疏水围堰的制作方法

疏水围堰的制作方法
【专利摘要】本发明涉及疏水围堰。本发明提供一种构造具有电绝缘围堰结构的电子设备的方法，其中该电绝缘围堰结构具有限定井的侧壁，该方法包括：形成围堰结构，以使得侧壁包括从表面层区域延伸的第一斜坡和从第一个斜坡延伸的更陡的第二斜坡，侧壁在与第一斜坡隔开的第二斜坡上的点处具有表面能量中断；通过在井中沉积所述材料的溶液，形成具有包括有机半导电材料的至少一层的层结构，其中所沉积的溶液浸湿第一斜坡和第二斜坡直到在所述表面能量中断处的钉扎点；以及烘干所沉积的溶液。
【专利说明】疏水围偃

【技术领域】
[0001] 本发明一般而言涉及构造包括基板的电子设备的方法，其中基板具有表面层以及 所述表面层上限定井的围堰（bank)结构，并且该电子设备包括具有表面层以及所述表面 层上限定井的围堰结构的基板。

【背景技术】
[0002] 已经广泛调研了用于制造电子设备的、涉及从溶液沉积活性成分的方法（溶液加 工）。如果活性成分是从溶液沉积的，则活性成分优选包含在基板的期望区域内。这可以通 过提供包括限定井的图案化了的围堰层的基板来实现，活性成分可以从溶液沉积在所述井 中。井在正烘干时包含溶液，以使得活性成分保留在由井限定的基板的区域中。
[0003] 已经发现这些方法对于从溶液沉积有机材料是特别有用的。有机材料可以是导电 的、半导电的，和/或光电活性的，以使得它们可以在电流通过它们时发射光或者通过在光 撞击到它们之上时生成电流来检测光。使用这些材料的设备被称为有机电子设备。如果有 机材料是光发射材料，则设备被称为有机光发射设备（0LED)。此外，溶液加工实现了薄膜晶 体管（TFT)并且尤其是有机薄膜晶体管（0TFT)的低成本、低温制造。在这种设备中，特别 期望在适当的区域并且尤其是设备的通道中包含有机半导体（0SC)，并且可以提供限定井 的围堰，以便包含0SC。
[0004] 有些设备可能需要多于单个溶液沉积层。典型的0LED(诸如在显示器中使用的 0LED)可以具有两层有机半导体材料-其一可以是发光材料层，诸如发光聚合物（LEP)，而 另一层可以是空穴输送材料层，诸如聚噻吩衍生物或聚苯胺衍生物。
[0005] 有利地，简单的围堰结构具有设计成依次包含所有此类被沉积的液体的单一材料 /层。但是，利用针对所有沉积的液体具有单一围堰材料和单个钉扎点的设备，在溶液沉积 层任一侧的电极之间存在电泄漏路径或短路的风险。例如，在包括阳极-HIL-IL-EL-阴极 结构的0LED结构中，泄漏电流会经在HIL边界上的泄漏路径在阳极和阴极之间流动。类似 地，泄漏路径可以通过阴极与围堰上空穴注入层（HIL)、围堰上非常薄的设备堆栈或者处于 钉扎点的点接触部直接接触而造成。当被反向驱动时和/或在接通之前，完全印制的设备 的JV(电流密度-电压）曲线会例如显示高泄漏（高电流）。通过旋涂（spun)中间层（IL) 和电致发光层（EL)，泄漏低得多，因为HIL在顶上被旋涂的薄膜完全覆盖。会导致低得多的 效率。
[0006] 目前低泄漏设备通常需要双围堰系统，以分离阳极钉扎点和阴极。但是，与双围堰 体系架构相比，单围堰会降低复杂性。附加地或者作为替代，利用光刻法图案化了的单围堰 可以为像素（围堰）限定提供廉价的方法。但是，这种围堰会让阳极区域暴露给碳氢化合 物（抗蚀剂残渣），和/或为所有溶液加工了的层（HIL、IL和EL)提供单个流体钉扎点。高 导电的HIL加上阳极（IT0)表面和HIL-IL-EL-阴极一致钉扎点之间的短路径长度，已经被 证明导致高泄漏设备。
[0007] 类似地，具有围堰结构的光发射设备可能在整个活性区域内具有差的颜色均匀性 和/或光发射效率。
[0008] 因而，期望提供用于使得不同液体包含在井中的改进结构和/或用于构造这种结 构的工艺。特别地，改进的结构可以具有诸如以下任何一个或多个的优点：在整个设备内 的改进的颜色均匀性、较低和/或可调谐的电泄漏、在整个设备活性区域内的改进的整体 功率效率和/或效率均匀性、改进的寿命稳定性（例如，关于0LED发射）（优选地，例如，在 寿命测试上更稳定和/或更可重复的设备照明）、更紧凑的设备，以及降低的结构复杂性和 /或利用更少工艺步骤构造的能力（其中任何一个都会产生设备制造的改进的时间或成本 效率、改进的设备产出、可重复性、关于构成材料的体积和/或数量的降低的需求，这会例 如导致成本降低）。
[0009] 为了在理解本发明中使用，提到了以下公开内容：
[0010] -US8,063,551(杜邦）；
[0011] _US2〇〇6/l97〇 86(三星电子有限公司）；
[0012] -US2010/271353(索尼公司）；
[0013] -W02009042792(发明人 Tsai Yaw-Ming A 等）；
[0014] -US2007/085475(半导体能源实验室）；
[0015] -US77"4〇7(精工爱普生公司）；
[0016] -US7604864(Dainippon Screen MFG)；
[0017] -W09948339 (精工爱普生公司）；
[0018] -JP2〇〇7〇95425A (精工爱普生公司）；
[0019] -TO2009/077738(于 2009 年 6 月 25 日公布的 PCT/GB2008/004135,发明人 Burroughes 和 Dowling);及
[0020] -TO2011/070316 A2(于 2011 年 6 月 16 日公布的 PCT/GB2010/002235,发明人 Crankshaw 和 Dowling)〇


【发明内容】

