技术领域本发明涉及双面带有隔片的密封用片、以及半导体装置的制造方法。
背景技术：
以往，作为半导体装置的制造方法，已知有在将固定于基板等上的1个或多个半导体芯片用密封树脂密封后、将密封体切割为半导体装置单元的封装件的方法。作为此种密封树脂，例如已知有由热固性树脂构成的密封用片(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-19714号公报
技术实现要素：
发明所要解决的问题如上所述的密封用片通常在使用前将两面以隔片覆盖。此外，在使用时，有时被利用吸附夹头经由隔片抬起、搬送。另外，有时在被夹隔层叠于一个面的隔片利用吸附夹头抬起的状态下，将另一个面的隔片剥离。然而，在抬起时、搬送时、另一个面的隔片的剥离时等时候，密封用片有可能会从吸附夹头落下。本发明是鉴于上述的问题而完成的，其目的在于，提供在借助吸附夹头的抬起时能够防止密封用片从吸附夹头落下的双面带有隔片的密封用片、以及使用了该双面带有隔片的密封用片的半导体装置的制造方法。用于解决问题的方法本申请发明人等发现，通过采用下述的构成，可以解决所述的问题，从而完成了本发明。即，本发明是一种双面带有隔片的密封用片，其特征在于，具备：密封用片、层叠于所述密封用片的一个面的厚50μm以上的隔片A、和层叠于所述密封用片的另一个面的隔片B。本发明人等对密封用片从吸附夹头落下的原因进行了深入研究。其结果是查明，当隔片弯曲时，就会在吸附夹头与隔片之间出现间隙，由于该原因而使密封用片从吸附夹头落下。根据本发明的双面带有隔片的密封用片，在密封用片的一个面，层叠有厚50μm以上的隔片A。隔片A的厚度为50μm以上，较厚而难以弯曲。所以，如果经由隔片A利用吸附夹头将密封用片抬起，则可以防止密封用片从吸附夹头落下。另外，本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：工序A，准备在支撑体上固定有半导体芯片的层叠体；工序B，准备前面所述的双面带有隔片的密封用片；工序C，将所述双面带有隔片的密封用片经由所述隔片A利用吸附夹头抬起；工序D，从所述双面带有隔片的密封用片剥离所述隔片B而得到单面带有隔片的密封用片；工序E，以使所述单面带有隔片的密封用片的剥离了所述隔片B的一侧的面与所述层叠体的所述半导体芯片的面相面对的方式，将所述单面带有隔片的密封用片配置于所述层叠体的所述半导体芯片上；和工序F，将所述半导体芯片埋入所述密封用片，形成在所述密封用片中埋入有所述半导体芯片的密封体。根据所述构成，将所述双面带有隔片的密封用片经由所述隔片A利用吸附夹头抬起(工序C)。此处，隔片A的厚度为50μm以上，较厚而难以弯曲。由于经由隔片A利用吸附夹头将密封用片抬起，因此可以防止密封用片从吸附夹头落下。另外，以使所述单面带有隔片的密封用片的剥离了所述隔片B的一侧的面与所述层叠体的所述半导体芯片的面相面对的方式，将所述单面带有隔片的密封用片配置于所述层叠体的所述半导体芯片上(工序E)。其后，将所述半导体芯片埋入所述密封用片，形成在所述密封用片中埋入有所述半导体芯片的密封体(工序F)。如前所述，在工序C中，密封用片难以从吸附夹头落下。所以，可以有效地制造密封体。在所述双面带有隔片的密封用片中，优选所述密封用片为2层以上，所述隔片B的厚度小于40μm。在所述密封用片为2层以上的情况下，通常，在所述密封用片中存在有背面和表面。因而，如果隔片A的厚度为50μm以上，而隔片B的厚度小于40μm，则很容易根据厚度的差别辨别哪一面是表面或背面。另外，本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：工序A，准备在支撑体上固定有半导体芯片的层叠体；工序B，准备前面所述的双面带有隔片的密封用片；工序C，将所述双面带有隔片的密封用片经由所述隔片A利用吸附夹头抬起；工序D，从所述双面带有隔片的密封用片剥离所述隔片B而得到单面带有隔片的密封用片；工序E，以使所述单面带有隔片的密封用片的剥离了所述隔片B的一侧的面与所述层叠体的所述半导体芯片的面相面对的方式，将所述单面带有隔片的密封用片配置于所述层叠体的所述半导体芯片上；和工序F，将所述半导体芯片埋入所述密封用片，形成在所述密封用片中埋入有所述半导体芯片的密封体。根据所述构成，将所述双面带有隔片的密封用片经由所述隔片A利用吸附夹头抬起(工序C)。此处，隔片A的厚度为50μm以上，较厚而难以弯曲。由于经由隔片A利用吸附夹头将密封用片抬起，因此可以防止密封用片从吸附夹头落下。另外，以使所述单面带有隔片的密封用片的剥离了所述隔片B的一侧的面与所述层叠体的所述半导体芯片的面相面对的方式，将所述单面带有隔片的密封用片配置于所述层叠体的所述半导体芯片上(工序E)。其后，将所述半导体芯片埋入所述密封用片，形成在所述密封用片中埋入有所述半导体芯片的密封体(工序F)。如前所述，在工序C中，密封用片难以从吸附夹头落下。所以，可以有效地制造密封体。另外，在所述双面带有隔片的密封用片中，由于隔片A的厚度为50μm以上，而隔片B的厚度小于40μm，因此很容易根据厚度的差别来辨别哪一方是表面或背面。其结果是，在工序E中，可以不弄错作为2层以上的构成的密封用片的背面和表面地配置于半导体芯片上。其结果是，可以提高所得的密封体的成品率。发明效果根据本发明，可以提供在借助吸附夹头的抬起时能够防止密封用片从吸附夹头落下的双面带有隔片的密封用片、以及使用了该双面带有隔片的密封用片的半导体装置的制造方法。附图说明图1是本实施方式的双面带有隔片的密封用片的剖面示意图。图2是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图3是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图4是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图5是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图6是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图7是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图8是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图9是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图10是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图11是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图12是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图13是用于说明第二实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图14是用于说明第二实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图15是用于说明第二实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图16是用于说明第二实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图17是用于说明第二实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图18是用于说明第二实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图19是用于说明第二实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。图20是用于说明第二实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。具体实施方式以下，在参照附图的同时，对本发明的实施方式进行说明。但是，本发明并不仅限定于这些实施方式。以下，首先，对双面带有隔片的密封用片所具备的密封用片为2层构成的情况进行说明。(双面带有隔片的密封用片)图1是本实施方式的双面带有隔片的密封用片10的剖面示意图。如图1所示，双面带有隔片的密封用片10具备密封用片11、层叠于密封用片11的一个面的厚50μm以上的隔片16a、和层叠于所述密封用片的另一个面的隔片16b。隔片16a相当于本发明的隔片A。另外，隔片16b相当于本发明的隔片B。密封用片11具有硬质层12和埋入用树脂层14。隔片16a被层叠于密封用片11的硬质层12侧。隔片16b被层叠于密封用片11的埋入用树脂层14侧。