处理氧化硅的方法,薄膜晶体管的制造方法及薄膜晶体管的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种处理氧化硅的方法，薄膜晶体管的制造方法及薄膜晶体管。处理氧化硅的方法包括如下步骤：在甲烷气体环境下，对氧化硅表面进行等离子体处理使得非极性的甲基基团取代氧化硅表面的极性的氢键。薄膜晶体管的制造方法包括如下步骤：沉积氧化硅材料的刻蚀阻挡层，氧化硅表面形成极性的氢键；在甲烷气体环境下，对氧化硅表面进行等离子体处理使得非极性的甲基基团取代氧化硅表面极性的氢键；在刻蚀阻挡层之上形成树脂层。上述制造方法制造出的薄膜晶体管。本发明使得氧化硅的表面能增加，表现出疏水性，为树脂层可以与刻蚀阻挡层牢固地粘在一起提供了条件。
【专利说明】处理氧化硅的方法，薄膜晶体管的制造方法及薄膜晶体管
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种处理氧化硅的方法，薄膜晶体管的制造方法及薄膜晶体管。
【背景技术】
[0002]在液晶显示器和有机发光二极管显示器中，薄膜晶体管是控制发光的开关，是实现液晶显示器和有机发光二极管显示器的关键。刻蚀阻挡型金属氧化物薄膜晶体管包含形成在有源层上的刻蚀阻挡层，一般刻蚀阻挡层采用氧化硅材料形成。由于，氧化硅材料的刻蚀阻挡层表面形成极性的氢键，使氧化硅具有低的表面能，表现出亲水性。这样，如果直接在氧化硅材料的刻蚀阻挡层表面旋涂树脂层的话，很容易脱落。为了解决这一问题，在旋涂树脂层前在氧化硅材料的刻蚀阻挡层上形成六甲基二硅胺薄层，六甲基二硅胺薄层一面与氧化硅材料的刻蚀阻挡层粘在一起，另一面与树脂层粘在一起使得树脂层不容易脱落。但是，六甲基二硅胺具有很强的毒性，接触后的人员会产生呼吸困难、短促，头痛、咳嗽、轻微麻痹，皮肤干燥、龟裂，眼睛红肿并有灼热感等不适，不利于生产的安全。
【发明内容】
[0003]本发明提供了一种处理氧化硅的方法，薄膜晶体管的制造方法及薄膜晶体管，使得氧化硅的表面能增加，表现出疏水性，为树脂层可以与刻蚀阻挡层牢固地粘在一起提供了条件。
[0004]为达到上述目的，本发明提供以下技术方案:
[0005]一种处理氧化硅的方法，包括如下步骤:
[0006]在甲烷气体环境下，对氧化硅表面进行等离子体处理使得非极性的甲基基团取代氧化娃表面的极性的氢键。
[0007]优选的，所述对氧化硅表面进行等离子体处理采用等离子体增强化学气相沉积方式进行。
[0008]优选的，所述甲烷气体环境通过如下步骤实现:
[0009]将氧化硅置于等离子体增强化学气相沉积炉内；
[0010]通入甲烷气体。
[0011]本发明还提供以下技术方案:
[0012]一种薄膜晶体管的制造方法，包括如下步骤:
[0013]沉积氧化硅材料的刻蚀阻挡层，氧化硅表面形成极性的氢键；
[0014]在甲烷气体环境下，对氧化硅表面进行等离子体处理使得非极性的甲基基团取代氧化娃表面极性的氢键；
[0015]在刻蚀阻挡层之上形成树脂层。
[0016]优选的，所述对氧化硅表面进行等离子体处理采用等离子体增强化学气相沉积方式进行。
[0017]优选的，所述沉积氧化硅材料的刻蚀阻挡层采用等离子体增强化学气相沉积方式进行沉积。
[0018]优选的，所述沉积氧化硅材料的刻蚀阻挡层是在等离子体增强化学气相沉积炉中进行。
[0019]优选的，所述甲烷气体环境通过下述步骤实现:
[0020]将甲烷气体通入所述等离子体增强化学气相沉积炉中。
[0021 ] 优选的，所述树脂层通过旋涂形成。
[0022]本发明还提供以下技术方案:
[0023]一种薄膜晶体管，其通过上述任一所述的薄膜晶体管的制造方法制造得到。