[0021] 根据本发明的第一方面，提供了构造包括基板的电子设备的方法，其中基板具有 表面层和所述表面层上限定井的围堰结构，围堰结构包括电绝缘材料并且具有包围所述表 面层的区域的侧壁，由此限定该井，表面层区域包括第一电极，并且该设备还包括第二电极 以及位于第一电极和第二电极之间的半导电材料，该方法包括：形成具有所述侧壁的所述 围堰结构，所述侧壁包括从所述表面层区域延伸的第一斜坡和从第一斜坡延伸的第二斜 坡，其中第二斜坡比第一斜坡陡，其中侧壁在与第一斜坡隔开的第二斜坡上的点处具有表 面能量中断；形成具有至少一层的层结构，该层结构配置于第一电极和第二电极之间并且 具有半导电材料，其中形成层结构包括：在表面层区域上以及侧壁的第一斜坡和第二斜坡 上沉积有机溶液，以形成可溶液加工的所述层，其中所沉积的有机溶液浸湿第一斜坡和第 二斜坡直到在表面能量中断处的钉扎点；并且烘干所沉积的有机溶液。
[0022] 因而，实施例可以提供用于至少一个可溶液加工层的钉扎点（优选是多个，全都 在同一个点钉住），以使得钉扎点与表面层区域被一条路径隔开，该路径由于沿其整个长度 具有不同的斜率而偏离于直线。这可以减少在电极（例如，溶液沉积层任一侧的阳极和阴 极）之间产生电泄漏路径或短路的风险。例如，在包括阳极-HIL-IL-EL-阴极结构的0LED 结构中，沿优选高电阻性（highly resistive)HIL的边界的阳极和阴极之间的任何泄漏路 径都加长了。加长的路径优选具有足够高的电阻，以防止在别的情况下有可能使例如效率、 可靠性和/或寿命、颜色变化等显著降级的泄漏。
[0023] 更具体地考虑结果产生的设备结构，应当注意：表面能量中断优选是通过在浸湿 (例如，亲水）和未浸湿（例如，疏水）区域之间产生边界的工艺步骤产生的。这种边界优 选在第二斜坡的顶部。第二斜坡的顶部优选与围堰结构的平坦表面相邻，该平坦表面与表 面层相对并平行。不管怎样，表面能量中断都优选远离第一斜坡并且因此远离表面层区域。
[0024] 该方法可以包括在可溶液加工层之上沉积至少一种另外的溶液，例如，EL(发光 层）和/或IL(中间层），其中该至少一种另外的溶液一直浸湿到钉扎点，以及烘干所沉积 的该至少一种另外的溶液。因而，多个这种可溶液加工层可以具有相同的钉扎点。
[0025] 还可以提供该方法，其中形成围堰结构包括：在基板的表面层上形成包括光致抗 蚀剂的第一围堰层；对第一围堰层进行光图案化并显影，以暴露表面层的区域；在第一围 堰层和表面层的暴露区域上沉积氟化的光致抗蚀剂溶液，以形成第二围堰层；烘硬，以硬化 第二围堰层，其中氟化光致抗蚀剂溶液的含氟化合物在所述烘硬期间迁移到第二围堰层的 表面，以增加有机溶液与所述表面的接触角；以及对第二围堰层进行光图案化并显影，以重 新暴露表面层的所述区域并暴露第一围堰层的区域，从而使得第一围堰层区域具有第一斜 坡并且第二围堰层具有第二斜坡，其中所增加的接触角高于有机溶液与第一斜坡和第二斜 坡的接触角，并且钉扎点处于具有迁移了的含氟化合物的第二围堰层表面的边界。在烘硬 期间化合物迁移到的表面一般可以被描述为"自由表面"、即与外部环境（例如空气）的 界面。就像在利用这种氟化光致抗蚀剂的任何实施例中，光致抗蚀剂可以由光致抗蚀剂制 造商提供成氟化的，或者该工艺可以具有把含氟化合物添加到未氟化光致抗蚀剂的附加步 骤。不管怎样，在第二围堰层硬化之后，第二围堰层都优选包括比第一围堰层更高浓度的含 氟化合物。此外，在第二围堰层显影以除去第二围堰层的部分之后，之前是"自由表面"部 分的部分优选具有浸湿/未浸湿的边界，其中第二围堰层的边缘通过去除而暴露，这个边 缘是侧壁的部分。因而，除双斜坡侧壁之外，还可以创建钉扎点。
[0026] 还可以提供该方法，其中形成围堰结构包括：通过在表面层上沉积氟化光致抗蚀 剂溶液并且烘干所沉积的溶液以硬化围堰结构层来形成围堰结构层，其中氟化光致抗蚀剂 溶液的含氟化合物在所述烘硬期间迁移到围堰结构层的表面，以增加有机溶液与所述表面 的接触角；在围堰结构层上沉积并烘干光致抗蚀剂层，并且对光致抗蚀剂层进行光图案化 并显影；干蚀刻步骤，用于通过被显影了的光致抗蚀剂层来蚀刻围堰结构层，以暴露表面层 区域，从而使得蚀刻了的围堰结构层具有包围暴露的表面层区域的侧壁并且包括第一斜坡 和第二斜坡；以及除去被显影了的光致抗蚀剂层，以暴露围堰结构层的表面，所暴露的表面 包括迁移了的所述含氟化合物，其中表面能量中断处于包括迁移了的含氟化合物的暴露表 面和蚀刻了的侧壁之间的界面。干蚀刻步骤可以包括反应性离子蚀刻，优选使用氧等离子 体。与以上类似，之前是围堰层"自由表面"部分的部分优选具有浸湿/未浸湿的边界，其 中围堰层的边缘由于显影围堰层的去除部分而暴露，这个边缘是侧壁的部分。因而，除了双 斜坡侧壁之外，还可以创建钉扎点。
[0027] 还可以还提供该方法，其中形成围堰结构包括：对围堰结构层进行显影并光图案 化，以暴露被围堰结构层的侧壁包围的表面层区域，其中在围堰结构层上沉积光致抗蚀剂 层包括在光图案化了的围堰结构层上沉积光致抗蚀剂溶液，并且对光致抗蚀剂层进行显影 包括重新暴露表面层区域，并且暴露表面层区域的干蚀刻步骤通过薄化围堰结构层而延长 暴露的区域，由此形成所述第一斜坡和第二斜坡。
[0028] 还可以提供该方法，其中：对光致抗蚀剂层进行光图案化包括通过具有基本上不 透射区域、部分透射区域和基本上完全透射区域（至少具有比部分透射区域更大的透射 率）的掩模辐射光致抗蚀剂层；并且对光致抗蚀剂层进行显影包括完全除去光致抗蚀剂的 区域并且部分地除去通过部分透射区域暴露给辐射的光致抗蚀剂区域。