隔片16a的厚度为50μm以上，优选为75μm以上，更优选为100μm以上。隔片16a的厚度为50μm以上，较厚而难以弯曲。所以，如果经由隔片16a利用吸附夹头将密封用片11抬起，就可以防止密封用片11从吸附夹头落下。另外，从难以弯曲的观点考虑，隔片16a的厚度越大越好，然而例如可以设为200μm以下。隔片16b的厚度优选为小于40μm，更优选为小于30μm，进一步优选为小于20μm。另外，从在使用之前保护密封用片11的观点考虑，隔片16b的厚度例如可以设为10μm以上。如果隔片16a的厚度为50μm以上，而隔片16b的厚度小于40μm，则很容易根据厚度的差别来辨别密封用片11的哪一方是表面或背面。其结果是，在用吸附夹头抬起时，可以防止弄错表面和背面。作为隔片16a及隔片16b，例如可以使用纸等纸系基材；布、无纺布、毛毡、网状物等纤维系基材；金属箔、金属板等金属系基材；塑料片等塑料系基材；橡胶片等橡胶系基材；发泡片等发泡体、或它们的层叠体[特别是塑料系基材与其他基材的层叠体、塑料片之间的层叠体等]等恰当的纸张状物。本发明中，可以合适地使用塑料系基材。作为所述塑料系基材的原材料，例如可以举出聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物等烯烃系树脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物等以乙烯作为单体成分的共聚物；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯；丙烯酸系树脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；聚酰胺(尼龙)、全芳香族聚酰胺(芳族聚酰胺)等酰胺系树脂；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纤维素系树脂；硅酮树脂；氟树脂等。隔片16a既可以是单层，也可以是2种以上的多层。而且，作为隔片16a的制造方法，可以利用以往公知的方法形成。隔片16a及隔片16b优选至少与密封用片11接触的面被进行了脱模处理。作为所述脱模处理中所用的脱模剂，可以举出氟系脱模剂、长链烷基丙烯酸酯系脱模剂、硅酮系脱模剂等。其中，优选硅酮系脱模剂。双面带有隔片的密封用片10的俯视时的大小及形状没有特别限定，然而可以设为各边的长度分别为300mm以上的矩形、或各边的长度分别为500mm以上的矩形。另外，可以设为直径为200mm以上的圆形。在将双面带有隔片的密封用片设为大面积的情况下，特别容易产生弯曲。然而，本实施方式的双面带有隔片的密封用片10即使采用大面积的材料，由于隔片16a的厚度为50μm以上，因此也可以抑制弯曲。(密封用片)密封用片11如上所述，具有硬质层12和埋入用树脂层14。埋入用树脂层14是比较柔软的层，在后述的半导体装置的制造方法的工序F中，是用于埋入半导体芯片的层。另一方面，硬质层12是较硬的层，是用于将密封用片11整体的形状维持平坦不变的层。硬质层12的25℃～200℃时的最低熔融粘度优选为10000Pa·s以上，更优选为20000Pa·s以上，进一步优选为30000Pa·s以上。另外，硬质层12的25℃～200℃时的最低熔融粘度的上限值没有特别限制，然而通常例如可以采用100000Pa·s以下、80000Pa·s以下。硬质层12的25℃～200℃时的最低熔融粘度可以通过选择硬质层12的构成材料来控制。特别是，在硬质层12含有热固性树脂的情况下，也可以将热固化后的树脂层设为硬质层12。埋入用树脂层14的25℃～200℃时的最低熔融粘度优选为50～9000Pa·s的范围内，更优选为60～8000Pa·s的范围内，进一步优选为70～7000Pa·s的范围内。埋入用树脂层14的25℃～200℃时的最低熔融粘度可以通过选择埋入用树脂层14的构成材料来控制。本发明中，密封用片的25℃～200℃时的最低熔融粘度优选为50Pa·s以上。如果密封用片的25℃～200℃时的最低熔融粘度为50Pa·s以上，在利用吸附夹头经由隔片A进行抬起时，隔片A就更难以弯曲。其结果是，可以抑制在吸附夹头与隔片A之间产生间隙，从而可以进一步防止密封用片从吸附夹头落下。而且，本发明中，所谓密封用片的25℃～200℃时的最低熔融粘度为50Pa·s以上，在密封用片由多个层构成的情况下，是指各层各自的25℃～200℃时的最低熔融粘度为50Pa·s以上。本实施方式中，硬质层12及埋入用树脂层14的25℃～200℃时的最低熔融粘度都为50Pa·s以上。所以，可以抑制在吸附夹头与隔片A之间产生间隙，可以进一步防止密封用片从吸附夹头落下。(埋入用树脂层)埋入用树脂层14的构成材料没有特别限定，然而优选含有环氧树脂、以及作为固化剂的酚醛树脂。由此，就可以得到良好的热固性。其中，优选以使25℃～200℃时的最低熔融粘度为50～9000Pa·s的范围内的方式进行选择。作为所述环氧树脂，没有特别限定。例如，可以使用三苯基甲烷型环氧树脂、甲酚线性酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂、改性双酚A型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、改性双酚F型环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、苯酚线性酚醛型环氧树脂、苯氧基树脂等各种环氧树脂。这些环氧树脂既可以单独使用，也可以并用2种以上。从确保环氧树脂的固化后的韧性及环氧树脂的反应性的观点考虑，优选环氧当量为150～250、软化点或熔点为50～130℃的在常温下为固体的环氧树脂，其中，从可靠性的观点考虑，更优选三苯基甲烷型环氧树脂、甲酚线性酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂。所述酚醛树脂只要是在与环氧树脂之间发生固化反应的树脂，就没有特别限定。例如，可以使用苯酚线性酚醛树脂、苯酚芳烷基树脂、联苯芳烷基树脂、双环戊二烯型酚醛树脂、甲酚线性酚醛树脂、甲阶酚醛树脂等。这些酚醛树脂既可以单独使用，也可以并用2种以上。作为所述酚醛树脂，从与环氧树脂的反应性的观点考虑，优选使用羟基当量为70～250、软化点为50～110℃的酚醛树脂，其中，从固化反应性高的观点考虑，可以合适地使用苯酚线性酚醛树脂。另外，从可靠性的观点考虑，也可以合适地使用苯酚芳烷基树脂或联苯芳烷基树脂之类的低吸湿性的酚醛树脂。对于环氧树脂与酚醛树脂的配合比例，从固化反应性的观点考虑，优选以相对于环氧树脂中的环氧基1当量使酚醛树脂中的羟基的合计为0.7～1.5当量的方式配合，更优选为0.9～1.2当量。埋入用树脂层14中的环氧树脂及酚醛树脂的合计含量优选为2.5重量％以上，更优选为3.0重量％以上。如果为2.5重量％以上，则可以良好地获得与半导体芯片23、半导体晶片22等的胶粘力。埋入用树脂层14中的环氧树脂及酚醛树脂的合计含量优选为20重量％以下，更优选为10重量％以下。如果为20重量％以下，则可以降低吸湿性。埋入用树脂层14优选含有热塑性树脂。由此，就可以获得未固化时的处置性、固化物的低应力性。作为所述热塑性树脂，可以举出天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙或6，6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET或PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、氟树脂、苯乙烯-异丁烯-苯乙烯嵌段共聚物等。这些热塑性树脂可以单独地使用，或并用2种以上。其中，从低应力性、低吸水性的观点考虑，优选苯乙烯-异丁烯-苯乙烯嵌段共聚物。埋入用树脂层14中的热塑性树脂的含量优选为1.5重量％以上，更优选为2.0重量％以上。如果为1.5重量％以上，则可以获得柔软性、挠曲性。埋入用树脂层14中的热塑性树脂的含量优选为6重量％以下，更优选为4重量％以下。如果为4重量％以下，则与半导体芯片23或半导体晶片22的胶粘性良好。埋入用树脂层14优选含有无机填充剂。所述无机填充剂没有特别限定，可以使用以往公知的各种填充剂，例如可以举出石英玻璃、滑石、二氧化硅(熔融二氧化硅或结晶性二氧化硅等)、氧化铝、氮化铝、氮化硅、氮化硼的粉末。它们既可以单独使用，也可以并用2种以上。其中，从可以良好地降低线膨胀系数的理由考虑，优选二氧化硅、氧化铝，更优选二氧化硅。作为二氧化硅，优选二氧化硅粉末，更优选熔融二氧化硅粉末。作为熔融二氧化硅粉末，可以举出球状熔融二氧化硅粉末、破碎熔融二氧化硅粉末，然而从流动性的观点考虑，优选球状熔融二氧化硅粉末。其中，优选平均粒径为10～30μm的范围的粉末，更优选15～25μm的范围的粉末。