保持相同。另外，在注入装置2中具有温度控制部10，不仅如此，为了调节 半导体发光装置1内的温度，还可以在半导体发光装置制造装置1中设 置温度控制部10。因此，即使在以使用了型板的丝网印刷法制造半导
体发光装置的情况下，当向定量用模具20填充荧光体含有材料M后除 去型板时，也能够抑制由于半导体发光装置制造装置1内的温度变化造成的荧光体含有材料M的粘度变化。因此，能够避免发生以下问题，艮P:由于荧光体含有材料M的粘合力，荧光体含有材料M附着在型板的开口 部侧壁面上，从而造成荧光体层走形。因此，能够得到具有所期望的厚 度和形状的荧光体层的半导体发光装置，并且，在具有该荧光体层的半 导体装置中能够抑制色斑(色彩不均)和光斑(发光不均)的发生。本发明的半导体发光元件37可以是在近紫外线-红外线区域中发 光的半导体发光元件。另外，网格状掩膜(网格部)21的底面和封装(周壁)30的最上 部的之间的间隔优选为0.05mm至0. 25mm。另夕卜，网格状掩膜的开口部(孔)22的宽度优选为10um 100um。根据本发明，由于具备用于抑制荧光体含有材料中的混合物的混合 比的偏差的均匀化部，所以，在荧光体含有材料中的混合物能够保持相 同的混合比。因此，可以取得在半导体发光元件上均匀地涂布荧光体含 有材料的效果。本发明的注入装置是在通过丝网印刷对装入半导体发光装置的封 装内的半导体发光元件涂布包含荧光体及树脂的荧光体含有材料的制 造装置中所使用的、将上述荧光体含有材料填充到用于丝网印刷的成形 用模具的注入装置，上述注入装置具备用于抑制上述荧光体含有材料中 所包含的混合物在荧光体含有材料中的混合比的偏差的均匀化部。作为优选，本发明的注入装置中，上述均匀化部具有将上述注入装 置内的温度调节为预定温度的温度控制部。由此，通过温度控制部将注入装置内的温度调节为预定的温度，所 以，注入装置内能够保持一定的温度。因此，由于注入装置内的温度不 会发生大的变化，所以荧光体含有材料的粘度也不会随着周围温度的变 化而变化较大。因此，荧光体含有材料中的沉淀物的沉淀状态也难以发 生变化(比重大的荧光体难以沉淀)，从而荧光体含有材料中不会产生 浓度不均。其结果，能够抑制荧光体含有材料的混合比的偏差，所以能 够将荧光体含有材料均匀地涂布在半导体发光元件上。另外，例如，能
够通过温度控制部使注入装置内保持低温，由此也可防止荧光体含有材 料中的荧光体劣化。本发明的注入装置中，，上述温度控制部优选将上述注入装置内的温度保持在10'C以上3(TC以下的温度范围内。由此，通过温度控制部能够使注入装置内的温度保持在荧光体不容易劣化的温度即l(TC以上3(TC以下的温度范围内，所以，可以防止荧 光体含有材料中的荧光体劣化。本发明的注入装置中，作为上述均匀化部优选具有搅拌上述注入装 置中的荧光体含有材料的搅拌部。由此，可通过搅拌部对注入装置内的荧光体含有材料进行搅拌，因 此，可通过搅拌来抑制由比重大于树脂材料的荧光体沉淀所导致的荧光 体含有材料中的混合比的偏差。因此，能够将荧光体含有材料均匀地涂 布在半导体发光元件上。另外，本发明的注入装置中，上述搅拌部优选是附加了驱动装置的 螺旋桨状的叶片或者开有孔穴的隔壁。通过驱动装置使上述螺旋桨状的叶片旋转，能够搅拌注入装置内的 荧光体含有材料。另外，通过设置开孔的隔壁，能够使荧光体含有材料 M通过在隔壁上形成的开孔作往返运动(荧光体蜿蜒行进)，由此，对 注入装置内的荧光体含有材料M进行搅拌。本发明的注入装置中，作为上述均匀化部优选具有余量检测部和材 料注入量调节部，其中，余量检测部检测荧光体含有材料的余量，材料 注入量调节部根据上述余量检测部检测出的该余量调整要向成形用模 具送出的荧光体含有材料的量。由此，材料注入量调节部可根据余量检测部检测出的荧光体含有材 料的余量来调整要向成形用模具送出的荧光体含有材料的量，所以，可 将荧光体含有材料在混合比始终保持不变的状态下进行涂布。另外，本发明的注入装置中，在该注入装置内优选封入惰性气体。因此，可利用在注入装置内注入惰性气体所产生的气压，从注入装 置内向注入装置外部送出荧光体含有材料。另外，本发明的注入装置中，上述荧光体含有材料优选包括硅系
