单片半导体衬底湿法刻蚀装置制造方法
【专利摘要】本发明提供的单片半导体衬底湿法刻蚀装置包括：单片反应腔体，用于进行单片半导体衬底进行湿法刻蚀和清洗；IPA干燥腔体，与所述单片反应腔体的一侧相连接，用于对单片半导体衬底进行IPA干燥。本发明解决了现有的单片半导体衬底湿法刻蚀装置利用N2的干燥方式造成的水痕残留和静电积累等缺陷。
【专利说明】单片半导体衬底湿法刻蚀装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体【技术领域】，特别涉及用于湿法刻蚀工艺的单片半导体衬底湿法刻蚀装置。
【背景技术】
[0002]半导体衬底在制造过程中会有多个湿法刻蚀的步骤。传统的湿法刻蚀设备为批式半导体衬底湿法刻蚀装置，湿法刻蚀装置包括多个清洗槽，在同一清洗槽中一次处理一批半导体衬底(一批半导体衬底为25片)。批式半导体衬底湿法刻蚀装置对半导体衬底的干燥通常利用热雾化IPA，上述干燥方式具有无水痕残留、无静电积累等优点，但是利用批式半导体衬底湿法刻蚀装置具有酸液交叉污染、离子或金属污染等问题。
[0003]随着集成电路技术节点的不断缩小，利用单片半导体衬底湿法刻蚀装置越来越是湿法刻蚀的趋势。单片半导体衬底湿法刻蚀装置相对于批式半导体衬底湿法刻蚀装置而言，去除颗粒缺陷能力好，同时利用单片半导体衬底湿法刻蚀装置在工艺过程中是单片单腔室进行，避免了酸液的相互污染，离子或金属污染更少等优点。现有的单片半导体衬底湿法刻蚀装置的对半导体衬底的干燥利用N2,即半导体衬底在喷有N2环境下高速旋转以达到干燥目的。但是这种干燥方式很容易造成水痕残留、静电累积等的缺陷，在半导体器件的线宽持续缩减下，水痕残留会杀良率，静电累积会导致半导体器件放电以及半导体器件失效。
[0004]因此，有必要对现有技术的单片半导体衬底湿法刻蚀装置进行改进，以解决现有的单片半导体衬底湿法刻蚀装置利用N2的干燥方式造成的水痕残留和静电积累等缺陷。
【发明内容】
[0005]本发明解决的问题是提供一种单片半导体衬底湿法刻蚀装置，解决了利用N2的干燥方式造成的水痕残留和静电积累等缺陷。
[0006]为解决上述问题，本发明提供一种单片半导体衬底湿法刻蚀装置包括:
[0007]单片反应腔体，用于进行单片半导体衬底进行湿法刻蚀和清洗；
[0008]IPA干燥腔体，与所述单片反应腔体的一侧相连接，用于对单片半导体衬底进行IPA干燥。
[0009]可选地，所述IPA干燥腔体设置于所述单片反应腔体的顶部。
[0010]可选地，所述单片反应腔体与IPA干燥腔体之间设置有密封盖，用于实现两者之间的密封。
[0011]可选地，还包括:机械手，用于在所述单片反应腔体与IPA干燥腔体之间传输半导体衬底。
[0012]与现有技术相比，本发明具有以下优点:
[0013]本发明提供的单片半导体衬底湿法刻蚀装置，具有单片反应腔体和IPA干燥腔体，单片反应腔体具有较强的去除颗粒缺陷的能力，也避免了酸液的相互污染，离子或金属污染更少等优点，而IPA干燥腔体解决了利用N2干燥方式造成的水痕残留、静电累积等的缺陷，满足了线宽持续缩小下对湿法清洗的要求；
[0014]进一步优化地，所述IPA干燥腔体设置于所述单片反应腔体的顶部，节约单片半导体衬底湿法刻蚀装置的占地面积；
[0015]进一步优化地，所述单片半导体衬底湿法刻蚀装置利用机械手在所述单片反应腔体与IPA干燥腔体之间传输半导体衬底，提高了工艺的效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1为发明一个实施例的单片半导体衬底湿法刻蚀装置的结构示意图。
【具体实施方式】
