一种FinFET制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种FinFET制备方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底顶部自下而上依次沉积有第一硬掩模层和第二硬掩模层；进行图案化处理，刻蚀所述第二硬掩模层、第一硬掩模层至所述半导体衬底中，以在所述半导体衬底中形成若干鳍状结构；对第二硬掩模层进行减薄处理，以将部分第一硬掩模层的上表面予以暴露；沉积氧化层并进行平坦化处理，以使该氧化层的上表面与所述第二硬掩模层的顶部平面齐平；移除所述第二硬掩模层；回蚀所述氧化层，以将各所述鳍状结构的侧壁予以外露。本发明通过增加硬质掩膜pullback的距离，得到平坦的FinFET STI OX recess结构。
【专利说明】-种FinFET制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体制备领域，具体涉及一种FinFET制备方法。
【背景技术】
[0002] 随着半导体技术的不断发展，传统的平面性器件已经不能满足人们对高性能器件 的需求。Fin阳T(Fin Field-Effect Transistor,錯式场效应晶体管）是一种立体型器件， 包括在衬底上竖直形成的錯W及与錯相交的堆叠栅。该种设计可W大幅改善电路控制并减 少漏电流（leakage)，也可W大幅缩短晶体管的间长。由于FinFET具有功耗低，面积小的优 点，目前已被各晶圆厂商所广泛应用。
[000引图1为Fin阳T的立体结构图，1为衬底，2为刻蚀衬底1所形成的錯状结构（Fin)， 3为填充在相邻錯状结构之间的氧化层，栅电极材料层4覆盖在錯状结构2和氧化层3之 上。在FinFET器件中，需要氧化层3具有较为平整的上表面。但是在目前工艺中，氧化层 3的顶面平整度很难满足技术人员的需求。该是由于在采用湿法回蚀形成图1所示的氧化 层3后，由于湿法刻蚀对氧化层的刻蚀比较高，在刻蚀过程中很难控制，导致氧化层的表面 不平整。
[0004] 因此，如何有效的改善錯状结构之间的氧化层的平坦性一直为本领域技术人员致 力研究的方向。
【发明内容】
[0005] 根据现有技术的不足，本发明提供了一种FinFET制备方法，其中，包括如下步骤：
[0006] 提供一半导体衬底，在所述半导体衬底顶部自下而上依次沉积有第一硬掩模层和 第二硬掩模层；
[0007] 进行图案化处理，刻蚀所述第二硬掩模层、第一硬掩模层至所述半导体衬底中，W 在所述半导体衬底中形成若干錯状结构；
[0008] 对第二硬掩模层进行减薄处理，W将部分第一硬掩模层的上表面予W暴露；
[0009] 沉积氧化层并进行平坦化处理，W使该氧化层的上表面与所述第二硬掩模层的顶 部平面齐平；
[0010] 移除所述第二硬掩模层；
[0011] 回蚀所述氧化层，W将各所述錯状结构的侧壁予W外露。
[0012] 上述的方法，其中，所述第一硬掩模层为SiN。
[0013] 上述的方法，其中，所述第二硬掩模层为SiN、SiON、BN、无定形碳、TiN中的任意一 种材料。
[0014] 上述的方法，其中，所述第一硬掩模层和所述第二硬掩模层的厚度均大于looA。
[0015] 上述的方法，其中，至少对所述第二硬掩模层减薄5nm。
[0016] 上述的方法，其中，在形成所述錯状结构之前或之后，对所述第二硬掩模层进行减 薄处理。
[0017] 上述的方法，其中，采用湿法刻蚀工艺或者等离子刻蚀工艺回蚀所述氧化层。
[001引上述的方法，其中，所述方法还包括：
[0019] 移除所述第一硬掩模层，并沉积栅极材料层。
【专利附图】
【附图说明】
[0020] 通过阅读参照W下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、外 形和优点将会变得更明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未刻意按照比例 绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
[0021] 图1为Fin阳T的立体结构图；
[002引图2A-2F为本发明提供的一种Fin阳T的制备方法的流程图。
【具体实施方式】
[0023] 在下文的描述中，给出了大量具体的细节W便提供对本发明更为彻底的理解。然 而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可W无需一个或多个该些细节而得W 实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进 行描述。
[0024] 为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤W及详细的结构，W便 阐释本发明的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了该些详细描述外，本 发明还可W具有其他实施方式。
[0025] 本发明提供了一种Fin阳T的制备方法，具体如下。
[0026] 首先，参照图2A所示，提供一半导体衬底100,在该半导体衬底100的顶部自下而 上依次制备有第一硬掩模层101和第二硬掩模层102。可选但非限制，第一硬掩模层101为 SiN ;第二硬掩模层102为SiN、SiON、BN、无定形碳、TiN中的任意一种材料。进一步优选的， 上述的第一硬掩模层101和第二硬掩模层102厚度均大于looA。
[0027] 之后，进行图案化处理，刻蚀第二硬掩模层102、第一硬掩模层101至半导体衬底 100中，W在半导体衬底100中形成若干錯状结构100a。具体的，可在第二硬掩模层102顶 部涂覆一层光刻胶，进行曝光显影工艺，在光刻胶中形成若干开口，并W具有开口的光刻胶 向下进行刻蚀至衬底中，W形成图2B所示的结构。
