本发明涉及一种动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)，且特别涉及一种能缩小元件面积的动态随机存取存储器。
背景技术：
为提升动态随机存取存储器的集成度、加快元件的操作速度、以及符合消费者对于小型化电子装置的需求，近年来发展出埋入式字线动态随机存取存储器(buried word line DRAM)，以满足上述种种需求。
举例来说，目前已有针对缩减元件面积，发展通过彼此互不相同的延伸方向的字线、有源区与位线，设计的埋入式字线动态随机存取存储器。
然而，上述动态随机存取存储器仍然有缩减空间，且间距愈来愈小的线路也会导致操作元件时，元件之间产生干扰的问题。
技术实现要素：
本发明提供一种动态随机存取存储器，可大幅缩减元件面积并有效减少元件间的干扰问题。
本发明的一种动态随机存取存储器，包括基板、埋入式字线、有源区、位线与电容器。埋入式字线位于基板内，上述有源区的长边方向与位线的延伸方向呈现锐角θ，且位线则位于基板上横跨埋入式字线。每一条埋入式字线会将排列在同一列的有源区划分为两个接触区，且每一条位线电性连接每一条埋入式字线两侧邻接的接触区。电容器则设置在位线之间，且每一个电容器电性连接每一条埋入式字线两侧邻接的接触区。因此，在每一个有源区中，其中一个接触区电性连接一个电容器，另一个接触区则电性连接一条位线。
在本发明的一实施例中，上述锐角θ例如在15°～50°之间。
在本发明的一实施例中，上述动态随机存取存储器还可包括数个绝缘结构，位于埋入式字线之间。
在本发明的一实施例中，上述动态随机存取存储器还可包括数个电容器接触窗，位于电容器与接触区之间。
在本发明的一实施例中，上述动态随机存取存储器还可包括数个位线接触窗，位于位线与接触区之间。
在本发明的一实施例中，在上述位线的延伸方向上，位线接触窗之间的距离大于所述埋入式字线的线宽。
在本发明的一实施例中，在上述位线的延伸方向上，位线接触窗之间的距离小于所述埋入式字线的距离。
在本发明的一实施例中，上述埋入式字线与上述位线互相垂直。
基于上述，本发明将元件布局设计成单一有源区内的一个接触区电性连接至电容器、单一有源区内的另一个接触区电性连接至位线，来大幅缩减元件面积。另外，排列成列的有源区不容易干扰隔壁列的有源区，所以在元件操作上并不会因面积缩减而有不良影响。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1是依照本发明的一实施例的一种动态随机存取存储器的布局示意图；
图2是图1的II-II线段的剖面示意图；
图3是图1的III-III线段的剖面示意图。
附图标记说明：
100：基板；
102：埋入式字线；
104：有源区；
106：位线；
108：电容器；
110a、110b：接触区；
112：绝缘结构；
114：电容器接触窗；
116：位线接触窗；
200：隔离结构；
202、204：介电层；
θ：锐角；
w：字线宽；
d1、d2：距离。
具体实施方式
本文中请参照附图，以便更加充分地体会本发明的概念，随附图中显示本发明的实施例。但是，本发明还可采用许多不同形式来实践，且不应将其解释为限于底下所述的实施例。实际上，提供实施例仅为使本发明更加详尽且完整，并将本发明的范畴完全传达至所属技术领域中的技术人员。
在附图中，为明确起见可能将各层以及区域的尺寸以及相对尺寸作夸张的描绘。
图1是依照本发明的一实施例的一种动态随机存取存储器的布局示意图；图2是图1的II-II线段的剖面示意图；图3是图1的III-III线段的剖面示意图。
请参照图1～3，本实施例的动态随机存取存储器，包括基板100、埋入式字线102、有源区104、位线106与电容器108。上述埋入式字线102位于基板100内，能将排列于同一列的有源区104划分为两个接触区110a和110b。上述埋入式字线102与上述位线106譬如互相垂直。此外，两埋入式字线102之间可设置绝缘结构112，来隔绝不同列的有源区104，且依照这样的布局也易于控制微影蚀刻工艺。而有源区104的长边方向与位线106的延伸方向呈现锐角θ，以使基板100上的每一条位线106在横跨埋入式字线102的同时，还能分别利用如位线接触窗116来电性连接埋入式字线102两侧邻接的接触区110a和110b，如图3所示。因此上述锐角θ例如在15°～50°之间，但本发明并不限于此；因为有源区104的面积与位线106及埋入式字线102的字线宽w等参数都会影响锐角θ的范围。另外，位线接触窗116在图1中虽显示为矩形，但实际上形成的接触窗会略呈圆形，且其大小可依工艺变大或变小。
至于电容器108则设置于两位线106之间，且每一个电容器108可使用如电容器接触窗114，来电性连接至埋入式字线102两侧邻接的接触区，如图2是连到接触区110b。如果换到隔壁线段就是连到接触区(请见图1中的110a)。此外，电容器接触窗114在图1中虽显示为矩形，但实际上形成的接触窗会略呈圆形，且其大小可依工艺变大或变小。
因此，本实施例的动态随机存取存储器的布局，在每一个有源区104中，会有一个接触区110a/110b电性连接一个电容器108，另一个接触区110b/110a则电性连接一条位线106。在本实施例中，在位线106的延伸方向上(如图3)，位线接触窗116之间的距离d1例如大于埋入式字线102的字线宽w；位线接触窗之间的距离d1例如小于埋入式字线102的距离d2。
除了图1中有显示的结构外，从图2可知，排列于同一列的所有有源区104之间可用隔离结构200隔开。而且从图3可知，因为埋入式字线102会贯穿基板100内，所以也会存在于部分隔离结构200内。而在基板100上的电容器108、电容器接触窗114、位线106、位线接触窗116等，通常通过各层介电层202和204来分开或是在制作上述构件时当作工艺中的绝缘层(例如SiO2、SiN、BPSG…等)。
综上所述，本发明通过使存储器内的每一条位线电性连接每一条埋入式字线两侧邻接的接触区，且每一个电容器电性连接每一条埋入式字线两侧邻接的接触区，所以依照这样的方式能使单一有源区内的一个接触区电性连接至电容器、另一个接触区电性连接至位线，因此能大幅缩减元件面积。另外，排列成列的有源区因完全被隔离，彼此互相独立，所以不会干扰隔壁列的有源区，在元件操作上并不会因面积缩减而有不良影响。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。