而且，平均粒径例如可以通过使用从母集团中任意地提取的试样、并用激光衍射散射式粒度分布测定装置进行测定而导出。埋入用树脂层14中的所述无机填充剂的含量相对于埋入用树脂层14整体优选为75～95重量％，更优选为78～95重量％。如果所述无机填充剂的含量相对于埋入用树脂层14整体为75重量％以上，则会压低热膨胀率，由此可以抑制由热冲击造成的机械破坏。其结果是，另一方面，如果所述无机填充剂的含量相对于埋入用树脂层14整体为95量％以下，则柔软性、流动性、胶粘性会更加良好。埋入用树脂层14优选含有固化促进剂。作为固化促进剂，只要是使环氧树脂与酚醛树脂的固化进行的物质，就没有特别限定，例如可以举出三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼等有机磷系化合物；2-苯基-4，5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等咪唑系化合物等。其中，从即使混炼时的温度升高也不会使固化反应急剧地推进、可以良好地制作埋入用树脂层14的理由考虑，优选2-苯基-4，5-二羟基甲基咪唑。对于固化促进剂的含量，相对于环氧树脂及酚醛树脂的合计100重量份优选为0.1～5重量份。埋入用树脂层14优选含有阻燃剂成分。由此，就可以减少因部件短路或放热等而着火时的燃烧扩大。作为阻燃剂组成成分，例如可以使用氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化铁、氢氧化钙、氢氧化锡、复合化金属氢氧化物等各种金属氢氧化物；磷腈系阻燃剂等。从即使是少量也会发挥阻燃效果的观点考虑，磷腈系阻燃剂中所含的磷元素的含有率优选为12重量％以上。对于埋入用树脂层14中的阻燃剂成分的含量，在全部有机成分(除去无机填料)中，优选为10重量％以上，更优选为15重量％以上。如果为10重量％以上，则可以良好地获得阻燃性。埋入用树脂层14中的热塑性树脂的含量优选为30重量％以下，更优选为25重量％以下。如果为30重量％以下，则会有固化物的物性降低(具体而言，是玻璃化转变温度或高温树脂强度等物性的降低)小的趋势。埋入用树脂层14优选含有硅烷偶联剂。作为硅烷偶联剂没有特别限定，可以举出3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷等。埋入用树脂层14中的硅烷偶联剂的含量优选为0.1～3重量％。如果为0.1重量％以上，则可以充分地获得固化物的强度，可以降低吸水率。如果为3重量％以下，则可以降低排出气体量。而且，在埋入用树脂层14中，也可以在上述的各成分以外还根据需要适当地配合其他的添加剂。例如，可以根据需要配合着色剂。在含有着色剂的情况下，可以进行激光标记。(硬质层)作为硬质层12的构成材料，基本上可以设为与埋入用树脂层14相同。其中，优选以使最低熔融粘度为10000Pa·s以上的方式选择。硬质层12的厚度没有特别限定，然而优选为可以使后述的工序F中所形成的密封体的树脂表面平坦的程度，例如优选为20μm～1000μm，更优选为30μm～900μm。密封用片11的厚度(包括硬质层12和埋入用树脂层14的总厚度)没有特别限定，然而从作为密封用片使用的观点考虑，例如为50μm～2000μm。埋入用树脂层14的制造方法没有特别限定，然而优选制备用于形成埋入用树脂层14的树脂组合物的混炼物、并涂布所得的混炼物的方法；或将所得的混炼物塑性加工为片状的方法。由此，就可以不使用溶剂地制作埋入用树脂层14，因此可以抑制半导体芯片23因挥发的溶剂而受到影响。具体而言，将后述的各成分用混合辊、加压式捏合机、挤出机等公知的混炼机进行熔融混炼，由此制备出混炼物，将所得的混炼物利用涂布或塑性加工制成片状。作为混炼条件，温度优选为上述的各成分的软化点以上，例如为30～150℃，如果考虑环氧树脂的热固性，则优选为40～140℃，更优选为60～120℃。时间例如为1～30分钟，优选为5～15分钟。混炼优选在减压条件下(减压气氛下)进行。由此，就可以进行脱气，同时可以防止气体向混炼物中的侵入。减压条件下的压力优选为0.1kg/cm2以下，更优选为0.05kg/cm2以下。减压下的压力的下限没有特别限定，然而例如为1×10-4kg/cm2以上。在涂布混炼物而形成埋入用树脂层14的情况下，熔融混炼后的混炼物优选不进行冷却而保持高温状态不变地涂布。作为涂布方法没有特别限制，可以举出棒涂法、刮涂法、狭缝式挤压涂布法等。作为涂布时的温度，优选为上述的各成分的软化点以上，如果考虑环氧树脂的热固性及成型性，则例如为40～150℃，优选为50～140℃，更优选为70～120℃。在对混炼物进行塑性加工而形成埋入用树脂层14的情况下，熔融混炼后的混炼物优选不进行冷却而保持高温状态不变地进行塑性加工。作为塑性加工方法没有特别限制，可以举出平板压制法、T型模头挤出法、螺杆模头挤出法、辊压延法、辊混炼法、吹塑挤出法、共挤出法、压延成型法等。作为塑性加工温度优选为上述的各成分的软化点以上，如果考虑环氧树脂的热固性及成型性，则例如为40～150℃，优选为50～140℃，更优选为70～120℃。而且，埋入用树脂层14也可以如下得到，即，向适当的溶剂中溶解用于形成埋入用树脂层14的树脂等，使之分散而制备清漆，涂布该清漆而得到。硬质层12的制造方法没有特别限定，可以设为与埋入用树脂层14相同。特别是，在硬质层12含有热固性树脂的情况下，也可以使涂布混炼物而得的树脂层、对混炼物进行塑性加工而得的树脂层、或涂布清漆而得的树脂层热固化，将其作为硬质层12。该情况下，优选以使热固化后的25℃的拉伸储能模量为2GPa以上的方式制备用于形成硬质层12的树脂等。密封用片11的制造方法没有特别限定，然而例如可以通过分别形成硬质层12和埋入用树脂层14、将它们贴合而得到。另外，也可以在形成硬质层12后，在硬质层12上涂布埋入用树脂层14形成用的混炼物或清漆而形成埋入用树脂层14。双面带有隔片的密封用片10的制造方法没有特别限定，然而例如可以通过将隔片16a及隔片16b贴合于密封用片11而得到。另外，也可以在隔片16a上贴合硬质层12，在其上贴合埋入用树脂层14，在其上贴合隔片16b。另外，也可以在隔片16b上贴合埋入用树脂层14，在其上贴合硬质层12，在其上贴合隔片16a。下面，对使用了双面带有隔片的密封用片10的半导体装置的制造方法进行说明。[第一实施方式]第一实施方式的半导体装置的制造方法至少具有：工序A，准备将半导体芯片倒装芯片式接合在半导体晶片的电路形成面的层叠体；工序B，准备前面所述的双面带有隔片的密封用片；工序C，将所述双面带有隔片的密封用片经由所述隔片A利用吸附夹头抬起；工序D，从所述双面带有隔片的密封用片剥离所述隔片B而得到单面带有隔片的密封用片；工序E，以使所述单面带有隔片的密封用片的剥离了所述隔片B的一侧的面与所述层叠体的所述半导体芯片的面相面对的方式，将所述单面带有隔片的密封用片配置于所述层叠体的所述半导体芯片上；和工序F，将所述半导体芯片埋入所述密封用片，形成在所述密封用片中埋入有所述半导体芯片的密封体。即，第一实施方式中，对本发明的“在支撑体上固定有半导体芯片的层叠体”为“将半导体芯片倒装芯片式接合在半导体晶片的电路形成面的层叠体”的情况进行说明。第一实施方式是所谓的Chip-On-Wafer方式的半导体装置的制造方法。图2～图12是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。[准备工序]第一实施方式的半导体装置的制造方法中，首先，准备将半导体芯片23倒装芯片式接合在半导体晶片22的电路形成面22a的层叠体20(工序A)。第一实施方式中，半导体晶片22相当于本发明的“支撑体”。层叠体20例如可以如下所示地得到。如图2所示，首先，准备具有电路形成面23a的1个或多个半导体芯片23、和具有电路形成面22a的半导体晶片22。而且，以下，对将多个半导体芯片倒装芯片式接合在半导体晶片上的情况进行说明。作为半导体晶片22的俯视的形状及尺寸，可以设为与双面带有隔片的密封用片10的俯视的大小及形状相同，例如可以设为直径为200mm以上的圆形。然后，如图3所示，将半导体芯片23倒装芯片式接合在半导体晶片22的电路形成面22a。在半导体芯片23向半导体晶片22上搭载时，可以使用倒装片接合机或芯片接合机等公知的装置。具体而言，将形成于半导体芯片23的电路形成面23a的凸块23b与形成于半导体晶片22的电路形成面22a的电极22b电连接。由此，就可以得到在半导体晶片22上安装有多个半导体芯片23的层叠体20。此时，也可以在半导体芯片23的电路形成面23a粘贴底部填充用的树脂片24。该情况下，如果将半导体芯片23倒装芯片式接合在半导体晶片22上，则可以对半导体芯片23与半导体晶片22之间的间隙进行树脂密封。而且，对于将粘贴有底部填充用的树脂片24的半导体芯片23倒装芯片式接合在半导体晶片22上的方法，例如公开于日本特开2013-115186号公报等中，因此省略此处的详细说明。