1.一种闪存存储器，包括：
堆叠栅极结构，设置于一基底上，该堆叠栅极结构从该基底起依序包括穿隧介电层、浮置栅极、栅间介电层以及控制栅极；
第一掺杂区与第二掺杂区，分别设置于该堆叠栅极结构两侧的该基底中；
选择栅极，设置于该堆叠栅极结构下方的该基底中的一沟槽内，且该选择栅极邻近该第一掺杂区并与该第二掺杂区相距一距离；以及
栅介电层，设置于该选择栅极与该基底之间；
其中该穿隧介电层设置于该浮置栅极与该选择栅极之间以及于该浮置栅极与该基底之间。
2.如权利要求1所述的闪存存储器，其中该浮置栅极的一部分突出该选择栅极，且该浮置栅极突出该选择栅极的一角部具有尖锐的外型。
3.如权利要求1所述的闪存存储器，其中该浮置栅极与该选择栅极之间的该穿隧介电层的厚度可以相同或不同于该浮置栅极与该基底之间的该穿隧介电层的厚度。
4.如权利要求1所述的闪存存储器，其中该选择栅极的材质包括掺杂多晶硅。
5.如权利要求1所述的闪存存储器，其中该浮置栅极的材质包括掺杂多晶硅。
6.如权利要求1所述的闪存存储器，其中该选择栅极可以控制元件通道开关兼作为抹除栅极。
7.一种闪存存储器的制造方法，包括：
在一基底中形成一元件隔离结构，以定义出一有源区；
移除部分该元件隔离结构与该基底，而于该基底中形成一沟槽；
在该沟槽中形成一栅介电层；
在该沟槽中形成填满该沟槽的一选择栅极；
在该基底上形成一堆叠栅极结构，该堆叠栅极结构包括穿隧介电层、浮置栅极、栅间介电层以及一控制栅极，该堆叠栅极结构的一部分设置于该选择栅极上；以及
在该堆叠栅极结构两侧的基底中形成一第一掺杂区与一第二掺杂区，该第一掺杂区邻接该选择栅极的一侧，该第二掺杂区与该选择栅极相距一距离。
8.如权利要求7所述的闪存存储器的制造方法，其中于该沟槽中形成填满该沟槽的该选择栅极的步骤，包括：
在该基底上形成一导体层，该导体层填满该沟槽；以及
移除部分该导体层，并使该导体层具有一凹陷表面。
9.如权利要求7所述的闪存存储器的制造方法，其中移除部分该导体层，并使该导体层具有该凹陷表面的方法包括进行一回蚀刻法。
10.如权利要求7所述的闪存存储器的制造方法，其中于该沟槽中形成该栅介电层的方法包括热氧化法。
11.如权利要求7所述的闪存存储器的制造方法，其中该浮置栅极与该选择栅极之间的该穿隧介电层的厚度可以相同或不同于该浮置栅极与该基底之间的该穿隧介电层的厚度。
12.如权利要求7所述的闪存存储器的制造方法，其中于该基底上形成该堆叠栅极结构的步骤包括：
在该基底上形成一第一介电层；
在该第一介电材料层上形成一第一导体层；
在该第一导体层上形成一第二介电层；
在该第二介电材料层上形成一第二导体层；
图案化该第二导体层、该第二介电层、该第一导体层、该第一介电层以形成该控制栅极、该栅间介电层、该浮置栅极以及该穿隧介电层。
13.如权利要求7所述的闪存存储器的制造方法，其中于该第一介电层的方法包括热氧化法、化学气相沉积法或其组合。