[0024]本发明提供的处理氧化硅的方法，薄膜晶体管的制造方法及薄膜晶体管，对于形成有极性的氢键的氧化硅表面而言，在甲烷气体环境下，对氧化硅表面进行等离子体处理，由于等离子体处理的作用，甲烷分解出非极性的甲基基团，甲基基团取代氧化硅表面的极性的氢键，使得氧化硅的表面能增加，表现出疏水性；这样在刻蚀阻挡层之上旋涂形成树脂层后，树脂层可以与刻蚀阻挡层牢固地粘在一起。与现有技术相比，不需要使用具有很强的毒性的六甲基二硅胺，可使树脂层可以与刻蚀阻挡层牢固地粘在一起。
【专利附图】
【附图说明】
[0025]图1为本发明的一个实施例的处理氧化硅的方法的流程图；
[0026]图2为本发明的一个实施例的薄膜晶体管的制造方法的流程图；
[0027]图3为图2所示薄膜晶体管的制造方法制造底栅型刻蚀阻挡型金属氧化物薄膜晶体管的过程中的结构示意图；
[0028]图4为图2所示薄膜晶体管的制造方法制造底栅型刻蚀阻挡型金属氧化物薄膜晶体管的过程中的另一结构示意图。
[0029]主要元件附图标记说明:
[0030]100栅极，200栅绝缘层，300有源层，400氧化硅材料的刻蚀阻挡层，500树脂层。
【具体实施方式】
[0031]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0032]本发明的一个实施例的处理氧化硅表面的方法，包括如下步骤:
[0033]在甲烷气体环境下，对氧化硅表面进行等离子体处理使得非极性的甲基基团取代氧化娃表面极性的氢键。
[0034]本实施例的处理氧化硅的方法，对于形成有极性的氢键的氧化硅表面而言，在甲烷气体环境下，对氧化硅表面进行等离子体处理，由于等离子体处理的作用，甲烷分解出非极性的甲基基团，甲基基团取代氧化硅表面的极性的氢键，使得氧化硅的表面能增加，表现出疏水性。
[0035]作为一种优选的方式，如图1所示，所述在甲烷气体环境下，对氧化硅表面进行等离子体处理包括如下步骤:
[0036]将氧化硅置于等离子体增强化学气相沉积炉内；
[0037]通入甲烷气体，对氧化硅表面进行等离子体处理。
[0038]即所述对氧化硅表面进行等离子体处理采用等离子体增强化学气相沉积方式进行。需要说明的是，对氧化硅表面进行等离子体处理的具体实现形式有多种，采用等离子体增强化学气相沉积方式进行只是其中的一种，仅用于举例说明。这样，可以方便地对氧化硅表面进行等离子体处理。
[0039]本发明的一个实施例的薄膜晶体管的制造方法，如图2所示，包括如下步骤:
[0040]沉积氧化硅材料的刻蚀阻挡层，氧化硅表面形成极性的氢键；
[0041]在甲烷气体环境下，对氧化硅表面进行等离子体处理使得非极性的甲基基团取代氧化娃表面极性的氢键；
[0042]在刻蚀阻挡层之上旋涂形成树脂层。
[0043]本实施例的薄膜晶体管的制造方法，在沉积氧化硅材料的刻蚀阻挡层后，氧化硅表面形成极性的氢键；在甲烷气体环境下，对氧化硅表面进行等离子体处理，由于等离子体处理的作用，甲烷分解出非极性的甲基基团，甲基基团取代氧化硅表面的极性的氢键，使得氧化硅的表面能增加，表现出疏水性；这样在刻蚀阻挡层之上旋涂形成树脂层后，树脂层可以与刻蚀阻挡层牢固地粘在一起。与现有技术相比，不需要使用具有很强的毒性的六甲基二硅胺，可使树脂层可以与刻蚀阻挡层牢固地粘在一起。
[0044]作为一种优选的方式，所述沉积氧化硅材料的刻蚀阻挡层是在等离子体增强化学气相沉积炉中进行。
[0045]在甲烷气体环境下，对氧化硅表面进行等离子体处理使得非极性的甲基基团取代氧化硅表面极性的氢键通过下述步骤实现:
[0046]将甲烷气体通入所述等离子体增强化学气相沉积炉中，对氧化硅表面进行等离子体处理使得非极性的甲基基团取代氧化硅表面极性的氢键。