树脂、环氧系树脂、丙烯懒系树脂、氟系树脂、聚酰亚胺系树脂及硅变 性环氧系树脂中的至少一种的透光性树脂。由此，作为荧光体含有材料， 能够采用硅系树脂、环氧系树脂、丙烯酸系树脂、氟系树脂、聚酰亚胺 系树脂及硅变性环氧系树脂。另外，因为硅系树脂是粘度高的树脂，所 以能够进一步抑制荧光体含有材料中的荧光体的沉淀。因此，能够进一 步抑制荧光体含有材料的混合比的偏差。另外，本发明的注入装置中，上述荧光体含有材料优选包括添加了钆和铈的YAG (Yttrium Aluminum Garnet)系荧光体、BOS (Barium Ortho-silicate)系荧光体、以及TAG (Terbium Aluminum Garnet)系荧光体中的至少一种荧光体。因此，诸如蓝色发光元件和YAG荧光体的组合等的、发光器件通用 的组合可以直接用作荧光体含有材料中的荧光体。例如，作为无机荧光体能够采用以下荧光体。首先，能够采用红色 发光的6Mg0 'As A: Mn4+ 、 Y ( PV) 04: Eu、 CaLa。. !Eu。. 9Ga307、 BaY。. 9Sm。. ^&307 、 Ca (Y。.5Eu。.5) (Ga0.5In0.5 ) 307 、 Y303 : Eu 、 YV04: Eu 、 Y202 : Eu 、 3. 5Mg0 0. 5MgF2Ge02: Mn4+、和(Y Cd) B02: Eu等。另外，能够采用 蓝色发光的(Ba， Ca， Mg) 5 (P04) 3C1: Eu2+、 (Ba， Mg) 2A120 27: Eu2+、 Ba3MgSiA: Eu2+、 BaMg2Al2027: Eu2+、 (Sr， Ca) 10(P04) 6C12: Eu2+、 (Sr， Ca) io (P04) 6C12 nB203: Eu2+、 Sr,。 (P04) 6C12: Eu2+、 (Sr， Ba， Ca) 5 (P04) 3C1: Eu2+、 Sr2P207: Eu、 Sr5 (P04) 3C1: Eu、 (Sr， Ca， Ba) 3(P0》6CL: Eu、 SrO PA B205: Eu、 (Ba， Ca) 5 (P04) 3C1: Eu、 SrLa0.95Tm0.05Ga307、 ZnS: Ag、 GaW04、 Y2Si06: Ce、 ZnS: Ag， Ga， Cl、 Ca2B40Cl: Eu2+、 BaMgAl403: Eu2+、以及由一般式(M1， Eu) 10 (P04) 6C12(Ml是选自Mg， Ca， Sr，和Ba的至少1种元素)表示的荧光体。进而， 还能够采用绿色发光的Y3A15012: Ce3+ (YAG)、 Y2Si05: Ce3+， Tb3+、 Sr2Si308 2SrCl12: Eu、 BaMg2Al2027: Eu2+， Mn2+、 ZnSiO" Mn、 Zn2Si04: Mn、 LaPO" Tb 、 SrAl204 : Eu 、 SrLa0.2Tb0.8GaA 、 CaYo.9Pr。.,GaA 、 ZnGd0.8Ho0.2Ga307、 SrU0.6Tb0.4Al3O7、 ZnS: Cu, Al、 (Zn， Cd) S: Cu， Al、 ZnS: Cu， Au， Al、 Zn2Si04: Mn、 ZnSi04: Mn、 ZnS: Ag， Cu、 (Zn 'Cd) S: Cu、 ZnS: Cu、 GdOS: Tb、 LaOS: Tb、 YSi04: Ce Tb、 ZnGe04: Mn、