[0029] 还可以还提供该方法，其中形成围堰结构包括：通过在表面层上沉积氟化光致抗 蚀剂溶液而形成围堰层；烘硬，以硬化围堰层，其中光致抗蚀剂溶液的含氟化合物在所述烘 硬期间迁移到围堰层的表面，由此增加有机溶液与表面的接触角；对硬化了的围堰层进行 光图案化，该光图案化包括以第一辐射剂量辐射围堰层的第一区域并且以第二辐射剂量辐 射该围堰层的第二区域，所述第二辐射剂量小于第一辐射剂量；对围堰层进行显影，以暴露 表面层的区域并且部分地除去以所述第二辐射剂量辐射了的围堰层的区域，由此，该部分 除去步骤提供了包围被暴露区域并且具有第一斜坡和第二斜坡的侧壁，其中钉扎点处于具 有迁移了的含氟化合物的围堰层表面和侧壁之间的边界。取决于是使用阴性光致抗蚀剂还 是阳性光致抗蚀剂，第一区域可以在表面区域之上或者在要保留的围堰结构部分之上。部 分去除步骤优选薄化延伸到表面层区域的围堰层的区域，以便对沿侧壁并由此沿要沉积在 井中的可溶液加工层边缘的更长路径给出支架结构。
[0030] 还可以提供该方法，其中：光图案化包括同时通过第一掩模和第二掩模辐射围堰 层，其中以第一剂量辐射第一区域包括通过第一掩模和第二掩模的完全透射区域辐射第一 区域，并且以第二剂量辐射第二区域包括通过第一掩模和第二掩模当中每一个的至少部分 透射区域辐射第二区域。至少部分透射区域可以包括第一掩模的完全透射区域和/或第二 掩模的部分透射区域。这些区域中至少一个优选是具有透射梯度的部分透射区域。
[0031] 还可以提供该方法，其中：光图案化包括通过具有部分透射区域和更加（优选是 完全）透射区域的掩模辐射围堰层，其中以第一剂量辐射第一区域包括通过更加透射的区 域辐射第一区域，并且以第二剂量辐射第二区域包括通过部分透射区域辐射第二区域。
[0032] 还可以还提供该方法，包括在表面层的区域上沉积反射器层，其中：沉积氟化光致 抗蚀剂溶液的步骤将氟化溶液沉积在反射器层上以及在表面层上；以及光图案化包括通过 掩模辐射围堰层，其中辐射第一区域包括第一区域吸收直接通过掩模接收到的第一剂量的 一部分并且吸收从第一掩模接收到的并被反射器层反射回到第一区域中的剂量的一部分。
[0033] 还可以提供该方法，其中电子设备是诸如光发射设备或光吸收设备的光电设备， 优选是诸如有机光伏设备（0PV;例如，太阳能电池）的光吸收设备，或者是诸如有机发光二 极管（0LED)的光发射设备。作为替代，设备可以是薄膜晶体管。
[0034] 还可以还提供该方法，其中电子设备是有机发光二极管并且有机溶液是用国防费 提供空穴注入层（HIL)的。此外，至少另一个可溶液加工层可以在该可溶液加工层上以及 在第一电极和第二电极之间形成，并且另一个可溶液加工层用于分别提供中间层（IL)和/ 或光发射层（EL)。
[0035] 还可以提供该方法，其中，当被沉积在第一斜坡和从第一斜坡延伸到钉扎点的第 二斜坡区域当中的至少一个上时，有机溶液的接触角是10°或更小。这种接触角一般使得 表面良好地浸湿。
[0036] 还可以提供该方法，其中，当被沉积在从钉扎点远离第一斜坡延伸的围堰结构的 区域上时，有机溶液的接触角优选是50°或更大。这种接触角一般不使得表面良好地浸湿， 艮P，未浸湿。
[0037] 根据本发明的第二方面，提供了包括基板的电子设备，该基板具有表面层和所述 表面层上限定井的围堰结构，围堰结构包括电绝缘材料并且具有包围所述表面层的区域的 侧壁，由此限定井，该表面层区域包括第一电极，并且该设备还包括第二电极以及配置于第 一电极和第二电极之间的半导电材料，其中：侧壁具有从表面层区域延伸的第一斜坡和从 第一斜坡延伸的第二斜坡，其中第二斜坡比第一斜坡陡；并且该设备包括具有至少一层的 层结构，至少一个所述层是可溶液加工层，该层结构具有半导电材料并且配置于第一电极 和第二电极之间，其中：至少一个所述可溶液加工层在与第一斜坡隔开的第二斜坡上的点 处具有钉扎点，所述可溶液加工层配置于表面层区域上以及侧壁的第一斜坡和第二斜坡 上。
[0038] 因而，与对于第一方面类似地，实施例可以提供用于（一个或多个）可溶液加工层 的钉扎点，钉扎点与表面层区域被一条路径隔开，该路径由于沿其整个长度具有不同的斜 率而偏离于直线。这同样可以减少电极（例如，溶液沉积层任一侧的阳极和阴极）之间产 生电泄漏路径或短路的风险。例如，沿优选高电阻性HIL的边界的阳极和阴极之间的任何 泄漏路径都被加长，以具有足够高的电阻，从而防止在别的情况下有可能使例如效率、可靠 性和/或寿命、颜色变化等显著降级的泄漏。
[0039] 更具体地考虑设备结构，应当注意：表面层可以包括其中一个电极（例如，阳极） 和/或部分反射器层。对于底部发射设备实施例，表面层（例如，诸如氧化铟锡（IT0)的锡 氧化物）和基板（例如，玻璃）优选是至少部分透明的。表面层的独立子层（例如银层）可 以提供以上提到的部分反射器层，该部分反射器层可以布置成形成光腔，或者，具体而言， 形成可以具有充分小尺寸的微腔，以使得可观察到的导致来自光发射设备的更窄发射频谱 的量子效应。对于包括这种例如Ag的反射器层的设备，设备的构造可以包括：毯覆式Ag(合 金）沉积；毯覆式IT0沉积；IT0的图案化，以形成至少一个电极；围堰旋涂；然后是围堰图 案化。作为替代，表面层的电极层也可以发挥这种部分反射器层的功能。
[0040] 还可以提供电子设备，其中，当被沉积在第一斜坡和从第一斜坡延伸到钉扎点的 第二斜坡的区域当中的至少一个上时，用于形成配置于表面层区域上的可溶液加工层的溶 液的接触角是10°或更小。附加地或者作为替代，当溶液在从钉扎点远离第一斜坡延伸的 围堰结构的表面区域上沉积时，用于形成配置于表面层区域上的可溶液加工层的溶液的接 触角是50°或更大。因而，这种溶液既可以具有10°或更小的接触角又可以具有50°或更 大的接触角。