[准备双面带有隔片的密封用片的工序]另外，本实施方式的半导体装置的制造方法中，准备双面带有隔片的密封用片10(参照图1)(工序B)。[将双面带有隔片的密封用片抬起的工序]在工序B之后，如图4所示，将双面带有隔片的密封用片10经由隔片16a利用吸附夹头19抬起(工序C)。而且，双面带有隔片的密封用片10的隔片16a与密封用片11的界面、以及密封用片11与隔片16b的界面以不会因自重而剥离的程度的剥离力粘贴。本实施方式中，隔片16a的厚度为50μm以上，较厚而难以弯曲。所以，可以抑制因隔片16a弯曲而在吸附夹头19与隔片16a之间产生间隙。其结果是，可以防止双面带有隔片的密封用片10从吸附夹头19落下。另外，本实施方式中，隔片16a的厚度为50μm以上，而隔片16b的厚度小于40μm，因此很容易根据厚度的差别来辨别哪一方是表面或背面。由于可以容易地辨别双面带有隔片的密封用片10的表面和背面，因此可以利用吸附夹头19，不是经由隔片16b，而是经由隔片16a将双面带有隔片的密封用片10抬起。其结果是，可以不是从硬质层12侧，而是从埋入用树脂层14侧可靠地埋入半导体芯片23，从而可以提高所得的密封体的成品率。而且，本实施方式中，硬质层12为较硬的层，因此无法理想地埋入半导体芯片23。因此，假设在弄错双面带有隔片的密封用片10的背面和表面的辨别的情况下，所得的密封体的成品率会降低。[从双面带有隔片的密封用片剥离隔片B的工序]在工序C之后，如图5所示，从双面带有隔片的密封用片10剥离隔片16b而得到单面带有隔片的密封用片18(工序D)。而且，对于双面带有隔片的密封用片10的隔片16a与密封用片11的界面中的剥离力，以在隔片16b的剥离时不会剥离的程度的剥离力粘贴。本实施方式中，隔片16a的厚度如上所述，为50μm以上，较厚而难以弯曲。所以，在剥离隔片16b时，可以抑制因隔片16a弯曲而在吸附夹头19与隔片16a之间产生间隙。其结果是，可以防止双面带有隔片的密封用片10从吸附夹头19落下。[在层叠体上配置单面带有隔片的密封用片的工序]然后，如图6所示，在下侧加热板32上使安装有半导体芯片23的面朝上地配置层叠体20，同时以使单面带有隔片的密封用片18的剥离了隔片16b的一侧的面与层叠体20的半导体芯片23的面相面对的方式，将单面带有隔片的密封用片18配置于层叠体20的半导体芯片23上(工序E)。如图6所示，以使与半导体晶片22相面对的面的相反一面为硬质层12的方式配置密封用片11。该工序中，可以首先在下侧加热板32上配置层叠体20，其后，在层叠体20上配置单面带有隔片的密封用片18，也可以在层叠体20上先层叠单面带有隔片的密封用片18，其后，将层叠层叠体20和单面带有隔片的密封用片18而得的层叠物配置于下侧加热板32上。[形成密封体的工序]然后，如图7所示，利用下侧加热板32和上侧加热板34进行热压，将半导体芯片23埋入密封用片11的埋入用树脂层14，形成在密封用片11中埋入有半导体芯片23的密封体28(工序F)。当将密封用片11从埋入用树脂层14侧向半导体芯片23推入时，硬脂层12就会立即与半导体芯片23的背面23c接触。如果硬质层12的25℃～200℃时的最低熔融粘度为10000Pa·s以上，则为较硬的层，因此密封用片11向半导体芯片23的埋入会以硬质层12接触到半导体芯片23的背面23c的状态结束。所以，密封体28成为将半导体芯片23以半导体晶片22和硬质层12夹持的状态。此时，即使从半导体晶片22及硬质层12侧以很大的力夹持，由于较硬的半导体芯片23以与两者接触的方式夹设于其间，因此两者的间隔不会变化。此时，如果硬质层12的25℃～200℃时的最低熔融粘度为10000Pa·s以上，则为较硬的层，因此片形状得以维持平坦不变。其结果是，可以使密封后的树脂表面平坦。埋入用树脂层14会作为用于保护半导体芯片23及其附带的要素免受外部环境影响的密封树脂发挥作用。由此，就可以得到将安装于半导体晶片22上的半导体芯片23埋入具有埋入用树脂层14的密封用片11的密封体28。作为将半导体芯片23埋入密封用片11时的热压条件，温度例如为40～100℃，优选为50～90℃，压力例如为0.1～10MPa，优选为0.5～8MPa，时间例如为0.3～10分钟，优选为0.5～5分钟。由此，就可以得到将半导体芯片23埋入密封用片11的半导体装置。另外，如果考虑密封用片11与半导体芯片23及半导体晶片22的密合性及追随性的提高，则优选在减压条件下进行压制。作为所述减压条件，压力例如为0.1～5kPa，优选为0.1～100Pa，减压保持时间(从开始减压到开始压制的时间)例如为5～600秒，优选为10～300秒。[剥离衬垫剥离工序]然后，剥离隔片16a(参照图8)。[热固化工序]然后，使密封用片11热固化。特别是，使构成密封用片11的埋入用树脂层14热固化。具体而言，例如对将安装于半导体晶片22上的半导体芯片23埋入密封用片11的密封体28整体进行加热。作为热固化处理的条件，加热温度优选为100℃以上，更优选为120℃以上。另一方面，加热温度的上限优选为200℃以下，更优选为180℃以下。加热时间优选为10分钟以上，更优选为30分钟以上。另一方面，加热时间的上限优选为180分钟以下，更优选为120分钟以下。此时，优选进行加压，优选为0.1MPa以上，更优选为0.5MPa以上。另一方面，上限优选为10MPa以下，更优选为5MPa以下。[磨削密封用片的工序]然后，如图9所示，磨削密封体28的密封用片11而使半导体芯片23的背面23c露出。作为磨削密封用片11的方法，没有特别限定，例如可以举出使用高速旋转的砂轮的磨片法。[形成布线层的工序]然后，磨削半导体晶片22的与搭载有半导体芯片23的一侧相反一侧的面，形成通孔(Via)22c后(参照图10)，形成具有布线27a的布线层27(参照图11)。作为磨削半导体晶片22的方法，没有特别限定，例如可以举出使用高速旋转的砂轮的磨片法。也可以在布线层27形成从布线27a突出的凸块27b。作为形成布线层27的方法，可以使用半加成法、减成法等以往公知的电路基板或内插板(interposer)的制造技术，因此省略此处的详细的说明。[切割工序]接下来，如图12所示，对露出了半导体芯片23的背面23c的密封体28进行切割。由此，就可以得到基于半导体芯片23单元的半导体装置29。[基板安装工序]根据需要，可以进行将半导体装置29安装于另外的基板(未图示)的基板安装工序。在半导体装置29在所述另外的基板上的安装时，可以使用倒装片接合机、芯片接合机等公知的装置。以上，根据第一实施方式的半导体装置的制造方法，将双面带有隔片的密封用片10经由隔片16利用吸附夹头19抬起(工序C)。此处，隔片16a为厚度50μm以上，较厚而难以弯曲。由于经由隔片16a利用吸附夹头19将密封用片11抬起，因此可以防止密封用片11从吸附夹头19落下。另外，以使单面带有隔片的密封用片18的剥离了隔片16b的一侧的面与层叠体20的半导体芯片23的面相面对的方式，将单面带有隔片的密封用片18配置于层叠体20的半导体芯片23上(工序E)。其后，将半导体芯片23埋入密封用片11，形成在密封用片11中埋入有半导体芯片23的密封体28(工序F)。如前所述，在工序C中，密封用片11很难从吸附夹头19落下。所以，可以有效地制造密封体28。另外，在双面带有隔片的密封用片10中，隔片16a的厚度为50μm以上，而隔片16b的厚度小于40μm，因此容易根据厚度的差别来辨别哪一方是表面或背面。其结果是，在工序E中，可以不弄错作为2层构成的密封用片11的背面和表面地配置于半导体芯片23上。其结果是，可以提高所得的密封体28的成品率。上述的第一实施方式对在热固化工序之前剥离隔片16b的情况进行了说明，然而也可以在热固化工序之后剥离。[第二实施方式]第二实施方式的半导体装置的制造方法至少具有：工序A，准备将半导体芯片临时固定在临时固定材料上的层叠体；工序B，准备前面所述的双面带有隔片的密封用片；工序C，将所述双面带有隔片的密封用片经由所述隔片A利用吸附夹头抬起；工序D，从所述双面带有隔片的密封用片剥离所述隔片B而得到单面带有隔片的密封用片；工序E，以使所述单面带有隔片的密封用片的剥离了所述隔片B的一侧的面与所述层叠体的所述半导体芯片的面相面对的方式，将所述单面带有隔片的密封用片配置于所述层叠体的所述半导体芯片上；工序F，将所述半导体芯片埋入所述密封用片，形成在所述密封用片中埋入有所述半导体芯片的密封体。即，第二实施方式中，对本发明的“在支撑体上固定有半导体芯片的层叠体”为“将半导体芯片临时固定在临时固定材料上的层叠体”的情况进行说明。第二实施方式是被称作所谓的Fan-out(扇出)型晶片级封装(WLP)的半导体装置的制造方法。图13～图20是用于说明第二实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。