GeMgA10: Tb、 SrGaS: Eu2+、 ZnS: Cu ，Co、 MgO ，咸03: Ge， Tb、 UOBr: Tb， Tm、以及La力2S: Tb等。另外，还能够采用白色发光的YV04: Dy 以及黄色发光的CaLU。.5Dy。.5Ga307。此外，当发光元件所发出的光的波 长为420nm以下的近紫外线时，例如，能够采用ZnS: Cu， Al、 (Zn， Cd) S: Cu， Al、 ZnS: Cu， Au， Al、 Y2Si05: Tb、 (Zn， Cd) S: Cu、 Gd202S: TB、 Y202S: Tb、 Y3A13012: Ce、 (Zn， Cd) S: Ag、 ZnS: Ag， Cu， Ga， Cl、 Y3A15012: Tb、 Y3 (Al, Ga) 5012: Tb、 Zn2Si04: Mn、 LaP04: Ce， Tb、 Y203S: Eu、 YVO" Eu、 ZnS: Mn、 Y2 03: Eu、 ZnS: Ag、 ZnS: Ag， Al、 (Sr， Ca， Ba， Mg) 10 (P04) 6C12: Eu、 Sr10 (P04) 6C12: Eu、 (Ba， Sr， Eu) (Mg， Mn) A110017、 (Ba， Eu) MgAl0017、 ZnO: Zn、 Y2Si05: Ce中的任意一种，或者组合使用其中两种以上的荧光体。本发明的制造装置通过丝网印刷对装入半导体发光装置的封装内 的半导体发光元件涂布包含荧光体的树脂即荧光体含有材料，，具有用 于丝网印刷的成形用模具和上述任一注入装置。另外，本发明的上述制造装置，作为优选，具有至少l个改变上述 制造装置内气压的压力调整装置，而且，在1个密闭空间内具有上述成 形用模具、上述注入装置、以及上述压力调整装置。因为可通过压力调整装置来调整制造装置内的压力，所以能够向填 充在制造装置中的成形用模具内的荧光体含有材料施加压力，从成形用 模具中将荧光体含有材料挤出且涂布在半导体发光元件上。另外，本发明的制造装置中，上述压力调整装置优选为气囊，气囊 膨胀使上述制造装置内的气压上升，气囊收缩使上述制造装置内的气压 下降。因为能够通过气囊膨胀使上述制造装置内的气压上升，通过气囊收 縮使上述制造装置内的气压下降，所以向填充在制造装置内的成形用模 具中的荧光体含有材料施加压力，从成形用模具中将荧光体含有材料挤 出且涂布在半导体发光元件上。另外，本发明的半导体发光装置的制造方法对装入半导体发光装置 的封装内的半导体发光元件涂布包含荧光体和树脂的荧光体含有材料， 该制造方法包括均匀化工序，借助于注入装置所具备的均匀化部来抑 制由上述注入装置填充到上述成形用模具的、上述荧光体含有材料中的 混合物在上述荧光体含有材料中混合比的偏差，其中，上述注入装置将 上述荧光体含有材料填充到用于丝网印刷的成形用模具。另外，本发明的半导体发光装置的制造方法，作为优选，上述均匀 化工序包括由温度控制部将上述注入装置内的温度调节为预定温度的 温度控制工序。由此，通过温度控制部将注入装置内的温度调节为预定的温度，所 以，注入装置内能够保持一定的温度。因此，由于注入装置内的温度不 会发生大的变化，所以荧光体含有材料的粘度也不会随着周围温度的变 化而变化较大。