[0041] 还可以提供电子设备，其中围堰结构包括至少一个光致抗蚀剂层。
[0042] 还可以提供电子设备，其中所述光致抗蚀剂层具有在第二斜坡上的点并且包括含 氟化合物。
[0043] 还可以提供电子设备，其中围堰结构包括多个光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层 具有第一斜坡。
[0044] 还可以还提供电子设备，其中围堰结构包括具有含氟化合物的所述光致抗蚀剂层 以及第一斜坡和第二斜坡。
[0045] 还可以还提供电子设备，其中第一斜坡相对于表面层具有小于或等于20度的斜 角，更优选是小于5、10或15度。这种角度可以是沿第一斜坡的平均值和/或特别是在第 一斜坡达到表面层的地方的平均值。
[0046] 还可以提供电子设备，其中第一斜坡在与第二斜坡的边界处向上延伸到小于 300nm的围堰结构厚度（其中该厚度是相对于表面层的高度差），优选小于200nm，优选在第 一斜坡和第二斜坡当中的至少一个沿l〇〇nm至150nm的围堰结构厚度延伸的地方（因而， 被第一斜坡和/或第二斜坡横穿的高度优选在1〇〇 _ 150nm的范围内；其中多个层形成围堰 结构并且具有各自的斜坡，至少一个（例如第一斜坡）优选横穿100_150nm的高度）。
[0047] 还可以还提供电子设备，其中侧壁从表面区域延伸，以提供至少300nm的围堰结 构厚度，优选是至少lum。因而，表面层之上的侧壁的最大高度优选是至少300nm。在实施 例中，最大高度有利地足够厚，以经受干蚀刻步骤，例如RIE。
[0048] 还可以还提供电子设备，其中第一斜坡沿表面层延伸超过至少lum的长度，优选 地，其中第二斜坡沿表面层延伸超过至少8 y m的长度，优选地，其中侧壁（至少第一斜坡和 第二斜坡）沿表面层延伸超过至少10 U m的长度。
[0049] 还可以提供电子设备，其中设备是光发射设备，并且其中所述可溶液加工层包括 用于提供空穴注入层（HIL)的有机半导电材料，优选其中光发射设备是0LED。此外，至少一 个所述可溶液加工层可以包括配置于用于提供HIL的材料之上的另一种有机半导电材料， 其中该另一种有机半导电材料是用于提供中间层（IL)或者光发射层（EL)的。
[0050] 当电子设备是诸如0LED的光发射设备时，优选第一电极层和第二电极层之一（任 何一个_第一电极层或第二电极层；如果是底部发射器设备，则优选是第二电极层）是光 反射的（优选是完全反射），并且所述电极层中的另一个是光透射的（如果是底部发射器设 备，则优选基板也是透射的）。这种设备优选包括部分光反射（优选完全反射）层（优选是 金属的，例如银，和/或优选被毯覆式沉积而不是图案化），该部分光反射层（例如，在基板 (优选玻璃）和第一电极层之间）被布置为形成具有光反射电极层的微腔。这种腔体可以 使得将光放大和/或使设备更高效。
[0051] 优选实施例在所附的从属权利要求中限定。
[0052] 优选实施例的以上各方面当中任何一个或多个、和/或以上可选特征当中任何一 个或多个可以以任何排列方式组合。

【专利附图】

【附图说明】
[0053] 为了更好地理解本发明并且为了示出本发明如何可以实现，现在将作为例子参考 附图，其中：
[0054] 图la示出了示例构造方法，其中氟化围堰材料被旋涂到阳极（例如IT0)上并且 被光图案化，以提供井；
[0055] 图lb示出了单掩模步骤的使用，在掩模中利用部分透射区域，以限定长的阳 极-阴极距离；
[0056] 图lc示出了具有短侧壁路径长度的RIE图案化了的围堰像素的实现（上部到中 间的图），以及，作为对照，根据提供更长的路径长度的实施例的像素（最下部的图）；
[0057] 图Id示出了具有根据图la或lb的工艺形成的围堰的设备；
[0058] 图2示出了寿命（设备稳定性）图；
[0059] 图3a示出了双显影工艺；
[0060] 图3b示出了具有单个图案化层的双掩模工艺；
[0061] 图3c示出了具有单个图案化层的单掩模部分透射工艺；
[0062] 图3d示出了利用反射区域和子阈值曝光剂量的具有单个图案化层的单掩模工 艺；
[0063] 图4a_4e示出了实施例的支架围堰截面图的扫描电子显微镜图像；
[0064] 图5示出了在整个设备活性区域内的变化HIL+IL厚度和发射CIE值；
[0065] 图6说明了陡峭围堰结构边界的期望的消除；以及
[0066] 图7示出了用于标准围堰和浅围堰实施例的HIL区域厚度测量的直方图。

【具体实施方式】
[0067] -般而言，示例0LED实施例的层可以是如下：
[0068] ?基板，例如玻璃，优选具有包括IT0(80nm)电极的表面层，以及可选地具有用于 形成微腔的反射器层，例如Ag。
[0069] ，HIL (空穴注入层）=通过利用来自Nissan化工厂的ND3202b被喷墨印刷
[0070] .IL (中间层）
[0071] ? EL(发光层），包括发光聚合物LEP，例如绿色发光聚合物。
[0072] 实施例一般而言提供单围堰体系架构，例如，具有更长的路径长度，由此减少泄漏 电流。对于0LED，这种路径长度可以在阳极表面（例如，IT0)和HIL-IL-EL-致的流体钉 扎点之间。这些沿高电阻性HIL的更长路径长度可以为任何潜在的寄生泄漏电流和/或非 发射性边缘设备二极管产生高电阻性路径。这种围堰结构被证明是对0LED寿命稳定性的 改进。