[0047]即沉积氧化硅材料的刻蚀阻挡层是采用等离子体增强化学气相沉积方式进行沉积，对氧化硅表面进行等离子体处理是采用等离子体增强化学气相沉积方式进行。需要说明的是，对沉积氧化硅材料的刻蚀阻挡层和氧化硅表面进行等离子体处理的具体实现形式有多种，采用等离子体增强化学气相沉积方式进行只是其中的一种，仅用于举例说明。
[0048]需要说明的是，形成树脂层的具体实现形式有多种，旋涂形成树脂层只是其中的一种，仅用于举例说明。
[0049]下面以底栅型刻蚀阻挡型金属氧化物薄膜晶体管的制备为例进行说明:
[0050]步骤一:在基板上依次沉积形成栅极100，栅绝缘层200，有源层300和氧化硅材料的刻蚀阻挡层400，形成如图3所示的结构；其中，沉积氧化硅材料的刻蚀阻挡层是在等离子体增强化学气相沉积炉中进行；此时，氧化硅材料的刻蚀阻挡层表面形成极性的氢键，使氧化硅具有低的表面能，表现出亲水性；
[0051]步骤二:将甲烷气体通入所述等离子体增强化学气相沉积炉中，对氧化硅表面进行等离子体处理；由于等离子体处理的作用，甲烷分解出甲基基团，甲基基团取代氧化硅表面的具有极性的氢键，使得氧化硅的表面能增加，表现出疏水性；
[0052]步骤三:在刻蚀阻挡层之上旋涂形成树脂层500，形成如图4所示的结构；
[0053]步骤四:依次沉积源极/漏极，保护层等；形成底栅型刻蚀阻挡型金属氧化物薄膜晶体管。
[0054]本发明的一个实施例的薄膜晶体管，其通过上述任一薄膜晶体管的制造方法制造得到。
[0055]显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种处理氧化硅的方法，其特征在于，包括如下步骤: 在甲烷气体环境下，对氧化硅表面进行等离子体处理使得非极性的甲基基团取代氧化娃表面的极性的氢键。
2.根据权利要求1所述的处理氧化硅的方法，其特征在于，所述对氧化硅表面进行等离子体处理采用等离子体增强化学气相沉积方式进行。
3.根据权利要求2所述的处理氧化硅的方法，其特征在于，所述甲烷气体环境通过如下步骤实现: 将氧化硅置于等离子体增强化学气相沉积炉内； 通入甲烷气体。
4.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤: 沉积氧化硅材料的刻蚀阻挡层，氧化硅表面形成极性的氢键； 在甲烷气体环境下，对氧化硅表面进行等离子体处理使得非极性的甲基基团取代氧化娃表面极性的氢键； 在刻蚀阻挡层之上形成树脂层。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述对氧化硅表面进行等离子体处理采用等离子体增强化学气相沉积方式进行。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述沉积氧化硅材料的刻蚀阻挡层采用等离子体增强化学气相沉积方式进行沉积。
7.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述沉积氧化硅材料的刻蚀阻挡层是在等离子体增强化学气相沉积炉中进行。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述甲烷气体环境通过下述步骤实现: 将甲烷气体通入所述等离子体增强化学气相沉积炉中。
9.根据权利要求4-8中任一所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述树脂层通过旋涂形成。
10.一种薄膜晶体管，其特征在于，其通过权利要求4-9中任一所述的薄膜晶体管的制造方法制造得到。
【文档编号】H01L21/3105GK104269355SQ201410453003
【公开日】2015年1月7日 申请日期:2014年9月5日 优先权日:2014年9月5日
【发明者】姜春生 申请人:京东方科技集团股份有限公司