[0028] 对第二硬掩模层102进行减薄处理，W将部分第一硬掩模层101的上表面予W暴 露，形成图2C所示的结构。可选但非限制，至少对第二硬掩模层102减薄5nm，进而将其下 方的第一硬掩模层101的部分上表面进行暴露。具体可根据第二硬掩模层102的材质来选 择具体减薄工艺，从而实现在减薄第二硬掩模层102的同时，还不会对錯状结构100a、衬底 100、第一硬掩模层101造成损伤。同时在本发明中，可在形成錯状结构100a之前或之后， 对第二硬掩模层102进行减薄处理。当在形成錯状结构100a之前对第二硬掩模层102进 行减薄处理的步骤为：图案化处理，刻蚀第二硬掩模层102、第一硬掩模层101至半导体衬 底100的上表面处停止，在半导体衬底100顶部形成若干间隔开的剩余第二硬掩模层102、 第一硬掩模层101，之后对第一硬掩模层101进行减薄处理，然后再对半导体衬底100进行 刻蚀，同样可形成图2C所示的结构。
[0029] 沉积氧化层103并进行平坦化处理，W使该氧化层103的上表面与第二硬掩模层 102的顶部平面齐平，如图2D所示。可选但非限制，可采用化学机械研磨工艺对氧化层103 进行处理，W使得其表面与第二硬掩模层102齐平。
[0030] 移除剩余的第二硬掩模层102,如图2E所示。由于第二硬掩模层102的材质与氧 化层103明显不同，例如当第二硬掩模层102为无定形碳时，可在高温下通入氧气，无定形 碳与氧气生成气态的二氧化碳即可实现移除第二硬掩模层102。
[0031] 回蚀氧化层103, W将各錯状结构100a的侧壁予W外露，同时在相邻錯状结构 100a之间区域的底部保留部分氧化层103a，如图2F所示。可选但非限制，可采用湿法刻蚀 工艺或者等离子刻蚀工艺回蚀氧化层103。在回蚀氧化层103的过程中，由于在顶部保留有 剩余的第一硬掩模层101，因此可保护錯状结构100a免受刻蚀损伤，同时氧化层103经回蚀 时，也能具有一较为平坦的表面。第二硬掩模层102的减薄处理用于优化氧化层103a的平 坦度，双层硬质掩模可W在最终的FinFET结构中保留Fin顶部的第一硬掩模层101，并形成 对錯状结构100a的保护作用。
[0032] 完成上述步骤后，可选的进行如下步骤：移除剩余的一硬掩模层101，之后沉积栅 极材料层，进而可形成图1所示的结构。
[0033] 综上所述，由于本发明采用了如上技术方案，通过增加硬质掩模puUback的距 离，得到平坦的Fin阳T STI 0X recess结构。
[0034] W上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述 特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予W实 施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述掲示 的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等 效实施例，该并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据 本发明的技术实质对W上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明 技术方案保护的范围内。
【权利要求】
1. 一种FinFET制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一半导体衬底，在所述半导体衬底顶部自下而上依次沉积有第一硬掩模层和第二 硬掩模层； 进行图案化处理，刻蚀所述第二硬掩模层、第一硬掩模层至所述半导体衬底中，以在所 述半导体衬底中形成若干鳍状结构； 对第二硬掩模层进行减薄处理，以将部分第一硬掩模层的上表面予以暴露； 沉积氧化层并进行平坦化处理，以使该氧化层的上表面与所述第二硬掩模层的顶部平 面齐平； 移除所述第二硬掩模层； 回蚀所述氧化层，以将各所述鳍状结构的侧壁予以外露。
2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硬掩模层为SiN。
3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二硬掩模层为SiN、SiON、BN、无定形 碳、TiN中的任意一种材料。
4. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硬掩模层和所述第二硬掩模层的 厚度均大于ΙΟΟΑ。
5. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，至少对所述第二硬掩模层减薄5nm。
6. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述鳍状结构之前或之后，对所述第 二硬掩模层进行减薄处理。
7. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺或者等离子刻蚀工艺回 蚀所述氧化层。
8. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括： 移除所述第一硬掩膜层，并沉积栅极材料层。
【文档编号】H01L21/336GK104465397SQ201410710173
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月28日 优先权日:2014年11月28日
【发明者】鲍宇 申请人:上海华力微电子有限公司