[0073] 用于这种实施例的多种围堰制造工艺在以下描述中被研究。例如：⑴通过辅助 (secondary)层图案化和部分反应性离子蚀刻（RIE)而显影的疏水围堰；（ii)具有用于 RIE掩蔽层的部分暴露像素边缘的未图案化疏水围堰；（iii)双显影工艺；（iv)具有单个图 案化层的双掩模工艺；(v)具有单个图案化层的单掩模部分透射（泄漏）工艺；及（vi)利 用反射区域和子阈值曝光剂量的具有单个图案化层的单掩模工艺。
[0074] 此类工艺的例子可以提供具有部分氧等离子体蚀刻支架的单个显影的疏水围堰。 有利地，单个显影的疏水围堰和后续的图案化步骤使得氧等离子体清洁IT0区域并且还部 分地蚀刻围堰的预限定的量。IT0和部分蚀刻的围堰优选是亲水的，以使得HIL直到疏水围 堰的未蚀刻区域都被浸湿。HIL的一部分在下方具有围堰直到要与IL和EL共享的HIL钉 扎点。活性阳极有利地通过长的并且优选的设备与阴极隔开可设计的距离，因而导致更低 的电泄漏，例如当使用高电阻性的HIL时。
[0075] 因而，用于0LED的单围堰体系架构可以通过提供浸湿的阳极表面（IT0)以及阳极 表面和HIL-IL-EL -致流体钉扎点之间更长的路径长度来改进。这种更长的路径长度可以 为任何潜在的寄生泄漏电流产生高电阻性选项。实施例使得阳极-阴极路径以受控的方式 加长，并且由此可调谐，以减小寄生泄漏电流，这进而又可以提高设备效率。
[0076] 附加地或者作为替代，相对于双围堰体系架构，这种工艺可以减小结构复杂性。
[0077] 图la示出了示例构造方法，其中氟化的围堰材料（围堰结构层12)旋涂（spun) 到阳极（表面层11)(例如IT0)上并且被光图案化，以提供井（well)(见表面层区域13之 上的区域）。然后，围堰材料之上的光致抗蚀剂层14被光图案化，并且执行附加的工艺，以 除去围堰的一部分，由此加长绝缘围堰支架。这种附加的工艺可以包括用来蚀刻穿过围堰 材料的一部分的反应性离子蚀刻。光致抗蚀剂在该附加工艺之后被除去。因而，在井边缘 的围堰材料的轮廓变化，以使得轮廓提供更长的路径长度。如仅仅通过图la中沿第一斜坡 si和第二斜坡s2的说明性细线所示出的，蚀刻产生了到由于光致抗蚀剂去除而暴露的表 面15的更长电路径。
[0078] 图lb中所示的备选方法使用单个掩模步骤，在掩模中具有部分透射区域，以限定 用于围堰支架的长的阳极-阴极距离；RIE步骤优选蚀刻存在薄的阳性掩蔽层的像素边缘。 RIE可以蚀刻出像素，像素的边缘由于薄掩蔽层而暴露给等离子体。通过相对于RIE图案化 的切口的尺寸改变显影的围堰像素的掩模设计尺寸，阳极-阴极距离以及因此的寄生泄漏 电流的量可以利用这种方法来调整。这与简单的光图案化围堰像素和/或简单的RIE图案 化围堰像素相反，在光图案化围堰像素和RIE图案化围堰像素中，每个像素通常将给出从 阳极到阴极的短路径长度（蓝色区域）并且长度通常不可调整。具体而言，图lb示出了表 面层21、围堰结构层22、表面层区域23、光致抗蚀剂层24、斜坡si和s2、以及表面25。
[0079] (图lc示出了具有短侦幢路径长度的RIE图案化的围堰像素的构造（上面到中间 的图）以及，作为对照，根据提供更长路径长度的实施例的像素（最下面的图））。
[0080] 图Id示出了具有根据如上所述的工艺实施例形成的围堰的设备，并且还包括形 式为HIL (空穴注入层）的可溶液加工层L1以及形式为IL (中间层）和/或LEP (发光聚 合物）层的另一个可溶液加工层L2。如从图Id看到的，HIL、IL和LEP流体具有一致的钉 扎点。IL和/或EL层可以被EIL(电子注入层）覆盖，EIL又进而可以被阴极层覆盖。优 选地，这种EIL不共享层L1和L2的钉扎点，而是覆盖这些层并且在围堰结构的相邻区域之 上延伸。在保形涂覆（coating)EIL以便在所述层和相邻的区域之上延伸的实施例中，阴极 层可以优选直接沉积在EIL上。
[0081] 鉴于以上所述，与例如使阳极钉扎点与阴极分离的双围堰系统形成对照，实施例 提供了具有长绝缘支架的单围堰结构。可以使用单个疏水围堰并且应用后续的图案化工艺 来拉长围堰支架。在实施例中，IT0和围堰支架可以是亲水的，从而使得HIL直到围堰变得 疏水的预限定的点（墨水钉扎点）都被浸湿。HIL的一部分在下面直到要与IL和LEP共享 的HIL钉扎点都将具有围堰。通过使用高电阻性HIL，活性阳极可以与阴极隔出长的（并且 是设备可设计的）距离。
[0082] 实施例使得阳极-阴极路径长度以受控的方式增加并因此提供用以减小寄生泄 漏电流的可调谐工艺，这产生了在寿命测试上更稳定（并可重复）的设备照明。作为对照， 由标准光刻工艺或更复杂但标准的RIE(反应性离子蚀刻）工艺形成的单个围堰可以为像 素（围堰）限定提供廉价的方法。但是，这两种标准技术都会在像素（设备）边缘留下短 的阳极-阴极路径长度。已经显示：阳极（IT0)表面和HIL-IL-EL-阴极一致钉扎点之间的 短路径长度（短支架）最终会导致驱动时不稳定的设备。
[0083] 作为替代，图la可以被认为示出了用于具有长支架的单围堰的工艺流程实施例。 该工艺涉及用于产生长围堰支架的双步骤图案化工艺。支架从阳极（ITO)到墨水钉扎点的 长度可以由辅助图案化步骤来控制，就像支架的深度可以被控制一样，以便提供与阳极的 适当电隔离。通过相对于辅助部分图案化步骤的像素尺寸改变显影的围堰像素的掩模设计 尺寸，阳极-阴极距离（参见仅为说明性细线）以及因此的寄生泄漏电流的量可以利用这 种实施例来调整。与例如其中像素每个通常都将给出从阳极-阴极短路径长度（〈lum)并 且长度通常不可调节（除了通过围堰高度之外）的简单光图案化围堰像素或简单RIE图案 化围堰像素相比，这种实施例产生长支架设备（例如，>2 y m)。