因此，荧光体含有材料中的沉淀物的沉淀状态也难以发 生变化(比重大的荧光体难以沉淀)，荧光体含有材料中不会产生浓度 不均。其结果，能够抑制荧光体含有材料的混合比的偏差，所以能够将 荧光体含有材料均匀地涂布在半导体发光元件上。另外，例如，能够通 过温度控制部使注入装置内保持为低温，由此也可防止荧光体含有材料 中的荧光体劣化。另外，本发明的半导体发光装置的制造方法中，优选包括由搅拌部 搅拌上述注入装置内的荧光体含有材料的搅拌工序。由此，可通过搅拌部对注入装置内的荧光体含有材料进行搅拌，因 此，可通过搅拌来抑制由比重大于树脂材料的荧光体沉淀所导致的荧光 体含有材料中的混合比的偏差。因此，能够将荧光体含有材料均匀地涂 布在半导体发光元件上。另外，本发明的半导体发光装置的制造方法中，作为优选，上述均 匀化工序包括余量检测工序，由余量检测部检测荧光体含有材料的余 量；以及材料注入量调节工序，根据上述余量检测工序检测出的上述余 量，由材料注入量调节部调整要向成形用模具送出的荧光体含有材料的由此，材料注入量调节部可根据上述余量检测工序检测出的该余量 来调整要向成形用模具送出的荧光体含有材料量，所以，可将荧光体含 有材料在混合比始终保持不变的状态下进行涂布。以上，对本发明进行了详细的说明，上述具体实施方式
或实施例仅
仅是使本发明的技术内容清楚的示例，本发明并不限于上述具体示例， 不应对本发明进行狭义的解释，可在本发明的精神和权利要求的范围内 进行各种变更来实施之。
权利要求
1.一种注入装置，是在通过丝网印刷对装入半导体发光装置的封装内的半导体发光元件涂布包含荧光体及树脂的荧光体含有材料的制造装置中所使用的、将上述荧光体含有材料填充到用于丝网印刷的成形用模具的注入装置，上述注入装置具备用于抑制上述荧光体含有材料中所包含的混合物在荧光体含有材料中的混合比的偏差的均匀化部。
2. 根据权利要求l所述的注入装置，其特征在于，上述均匀化部具有将上述注入装置内的温度调节为预定温度的温 度控制部。
3. 根据权利要求2所述的注入装置，其特征在于， 上述温度控制部将上述注入装置内的温度保持在l(TC以上3(TC以下的温度范围内。
4. 根据权利要求l所述的注入装置，其特征在于， 上述均匀化部具有用于对上述注入装置中的荧光体含有材料进行搅拌的搅拌部。
5. 根据权利要求4所述的注入装置，其特征在于，上述搅拌部是附加有驱动装置的螺旋桨状的叶片或者开有孔穴的 隔壁。
6. 根据权利要求l所述的注入装置，其特征在于，上述均匀化部具有余量检测部，其检测出荧光体含有材料的余量；和 材料注入量调节部，其根据上述余量检测部所检测出的上述余量来 对要向成形用模具送出的荧光体含有材料的量进行调整。
7. 根据权利要求l所述的注入装置，其特征在于，上述均匀化部具有温度控制部，其将上述注入装置内的温度调节为预定温度； 搅拌部，用于对上述注入装置内的荧光体含有材料进行搅拌； 余量检测部，其检测出荧光体含有材料的余量；和 材料注入量调节部，其根据上述余量检测部所检测出的上述余量来 对要向成形用模具送出的荧光体含有材料的量进行调整。
8. 根据权利要求l所述的注入装置，其特征在于， 在上述注入装置内封入有惰性气体。
9. 根据权利要求l所述的注入装置，其特征在于，上述荧光体含有材料含有硅系树脂、环氧系树脂、丙烯酸系树脂、 氟系树脂、聚酰亚胺系树脂及硅变性环氧系树脂中的至少一种的透光性 树脂。
10. 根据权利要求l所述的注入装置，其特征在于， 上述荧光体含有材料含有添加了钆和铈的YAG、 B0S和TAG系中的至少一种荧光体。
