储能型发光二极管的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种储能型发光二极管，包括：发光晶片、灯罩和电容器，所述发光晶片包括荧光晶片和基板，所述荧光晶片与基板相连接，所述基板上安装有电容器，所述电容器与基板之间设有屏蔽罩，所述发光晶片设于灯罩的内部。通过上述方式，本发明一种储能型发光二极管，结构简单，具有电控设计，能使二极管工作的同时还能进行储能蓄电，减少能量损失，使二极管断电时还能正常工作，设计简单，成本低廉。
【专利说明】储能型发光二极管
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子元器件领域，特别是涉及一种储能型发光二极管。
【背景技术】
[0002]发光二极管简称为LED。由镓(Ga)与砷(As)、磷(P)、氮(N)、铟(In)的化合物制成的二极管，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化娃二极管发黄光，铟镓氮二极管发蓝光。
[0003]一般发光二极管能耗损失很大，浪费电能，需要有辅助的储能方式。
【发明内容】
[0004]本发明主要解决的技术问题是提供一种储能型发光二极管，结构简单，具有电控设计，能使二极管工作的同时还能进行储能蓄电，减少能量损失，使二极管断电时还能正常工作，设计简单，成本低廉。
[0005]为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是:提供一种储能型发光二极管，包括发光晶片、灯罩和电容器，所述发光晶片包括荧光晶片和基板，所述荧光晶片与基板相连接，所述基板上安装有电容器，所述电容器与基板之间设有屏蔽罩，所述发光晶片设于灯罩的内部。
[0006]在本发明一个较佳实施例中，所述灯罩内壁设有散热层。
[0007]在本发明一个较佳实施例中，所述电容器表面设有降温涂层。
[0008]在本发明一个较佳实施例中，所述屏蔽罩内部安装有电控芯片。
[0009]本发明的有益效果是:本发明一种储能型发光二极管，结构简单，具有电控设计，能使二极管工作的同时还能进行储能蓄电，减少能量损失，使二极管断电时还能正常工作，设计简单，成本低廉。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中:
图1是本发明的一种储能型发光二极管一较佳实施例的结构示意图；
附图中各部件的标记如下:1、突光晶片，2、灯罩,3、散热层,4、屏蔽罩,5、电容器,6、电控芯片，7、基板。
【具体实施方式】
[0011]下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0012]本发明实施例包括:
一种储能型发光二极管，包括发光晶片、灯罩2和电容器5，所述发光晶片包括荧光晶片I和基板7，所述荧光晶片I与基板7相连接，所述基板7上安装有电容器5，所述电容器
5与基板7之间设有屏蔽罩4，所述发光晶片设于灯罩2的内部。
[0013]另外，所述灯罩2内壁设有散热层3，所述电容器5表面设有降温涂层，减少储能产生时的热量。
[0014]另外，所述屏蔽罩4内部安装有电控芯片6，能智能控电。
[0015]本发明一种储能型发光二极管，结构简单，具有电控设计，能使二极管工作的同时还能进行储能蓄电，减少能量损失，使二极管断电时还能正常工作，设计简单，成本低廉。
[0016]以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的【技术领域】，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【权利要求】
1.一种储能型发光二极管，其特征在于，包括:发光晶片、灯罩和电容器，所述发光晶片包括荧光晶片和基板，所述荧光晶片与基板相连接，所述基板上安装有电容器，所述电容器与基板之间设有屏蔽罩，所述发光晶片设于灯罩的内部。
2.根据权利要求1所述的一种储能型发光二极管，其特征在于，所述灯罩内壁设有散热层。
3.根据权利要求1所述的一种储能型发光二极管，其特征在于，所述电容器表面设有降温涂层。
4.根据权利要求1的一种储能型发光二极管，其特征在于，所述屏蔽罩内部安装有电控芯片。
【文档编号】H01L33/64GK104037303SQ201410255741
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2014年6月11日 优先权日:2014年6月11日
【发明者】钱国珍 申请人:常州市宏硕电子有限公司