一种白光LED芯片的制备方法与流程

本发明涉及半导体发光二极管领域，特别涉及一种白光LED芯片的制备方法。

背景技术：

LED (Light Emitting Diode，发光二极管) 是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，其发光原理是电激发光，即在PN结上加正向电流后，自由电子与空穴复合而发光，从而直接把电能转化为光能。LED,尤其是白光LED，作为一种新的照明光源材料被广泛应用着，它具有反应速度快、抗震性好、寿命长、节能环保等优点而快速发展，目前已被广泛应用于景观美化及室内外照明等领域。

目前白光LED的制作主要采用的是在蓝光芯片上涂覆黄色荧光粉的工艺制得，即在蓝光LED芯片表面直涂或喷涂一层荧光粉胶，按上述工艺制得的白光LED芯片存在如下两个问题：一是只是在蓝光LED芯片表面涂覆一层荧光粉胶，而芯片侧面并未涂覆有荧光胶，因此会出现芯片四周漏蓝光现象，导致最后封装成的白光LED器件白光颜色不均匀，往往带有黄色或蓝色光斑；二是以上方法制备的白光LED芯片为五面出光，大部分侧面光成为无效光，光的利用率没有得到有效提高。另外，在一些要求LED产品具有小型化、集成化、发光角度更小等特点的应用领域，传统方法制备的LED芯片是达不到这些领域的要求的。因此，有必要提供一种新的LED芯片制备方法来解决上述问题。

技术实现要素：

本发明所要解决的问题是：提供一种白光LED芯片的制备方法，由该方法制得的白光LED芯片不仅白光的颜色均匀，避免了漏蓝光的现象，而且具有导热性好，发光角度小等特点。

为达到上述目的，本发明提供一种白光LED芯片的制备方法，包括利用制备高反射白胶网框；将白胶网框置于耐高温膜或UV膜上；将LED芯片放入白胶网框中；在上述LED芯片与白胶网框表层制作荧光粉层；沿沟槽切割，扩膜得到四周围有高反射胶的单颗LED芯片。

优选地，所述高反射胶为含有白色非磷光体的惰性材料颗粒。

优选地，所述高反射白胶网框的厚度与所述LED芯片平齐。

优选地，所述LED芯片和高反射白胶网框的表面上的荧光粉层制备包括：点胶方法、旋涂方法、喷涂方法以及贴荧光粉膜片方法。

本发明的有益效果：使用本发明制做的白光芯片，将LED芯片置于高反射白胶网框中，芯片侧面发出的光通过高反射白胶网框内壁反射出来，形成单面出光的LED芯片，使得侧面光的95%以上反射后成为有效光输出，且光斑较传统的LED芯片更均匀，避免了漏蓝光的现象。按照本发明提供的方法制成的LED芯片不仅能从整体上提高光的利用率，还具有导热性好、发光角度小、成本低的优势，从而提高LED的应用范围和使用的便捷性。

附图说明

图1为制作高反射白胶网框模具的示意图；

图2为高反射白胶网框的正面示意图；

图3为LED芯片放入白胶网框网格内的示意图；

图4为芯片贴上荧光粉膜片后的示意图。

图中标识说明

1为向上凸起部分，2为高反射白胶，3为高反射白胶网框，4为空白部分，5为LED芯片，6为荧光粉膜片。

具体实施方式

本实施例采用如下步骤：

准备模具：如图1所示的模具，阴影部分向上凸起，凸起高度与倒装芯片高度一致，凸起部分长宽略大于LED芯片；准备高反射白胶；对模具预热，在图1所示的模具凹进部分均匀喷涂离模剂；如图1所示，将高反射白胶浆料涂抹在模具喷有离膜剂的一侧，树脂刮刀按照0.1-5mm/s的速度移动，通过马达和气缸来控制刮刀移动的速度，将白胶与模具刮至同一平面；将模具转移至高温烤箱中100-200℃烘烤30-200分钟；如图2所示，转移膜具，将留下的高反射白胶网框放置在耐高温的高温膜或者UV膜上；如图3所示，利用分选机或者排列机器，将倒装LED芯片放置在白胶的网框中；如图4所示，在倒装LED芯片和高反射白胶网框的表面均匀喷涂透明硅胶，贴荧光粉膜片。将上述结构高温固化后，沿沟槽切割，扩膜得到四周围有高反射胶的单颗倒装LED芯片。

以上所述，仅为本发明中的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉该技术的人在本发明所揭露的技术范围内，可轻易想到的变换或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。