11. 一种半导体发光装置，具有-基体；在上述基体上配置的半导体发光元件； 用于包围上述半导体发光元件的周壁；以及 覆盖上述半导体发光元件且设置在上述周壁内的透光性树脂， 上述透光性树脂形成如下即在与上述基体隔开的位置上设置包括 开口部和网格部的定量用模具，其中上述网格部设置于上述开口部在上 述基体侧的开口端面且具有多个孔，在上述开口部至少填充透光性树脂 材料之后，通过施加气体所产生的压力而在上述周壁内注入了透过上述 网格部后的上述透光性树脂材料，然后进行固化而形成。
12. 根据权利要求ll所述的半导体发光装置，其特征在于， 具有上述开口部的第1基材和具有上述网格部的第2基材以上述开口部的位置和上述网格部的位置重合的方式被层叠而构成上述定量用 模具。
13. 根据权利要求ll所述的半导体发光装置，其特征在于， 在上述开口部中填充有被定量的上述透光性树脂。
14. 根据权利要求ll所述的半导体发光装置，其特征在于， 上述透光性树脂材料含有荧光体。
15. 根据权利要求ll所述的半导体发光装置，其特征在于， 在上述基体上至少载置两个以上的上述半导体发光元件。
16. 根据权利要求ll所述的半导体发光装置，其特征在于，上述半导体发光元件发出近紫外线至红外光线区域的光。
17. —种制造装置，通过丝网印刷对装入半导体发光装置的封装内 的半导体发光元件涂布包含荧光体的树脂即荧光体含有材料，上述制造装置具备-用于丝网印刷的成形用模具；以及注入装置，其具有用于抑制上述荧光体含有材料中所包含的混合物 在荧光体含有材料中的混合比的偏差的均匀化部。
18. 根据权利要求17所述的制造装置，其特征在于， 上述制造装置至少具有一个用于改变上述制造装置内的气压的压力调整装置，而且，上述成形用模具、上述注入装置和上述压力调整装置被设置在一个 密闭的空间内。
19. 根据权利要求17所述的制造装置，其特征在于， 上述压力调整装置是通过膨胀而使上述制造装置内的气压上升、通过萎縮而使上述制造装置内的气压下降的气囊。
20. —种半导体发光装置的制造方法，对装入半导体发光装置的封 装内的半导体发光元件涂布包含荧光体和树脂的荧光体含有材料，上述半导体发光装置的制造方法包括均匀化工序，其借助于注入装置所具备的均匀化部来抑制由上述注 入装置填充到上述成形用模具的、上述荧光体含有材料中所包含的混合 物在荧光体含有材料中的混合比的偏差，其中上述注入装置将上述荧光 体含有材料填充到用于丝网印刷的成形用模具。
21. 根据权利要求20所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，上述均匀化工序包括利用温度控制部将上述注入装置内的温度调 节为预定温度的温度控制工序。
22. 根据权利要求20所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于， 上述均匀化工序包括利用搅拌部对上述注入装置内的荧光体含有 材料进行搅拌的搅拌工序。
23. 根据权利要求20所述的半导体发光装置的制造方法，其特征 在于，上述均匀化工序包括余量检测工序，其利用余量检测部而检测出荧光体含有材料的余 量；以及材料注入量调节工序，其通过材料注入量调节部根据上述余量检测 工序所检测出的上述余量来对要向成形用模具送出的荧光体含有材料 的量进行调整。
24. 根据权利要求20所述的半导体发光装置的制造方法，其特征 在于，上述均匀化工序包括-温度控制工序，其利用温度控制部将上述注入装置内的温度调节为 预定温度；搅拌工序，其利用搅拌部对上述注入装置内的荧光体含有材料进行 搅拌；余量检测工序，其由余量检测部检测出荧光体含有材料的余量；以及材料注入量调节工序，其通过材料注入量调节部根据上述余量检测 工序所检测出的上述余量来对要向成形用模具送出的荧光体含有材料 的量进行调整。
