技术总结
本发明公开一种闪存存储器及其制造方法，该闪存存储器包括堆叠栅极结构、第一掺杂区与第二掺杂区、选择栅极以及栅介电层。堆叠栅极结构设置于基底上，堆叠栅极结构从基底起依序包括穿隧介电层、浮置栅极、栅间介电层以及控制栅极。第一掺杂区与第二掺杂区分别设置于堆叠栅极结构两侧的基底中。选择栅极设置于堆叠栅极结构下方的基底中的沟槽内，且选择栅极邻近第一掺杂区并与第二掺杂区相距一距离。栅介电层设置于选择栅极与基底之间。穿隧介电层设置于浮置栅极与选择栅极之间以及于浮置栅极与基底之间。
技术研发人员：宋达;黄明山;
受保护的技术使用者：力晶科技股份有限公司;
文档号码：201410794626
技术研发日：2014.12.18
技术公布日：2016.07.13