一种半导体硅片蚀刻槽的制作方法
【专利摘要】本实用新型的一种半导体硅片蚀刻槽，包括带顶板的槽体，所述槽体的顶板上方设置有向上凸起的圆环形凸沿，凸沿内中心的顶板上设置有方形的开口，凸沿配合有可扣合在凸沿内的圆形端盖，端盖顶部设置有把手；所述槽体的侧壁分为内侧壁和外侧壁，所述内侧壁和外侧壁之间设置有通制冷剂的盘管，所述盘管外接有空调压缩机。本实用新型的有益效果是：提高了密封性，防止酸液飞滅对操作人员造成损伤。制冷效果好，能够及时有效地降温，使混合酸液的温度保持在一定范围，保证了整个硅片上或整批硅片上所形成沟槽的一致性。
【专利说明】一种半导体硅片蚀刻槽
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体硅片蚀刻槽。
【背景技术】
[0002]目前在半导体芯片加工工艺中，广泛应用氧化、淀积、光刻、刻蚀、离子注入和金属化等几个主要步骤。
[0003]半导体硅片的开沟工艺主要有两大类，即湿法刻蚀和干法刻蚀，两者都是经过光刻胶的涂覆、烘烤、曝光、显影、烘烤等工序后，在光刻胶的保护下有选择性的进行刻蚀开沟。其中，湿法刻蚀是将硅片沉浸在化学刻蚀剂中或将化学刻蚀剂喷淋到硅片表面通过化学反应完成刻蚀开沟的技术。湿法刻蚀作为传统的刻蚀方法至今一直被广泛使用，这种方法具有设备要求简陋，作业简单易于掌握，具有一定的批量生产能力，成本有效性好等优点。蚀刻时需要用到蚀刻槽，蚀刻槽内装有混合酸液，而且在蚀刻过程中需要将混合酸液的温度保持在一定范围，这样才能保证整个硅片上或整批硅片上所形成沟槽的一致性。
【发明内容】
[0004]为解决以上技术上的不足，本实用新型提供了一种密封和控温效果好的半导体硅片蚀刻槽。
[0005]本实用新型是通过以下措施实现的：
[0006]本实用新型的一种半导体硅片蚀刻槽，包括带顶板的槽体，所述槽体的顶板上方设置有向上凸起的圆环形凸沿，凸沿内中心的顶板上设置有方形的开口，凸沿配合有可扣合在凸沿内的圆形端盖，端盖顶部设置有把手；所述槽体的侧壁分为内侧壁和外侧壁，所述内侧壁和外侧壁之间设置有通制冷剂的盘管，所述盘管外接有空调压缩机。
[0007]上述空调压缩机信号连接有控制器，所述槽体内设置有与控制器信号连接的温度传感器。
[0008]本实用新型的有益效果是：提高了密封性，防止酸液飞溅对操作人员造成损伤。制冷效果好，能够及时有效地降温，使混合酸液的温度保持在一定范围，保证了整个硅片上或整批硅片上所形成沟槽的一致性。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图I为本实用新型的结构示意图。
[0010]其中：I槽体，2凸沿，3端盖，4把手，5盘管，6空调压缩机。
【具体实施方式】
[0011]下面结合附图对本实用新型做进一步详细的描述：
[0012]如图I所示，本实用新型的一种半导体硅片蚀刻槽，包括带顶板的槽体1，槽体I的顶板上方设置有向上凸起的圆环形凸沿2，凸沿2内中心的顶板上设置有方形的开口，凸沿2配合有可扣合在凸沿2内的圆形端盖3，端盖3顶部设置有把手4 ;槽体I的侧壁分为内侦_和外侧壁，内侧壁和外侧壁之间设置有通制冷剂的盘管5，盘管5外接有空调压缩机6。空调压缩机6信号连接有控制器，槽体I内设置有与控制器信号连接的温度传感器。
[0013]因为采用了凸沿2和端盖3，大大提高了槽体I的密封性，有效防止酸液飞溅对操作人员的伤害。温度传感器实时监测槽体I内的酸液的温度，并通过控制器控制空调压缩机6工作，盘管5内的制冷剂能够有效降低槽体I内酸液温度，使其温度恒定在9°，提高了酸液温度的稳定性，从而保证整个硅片上或整批硅片上所形成沟槽的一致性。
[0014]以上所述仅是本专利的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本专利的保护范围。
【权利要求】
1.一种半导体硅片蚀刻槽，包括带顶板的槽体，其特征在于：所述槽体的顶板上方设置有向上凸起的圆环形凸沿，凸沿内中心的顶板上设置有方形的开口，凸沿配合有可扣合在凸沿内的圆形端盖，端盖顶部设置有把手；所述槽体的侧壁分为内侧壁和外侧壁，所述内侧壁和外侧壁之间设置有通制冷剂的盘管，所述盘管外接有空调压缩机；所述空调压缩机信号连接有控制器，所述槽体内设置有与控制器信号连接的温度传感器。
【文档编号】H01L21/67GK204029779SQ201420449567
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年8月11日 优先权日:2014年8月11日
【发明者】王天峰 申请人:山东芯诺电子科技有限公司