[0017]现有的单片半导体衬底湿法刻蚀装置相对于批式半导体衬底湿法刻蚀装置而言，去除颗粒缺陷能力好，然而，现有的单片半导体衬底湿法刻蚀装置的对半导体衬底的干燥利用N2，但是这种干燥方式很容易造成水痕残留、静电累积等的缺陷，在半导体器件的线宽持续缩减下，水痕残留会杀良率，静电累积会导致半导体器件放电以及半导体器件失效。
[0018]为解决上述问题，本发明提供的单片半导体衬底湿法刻蚀装置包括:
[0019]单片反应腔体，用于进行单片半导体衬底进行湿法刻蚀和清洗；
[0020]IPA干燥腔体，与所述单片反应腔体的一侧相连接，用于对单片半导体衬底进行IPA干燥。
[0021]下面结合具体的实施例对本发明的技术方案进行详细的说明。为了更好的说明本发明的技术方案，请参考图1所示的本发明一个实施例的单片半导体衬底湿法刻蚀装置的结构示意图。
[0022]单片反应腔体10，用于进行单片半导体衬底40进行湿法刻蚀和清洗，相对于批式半导体衬底湿法刻蚀装置，单片反应腔体10的湿法刻蚀和清洗效果好，能够在有效去除颗粒缺陷的同时，避免酸液的相互污染，离子或金属污染更少等优点。
[0023]IPA干燥腔体20，与所述单片反应腔体10的一侧相连接，用于对单片半导体衬底40进行IPA干燥，相比于队干燥，利用IPA干燥的方式具有无水痕残留、无静电积累等优点。
[0024]本实施例中，所述IPA干燥腔体20设置于所述单片反应腔体10的顶部，节约单片半导体衬底湿法刻蚀装置的占地面积。在其他的实施例中，所述IPA干燥腔体20还可以设置于单片反应腔体10的左侧或者右侧。
[0025]作为本发明的一个实施例，所述单片反应腔体10与IPA干燥腔体20之间设置有密封盖30，用于实现两者之间的密封。
[0026]作为本发明的一个实施例，所述单片半导体衬底湿法刻蚀装置还包括:机械手(图中未示出)，用于在所述单片反应腔体10与IPA干燥腔体20之间传输半导体衬底40，有利于提高工艺的效率。。
[0027]与现有技术相比，本发明具有以下优点:
[0028]本发明提供的单片半导体衬底湿法刻蚀装置，具有单片反应腔体和IPA干燥腔体，单片反应腔体具有较强的去除颗粒缺陷的能力，也避免了酸液的相互污染，离子或金属污染更少等优点，而IPA干燥腔体解决了利用N2干燥方式造成的水痕残留、静电累积等的缺陷，满足了线宽持续缩小下对湿法清洗的要求；[0029]进一步优化地，所述IPA干燥腔体设置于所述单片反应腔体的顶部，节约单片半导体衬底湿法刻蚀装置的占地面积；
[0030]进一步优化地，所述单片半导体衬底湿法刻蚀装置利用机械手在所述单片反应腔体与IPA干燥腔体之间传输半导体衬底，提高了工艺的效率。
[0031]因此，上述较佳实施例仅为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种单片半导体衬底湿法刻蚀装置，其特征在于，包括: 单片反应腔体，用于进行单片半导体衬底进行湿法刻蚀和清洗； IPA干燥腔体，与所述单片反应腔体的一侧相连接，用于对单片半导体衬底进行IPA干燥。
2.如权利要求1所述的单片半导体衬底湿法刻蚀装置，其特征在于，所述IPA干燥腔体设置于所述单片反应腔体的顶部。
3.如权利要求1所述的单片半导体衬底湿法刻蚀装置，其特征在于，所述单片反应腔体与IPA干燥腔体之间设置有密封盖，用于实现两者之间的密封。
4.如权利要求1所述的单片半导体衬底湿法刻蚀装置，其特征在于，还包括:机械手，用于在所述单片反应腔体与IPA干燥腔体之间传输半导体衬底。
【文档编号】H01L21/306GK103839799SQ201410060620
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2014年2月21日 优先权日:2014年2月21日
【发明者】宋振伟, 徐友峰, 陈晋 申请人:上海华力微电子有限公司