第一实施方式中，将倒装芯片式接合在半导体晶片上的半导体芯片用密封用片进行了树脂密封，而第二实施方式中，不是在将半导体芯片接合在半导体晶片上的状态下，而是在将半导体芯片临时固定在临时固定材料上的状态下进行树脂密封。[层叠体准备工序]如图13所示，第二实施方式的半导体装置的制造方法中，首先，准备将半导体芯片53临时固定在临时固定材料60上的层叠体50(工序A)。第二实施方式中，临时固定材料60相当于本发明的“支撑体”。层叠体50例如可以如下所示地获得。＜临时固定材料准备工序＞临时固定材料准备工序中，准备在支撑基材60b上层叠有热膨胀性粘合剂层60a的临时固定材料60(参照图13)。而且，也可以取代热膨胀性粘合剂层，而使用放射线固化型粘合剂层。本实施方式中，对具备热膨胀性粘合剂层的临时固定材料60进行说明。(热膨胀性粘合剂层)热膨胀性粘合剂层60a可以利用含有聚合物成分和发泡剂的粘合剂组合物来形成。作为聚合物成分(特别是基础聚合物)，可以合适地使用丙烯酸系聚合物(有时称作“丙烯酸类聚合物A”)。作为丙烯酸类聚合物A，可以举出将(甲基)丙烯酸酯作为主单体成分使用的聚合物。作为所述(甲基)丙烯酸酯，例如可以举出(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳原子数为1～30、特别是碳原子数为4～18的直链状或支链状的烷基酯等)及(甲基)丙烯酸环烷基酯(例如环戊酯、环己酯等)等。这些(甲基)丙烯酸酯可以单独使用，或并用2种以上。而且，所述丙烯酸类聚合物A也可以出于凝聚力、耐热性、交联性等的改性的目的，根据需要，含有对应于能够与所述(甲基)丙烯酸酯共聚的其他单体成分的单元。作为此种单体成分，例如可以举出丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸、羧基乙基丙烯酸酯等含有羧基的单体；马来酸酐、衣康酸酐等含有酸酐基的单体；(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、(甲基)丙烯酸羟基丁酯等含有羟基的单体；(甲基)丙烯酰胺、N，N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺等(N-取代或未取代)酰胺系单体；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯酯系单体；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯系单体；乙烯基甲醚、乙烯基乙醚等乙烯基醚系单体；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯系单体；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含有环氧基的丙烯酸系单体；乙烯、丙烯、异戊二烯、丁二烯、异丁烯等烯烃或二烯系单体；(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N，N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯等含有(取代或未取代)氨基的单体；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系单体；N-乙烯基吡咯烷酮、N-甲基乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基吡嗪、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基噁唑、N-乙烯基吗啉、N-乙烯基己内酰胺等具有含有氮原子的环的单体；N-乙烯基羧酰胺类；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、磺基丙基(甲基)丙烯酸酯等含有磺酸基的单体；2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等含有磷酸基的单体；N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺等马来酰亚胺系单体；N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺、N-月桂基衣康酰亚胺等衣康酰亚胺系单体；N-(甲基)丙烯酰氧基亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧基六亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-8-氧基八亚甲基琥珀酰亚胺等琥珀酰亚胺系单体；(甲基)丙烯酸聚乙二醇、(甲基)丙烯酸聚丙二醇等二醇系丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸四氢糠酯等具有含有氧原子的杂环的单体；氟系(甲基)丙烯酸酯等含有氟原子的丙烯酸酯系单体；硅酮系(甲基)丙烯酸酯等含有硅原子的丙烯酸酯系单体；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、丁基二(甲基)丙烯酸酯、己基二(甲基)丙烯酸酯等多官能单体等。所述丙烯酸类聚合物A是通过将单一单体或2种以上的单体混合物加以聚合而得。聚合可以利用溶液聚合(例如自由基聚合、阴离子聚合、阳离子聚合等)、乳液聚合、整体聚合、悬浮聚合、光聚合(例如紫外线(UV)聚合等)等任意一种方式进行。丙烯酸类聚合物A的重均分子量没有特别限制，然而优选为35万～100万，更优选为45万～80万左右。另外，在热膨胀性粘合剂中，为了调整粘合力，也可以适当地使用外部交联剂。作为外部交联方法的具体的方法，可以举出添加聚异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交联剂等所谓交联剂并使之反应的方法。在使用外部交联剂的情况下，其使用量可以根据与应当交联的基础聚合物的平衡，以及根据作为粘合剂的使用用途适当地决定。外部交联剂的使用量一般相对于所述基础聚合物100重量份为20重量份以下(优选为0.1重量份～10重量份)。热膨胀性粘合剂层60a如前所述，含有用于赋予热膨胀性的发泡剂。因此，在临时固定材料60的热膨胀性粘合剂层60a上形成密封体58的状态下(参照图16)，在任意的时刻对临时固定材料60至少部分地进行加热，使该经过加热的热膨胀性粘合剂层60a的部分中所含有的发泡剂发泡和/或膨胀，由此使热膨胀性粘合剂层60a至少部分地膨胀，由于该热膨胀性粘合剂层60a的至少部分的膨胀，与该膨胀了的部分对应的粘合面(与密封体58的界面)变形为凹凸状，该热膨胀性粘合剂层60a与密封体58的胶粘面积减少，由此，两者间的胶粘力减小，从而可以将密封体58从临时固定材料60剥离(参照图17)。(发泡剂)作为热膨胀性粘合剂层60a中所用的发泡剂，没有特别限制，可以从公知的发泡剂中适当地选择。发泡剂可以单独使用，或组合使用2种以上。作为发泡剂，可以合适地使用热膨胀性微球。(热膨胀性微球)作为热膨胀性微球，没有特别限制，可以从公知的热膨胀性微球(各种无机系热膨胀性微球、有机系热膨胀性微球等)中适当地选择。作为热膨胀性微球，从易于混合操作的观点等考虑，可以合适地使用被微胶囊化了的发泡剂。作为此种热膨胀性微球，例如可以举出将异丁烷、丙烷、戊烷等通过加热很容易气化而膨胀的物质内包于具有弹性的壳内的微球等。所述壳经常由热熔融性物质或通过热膨胀而破坏的物质形成。作为形成所述壳的物质，例如可以举出偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、聚砜等。热膨胀性微球可以利用惯用的方法、例如凝聚法、界面聚合法等制造。而且，作为热膨胀性微球，例如除了可以使用松本油脂制药株式会社制的商品名“MatsumotoMicrosphere”的系列(例如商品名“MatsumotoMicrosphereF30”、商品名“MatsumotoMicrosphereF301D”、商品名“MatsumotoMicrosphereF50D”、商品名“MatsumotoMicrosphereF501D”、商品名“MatsumotoMicrosphereF80SD”、商品名“MatsumotoMicrosphereF80VSD”等)以外，还可以使用Expancel公司制的商品名“051DU”、商品名“053DU”、商品名“551DU”、商品名“551-20DU”、商品名“551-80DU”等市售品。而且，在作为发泡剂使用了热膨胀性微球的情况下，作为该热膨胀性微球的粒径(平均粒径)，可以根据热膨胀性粘合剂层的厚度等适当地选择。