[0084] 更长的阳极到阴极距离也可以通过使围堰更高来实现，但是，这一般将在像素边 缘对HIL-IL-EL轮廓有不利影响，使它们更厚并且导致不均匀的发射。
[0085] 优选地，实施例的HIL、IL和EL全都具有一致的钉扎点。这将产生从阳极到阴极的 长泄漏路径，其中HIL(导电空穴注入层）达到金属性阴极。通过如上所述的长的横向HIL 距离，这种效果通过使用高电阻性HIL并且然后分离阳极（IT0)和阴极来最小化。
[0086] 考虑设备结果，寿命测试期间的设备稳定性显示出显著的改进。在实施例中，通过 增加至HIL-IL-EL所达到的点的电阻（路径长度），长支架显著减小像素边缘二极管效应 (这是非发射的薄二极管）。
[0087] 图2示出了寿命（设备稳定性）图。可以看到：用于单围堰-短支架设备（虚线 曲线）的初始亮波（以固定的电流增加亮度）在设备之间显著变化。这有可能是由于现有 垂直泄漏路径在测试期间被"烧掉（burned out)"而造成的，从而造成电流重新分配。在图 2中，单围堰-长支架（连续曲线）示出了亮波量值的更紧密的分布，这意味着该效果有可 能不与泄漏电流相关。有可能利用这种围堰评估材料和工艺稳定性。利用单围堰-长支架 布置，寿命（设备降级）更可预测并且远不依赖于像素-边缘设备效应。因而，具有长支架 的单疏水围堰已显示出与0LED寿命稳定性相关的改进。
[0088] 考虑工艺复杂性，应当注意：通过产生具有长绝缘支架的单围堰方法（approach) 来减小泄漏，简化的工艺方法可以产生长支架单疏水围堰，和/或相对于双围堰体系架构 来说减小复杂性。有利地，这种简化的实施例使得阳极-阴极路径以受控的方式增加，并且 因此可调谐地减小寄生泄漏电流，这降低了设备效率。实施例覆盖实现单围堰像素的备选 的简化方法。
[0089] 进一步考虑工艺复杂性，图la的工艺方法涉及利用辅助层图案化和部分反应性 离子蚀刻（RIE)的被显影了的疏水围堰。这可能需要两个光刻图案化循环（例如：清洁、烘 硬、涂覆、烘硬、曝光、烘硬、显影、围堰固化、涂覆、曝光、显影）加上RIE步骤和阳性抗蚀剂 剥离（strip)。
[0090] 但是，与例如图la所示使用两个光图案化步骤加上反应性离子蚀刻以产生0LED 设备稳定性所需的长支架的实施例相比，图lb的实施例可以提供长支架单显影疏水围堰 的工艺简化。
[0091] 但是，如图lb所不的第一种简化不出了未图案化的疏水围堰，具有用于RIE掩蔽 层的部分曝光像素边缘。这个工艺除去了关于第一图案化循环对掩模和显影步骤的需求。
[0092] 在图3a中示出了一种备选的简化，该图被描述为双显影工艺。这个工艺可以除去 RIE和剥离步骤的需求。优选地，第一图案化围堰薄，具有进入到像素的浅斜坡。优选地， 第一的薄的围堰层被沉积，例如旋涂并硬化。然后，该薄层被光图案化并随后显影，以暴露 阳极的一部分区域，该薄层具有到暴露区域的平缓坡度。然后，另一个围堰层被沉积、光图 案化并显影。有利地，该另一个围堰层中的诸如氟品种（species)(例如氟基团（moiety)) 的品种在该层的烘干工艺中迁移到该另一个围堰层的顶表面，以使得该顶表面不会像该另 一个围堰层的侧壁（优选还有薄层的侧壁）那样被要沉积到暴露区域的溶液浸湿。具体而 言，图3a不出了表面层31、第一围堰层32、表面层区域33、具有表面34以及斜坡si和s2 的第二围堰层。
[0093] 图3b示出了形式为具有单个图案化层的双掩模工艺的备选的简化。这是单图案 化步骤工艺，没有阳性抗蚀剂层，但是可能需要两个光掩模和双曝光步骤。上部掩模（掩模 2)可以是梯度掩模，以更急剧地限定斜坡si和s2。具体而言，图3b示出了表面层41、围堰 层42、表面层区域43、斜坡si和s2,以及表面45,其中区域44是相对于在区域44之间或 在表面45下方的第一区域的围堰层的第二区域。
[0094] 图3c示出了另一种备选简化：具有单个图案化层的单掩模部分透射（泄漏）工 艺。这是没有阳性抗蚀剂层的单图案化步骤工艺，但是可能需要更高成本的光掩模，但具 有单个曝光步骤。具体而言，图3c示出了表面层51、围堰层52、表面层区域53、斜坡si和 s2,以及表面55,其中区域54是相对于在区域54之间或在表面55下方的第一区域的围堰 层的第二区域。部分透射（例如子分辨率特征化的）掩模可以是梯度掩模，以更急剧地限 定斜坡si和s2。
[0095] 图3d示出了再另一种备选简化：利用反射性区域和子阈值曝光剂量的具有单 个图案化层的单掩模工艺。这是没有阳性抗蚀剂层以及单个曝光步骤的单图案化步骤 工艺。前面的层的设计可以并入用来产生更高剂量区域的反射性区域，以便完全交联 (cross-link)围堰。阳极-阴极距离以及因此的寄生泄漏电流的量可以利用这种方法来调 整。具体而言，图3d不出了表面层61、围堰层62、表面层区域63、斜坡si和s2,以及表面 65,其中区域64是相对于表面65下方的第一区域的围堰层的第二区域。
[0096] 这与光图案化了的单围堰像素和/或RIE图案化了的围堰像素相反，其中光图案 化了的单围堰像素和/或RIE图案化了的围堰像素的每个通常都将给出从阳极到阴极的短 路径长度（蓝色区域）并且通常长度不可调节-见图lc。
[0097] 关于以上所述的不同方法和实施例，图4示出了各种示例支架围堰图像。图4a示 出了双显影长支架围堰，图4b示出了具有HIL的双显影长支架围堰，图4c示出了经RIE的 凹口（notch)的长支架围堰，图4d示出了单显影围堰，并且图4e示出了具有HIL的单显影 围堰（短（无）支架）。
