一种改善剥落型缺陷的方法
【专利摘要】本发明涉及微电子领域，尤其涉及一种改善剥落型缺陷的方法，通过打磨工艺和清洗工艺处理保护环表面；然后在处理后的保护环表面电镀一层石英膜层，增加保护环表面的粗糙度系数，从而有效增加了保护环表面与刻蚀产生的高分子聚合物的黏附力，有效避免高分子聚合物随着RF时间的增加而剥落造成的剥落型缺陷，从而缩小了保护环的更换频率，延长了保护环的使用寿命。
【专利说明】一种改善剥落型缺陷的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及微电子领域，尤其涉及一种改善剥落型缺陷的方法。
【背景技术】
[0002]在微电子领域顶层钝化膜刻蚀工艺中，通常采用等离子体对金属介质膜进行刻蚀。其原理是等离子体与金属介质膜发生反应，生成高分子的刻蚀反应聚合物，保护环表面有一定的粗糙度系数，并且这些聚合物分子间有范德华力，因此刻蚀工艺生成的高分子聚合物可以黏附于保护环的表面。
[0003]但是随着刻蚀时数的增加，这些高分子聚合物在等离子的轰击下，破坏了其与保护环之间的范德华力，这层黏附在保护环表面的高分子聚合物会在等离子体的轰击下发生脱落，形成颗粒污染，一般当RF (Rad1 Frequency,射频,简称RF)时数到达80小时后,使其脱落，在靠近slit door (阀门)的地方尤为严重。这些高分子反应聚合物覆盖于晶圆的表面，阻挡了等离子体对覆盖下层膜之间的反应而产生缺陷，也就是所谓的剥落型缺陷，导致器件的失效，降低了产品的良率。因此如何增加高分子聚合物与保护环之间的黏附力，以减小保护环的更换频率，延长其用寿命显成为本领域技术人员面临的一大难题。
【发明内容】
[0004]针对上述问题，本发明提出一种改善剥落型缺陷的方法，通过在保护环表面电镀一保护膜层，增加了保护环与刻蚀过程中产生的刻蚀聚合生成物的黏附力，有效避免了随着射频时间的增长导致刻蚀聚合生成物脱落的现象，从而缩小了保护环的更换频率，减轻了剥落型缺陷，延长了保护环的使用寿命。
[0005]一种改善剥落型缺陷的方法，其中，所述方法包括:
[0006]提供一石英保护环；
[0007]对保护环进行打磨工艺和清洗工艺；
[0008]于保护环的表面制备一层石英膜层，所述石英膜层的摩擦系数比所述保护环表面粗糙度系数大，以增加保护环的黏附力。
[0009]上述方法，其中，所述石英保护环表面的粗糙度系数为0.8 μ m。
[0010]上述方法，其中，所述石英膜层的粗糙度系数为2.6μπι。
[0011]上述方法，其中，所述进行打磨工艺和清洗工艺后的步骤还包括:
[0012]测试保护环的粗糙度系数。
[0013]上述方法，其中，使用电镀的方法制备所述石英膜层。
[0014]上述方法，其中，所述石英膜层的材质与保护环表面材质相同。
[0015]上述发明具有如下优点或者有益效果:
[0016]本发明公开了一种改善剥落型缺陷的方法，通过打磨工艺和清洗工艺处理保护环表面，然后在处理后的保护环表面电镀一层石英膜层，增加保护环表面的粗糙度系数，从而有效增加了保护环表面与刻蚀产生的高分子聚合物的黏附力，有效避免高分子聚合物随着RF时间的增加而剥落造成的剥落型缺陷，从而缩小了保护环的更换频率，延长了保护环的使用寿命。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、夕卜形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
[0018]图1是改善剥落型缺陷方法流程图。
[0019]实施方式
[0020]下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的说明，但是不作为本发明的限定。
[0021]针对上述存在的问题，本发明披露了一种改善剥落型缺陷的方法，通过对保护环表面进行打磨工业和清洗工艺，然后反复测试保护环表面粗糙度系数，发现当保护环表面粗糙度系数为2.6μπι时剥落型缺陷可以得到有效改善，通过在保护环表面电镀一层石英膜层，增大保护环表面的粗糙度系数，有效增加了保护环与刻蚀产生的高分子聚合物的黏附力，有效避免了刻蚀过程中产生的高分子聚合物随着RF时间的增加而剥落引起的剥落型缺陷，从而缩小了保护环的更换频率，延长了保护环的使用寿命。下面结合附图对本发明作进一步阐述。
[0022]参照附图1所示结构，首先对保护环进行打磨工艺和清洗工艺，打磨过程中难免出现一些微小的颗粒，通过清洗工艺可以有效将打磨过程出现的微小颗粒清除，并同时可以清除保护环表面的其他异物。
[0023]对保护环表面进行打磨工艺和清洗工艺后，反复实验测试保护环表面的粗糙度系数，通过反复测试得出，当保护环表面粗糙度系数为2.6 μ m时，剥落型缺陷可以得到有效改善。
[0024]保护环表面粗糙度系数为0.8 μ m，随着RF时数的增加，保护环表面0.8 μ m的粗糙度系数将不能满足有效阻止刻蚀过程中产生的高分子聚合物从保护环表面脱落，从而形成剥落型缺陷，优选的，本发明所选高分子聚合物为含氟聚合物。
[0025]采用电镀方法在保护环表面制备一石英膜层，以使保护环表面的粗糙度系数从0.8 μ m增大到2.6 μ m，其中，保护环表面材质也为石英，这就方便将保护膜层有效制备到保护环表面。由于将石英层电镀到保护环表面后，有效增大了保护环表面的粗糙度系数，则刻蚀过程产生的高分子聚合物与保护环表面的黏附力有效增大。
[0026]综上所述，本发明公开了一种改善剥落型缺陷的方法，通过在保护环表面电镀一石英膜层，将保护环表面的粗糙度系数从0.8 μ m增大到2.6 μ m，有效增大了刻蚀过程中产生的高分子聚合物与保护环表面的黏附力，有效避免了剥落型缺陷的发生，从而缩小了保护环的更换频率，延长了保护环的使用寿命。
[0027]本领域技术人员应该理解，本领域技术人员在结合现有技术以及上述实施例可以实现所述变化例，在此不做赘述。这样的变化例并不影响本发明的实质内容，在此不予赘述。
[0028]以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围。
【权利要求】
1.一种改善剥落型缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括: 提供一石英保护环； 对保护环进行打磨工艺和清洗工艺； 测试保护环表面的粗糙度系数； 于保护环的表面制备一层石英膜层，所述石英膜层的摩擦系数比所述保护环表面粗糙度系数大，以增加石英保护环的黏附力。
2.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述石英保护环表面的粗糙度系数为0.8 μ m。
3.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述石英膜层的粗糙度系数为2.6μπι。
4.如权利要求1所述方法，其特征在于，使用电镀的方法制备所述石英膜层。
5.如权利要求4所述方法，其特征在于，所述石英膜层的材质与保护环表面材质相同。
【文档编号】H01L21/56GK104465415SQ201410710193
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月28日 优先权日:2014年11月28日
【发明者】侯宁普, 王福喜, 曾林华, 任昱, 吕煜坤, 朱骏, 张旭升 申请人:上海华力微电子有限公司