作为热膨胀性微球的平均粒径，例如可以从100μm以下(优选为80μm以下、更优选为1μm～50μm、特别优选为1μm～30μm)的范围中选择。而且，热膨胀性微球的粒径的调整可以在热膨胀性微球的生成过程中进行，也可以在生成后利用分级等方法进行。作为热膨胀性微球，优选将粒径统一。(其他的发泡剂)本实施方式中，作为发泡剂，也可以使用热膨胀性微球以外的发泡剂。作为此种发泡剂，可以适当地选择使用各种无机系发泡剂、有机系发泡剂等各种发泡剂。作为无机系发泡剂的代表的例子，例如可以举出碳酸铵、碳酸氢铵、碳酸氢钠、亚硝酸铵、硼氢化钠、各种叠氮类等。另外，作为有机系发泡剂的代表的例子，例如可以举出水；三氯单氟甲烷、二氯单氟甲烷等氯氟烃系化合物；偶氮二异丁腈、偶氮二甲酰胺、偶氮二羧酸钡等偶氮系化合物；对甲苯磺酰肼、二苯砜-3，3′-二磺酰肼、4，4′-氧代双苯磺酰肼、烯丙基双磺酰肼等肼系化合物；对甲苯磺酰氨基脲、4，4′-氧代双苯磺酰基氨基脲等氨基脲系化合物；5-吗啉代-1，2，3，4-噻三唑等三唑系化合物；N，N′-二亚硝基五亚甲基四胺、N，N′-二甲基-N，N′-二亚硝基对苯二酰胺等N-亚硝基系化合物等。本实施方式中，由于通过加热处理，会有效地并且稳定地使热膨胀性粘合剂层的胶粘力降低，因此优选在体积膨胀率达到5倍以上、尤其优选达到7倍以上、特别优选达到10倍以上之前不会破裂的具有适度的强度的发泡剂。发泡剂(热膨胀性微球等)的配合量可以根据热膨胀性粘合剂层的膨胀倍率、胶粘力的降低性等适当地设定，然而一般相对于形成热膨胀性粘合剂层的基础聚合物100重量份，例如为1重量份～150重量份(优选为10重量份～130重量份，更优选为25重量份～100重量份)。本实施方式中，作为发泡剂，可以合适使用发泡开始温度(热膨胀开始温度)(T0)为80℃～210℃的范围的发泡剂，优选具有90℃～200℃(更优选为95℃～200℃，特别优选为100℃～170℃)的发泡开始温度的发泡剂。如果发泡剂的发泡开始温度低于80℃，则会因密封体的制造时或使用时的热而有发泡剂发泡的情况，操作性、生产率降低。另一方面，在发泡剂的发泡开始温度大于210℃的情况下，对于临时固定材料的支撑基材、密封树脂而言需要过度的耐热性，在操作性、生产率和成本方面不够理想。此外，发泡剂的发泡开始温度(T0)相当于热膨胀性粘合剂层的发泡开始温度(T0)。此外，作为使发泡剂发泡的方法(即，使热膨胀性粘合剂层热膨胀的方法)，可以从公知的加热发泡方法中适当地选择采用。本实施方式中，对于热膨胀性粘合剂层，从加热处理前的适度的胶粘力与加热处理后的胶粘力的降低性的平衡的方面考虑，不含有发泡剂的形态下的弹性模量在23℃～150℃优选为5×104Pa～1×106Pa，更优选为5×104Pa～8×105Pa，特别优选为5×104Pa～5×105Pa。如果热膨胀性粘合剂层的不含有发泡剂的形态下的弹性模量(温度：23℃～150℃)小于5×104Pa，则热膨胀性差，会有剥离性降低的情况。另外，在热膨胀性粘合剂层的不含有发泡剂的形态下的弹性模量(温度：23℃～150℃)大于1×106Pa的情况下，会有初始胶粘性差的情况。而且，不含有发泡剂的形态的热膨胀性粘合剂层相当于由粘合剂(不含有发泡剂)形成的粘合剂层。所以，热膨胀性粘合剂层的不含有发泡剂的形态下的弹性模量可以使用粘合剂(不含有发泡剂)测定。而且，热膨胀性粘合剂层可以利用含有能够形成23℃～150℃时的弹性模量为5×104Pa～1×106Pa的粘合剂层的粘合剂和发泡剂的热膨胀性粘合剂形成。热膨胀性粘合剂层的不含有发泡剂的形态下的弹性模量采用如下的值，即，制作没有添加发泡剂的形态的热膨胀性粘合剂层(即，由不含有发泡剂的粘合剂形成的粘合剂层)(样品)，使用Rheometric公司制动的粘弹性测定装置“ARES”，样品厚度约为1.5mm，使用φ7.9mm平行板的夹具，利用剪切模式，以频率：1Hz、升温速度：5℃/分钟、应变：0.1％(23℃)、0.3％(150℃)进行测定，采用在23℃及150℃所得的剪切储能模量G′的值。热膨胀性粘合剂层的弹性模量可以通过调节粘合剂的基础聚合物的种类、交联剂、添加剂等来控制。热膨胀性粘合剂层的厚度没有特别限制，可以根据胶粘力的减小性等适当地选择，例如为5μm～300μm(优选为20μm～150μm)左右。但是，在作为发泡剂使用热膨胀性微球的情况下，热膨胀性粘合剂层的厚度优选大于所含的热膨胀性微球的最大粒径。如果热膨胀性粘合剂层的厚度过薄，则会因热膨胀性微球的凹凸而损害表面平滑性，加热前(未发泡状态)的胶粘性降低。另外，加热处理所致的热膨胀性粘合剂层的变形度小，胶粘力难以顺畅地降低。另一方面，如果热膨胀性粘合剂层的厚度过厚，则在加热处理所致的膨胀或发泡后，容易在热膨胀性粘合剂层中产生内聚破坏，会有在密封体58产生残胶的情况。而且，热膨胀性粘合剂层可以是单层、多层的任意一种。本实施方式中，也可以在热膨胀性粘合剂层中含有各种添加剂(例如着色剂、增稠剂、增添剂、填充剂、增粘剂、增塑剂、抗老化剂、抗氧剂、表面活性剂、交联剂等)。(支撑基材)支撑基材60b是成为临时固定材料60的强度母体的薄板状构件。作为支撑基材60b的材料只要考虑操作性、耐热性等适当地选择即可，例如可以使用SUS等金属材料、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚醚酮、聚醚砜等塑料材料、玻璃或硅晶片等。它们当中，从耐热性或强度、可再利用性等观点考虑，优选SUS板。支撑基材60b的厚度可以考虑所需的强度、操作性适当地选择，优选为100～5000μm，更优选为300～2000μm。(临时固定材料的形成方法)临时固定材料60可以通过在支撑基材60b上形成热膨胀性粘合剂层60a而得到。热膨胀性粘合剂层例如可以利用将粘合剂、发泡剂(热膨胀性微球等)、根据需要使用的溶媒或其他的添加剂等混合、以片状的层形成的惯用的方法来形成。具体而言，例如可以利用将含有粘合剂、发泡剂(热膨胀性微球等)、以及根据需要使用的溶媒或其他的添加剂的混合物涂布于支撑基材60b上的方法；在适当的隔片(剥离纸等)上涂布所述混合物而形成热膨胀性粘合剂层、并将其转印(转移)到支撑基材60b上的方法等，来形成热膨胀性粘合剂层。(热膨胀性粘合剂层的热膨胀方法)本实施方式中，热膨胀性粘合剂层可以通过加热使之热膨胀。作为加热处理方法，例如可以利用热板、热风干燥机、近红外线灯、空气干燥机等恰当的加热工具来进行。加热处理时的加热温度只要为热膨胀性粘合剂层中的发泡剂(热膨胀性微球等)的发泡开始温度(热膨胀开始温度)以上即可，加热处理的条件可以根据发泡剂(热膨胀性微球等)的种类等所致的胶粘面积的减少性、包含支撑基材、半导体芯片的密封体等的耐热性、加热方法(热容量、加热工具等)等适当地设定。作为一般的加热处理条件，是温度为100℃～250℃、1秒～90秒(热板等)或5分钟～15分钟(热风干燥机等)。而且，加热处理可以根据使用目的在恰当的阶段进行。另外，作为加热处理时的热源，有时也可以使用红外线灯或加热水。(中间层)本实施方式中，也可以在热膨胀性粘合剂层60a与支撑基材60b之间，设有以提高密合力、提高加热后的剥离性等为目的的中间层(未图示)。其中，作为中间层优选设有橡胶状有机弹性中间层。通过像这样设置橡胶状有机弹性中间层，在将半导体芯片53胶粘于临时固定材料60时(参照图13)，可以使热膨胀性粘合剂层60a的表面良好地追随半导体芯片53的表面形状，增大胶粘面积，同时在将密封体58从临时固定材料60加热剥离时，可以高度(精度优良地)控制热膨胀性粘合剂层60a的加热膨胀，使热膨胀性粘合剂层60a在厚度方向上优先并且均匀地膨胀。而且，可以使橡胶状有机弹性中间层夹设于支撑基材60b的一面或两面。橡胶状有机弹性中间层例如优选利用基于ASTMD-2240的D型肖氏D型硬度为50以下、特别优选为40以下的天然橡胶、合成橡胶或具有橡胶弹性的合成树脂形成。而且，即使是像聚氯乙烯等那样本质上为硬质系聚合物，也可以通过与增塑剂、柔软剂等配合剂组合来体现橡胶弹性。此种组合物也可以作为所述橡胶状有机弹性中间层的构成材料使用。橡胶状有机弹性中间层例如可以利用将含有所述天然橡胶、合成橡胶或具有橡胶弹性的合成树脂等橡胶状有机弹性层形成材料的涂布液涂布于基材上的方式(涂布法)、将由所述橡胶状有机弹性层形成材料构成的膜、或预先在1层以上的热膨胀性粘合剂层上形成有由所述橡胶状有机弹性层形成材料构成的层的层叠膜与基材胶粘的方式(干式层压法)、将含有基材的构成材料的树脂组合物与含有所述橡胶状有机弹性层形成材料的树脂组合物共挤出的方式(共挤出法)等形成方法形成。而且，橡胶状有机弹性中间层可以由以天然橡胶、合成橡胶或具有橡胶弹性的合成树脂作为主成分的粘合性物质形成，另外，也可以由以该成分作为主体的发泡膜等形成。发泡可以利用惯用的方法来进行，例如借助机械搅拌的方法、利用反应生成气体的方法、使用发泡剂的方法、除去可溶性物质的方法、借助喷雾的方法、形成复合泡沫塑料的方法、烧结法等。