[0098] 用于HIL+IL的平坦厚度轮廓对于在微腔平台上最大化0LED设备性能是期望的。 在喷墨印刷设备中，厚度轮廓取决于底层的围堰结构。接下来详细描述优选的围堰结构，以 实现单围堰喷墨印刷设备中合适的平坦厚度轮廓。有利地，这种轮廓可以提供从围堰支架 到活性区域的平缓过渡，这使得打印了的HIL形成适合于微腔0LED设备的平坦轮廓。
[0099] 具体地考虑利用平缓支架单围堰+非水HIL的平坦薄膜轮廓，实施例可以提供从 围堰支架到活性区域的平缓过渡，由此使得打印了的HIL形成适合于微腔0LED设备的平坦 轮廓。用于HIL+IL的平坦厚度轮廓对于在微腔平台上最大化0LED设备的性能是期望的。 在喷墨印刷设备中，厚度轮廓取决于底层围堰结构。实施例提供了在单围堰喷墨印刷设备 中实现合适平坦厚度轮廓的围堰轮廓。
[0100] 在最有可能的颜色点处实现最大化性能一般需要微腔0LED设备中层厚度和轮廓 的精确控制。此外，如果存在HIL+IL层轮廓的显著不均匀性，则将出现非最优的外耦合 (out-coupling)的区域并且性能将受损。
[0101] 例如，针对喷墨印刷设备，HIL+IL厚度的宽横截面在图5中示出。可以看到，像素 的边缘区域与中心区域相比而言显示出显著的加厚。CIE坐标在这些区域中从目标颜色点 偏移。这造成整体设备性能受损。
[0102] 已经开发出一种围堰类型，以最小化边缘加厚的量并因此提高打印的性能。当HIL 不能紧密遵循围堰轮廓时，从支架到IT0的急剧过渡将造成边缘加厚。
[0103] 具有平缓围堰支架的实施例在图6中示出，在下部的图中包括上部环状区域特写 的表示，其中，与没有平缓下降的实施例（左手侧）相比，这种平缓下降在右手侧的下部的 图中示出。
[0104] 利用这种平缓支架围堰类型已经被证明在喷墨印刷平台上使设备性能最大化，以 使得它与SC(旋涂设备）数据（为发射绿光的设备示出的数据）具有可比性：
[0105]

【权利要求】
1. 一种构造电子设备的方法，该电子设备包括具有表面层和在所述表面层上限定井的 围堰结构的基板，该围堰结构包括电绝缘材料并且具有包围所述表面层的区域的侧壁，由 此限定该井，该表面层区域包括第一电极，并且该设备还包括第二电极以及配置于第一电 极和第二电极之间的半导电材料，所述方法包括： 形成具有所述侧壁的所述围堰结构，所述侧壁包括从所述表面层区域延伸的第一斜坡 和从第一斜坡延伸的第二斜坡，其中第二斜坡比第一斜坡陡，其中侧壁在与第一斜坡隔开 的第二斜坡上的点处具有表面能量中断； 形成具有至少一层的层结构，该层结构配置于第一电极和第二电极之间并且具有半导 电材料， 其中形成该层结构包括： 在表面层区域上以及在侧壁的第一斜坡和第二斜坡上沉积有机溶液，以形成可溶液加 工的所述层，其中所沉积的有机溶液浸湿第一斜坡和第二斜坡直到在表面能量中断处的钉 扎点；以及 烘干所沉积的有机溶液。
2. 根据权利要求1所述的方法，包括：在可溶液加工层之上沉积至少一种另外的溶液， 其中该至少一种另外的溶液浸湿直到钉扎点，并且烘干所沉积的至少一种另外的溶液。
3. 根据权利要求1或2所述的方法，其中形成围堰结构包括： 在基板的表面层上形成包括光致抗蚀剂的第一围堰层； 对第一围堰层进行光图案化并显影，以暴露表面层的该区域； 在第一围堰层以及表面层的暴露的区域上沉积氟化的光致抗蚀剂溶液，以形成第二围 堰层； 烘硬，以硬化第二围堰层，其中氟化光致抗蚀剂溶液的含氟化合物在所述烘硬期间迁 移到第二围堰层的表面，以增加有机溶液与所述表面的接触角；以及 对第二围堰层进行光图案化并显影，以重新暴露表面层的所述区域并且暴露第一围堰 层的区域，从而使得第一围堰层区域具有第一斜坡并且第二围堰层具有第二斜坡， 其中所增加的接触角高于有机溶液与第一斜坡和第二斜坡的接触角，并且钉扎点处于 具有迁移了的含氟化合物的第二围堰层表面的边界。
4. 根据权利要求1或2所述的方法，其中形成围堰结构包括： 通过在表面层上沉积氟化光致抗蚀剂溶液并且烘干所沉积的溶液以硬化围堰结构层， 来形成围堰结构层，其中氟化光致抗蚀剂溶液的含氟化合物在所述烘硬期间迁移到围堰结 构层的表面，以增加有机溶液与所述表面的接触角； 在围堰结构层上沉积并烘干光致抗蚀剂层，并且对光致抗蚀剂层进行光图案化并显 影； 干蚀刻步骤，用于通过被显影了的光致抗蚀剂层来蚀刻围堰结构层，以暴露表面层区 域，从而使得蚀刻了的围堰结构层具有包围暴露的表面层区域的所述侧壁并且包括第一斜 坡和第二斜坡；以及 除去被显影了的光致抗蚀剂层，以暴露围堰结构层的表面，所暴露的表面包括迁移了 的所述含氟化合物， 其中表面能量中断处于包括迁移了的含氟化合物的暴露表面和蚀刻了的侧壁之间的 界面。
5. 根据权利要求4所述的方法，其中形成围堰结构包括： 对围堰结构层进行显影并光图案化，以暴露被围堰结构层的侧壁包围的表面层区域， 其中在围堰结构层上沉积光致抗蚀剂层包括在光图案化了的围堰结构层上沉积光致 抗蚀剂溶液，并且对光致抗蚀剂层进行显影包括重新暴露表面层区域，并且暴露表面层区 域的干蚀刻步骤通过薄化围堰结构层而延长暴露的区域，由此形成所述第一斜坡和第二斜 坡。
6. 根据权利要求5所述的方法，其中对光致抗蚀剂层进行光图案化包括通过具有不透 射区域、部分透射区域和完全透射区域的掩模辐射光致抗蚀剂层；以及 对光致抗蚀剂层进行显影包括完全除去光致抗蚀剂的区域并且部分地除去通过部分 透射区域暴露给辐射的光致抗蚀剂区域。
7. 根据权利要求5所述的方法，其中干蚀刻步骤包括反应性离子蚀刻。