25. —种制造方法，包括在基体上配置半导体发光元件和用于包围该半导体发光元件的周 壁的工序；在上述半导体发光元件的配置位置的上方准备定量用模具的工序， 其中，该定量用模具具有开口部和网格部，该网格部设置在上述开口部 在上述基板侧的开口端面上且具有多个孔；在上述开口部至少填充透光性树脂材料的工序；对上述透光性树脂材料施加气压，而使该透光性树脂材料注入上述 周壁内的工序；以及使上述透光性树脂材料固化且形成透光性树脂的工序。
26. 根据权利要求25所述的半导体发光装置的制造方法，其特征 在于，具有上述开口部的第1基材和具有上述网格部的第2基材以上述开 口部的位置和上述网格部的位置重合的方式被层叠而构成上述定量用 模具。
27. 根据权利要求25所述的半导体发光装置的制造方法，其特征 在于，至少将上述透光性树脂材料填充到上述开口部的工序包括 在上述开口部和上述定量用模具上形成上述透光性树脂材料后，通过去除多余的上述透光性树脂材料，而在上述开口部内填充被定量的上述透光性树脂材料。
28. 根据权利要求25所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，在上述开口部内填充了含有荧光体的上述透光性树脂后，通过施加 气压而使上述透光性树脂注入上述周壁内。
29. 根据权利要求25所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，上述气压比大气压高1. 0kPa 4. 0kPa。
30. 根据权利要求25所述的半导体发光装置的制造方法，其特征 在于，用于施加上述气压的机构是在密闭型罩内施加气体压力。
31. 根据权利要求25所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，上述开口部的深度为0. 2mm至l.O腿。
32. 根据权利要求25所述的半导体发光装置的制造方法，其特征 在于，上述开口部的平面形状为圆形，其直径为0.2mm至10mm。
33. 根据权利要求25所述的半导体发光装置的制造方法，其特征 在于，上述网格部的底面和上述周壁的最上部之间的间隔为0.05mm至 0.—25mm。
34. 根据权利要求25所述的半导体发光装置的制造方法，其特征 在于，上述孔的宽度为lOum至100 um。
35. 根据权利要求25所述的半导体发光装置的制造方法，其特征 在于，上述网格部是作为与上述定量用模具为一体的部件被加工的。
36. 根据权利要求25所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，上述网格部是按照与定量用模具分别进行加工的方式所形成的。
37. 根据权利要求25所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，上述网格部由镍、不锈钢、聚酰胺系合成高分子化合物构成的合成 纤维、聚酯系合成纤维中的至少一种以上形成。
全文摘要
本发明提供一种注入装置，其具有用于抑制荧光体含有材料M中所包含的混合物在荧光体含有材料M中混合比的偏差的荧光体含有材料温度控制部、荧光体含有材料搅拌部、荧光体含有材料余量传感器和荧光体含有材料注入量调节部。因此，能够将荧光体含有材料均匀地涂布在半导体发光元件上。
文档编号H01L21/56GK101118941SQ20071014372
公开日2008年2月6日 申请日期2007年8月2日 优先权日2006年8月3日
发明者幡俊雄, 森本泰司, 田头弘, 立田英明 申请人:夏普株式会社