橡胶状有机弹性中间层等中间层的厚度例如为5μm～300μm，优选为20μm～150μm左右。而且，在中间层例如为橡胶状有机弹性中间层的情况下，如果橡胶状有机弹性中间层的厚度过薄，则无法形成加热发泡后的三维的结构变化，会有剥离性恶化的情况。橡胶状有机弹性中间层等的中间层既可以是单层，也可以由2个以上的层构成。而且，在中间层中，也可以在不损害临时固定材料的作用效果的范围中，含有各种添加剂(例如着色剂、增稠剂、增添剂、填充剂、增粘剂、增塑剂、抗老化剂、抗氧剂、表面活性剂、交联剂等)。＜半导体芯片临时固定工序＞半导体芯片临时固定工序中，将多个半导体芯片53以使其电路形成面53a与临时固定材料60相面对的方式配置在上述临时固定材料60上，并进行临时固定(参照图13)。在半导体芯片53的临时固定中，可以使用倒装芯片式接合机或芯片接合机等公知的装置。半导体芯片53的配置的布置或配置数可以根据临时固定材料60的形状或尺寸、所需的封装件的生产数等适当地设定，例如可以整齐排列成多行并且多列的矩阵状地配置。作为临时固定材料60的俯视时的形状及尺寸，可以设为与双面带有隔片的密封用片10的俯视时的大小及形状相同，例如，可以设为各边的长度分别为300mm以上的矩形、或各边的长度分别为500mm以上的矩形。以上，给出了层叠体准备工序的一例。[准备密封用片的工序]另外，第二实施方式的半导体装置的制造方法中，准备双面带有隔片的密封用片10(参照图1)(工序B)。[将双面带有隔片的密封用片抬起的工序]在工序B之后，与第一实施方式相同，将双面带有隔片的密封用片10经由隔片16a利用吸附夹头19抬起(工序C)(参照图4)。[从双面带有隔片的密封用片剥离隔片B的工序]在工序C之后，与第一实施方式相同，从双面带有隔片的密封用片10剥离隔片16b而得到单面带有隔片的密封用片18(工序D)(参照图5)。[在层叠体上配置单面带有隔片的密封用片的工序]然后，如图14所示，在下侧加热板62上使临时固定了半导体芯片53的面朝上地配置层叠体50，同时以使单面带有隔片的密封用片18的剥离了隔片16b的一侧的面与层叠体50的半导体芯片53的面相面对的方式，将单面带有隔片的密封用片18配置于层叠体50的半导体芯片53上(工序E)。如图14所示，以使与临时固定材料60相面对的面的相反一面为硬质层12的方式配置密封用片11。该工序中，可以首先在下侧加热板62上配置层叠体50，其后，在层叠体50上配置单面带有隔片的密封用片18，也可以在层叠体50上先层叠单面带有隔片的密封用片18，其后，将层叠层叠体50与单面带有隔片的密封用片18而得的层叠物配置于下侧加热板62上。[形成密封体的工序]然后，如图15所示，利用下侧加热板62和上侧加热板64进行热压，将半导体芯片53埋入密封用片11的埋入用树脂层14，形成在密封用片11中埋入有半导体芯片53的密封体58(工序F)。当将密封用片11从埋入用树脂层14侧推入半导体芯片53时，硬质层12就会立即与半导体芯片53的背面53c接触。如果硬质层12的25℃～200℃时的最低熔融粘度为10000Pa·s以上，就是较硬的层，因此密封用片11向半导体芯片53的埋入会以硬质层12接触到半导体芯片53的背面53c的状态结束。所以，密封体58成为将半导体芯片53用临时固定材料60和硬质层12夹持的状态。此时，即使从临时固定材料60及硬质层12侧以很大的力夹持，由于较硬的半导体芯片53以与两者接触的方式夹设于其间，因此两者的间隔也不会变化。此时，如果硬质层12的25℃～200℃时的最低熔融粘度为10000Pa·s以上，则是较硬的层，因此片形状得以维持平坦不变。其结果是，可以使密封后的树脂表面平坦。埋入用树脂层14会作为用于保护半导体芯片53及其附带的要素免受外部环境影响的密封树脂发挥作用。由此，可以得到将临时固定在临时固定材料60上的半导体芯片53埋入了具有埋入用树脂层14的密封用片11的密封体58。作为将半导体芯片53埋入密封用片11时的热压条件，可以设为与第一实施方式相同。[剥离衬垫剥离工序]然后，将隔片16b剥离(参照图16)。[热固化工序]然后，使密封用片11热固化。特别是，使构成密封用片11的埋入用树脂层14热固化。具体而言，例如，对将临时固定在临时固定材料60上的半导体芯片53埋入了密封用片11的密封体58整体进行加热。作为热固化处理的条件，可以设为与第一实施方式相同。[热膨胀性粘合剂层剥离工序]然后，如图17所示，通过加热临时固定材料60以使热膨胀性粘合剂层60a热膨胀，而在热膨胀性粘合剂层60a与密封体58之间进行剥离。或者，也可以合适地采用在支撑基材60b与热膨胀性粘合剂层60a的界面进行剥离、其后在热膨胀性粘合剂层60a与密封体58的界面进行借助热膨胀的剥离的步骤。在任意一种情况下，都可以通过加热热膨胀性粘合剂层60a以使之热膨胀，降低其粘合力，而容易地进行热膨胀性粘合剂层60a与密封体58的界面中的剥离。作为热膨胀的条件，可以合适地采用上述的“热膨胀性粘合剂层的热膨胀方法”一栏的条件。特别是，热膨胀性粘合剂层优选为在所述热固化工序的加热时不会剥离、在该热膨胀性粘合剂层剥离工序的加热时剥离的构成。[磨削密封用片的工序]然后，如图18所示，磨削密封体58的密封用片11而使半导体芯片53的背面53c露出。作为磨削密封用片11的方法，没有特别限定，例如可以举出使用高速旋转的砂轮的磨片法。(再布线形成工序)本实施方式中，优选还包含在密封体58的半导体芯片53的电路形成面53a形成再布线69的再布线形成工序。再布线形成工序中，在上述热膨胀性粘合剂层60a的剥离后，在密封体58上形成与上述露出的半导体芯片53连接的再布线69(参照图19)。作为再布线的形成方法，例如可以在露出的半导体芯片53上利用真空成膜法等公知的方法形成金属种子层，借助半加成法等公知的方法形成再布线69。之后，也可以在再布线69及密封体58上形成聚酰亚胺或PBO等绝缘层。(凸块形成工序)然后，也可以进行在已形成的再布线69上形成凸块67的凸块加工(参照图19)。凸块加工可以利用焊料球或焊料镀敷等公知的方法进行。凸块67的材质可以合适地使用与第一实施方式相同的材质。(切割工序)最后，进行由半导体芯片53、密封用片11及再布线69等要素构成的层叠体的切割(参照图20)。由此，就可以得到向芯片区域的外侧引出了布线的半导体装置59。切割方法可以采用与第一实施方式相同的方法。以上，对第二实施方式进行了说明。除此以外，本发明并不限定于上述的第一实施方式、以及第二实施方式，只要进行所述工序A、所述工序B、所述工序C、所述工序D、所述工序E、以及所述工序F即可，除此以外的工序任选，无论是进行还是不进行都可以。另外，各工序在不违反本发明的宗旨的范围内，无论以何种顺序进行都可以。上述的实施方式中，对双面带有隔片的密封用片所具备的密封用片为2层构成的情况进行了说明，然而本发明的密封用片的层构成并不限定于该例，也可以是3层以上。即使是3层以上，由于隔片A的厚度为50μm以上，因此如果经由隔片A利用吸附夹头将密封用片抬起，则也可以防止密封用片从吸附夹头落下。另外，即使是3层以上，通常所述密封用片也存在背面和表面。所以，如果隔片A的厚度为50μm以上，而隔片B的厚度小于40μm，就很容易根据厚度的差别来辨别哪一方是表面或背面。另外，本发明的密封用片的层构成也可以是1层。即使是1层，由于隔片A的厚度为50μm以上，因此如果经由隔片A利用吸附夹头将密封用片抬起，则也可以防止密封用片从吸附夹头落下。[实施例]以下，使用实施例对本发明进行详细说明，然而本发明只要不超出其主旨，就不受以下的实施例限定。另外，各例中，份只要没有特别指出，就是重量基准。(实施例1)＜密封用片的制作＞(硬质层的制作)相对于环氧树脂(商品名“YSLV-80XY”、新日铁化学公司制)100份，配合酚醛树脂(商品名“MEH-7851-SS”、明和化成公司制)110份、球状填料(商品名“FB-9454FC”、电化学工业公司制)2350份、硅烷偶联剂(商品名“KBM-403”、信越化学公司制2.5份、炭黑(商品名“#20”、三菱化学公司制)13份、固化促进剂(商品名“2PHZ-PW”、四国化成工业公司制)3.5份、热塑性树脂(商品名“SIBSTAR072T”Kaneka公司制)100份，利用辊筒混炼机依次在60℃加热2分钟、在80℃加热2分钟、在120℃加热6分钟，合计10分钟，在减压条件下(0.01kg/cm2)进行熔融混炼，制备出混炼物。然后，将所得的混炼物在120℃的条件下利用狭缝式模头挤出法涂布于脱模处理膜(相当于隔片A)上而制成片状，制作出厚200μm、纵550mm、横650mm的硬质层。作为上述脱模处理膜，使用了经过硅酮脱模处理的厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。