8. 根据权利要求7所述的方法，其中干蚀刻步骤包括使用氧等离子体的反应性离子蚀 刻。
9. 根据权利要求1所述的方法，其中形成围堰结构包括： 通过在表面层上沉积氟化光致抗蚀剂溶液而形成围堰层； 烘硬，以硬化围堰层，其中光致抗蚀剂溶液的氟化合物在所述烘硬期间迁移到围堰层 的表面，由此增加有机溶液与表面的接触角； 对硬化了的围堰层进行光图案化，该光图案化包括以第一辐射剂量辐射围堰层的第一 区域，并且以第二辐射剂量辐射该围堰层的第二区域，所述第二辐射剂量小于第一辐射剂 量； 对围堰层进行显影，以暴露表面层的该区域并且部分地除去以所述第二辐射剂量辐射 了的围堰层的区域，由此，该部分除去步骤提供了包围被暴露的区域并且具有第一斜坡和 第二斜坡的侧壁， 其中钉扎点处于具有迁移了的含氟化合物的围堰层表面和侧壁之间的边界。
10. 根据权利要求9所述的方法，其中： 光图案化包括同时通过第一掩模和第二掩模福射围堰层，其中以第一剂量福射第一区 域包括通过第一掩模和第二掩模的完全透射区域辐射第一区域，并且以第二剂量辐射第二 区域包括通过第一掩模和第二掩模当中每一个的至少部分透射区域辐射第二区域；和/或 光图案化包括通过具有部分透射区域和更加透射区域的掩模辐射围堰层，其中以第一 剂量辐射第一区域包括通过更加透射区域辐射第一区域，并且以第二剂量辐射第二区域包 括通过部分透射区域辐射第二区域；和/或 该方法包括在表面层的区域上沉积反射器层，其中： 沉积氟化光致抗蚀剂溶液的步骤将氟化溶液沉积在反射器层上以及在表面层上；以及 光图案化包括通过掩模辐射围堰层，其中辐射第一区域包括第一区域吸收直接通过掩 模接收到的第一剂量的一部分并且吸收从第一掩模接收到的并被反射器层反射回到第一 区域中的剂量的一部分。
11. 根据权利要求1至10中任何一项所述的方法，其中电子设备是诸如光发射设备或 光吸收设备的光电设备。
12. 根据权利要求11所述的方法，其中光吸收设备是有机光伏设备（OPV)。
13. 根据权利要求11所述的方法，其中光发射设备是有机发光二极管（0LED)。
14. 根据权利要求1至10中任何一项所述的方法，其中电子设备是0LED并且有机溶液 是用于提供空穴注入层（HIL)的。
15. 根据权利要求14所述的方法，包括在所述可溶液加工层上以及在第一电极和第二 电极之间形成至少另一个可溶液加工层，该另一个可溶液加工层用于提供中间层（IL)和/ 或光发射层（EL)。
16. 根据权利要求1至10中任何一项所述的方法，其中： 当被沉积在第一斜坡和从该第一斜坡延伸到钉扎点的第二斜坡区域当中的至少一个 上时，有机溶液的接触角是10°或更小；和/或 其中，当被沉积在从该钉扎点远离第一斜坡延伸的围堰结构的区域上时，有机溶液的 接触角是50°或更大。
17. -种包括基板的电子设备，该基板具有表面层和在所述表面层上限定井的围堰结 构，该围堰结构包括电绝缘材料并且具有包围所述表面层的区域的侧壁，由此限定该井，该 表面层区域包括第一电极，并且该设备还包括第二电极以及配置于第一电极和第二电极之 间的半导电材料，其中： 侧壁具有从表面层区域延伸的第一斜坡和从第一斜坡延伸的第二斜坡，其中第二斜坡 比第一斜坡陡；以及 该设备包括具有至少一层的层结构，至少一个所述层是可溶液加工层，该层结构具有 半导电材料并且配置于第一电极和第二电极之间，其中： 至少一个所述可溶液加工层在与第一斜坡隔开的第二斜坡上的点处具有钉扎点，所述 可溶液加工层配置于表面层区域上以及侧壁的第一斜坡和第二斜坡上。
18. 根据权利要求17所述的电子设备，其中围堰结构包括至少一个光致抗蚀剂层。
19. 根据权利要求18所述的电子设备，其中： 所述光致抗蚀剂层具有在第二斜坡上的该点并且包括含氟化合物；和/或 围堰结构包括多个光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层具有第一斜坡；和/或 围堰结构包括具有含氟化合物的所述光致抗蚀剂层以及第一斜坡和第二斜坡。
20. 根据权利要求17至19中任何一项所述的电子设备，其中第一斜坡相对于表面层具 有小于或等于20度的斜角。
21. 根据权利要求20所述的电子设备，其中斜角小于10度。
22. 根据权利要求17至19中任何一项所述的电子设备，其中： 第一斜坡在与第二斜坡的边界处向上延伸到小于300nm的围堰结构厚度；和/或 侧壁从表面区域延伸，以提供至少300nm的围堰结构厚度；和/或 第一斜坡沿表面层延伸超过至少1Um的长度。
23. 根据权利要求22所述的电子设备，其中第二斜坡沿表面层延伸超过至少8ym的长 度。
24. 根据权利要求22所述的电子设备，其中侧壁沿表面层延伸超过至少10ym的长度。
25. 根据权利要求17至19中任何一项所述的电子设备，其中设备是光发射设备，并且 其中所述可溶液加工层包括用于提供空穴注入层（HIL)的有机半导电材料。
26. 根据权利要求25所述的电子设备，其中光发射设备是OLED。
27. 根据权利要求25所述的电子设备，其中至少一个所述可溶液加工层包括配置于用 于提供HIL的材料之上的另一种有机半导电材料，并且该另一种有机半导电材料是用于提 供中间层（IL)或光发射层（EL)的。
【文档编号】H01L51/56GK104377311SQ201410400892
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2014年8月15日 优先权日:2013年8月16日
【发明者】J·爱萨克, G·威廉姆斯, D·福赛西, L·伯姆伯尔 申请人:剑桥显示技术有限公司