(埋入用树脂层的制作)相对于环氧树脂(商品名“YSLV-80XY”、新日铁化学公司制)100份，配合酚醛树脂(商品名“MEH-7500-3S”、明和化成公司制)55份、球状填料(商品名“FB-9454FC”、电化学工业公司制)1100份、硅烷偶联剂(商品名“KBM-403”、信越化学公司制1份、炭黑(商品名“#20”、三菱化学公司制)7份、固化促进剂(商品名“2PHZ-PW”、四国化成工业公司制)1.5份，利用辊筒混炼机依次在60℃加热2分钟、在80℃加热2分钟、在120℃加热6分钟，合计10分钟，在减压条件下(0.01kg/cm2)进行熔融混炼，制备出混炼物。然后，将所得的混炼物在120℃的条件下利用狭缝式模头挤出法涂布于脱模处理膜(相当于隔片B)上而制成片状，制作出厚200μm、纵550mm、横650mm的硬质层。作为上述脱模处理膜，使用了进行了硅酮脱模处理的厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。将所制作的硬质层与埋入树脂层利用层压机在温度60℃贴合，制作出本实施例1的双面带有隔片的密封用片。而且，实施例1的双面带有隔片的密封用片中依次层叠有厚50μm的脱模处理膜(相当于隔片A)、厚200μm的固化层、厚200μm的埋入用树脂层、以及厚38μm的脱模处理膜(相当于隔片B)。(实施例2)＜密封用片的制作＞(硬质层的制作)相对于环氧树脂(商品名“YSLV-80XY”、新日铁化学公司制)100份，配合酚醛树脂(商品名“MEH-7851-SS”、明和化成公司制)110份、球状填料(商品名“FB-9454FC”、电化学工业公司制)2350份、硅烷偶联剂(商品名“KBM-403”、信越化学公司制2.5份、炭黑(商品名“#20”、三菱化学公司制)13份、固化促进剂(商品名“2PHZ-PW”、四国化成工业公司制)3.5份、热塑性树脂(商品名“SIBSTAR072T”Kaneka公司制)100份，利用辊筒混炼机依次在60℃加热2分钟、在80℃加热2分钟、在120℃加热6分钟，合计10分钟，在减压条件下(0.01kg/cm2)进行熔融混炼，制备出混炼物。然后，将所得的混炼物在120℃的条件下利用狭缝式模头挤出法涂布于脱模处理膜(相当于隔片A)上而制成片状，制作出厚200μm、纵550mm、横650mm的硬质层。作为上述脱模处理膜，使用了经过硅酮脱模处理的厚度为75μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。(埋入用树脂层的制作)相对于环氧树脂(商品名“YSLV-80XY”、新日铁化学公司制)100份，配合酚醛树脂(商品名“MEH-7500-3S”、明和化成公司制)55份、球状填料(商品名“FB-9454FC”、电化学工业公司制)1100份、硅烷偶联剂(商品名“KBM-403”、信越化学公司制1份、炭黑(商品名“#20”、三菱化学公司制)7份、固化促进剂(商品名“2PHZ-PW”、四国化成工业公司制)1.5份，利用辊筒混炼机依次在60℃加热2分钟、在80℃加热2分钟、在120℃加热6分钟，合计10分钟，在减压条件下(0.01kg/cm2)进行熔融混炼，制备出混炼物。然后，将所得的混炼物在120℃的条件下利用狭缝式模头挤出法涂布于脱模处理膜(相当于隔片B)上而制成片状，制作出厚200μm、纵550mm、横650mm的硬质层。作为上述脱模处理膜，使用了进行了硅酮脱模处理的厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。将所制作的硬质层与埋入树脂层利用层压机在温度60℃贴合，制作出本实施例2的双面带有隔片的密封用片。而且，实施例2的双面带有隔片的密封用片依次层叠有厚75μm的脱模处理膜(相当于隔片A)、厚200μm的固化层、厚200μm的埋入用树脂层、以及厚38μm的脱模处理膜(相当于隔片B)。(实施例3)＜密封用片的制作＞相对于环氧树脂(商品名“YSLV-80XY”、新日铁化学公司制)100份，配合酚醛树脂(商品名“H-4”、明和化成公司制)55份、球状填料(商品名“FB-7SDC”、电化学工业公司制)500份、硅烷偶联剂(商品名“KBM-403”、信越化学公司制)1份、炭黑(商品名“#20”、三菱化学公司制)7份、固化促进剂(商品名“2PHZ-PW”、四国化成工业公司制)1.5份，利用辊筒混炼机依次在60℃加热2分钟、在80℃加热2分钟、在120℃加热6分钟，合计10分钟，在减压条件下(0.01kg/cm2)进行熔融混炼，制备出混炼物。然后，将所得的混炼物在120℃的条件下利用狭缝式模头挤出法涂布于脱模处理膜(相当于隔片A)上而制成片状，制作出厚度200μm、纵550mm、横650mm的片A。作为上述脱模处理膜，使用了经过硅酮脱模处理的厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。另外，将上述混炼物在120℃的条件下利用狭缝式模头挤出法涂布于脱模处理膜(相当于隔片B)上而制成片状，制作出厚度200μm、纵550mm、横650mm的片B。作为上述脱模处理膜，使用了进行了硅酮脱模处理的厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。将所制成的片A与片B利用层压机在温度60℃贴合，制作出本实施例3的双面带有隔片的密封用片。而且，实施例3的双面带有隔片的密封用片中依次层叠有厚50μm的脱模处理膜(相当于隔片A)、厚400μm的密封用片、以及厚38μm的脱模处理膜(相当于隔片B)。(比较例1)＜密封用片的制作＞(硬质层的制作)相对于环氧树脂(商品名“YSLV-80XY”、新日铁化学公司制)100份，配合酚醛树脂(商品名“MEH-7851-SS”、明和化成公司制)110份、球状填料(商品名“FB-9454FC”、电化学工业公司制)2350份、硅烷偶联剂(商品名“KBM-403”、信越化学公司制2.5份、炭黑(商品名“#20”、三菱化学公司制)13份、固化促进剂(商品名“2PHZ-PW”、四国化成工业公司制)3.5份、热塑性树脂(商品名“SIBSTAR072T”Kaneka公司制)100份，利用辊筒混炼机依次在60℃加热2分钟、在80℃加热2分钟、在120℃加热6分钟，合计10分钟，在减压条件下(0.01kg/cm2)进行熔融混炼，制备出混炼物。然后，将所得的混炼物在120℃的条件下利用狭缝式模头挤出法涂布于脱模处理膜上而制成片状，制作出厚200μm、纵550mm、横650mm的硬质层。作为上述脱模处理膜，使用了进行了硅酮脱模处理的厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。(埋入用树脂层的制作)相对于环氧树脂(商品名“YSLV-80XY”、新日铁化学公司制)100份，配合酚醛树脂(商品名“MEH-7500-3S”、明和化成公司制)55份、球状填料(商品名“FB-9454FC”、电化学工业公司制)1100份、硅烷偶联剂(商品名“KBM-403”、信越化学公司制1份、炭黑(商品名“#20”、三菱化学公司制)7份、固化促进剂(商品名“2PHZ-PW”、四国化成工业公司制)1.5份，利用辊筒混炼机依次在60℃加热2分钟、在80℃加热2分钟、在120℃加热6分钟，合计10分钟，在减压条件下(0.01kg/cm2)进行熔融混炼，制备出混炼物。然后，将所得的混炼物在120℃的条件下利用狭缝式模头挤出法涂布于脱模处理膜上而制成片状，制作出厚200μm、纵550mm、横650mm的硬质层。作为上述脱模处理膜，使用了进行了硅酮脱模处理的厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。将所制作的硬质层与埋入树脂层利用层压机在温度60℃贴合，制作出本比较例1的双面带有隔片的密封用片。而且，比较例1的双面带有隔片的密封用片中依次层叠有厚38μm的脱模处理膜、厚200μm的固化层、厚200μm的埋入用树脂层、以及厚38μm的脱模处理膜。(最低熔融粘度的测定)使用粘弹性测定装置ARES(RheometricScientific公司制)测定出实施例1、实施例2、比较例1的硬质层、埋入用树脂层的最低熔融粘度。另外，测定出实施例3的密封用片的最低熔融粘度。具体而言，将测定各样品时的25℃～200℃的熔融粘度的最低值作为最低熔融粘度。测定条件设为升温速度10℃/min、应变：20％、频率：0.1Hz、板直径：25mm。将结果表示于表1中。(处置性评价)将实施例1、实施例2、比较例1的双面带有隔片的密封用片经由硬质层侧的脱模处理膜(隔片A)利用吸附夹头抬起，确认埋入树脂层侧的剥离了脱模处理膜(隔片B)时的密封用片的落下的有无。将没有落下的情况设为○，将发生落下的情况设为×。将结果表示于表1中。[表1][符号的说明]10双面带有隔片的密封用片，11密封用片，18单面带有隔片的密封用片，16a隔片(隔片A)，16b隔片(隔片B)，20、50层叠体，22半导体晶片，23、53半导体芯片，28、58密封体，29、59半导体装置，60临时固定材料。